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교수님 덕분에 아주 잘 공부하고있습니다. 다음 강의도 올라오면 좋겠지만, 이 강의들만으로도 정말 큰 도움이 됩니다. 감사합니다.

안녕하세요 교수님 좋은 강의 감사드립니다. 저는 한양대학교 학생이고 교수님 강의 덕분에 전공에서 좋은 학점을 받았습니다. 이번에 sk 하이닉스 면접을 보러가게 되어 강의를 복습중인데 혹시 강의 자료 메일로 받을 수 있는지 여쭤보고자 댓글 남깁니다. 감사합니다

교수님 short diode 18:33 에서 금속 전극이 존재하면, hole이랑 electron 이 둘다 농도가 0이 되나요?? 금속의 성질은 전자를 만나거나 hole을 만나면 어떻게 되는지 설명해주실 수 있을까요..?

안녕하십니까 교수님 강의 정말 유익하게 듣고 있습니다. 다름이 아니라 제가 이제 공부를 시작한 상황이라 전자기학이 미흡합니다. 7:50의 그래프이서 x=0을 기준으로 양쪽 그래프의 넓이가 다른데 왜 다른지 이해가 안되어 댓글남깁니다. 감사합니다.

반도체 분야 취업을 준비하고 있는 화학공학과 졸업반 학생입니다. 아는 것은 반도체 공정지식 밖에 없고 전자공학, 소자 물리학에 대한 기초가 없어서 준비하는 기업의 전공면접 기출문제를 대답할 수 없다는 것을 깨달아 이 강의를 보기 시작하였습니다. 이런 양질의 강의 감사합니다. 열심히 듣고 제 것으로 만들어서 취뽀 해버리겠습니다. 감사합니다!

안녕하세요. CAP쪽 유전막을 공부하는 사람입니다. 유전막단 결정 구조에 따라 k값이 달라지고 결정화도가 유전막단에서 중요한 부분을 차지하는데 결정화는 heat 등등을 이용해서 컨트롤이 가능한가요?

안녕하세요. 선형 영역에서 Vd(드레인전압)가 증가할 때 전하량q는 어떻게 변하는지 궁금하여 질문드립니다. J=nqv에서, 선형 영역의 경우 Vd가 증가하면 v(속도)가 증가하여 전류가 커진다고 이해하였습니다. 그렇다면 J=nqv에서 전하량 q는 Vd가 증가하는 것에 따라 어떻게 변하게 되나요? 제 생각으론 (Vg-V(각 지점에서의 전압))가 inversion에 관여하는 전압이고, 이 전압이 Vd가 증가하면 각 지점에서의 전압이 증가하여 전체적으로 감소하므로 총 유기되는 전하 q는 감소하는 것으로 생각하였는데 이것이 맞나요? 아니면 saturation 영역에서처럼 Vg만이 q에 영향을 주어 Vd가 증가하더라도 q는 일정하게 유지되나요? 만약 첫번째가 맞다면 J=qvd에서 q는 감소하더라도 v 증가량이 크기때문에 전류는 증가한다고 생각하면 되는 것인가요? 항상 감사합니다.

좋은 강의 감사합니다^^

저 상황에서는 자유공간에서는 전자가 +x축 방향으로 모두 동일한 확률로 존재하고 이때 파동방정식의 시간에 대한 해을 결정하는 k는 무수히 많기에 다양한 에너지와 운동량이 무수히 다양하게 존재 하는거군요 이 표현이 혹시 맞을까요?

교수님 강의진짜 한줄기 빛같아요 유튜브에 이런강의 올려주셔서 넘감사합니다 길가다가 5만원주우시길 바라용

역시 어렵군요... 이번 강의도 잘 들었습니다. 감사합니다.

이번 강의도 감사합니다!

우주선 등 외부 요인에 의한 에러의 영향이 점점 커진다면, 금속으로 쉴딩을 해주면, 상당 부분 막을 수 있지 않을까요?

정말 신기하네요 ㅎㅎ 이번 강의도 잘 들었습니다. 감사합니다.

N1, N2 구조가 완전 대칭이고 어떤 기준이 없으면, 00, 11은 존재할 수가 없는 상태에서 01, 10 은 구별이 안되는 사실상 같은 상태여서 아무런 정보를 주지 못할 것 같은데요. N1 상태만 읽겠다 (또는 N2 상태만 읽겠다) 뭐 이런식의 약속이 있는것인지, 약속이 있다면 그 내용은 어디에 포함이 되어 있는지 궁금합니다

아니 외모가 누가봐도 20대인데 교수님...? 혼란스럽네

SRAM은 집적도 면에서 가장 불리한데, 왜 스케일러빌리티가 굿인가요??

bios 가 ROM에 저장되면, bios 업데이트는 어떻게 가능한지 궁금합니다

이해 안 되는 부분이 있더라도 너무 파고들려고 하지말고 일단은 전체적으로 먼저 들어보려고 합니다. 이번 강의도 잘 들었습니다. 감사합니다.

이번 강의도 잘 들었습니다. 감사합니다.

강의 잘 들었습니다. 감사합니다.

강의 잘 들었습니다. 감사합니다. 그럼 xyz축의 방향은 결정마다 영상에 나온 것 처럼 정해져 있는 건가요?

강의 잘 들었습니다. 감사합니다!!

잘 들었습니다. 감사합니다.

엄청나게 유용한 강의네요. 왜 실리콘 대신 하프늄을 쓰고자 하는지, 그리고 그게 기술적으로 도달하기 왜 어려운지, 수소 어닐링을 왜 하는지 한번에 알게 되었어요. 이런 강의를 마음껏 들을 수 있다는 것이 너무 감사합니다!

이런 좋은 강의 영상을 무료로 올려주셔서 정말 감사합니다. 교수님 강의 목록에 있는 [물리전자공학-기초반도체공학]과 전자회로의 공부 순서가 어떻게 되는지 알려주실 수 있을까요? 회로이론만 어느정도 공부한 상태인데 그 다음으로 전자회로를 먼저 보는 게 맞는지, [물리전자공학-기초반도체공학]을 먼저 보는 게 맞는지 궁금합니다.

안녕하세요 교수님 혹시 해당 자료가 어디 출처인지 알 수 있을까요? 혹시 교재나 레퍼런스를 알고 싶습니다. 저 혼자 velocity seturation model이 단순 pinch off model과 뭐가 다른지 알아보고 싶어서 이렇게 댓글 남깁니다.

교수님 안녕하세요. 좋은 강의 잘 수강하고 있습니다. 질문이 있어서 질문 남깁니다. Channel length modulation에 대해서 설명하신 것을, Vd가 증가하면서 depletion영역의 길이가 늘어나고, 그만큼 channel의 길이가 줄어들기 때문에, 전류가 증가한다고 이해하였습니다. 그런데 채널의 길이가 줄어들면서 전류가 증가하는 것은, 저항이 작아지기 때문에 전류가 증가하는 것이라 생각이 듭니다. 그럼 위와 같이 depletion 영역이 늘어나면 오히려 저항이 높은 depletion 영역을 전자가 이동해야 하기 때문에 전류가 줄어들어야 하는 것이 아닌가? 라는 생각이 듭니다. 어짜피 전자가 이동해야 하는 경로는 채널 + depletion 영역이라고 생각이 들어서요. 제가 잘못 생각한 부분 지적해주시면 감사하겠습니다!

교수님 강의 너무 잘들었습니다! 현직자 말로는 최근 IIP 공정에서도 PR 마스크가 아닌 Hard Mask를 사용하는 추세라고 하셨는데, 교수님께서도 알고 계시면 좋을 것 같아 정보 공유합니다ㅎㅎ 늘 감사합니다:)

교수님 사랑합니다...

교수님 사랑합니다..

안녕하세요 교수님. 좋은 강의 감사드립니다. 기본적인 개념에서 헷갈리는게 있어 질문드립니다. p-type에는 전자가 거의 없고, n-type 반도체에는 매우 많은 전자가 존재합니다. 따라서 pn jucntion에서 reverse bias를 인가하게 될 경우, p-type에서 n-type 쪽으로 오는 전자는 존재하지만 그 수가 상대적으로 적기 때문에 무시가 가능합니다. 하지만, n-type 영역에 존재하는 수많은 전자가 + 전압을 인가한 contact쪽으로 이동하면서 높은 전류가 생성되어야 할 것 같습니다. 그렇지 않은 이유를 조금 알려주실 수 있을까요?

교수님 사랑합니다...

양질의 강의 감사합니다 교수님. 그런데 10분47초에 나오는 전위에대한 식은 저게 맞나요? Xp랑Xn은 변수가 아니라 적분상수를 구할 때 썻던 상수가 아닌가요??

안녕하세요 교수님, 혹시 이 영상에서 활용하셨던 교재 이름을 알 수 있을까요?

헉 제가 내일 면접 보는 학과 교수님이시네요!!! 이런 양질의 수업 내년에도 들을수있도록 노력하겠습니다❤️

교수님, 다른 계정으로 댓글 남깁니다. 이번년 초, 반도체의 기초학문부터 막혀서 교수님 유튜브 영상을 보고 공부했는데 그때도 이해를 못 해서 현재 다니는 학교를 자퇴하고싶다라는 하소연을 남겼습니다. 교수님께선 본인 학부시절을 말씀 해주시면서 격려해주셨습니다. 비록 현재까지도 성적은 좋지 않지만, 남들도 어렵다는 생각으로 열심히 하고있고 최근엔 저희 학교의 박막증착 랩실로 학부연구생 지원까지 했습니다. 감사드립니다..

안녕하십니까 교수님 혹시 원자층 식각인 ALE공정도 추후에 업로드 해주시나요??

교수님 안녕하세요. 항상 강의 잘 듣고 있습니다. 다름이 아니라, 에너지 밴드를 그려보는 과정에서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다. 기판에 역전압을 인가하게 되면 가해준 역전압만큼 bulk의 에너지 밴드가 상승하기 때문에, 에너지 밴드 다이어그램을 그리게 되면 gate의 페르미 준위와 Efp의 차이는 Vg + VR이 되는 것이 맞는지 궁금하여 질문 드립니다. 감사합니다.

안녕하세요 교수님, 항상 좋은 강의 감사합니다. 다름이 아니라 interface trap charge를 공부하던 중 궁금한 점이 생겨 질문 드립니다. Threshold voltage에서 low f와 high f의 capacitance 차이가 나는 이유가 Vth를 기점으로 inversion charge가 생기는 것이 아니라 weak inversion부터 미약하게나마 조금씩 inversion charge가 capacitance에 기여하기 때문이라고 이해했습니다. 따라서 Vth에서 high f는 (1/C) = (1/Ci) + (1/Cdmin)이고, low f는 (1/C) = (1/Ci) + (1/2*Cdmin)이 된다고 이해했습니다. Strong inversion point에선 depletion charge와 inversion charge가 같다고 생각했기 때문입니다. 하지만 전공서적을 보다가 Cit (Capacitance of fast interface state)의 식을 확인할 수 있었는데 다음과 같았습니다. Cit = ( (Clf * Ci) / (Ci - Clf) ) - ( (Chf * Ci) / (Ci - Chf) ) 여기서 'Clf'와 'Chf'는 threshold voltage에서의 각각 'low f의 Capacitance'와 'high f의 Capacitance'입니다. 이 식은 Clf가 Ci와 (Cit + Cdmin)과 직렬연결일 때 가능한 식인데, Clf는 제가 위에서 말씀드린 내용에 따라 Ci와 (Cit + 2Cdmin)의 직렬연결이어야 하지 않을까라는 생각이 드려 질문드립니다.

안녕하세요 교수님 질문이 있습니다. 일함수는 고정된 값이라고 하셨는데 메탈값은 이미 도핑이 많이되어 전류가 잘 흐를수 있는 상태로 보면, 일함수(E0-EF)가 변하지 않지만, si쪽은 도핑농도에 따라 EF가 달라지니까 E0-EF가 달라져서 고정값이 아니라고 볼 수 있지 않나요? 감사합니다.

진짜 반도체과목 전국 goat.. 오늘도 구제받고 갑니다

교수님 안녕하십니까 강의 잘 듣고 있습니다:) 1. RIE 방식에서 Ion 으로 먼저 물리적 반응을 통해 분자 간 결합을 약하게 한 후 Radical로 화학적 반응을 일으키는 건지, 아니면 Radical을 통해 화학적 반응을 먼저 한 후, 결합이 약해진 부분을 Ion으로 강하게 때려박는건지 순서가 궁금합니다! 2. Deep RIE 방식 말고 일반 RIE 방식에서도 측벽에 passivation film을 증착해서 진행하는 걸로 아는데, 이러면 Deep RIE 방식과 원리가 비슷하여 Deep RIE를 사용할 이유가 없다고 생각했습니다.. AR이 높아질수록 안쪽까지 passivation film을 증착하는 것이 힘드니, Deep RIE 방식을 사용한다고 이해해도 될까요?

교수님, 22:11 에서 p가 Acceptor 이온 넣어준 만큼의 농도라고 하셨는데 그래프에서 왜 음수로 나와있는지 궁금합니다. 농도를 나타내는 건데 p가 Acceptor 만큼 위로 양수 범위로 나타나야 하는 것 아닌가요?

안녕하세요 교수님. 항상 좋은 강의 감사드립니다. p-type에서 np<ni^2일때의 에너지 밴드 다이어그램이 궁금하여 np<ni^2 상태이니 과잉캐리어를 음수로 잡고 계산을 해보았습니다. 그려보니 위에서부터 Ec-Ei-Efp-Ef-Efn-Ev 순서로 그려졌는데 Efp가 Efn보다 높게 나올 수가 있나요? 또 이런식으로 과잉캐리어를 음수로 잡고 확인하는 게 옳은 방법인지 궁금합니다!

안녕하세요 교수님, 강의를 잘 듣고 있는 대학생입니다. 다름이 아니라 수업 내용 관련하여 궁금한 점이 있어 댓글 남깁니다. 2:45 에 영상을 보면 이차 방정식의 해를 통하여 n0 값을 구할 수 있는 건 이해하였습니다. 그러나 왜 (-)근은 사용하지 않는지 궁금하여 댓글 남깁니다. 항상 행복하세요!!

강의 처음 들었는데 너무 깔끔하고 좋네요. 감사합니다~

안녕하세요 교수님. 좋은 강의 감사드립니다! DOS 수식 유도 내용 중 질문이 있어 댓글 남깁니다. 1. 4페이지의 1)번에서 왜 infinite potential well을 가정하는 것인가요? 캐리어는 반도체 내에서 자유롭게 이동할 수 있다고 생각해야 하는 것이 아닌지 궁금합니다. 2. 6페이지의 11)번에서 k-space를 왜 구형으로 상정하는 것인지 궁금합니다. 5페이지의 그림처럼 현재 실공간에서 a의 변 길이를 가지는 정육면체 공간에 대해 DOS를 구하고 있으니 역공간에서 pi/a의 변 길이를 가지는 정육면체 형태의 k-space를 고려해야하는 것 아닌가요?

진짜 너무 감사합니다…. 유튜브로 이런 강의 들을수 있는게 너무 행운인거 같아요

교수님 없었으면 졸업못했을거예요🥰