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좋은강의 감사합니다!

안녕하세요 선생님 이 내용을 수강하기전 및 이해하기 전에 들었으면하는 강의 말씀해주실 수 있을까요?

좋은강의 감사합니다! 한번에 요약 되었습니다!

안녕하세요 교수님. semiconductor와 metal 접합부에서 semiconductor에 생기는 depletion region 영역의 길이도 유사한 방법으로 계산 가능할까요? 그리고 bandgap이 0인 semiconductor graphene과 metal의 접합부에서 생기는 depletion region도 계산 가능할지 궁금합니다.

안녕하세요 교수님. 좋은 강의 너무 감사드립니다. 질문이 하나 있는데 이러한 2DEG 현상은 저렇게 major carrier가 n type 두개가 붙은 n-n junction 에서만 가능한건가요 아니면 p-n junction에서도 마찬가지로 전자 우물을 형성하면 n->p로 electron mobility가 증가하여 2DEG 현상으로 해석할 수 있는건가요??

교수님 안녕하세요. 강의 중 궁금한것이 생겨 댓글 남깁니다. 강의 중 운동량 p가 일정할때, 람다=h/p인데 h는 상수, p의 값이 정확하면 람다의 값이 나오는것인데 위치의 분산도가 커진다는게 정확히 어떤 뜻인지 이해가 잘 가지 않습니다. 감사합니다!

안녕하세요? 강의 내용 중 금속의 경우, Ev, Ef, Ec가 한 level에 있다라는 말이 이해가 잘 않되네요? 어떤 교과서를 보면 금속은 전자가 Ev level까지 차있고 조그만 에너지에도 바로 Ec로 천이해 자유롭게 움직일수 있어 금속의 전도도가 높은 것이라는 설명과 잘 맞지 않은것 같아 질문드립니다.

damascene process가 hbm 제작에 상용화되고있나요?

안녕하세요 김성호 교수님, SRAM의 Write SNM에 대해 궁금한 점이 있어 질문 남깁니다. 16:34에 있는 내용에서 PG, PU의 strength를 조절해서 GND로 다 빠져나가도록 해서 N1노드의 전압이 0에서 잘 안키지도록 설계를 한다까지는 이해를 했습니다. 근데 왜 VN1이 0.1V일 때 VN2도 0V가 되는지 회로를 봐도 잘 이해가 안가서 혹시 제가 놓친 부분이 있을까요? 감사합니다.

안녕하세요 김성호 교수님, 15:35 부분에서 N2 노드의 charge가 BL bar 쪽으로 빠져나간다고 하는데 PD2가 turn on되어있어서 그 쪽으로도 빠져나가는 건데, 그냥 gnd로 어차피 묶이니까 그라운드로 빠져나간다고 되어 있는걸가요?(2nd phase 부분 설명하는 내용) 그리고 1st phase 부분에서 Designed not to change values to ensure correct read operation이라고 설명하는 내용이 PG1과 PD1이 turn on되어 있는 상황이라고 하면 N1 node의 0상태가 증가해야할 것 같은데, 특정 회로 동작을 통해 write 시 저 N1 노드의 charge값이 변하지 않도록 설계했다는 의미일까요?

교수님 좋은 강의 제공해주셔서 감사드립니다. 궁금한 점이 생겨 문의드립니다. built in potential은 Na, Nd에 비례한다고 유도되었는데, Na가 증가하면 built in potential이 증가할 것이고 그렇게 되면, p n junction 에너지 밴드의 차이가 커진다는 것이고, 그럼 depletion region(width)이 증가한다고 이해했습니다. 다만, Na*Xp = Nd *Xn 에서는 왜 이 관계가 성립하지 않는 것인가요? 여기서는 도핑 농도가 높아지면 depletion width가 감소하는 것 아닌가요?

교수님 궁금한점이있는데 cv특성곡선에서 공핍층영역에서는 공핍층에의한C때문에 합성커패시터 값이 줄어드는데 문턱전압이후 반전층영역에서 다시 합성커패시터가 증가하는이유가 무엇인가요? 반전채널은 커패시터의 역할을 하지않아서 인가요?

2:50

3학년 전공 들을 때 이거 기반으로 공부했는데, 까먹어서 다시 복습하러옴. 쉽게 설명해주셔서 정말 감사합니다

안녕하세요 교수님. 좋은 강의 감사합니다. ambipolar 예제에 관하여 질문이 있습니다. 이전 강의에서 확산 전류에 대해 배울 때 캐리어의 농도의 구배가 있으면 그로 인해서 에너지밴드가 휘면서 built in potential이 발생한 것으로 알고 있습니다. ambipolar transport example에서 정공의 농도구배를 보면 built in potential이 생겨야 할 거 같은데, 이에 대해 자세히 알고싶습니다. 감사랍니다.

교수님 안녕하세요. 플라즈마 관련 강의 감사합니다. 혹시, 반도체 후공정에 사용되는 O2 플라즈마의 역할에 대해 알려주 실 수 있을까요??

그...감사합니다. 현재 반도체 기업에 지원하고자 하여 반도체를 공부하는 컴공생인데 도움 많이 받고 있습니다. 그런데 한가지 여쭈어봐도 될까요? 그렇다면 산화 공정은 현시점 산업 반도체 공정에서는 완벽하게 빠지는 것인가요? 아니면 연구실이나 실험실등 특수한 조건에서 제외되는 공정이 되는 것인가요? 개인적으로 궁금하여 검색을 해보니 현시점에서 둘이 혼용되고 있다고도 하고, 그에 대한 논문도 있어서 헷깔려서 여쭤보게 되었습니다. 귀찮게 했다면 죄송합니다. 제가 물리나 반도체쪽으로는 완벽하게 문외한인데 갑자기 관련기업에 지원하게 돼서;;;

교수님 교수님의 설명중 궁금한게 있습니다 13분 50초 쯤에 pn junction에서 forward bias일때 전기장에 의해 캐리어가 건너간다고 하셨는데 reverse bias일때 built in electric field가 걸려서 넘어간다는 내용은 그럼 틀린건가요? 감사합니다

교수님 p+n으로 바뀌면 p쪽의 도핑농도만 달라졌기에, 전류의 크기와 7:20 에서 곡선의 가파른 정도는 바뀌겠지만 다수,소수캐리어 기본적인 모양은 위의 이미지를 유지하는 형태일까여???

교수님 혹시 p+n다이오드면 어떻게될까여??? 1. 소수캐리어농도는 exp계수가 p+이라서 1에 근사할것같아 bias에 따라 결정날것같은데 맞을까여?? 2. 전류도 위와 비슷할것같은데..그러면 p+n이랑 일반 pn이랑 다이오드에서는 차이가 크게 안날까여???

교수님 안녕하세요. 좋은 강의 잘 수강하고 있습니다. 질문이 있어서 질문 남깁니다. MOSFET을 공정과정을 통해 제작하여 측정을 하였는데, ID-VG의 그래프에서 VD값을 0, 2, 6, 8, 10V를 인가해준 뒤 비교를 하였습니다. 그래프에서 VD가 6, 8 ,10V일 때 ID값이 증가하다가 saturation되는 경향을 확인할 수 있었는데, 이러한 원인도 강의에서 설명해준 것과 같이 channel length modulation, velocity saturation, Mobility variation과 같은 현상 때문인걸까요?? ID-VD 에서의 현상들이 ID-VG에서도 동일하게 발생하는지 궁금합니다!

감사합니다

안녕하세요 교수님 강의를 듣다가 의문점이 생겨 답변을 주실지 모르지만 질문을 남기게 되었습니다. 강의에서 전자의 이동에 대해서는 exp 함수를, 전자가 potential well처럼 갇혀서 움직이지 않을때는 삼각함수로 파동을 나타내는 것이 해석하는데 유리하다 라고 말씀하셨는데 의미를 생각해보면 이동할 떄 exp 함수를 해석하는데 있어서 어려움이 있어 질문 드리게 되었습니다. 1. 전자가 갇혀있다 = 끊임없이 진동하며 삼각함수 형태의 파동으로 에너지를 발생하다 2. 전자가 이동한다 = 결국 발산하는 쪽으로 나타나는데 왜 이렇게 가정하는지....? 혹시 결국 확률밀도함수를 나타낼 때 i값이 사라지기 때문에 그저 exp함수를 사용하는 것인가요?

안녕하세요? Quasi Fermi level에 대해 이해가 잘 않되는 부분에 대해 질문 드립니다. 설명에는 excess carrier의 농도가 평형 상태의 carrier 농도에 비해 크지 않을 때 도입되는 개념이라고 하셨느데, low level injection의 경우도 다수 carrier에 대해서는 맞는 설명인것 같은데, 소수 carrier에대해서는 평형 상태의 carrier 농도 대비 매우 큰 값(예제의 경우 p0≒10^3, p≒10^15)이라 "평형 상태의 carrier 농도에 비해 크지 않을 때 도입되는 개념"이라는 설명이 잘 이해 되지 않습니다. 제가 잘 못 이해하고 있나요? 도움 부탁드립니다.

교수님 reverse bias에서 만약 0.026V보다 훨씬 큰 bias(-3V reverse bias같이)를 인가한 소수캐리어분포 profile을 상상해봤는데 각각 음수농도부터 시작해서 양의농도로 수렴하는 곡선이 나오는것이 맞을까여??? bias를 조정하면 곡선모양은 같은상태에서 가파른 정도와 위치만 위아래로 평행이동으로 생각했는데..맞는지 궁금합니다!

너무 감사합니다. 사실상 이번학기는 교수님과 가장 많은 시간을 보낸것 같습니다. 남은 강의도 맛있게 먹겠습니다!

교수님 좋은 강의 감사드립니다! 한 가지 질문이 있어 글을 남기게 되었습니다. 중성영역에서, Ambipolar transport에 의해 전자와 홀이 하나의 켤레로서 같은 이동도(소수캐리어의 이동도)를 가지고 이동한다고 이해했습니다. 그런데, 서로 다른 부호의 전하를 가진 캐리어가 같은 방향으로 이동하고 있음에도 전류가 형성될 수 있는 이유가 궁금합니다. 예를 들어, PN junction에 일정한 순방향 DC bias가 인가된 정상상태에서, N형 반도체의 중성영역에서의 excess hole 농도분포가 exponential 하게 분포한다고 배웠습니다. 그로 인해 농도 기울기가 생겨 확산 전류가 흐르는데, 이때 N형반도체에 있는 excess 전자도 켤레로서 excess hole과 같은 농도 분포를 갖는다면, (-)전자에 의한 확산 전류와 (+)hole에 의한 확산전류가 서로 상쇄가 되는 것이 아닌가 생각이 들었습니다. 이러한 저의 생각에 오류가 있는 것인지 여쭙고 싶습니다! 감사합니다.

강의 이해가 너무 잘되요.감사합니다

드디어 mosfet이 뭔지 알게 되었네요. 감격스럽습니다... 감사합니다

취업준비 하는 지금까지도 많은 도움이 되고 저뿐만 아니라 반도체 과목을 수강하는 많은 학생들이 교수님의 강의를 듣고 많은 도움이 됐다고 합니다. 감사합니다.

교수님 좋은 강의 감사드립니다. 다름이 아니라 혹시 Cmos에 대해서는 자세히 안배우는 걸까요? 기초반도체공학 Mosfet 첫강의에서 짧게 언급하시고, 반도체공정 강의 Metalization 바로 다음강의인 Cmos 공정을 듣는게 맞는걸까요?

교수님 항상 좋은 강의감사드립니다. 혹시 영상에 나온 사진 자료를 사용해도 될까요?

6:50

교수님 .. 강의들 정말 외우듯이 보고있습니다. 감사합니다. 복받으실거에요 .. 교수님 혹시 14:26 에 나오는 그래프는 어느 논문을 레퍼런스로 가져오신건지 공유가 가능하실까요? 그래프에대해 자세히 읽어보고싶어서요!

교수님 기초반도체공학 강의에서 pn 정션에서 캐리어가 넘어갈 수 있는거처럼 depletion 영역을 넘어갈 수 있다 라고 pinch off 를 설명하셨었는데(혹시 잘못 이해하고 있다면 죄송합니다.) 그렇다면 saturation current는 이전의 설명 말고 이 강의에서 말하는 velocity saturation 으로만 이해하는게 적절할까요?

교수님 12:05에서 shottky barrier lowering effect가 reverse bias일 때 더 두드러지게 나타난다고 하셨는데, 이유가 외부에서 가해준 E field와 image charge 효과 때문에 생기는 E field가 반대방향으로 나타나기 때문이라고 하셨습니다. 이 부분이 조금 이해가 가지 않습니다. image charge 효과 때문에 배리어가 낮아지는 거는 알겠는데 reverse bias 일 때의 반대방향 E field가 이 효과에 어떤 영향을 주는 것인가요?? 오히려 방향이 반대이기 때문에 E field 가 상쇄되어 효과가 더 안나타나는거 아닌가요?

안녕하세요 교수님 강의 잘 듣고 있습니다! Vgs가 VT 보다 큰 경우 Vds를 점점 키워주게 되면, 수직 에너지 밴드를 생각해보았을 때, 채널 위치당 에너지 밴드의 변화에 대해 여쭈어볼 내용이 있습니다. 채널이 x=0인 위치는 Vds의 영향은 거의 없을테니 기존 moscap의 strong inversion 에너지 밴드와 동일할 것입니다. 그렇다면 x=Leff 인 가장 드레인쪽 부분에서의 에너지 밴드는 메탈을 기준으로 기판의 에너지밴드 Ec Ev Ei Ef는 모두 상승하고 Efn은 하강하는 건가요? Efn이 더 줄어들어서 Leff에 가까울수록 inversion이 더 힘들어지는 건가요? x=Leff일때 수직 에너지밴드에 대해 설명해주시면 이해에 아주 큰 도움이 될 것 같습니다!!

교수님 좋은 강의 감사합니다. 질문이 하나 있습니다. 10:20에서 x절편이 -Vbi라고 하셨는데, 그래프나 밑의 x-intersection에는 그냥 Vbi라고 나와있는데 -Vbi가 맞지 않나요? 그래프의 위치 상으로도 -Vbi라서 여쭤봅니다.

질문이 있습니다! ms junction에서 전압이 인가되었을 때 EB =-qV 에 따라 밴드의 움직임이 있는데, 이때에도 metal과 semiconductor의 workfunction은 변하지 않나요? 그림상으로 페르미레벨이 움직이는것처럼 보여서 헷갈립니다. 그림이 페르미 레벨(밴드)의 상대적인 위치만 보여주는 것은 이해했는데.. 전압에 따라 vaccum level을 포함한 밴드 전체가 오르내리거나 휘어진다고 생각하면 맞을까요?

안녕하세요 교수님 물리전자부터 기초반도체공학까지 완강한 학생입니다. 강의 정말 잘 들었음에 머리 숙여 진심으로 감사드립니다,, 혹시 하나 궁금한게 있는데 finfet이나 gaa mosfet에 대해서 tcad로 한번 다뤄보고 싶은데, 현재 3D mosfet을 다룰수있는 무료 tcad 앱이 구글에 있는지 알 수 있나요? 아무리 찾아봐도 안나와서 질문드려요!

교수님~ 저 mosfet channel에서 발생하는 현상을 정성적으로 이해하고싶은데요, 제가 생각한 바로는 high Vg에서 Vg에 더 많은 전압을 가함으로써 절연체의 유전분극이 더 잘되서 채널쪽에 minority carrier인 전자들이 더 dense하게 모여서 Vd의 전압에 의해 deplition region이 채널을 잠식하는데 더 많은 전압이 요구되는건 알것같습니다(pinch off model이 틀리다고 하셨지만 이해하기 편하게 생각했습니다) 근데 왜 Emax가 더 작아지는지 이해가 안가는데 어떤 현상때문에 Emax가 줄어들었는지 알 수 있을까요?

나만 알고 싶은 성호킴 강의였는데, 너무 좋아서 동기들한테 완전 이 강의를 공유하고 있습니다. 근데 문제는 이미 다 알더군요 ^^ 교수님 감사합니당!!

안녕하세요 교수님 schottky barrier lowering현상에 대해 현재 공부하던중 교수님강의를 보면서 많은 도움이 되고있는 중에 몇가지 궁금증이 생겨 질문드리고자 합니다 실제 M-S n형 쇼트키접합을 가정하고 reverse bias상태라면 concduction band의 상황은 이해 갑니다만 Ev와 Ei의 경우 이상적인 접합일때와 동일하게 그려지는 아니면 어떤식으로 변형이 일어나는지가 잘 이해가 안가 질문드립니다 감사합니다!

좋은 강의 감사합니다.

정말 정말 감사히 잘 들었습니다 소중한 지식 나눠주셔서 너무 감사드립니다 어려운 강의라고 생각했는데 이렇게 쉽고 재미있게 들을 수 있을지는 생각도 못 했습니다 이렇게 좋은 강의를 들을 수 있는 교수님의 학생들이 부럽습니다😊

너무너무 재미있게 들었고 감사합니다~~

교수님 친절하게 설명해주신 영상 덕분에 도움이 많이 됐습니다. 감사합니다! 한가지 궁금한게 있는데 혹시 공정 기술이나 설비같은 직무에서도 나중에 실무에서 이러한 반도체 식들을 외우고 사용하게 될까요?

진짜 야무지시네

아하 그래서 19:58 에서 정리되는 k 값이 -pi/a<k<pi/a의 1st Brillouin zone을 정의한 느낌이군요. 고체물리에서 다룬 내용과 연관되는 거 같아 신기합니다. 감사합니다!!

안녕하십니까! 교수님 궁금한 점이 있어 댓글 남깁니다. 9:00에서 ms는 쌓이는 것이 없다하셨는데 이전 ms(n type)에서 reverse bias를 인가하면 n-type의 컨덕션밴드가 내려가고 메탈의 전자가 반도체쪽으로 넘어가게 되는데 그렇게 된다면 메탈의 많은 수의 전자가 n타입의 minority캐리어인 홀과 충분한 recombination이 되지못하여 쌓이게 되는 것이 아닌가하는 의문이 생겼는데 이에 제가 한 생각은 일부 전자는 홀에 의해 재결합되지만 나머지 다수의 전자는 컨덕션 밴드의 더 낮은 에너지를 가지는 방향으로 이동하여 전자가 쌓이지 않는다고 생각하였습니다. 혹시 제 해석이 맞는 것인지 궁금하여 질문드립니다. 항상 양질의 강의에 감사드립니다!