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너무너무 재미있게 들었고 감사합니다~~

교수님 친절하게 설명해주신 영상 덕분에 도움이 많이 됐습니다. 감사합니다! 한가지 궁금한게 있는데 혹시 공정 기술이나 설비같은 직무에서도 나중에 실무에서 이러한 반도체 식들을 외우고 사용하게 될까요?

진짜 야무지시네

아하 그래서 19:58 에서 정리되는 k 값이 -pi/a<k<pi/a의 1st Brillouin zone을 정의한 느낌이군요. 고체물리에서 다룬 내용과 연관되는 거 같아 신기합니다. 감사합니다!!

안녕하십니까! 교수님 궁금한 점이 있어 댓글 남깁니다. 9:00에서 ms는 쌓이는 것이 없다하셨는데 이전 ms(n type)에서 reverse bias를 인가하면 n-type의 컨덕션밴드가 내려가고 메탈의 전자가 반도체쪽으로 넘어가게 되는데 그렇게 된다면 메탈의 많은 수의 전자가 n타입의 minority캐리어인 홀과 충분한 recombination이 되지못하여 쌓이게 되는 것이 아닌가하는 의문이 생겼는데 이에 제가 한 생각은 일부 전자는 홀에 의해 재결합되지만 나머지 다수의 전자는 컨덕션 밴드의 더 낮은 에너지를 가지는 방향으로 이동하여 전자가 쌓이지 않는다고 생각하였습니다. 혹시 제 해석이 맞는 것인지 궁금하여 질문드립니다. 항상 양질의 강의에 감사드립니다!

도핑 농도 높고 낮은 기준이 대략 10^18 전후라고 하셨는데, 그럼 10^18 일때는 어느쪽 방식을 적용하는 것이 좋을까요?

혹시 강의가 전기전자과 학생이 아니면 이해하기 힘든가요..? 신소재 학생인데 이해가 하나도 안되네요 ㅠ

안녕하십니까 교수님 항상 많은 도움 받고있습니다. 다름이아니라 17:00에 메탈에 +, si에 - 를 인가해 포워드 바이어스를 만들면 EB= -qv 에 의해서 실리콘의 에너지밴드가 아래로 내려가야하는 것 아닌가라고 생각되어 질문드립니다. 또한, 7강 에서 pn 접합에 바이어스를 가했을 때 바이어스의 에너지밴드에 대한 영향을 p타입에만 적용해주셨는데 n타입은 에너지밴드에 영향을 받지 않는 것인지도 궁금합니다. 항상 감사한 마음으로 강의 수강하겠습니다! 감사합니다!

강의 잘 들었습니다. 웨이퍼 중 일반적으로 가장 많이 이용되는 웨이퍼의 밀러지수가 무엇인가요..? 근거도 알려주시면 감사하겠습니다.

좋은 강의 영상 풀어주셔서 감사합니다!

안녕하세요 좋은 강의 영상 잘보고 있습니다. 한가지 궁금한 점이 있습니다. 실리콘 전자의 유효질량이 0.26 me, 1.08 me 2개 관계식이 나오는데요, 이 둘은 무슨 차이인지 궁금합니다.

안녕하십니까. 교수님 항상 좋은 강의에 많은 도움 받고있습니다. 다름이 아니라 6:50 에 공핍층 영역은 저항이 높고 중성 영역은 저항이 낮기에 0으로 취급하셨는데 궁금한 것이 공핍층은 이동 캐리어가 없기에 이온 스케터링이 없고 중성영역은 이동가능항 캐리어가 존재해서 이온 스케터링이 많을 것 같은데 공핍층은 저항이 높고 중성영역은 저항이 낮은 이유가 이온 스케터링보다 내부 전위에 의한 영향이 훨씬 커서인가요?

안녕하세요, 교수님. 마지막 Comparisons에서 물질에 따라 LPCVD PECVD를 이용하는 표가 있는데요. 말씀하실 때는 X라고 표시된 부분이 마치 O인 것처검 말씀하셔서요. 표를 반대로 읽으면 되는 걸까요?

교수님 남자인데 고백해도 될까요?

안녕하세요 혹시 10:53에서 si가 ptype임을 가정하고 하는 것 아닌가요? 여기서 억셉터이온이 10의16승인데 전자의 농도는 왜 10의16승이 되는건가요??

교수님 좋은 강의 감사합니다. 그럼 HKMG를 적용하는 경우에는 게이트에는 실리사이드를 형성하지 않더라도, 소스와 드레인에는 실리사이드를 적용할까요?

교수님 좋은 강의 감사합니다. 그럼 HfO로 넘어가면서 산화공정이 안쓰인다고 하셨는데요. 그럼 LDD를 형성하기 위한 버퍼 산화막이나 스크린 산화막을 만들 때도 산화공정을 안쓰나요? 게이트 산화막을 만들 때는 CVD로 한다는 사실은 이해했습니다.

안녕하세요 교수님 항상 도움을 많이 받아서 감사하다는 말씀 먼저 드립니다. 다름이 아니라 다른 강의에서 보면 E-Ef를 뛰어넘어야 전자가 Ec의 띠로 간다하는데, 이해가 안되는 부분이 페르미-디렉 분포는 진짜 확률을 나타낸 함수이고, Ef에는 전자가 존재하지 않는데 왜 E-Ef값을 뛰어넘어야하는지 의문입니다. 실제로 전자는 Ev의 띠에만 존재하지 Ef의 값에 존재하는게 아니니까요 그저 전자가 연속적인 에너지를 가졌었다면, 전자가 있을 확률이라서 실제로 전자가 없는 구간인데 왜 E-Ef값의 에너지를 가져야 conduction band로 전자가 이동하는지 궁금합니다

교수님 덕분에 아주 잘 공부하고있습니다. 다음 강의도 올라오면 좋겠지만, 이 강의들만으로도 정말 큰 도움이 됩니다. 감사합니다.

안녕하세요 교수님 좋은 강의 감사드립니다. 저는 한양대학교 학생이고 교수님 강의 덕분에 전공에서 좋은 학점을 받았습니다. 이번에 sk 하이닉스 면접을 보러가게 되어 강의를 복습중인데 혹시 강의 자료 메일로 받을 수 있는지 여쭤보고자 댓글 남깁니다. 감사합니다

교수님 short diode 18:33 에서 금속 전극이 존재하면, hole이랑 electron 이 둘다 농도가 0이 되나요?? 금속의 성질은 전자를 만나거나 hole을 만나면 어떻게 되는지 설명해주실 수 있을까요..?

안녕하십니까 교수님 강의 정말 유익하게 듣고 있습니다. 다름이 아니라 제가 이제 공부를 시작한 상황이라 전자기학이 미흡합니다. 7:50의 그래프이서 x=0을 기준으로 양쪽 그래프의 넓이가 다른데 왜 다른지 이해가 안되어 댓글남깁니다. 감사합니다.

반도체 분야 취업을 준비하고 있는 화학공학과 졸업반 학생입니다. 아는 것은 반도체 공정지식 밖에 없고 전자공학, 소자 물리학에 대한 기초가 없어서 준비하는 기업의 전공면접 기출문제를 대답할 수 없다는 것을 깨달아 이 강의를 보기 시작하였습니다. 이런 양질의 강의 감사합니다. 열심히 듣고 제 것으로 만들어서 취뽀 해버리겠습니다. 감사합니다!

안녕하세요. CAP쪽 유전막을 공부하는 사람입니다. 유전막단 결정 구조에 따라 k값이 달라지고 결정화도가 유전막단에서 중요한 부분을 차지하는데 결정화는 heat 등등을 이용해서 컨트롤이 가능한가요?

안녕하세요. 선형 영역에서 Vd(드레인전압)가 증가할 때 전하량q는 어떻게 변하는지 궁금하여 질문드립니다. J=nqv에서, 선형 영역의 경우 Vd가 증가하면 v(속도)가 증가하여 전류가 커진다고 이해하였습니다. 그렇다면 J=nqv에서 전하량 q는 Vd가 증가하는 것에 따라 어떻게 변하게 되나요? 제 생각으론 (Vg-V(각 지점에서의 전압))가 inversion에 관여하는 전압이고, 이 전압이 Vd가 증가하면 각 지점에서의 전압이 증가하여 전체적으로 감소하므로 총 유기되는 전하 q는 감소하는 것으로 생각하였는데 이것이 맞나요? 아니면 saturation 영역에서처럼 Vg만이 q에 영향을 주어 Vd가 증가하더라도 q는 일정하게 유지되나요? 만약 첫번째가 맞다면 J=qvd에서 q는 감소하더라도 v 증가량이 크기때문에 전류는 증가한다고 생각하면 되는 것인가요? 항상 감사합니다.

좋은 강의 감사합니다^^

저 상황에서는 자유공간에서는 전자가 +x축 방향으로 모두 동일한 확률로 존재하고 이때 파동방정식의 시간에 대한 해을 결정하는 k는 무수히 많기에 다양한 에너지와 운동량이 무수히 다양하게 존재 하는거군요 이 표현이 혹시 맞을까요?

교수님 강의진짜 한줄기 빛같아요 유튜브에 이런강의 올려주셔서 넘감사합니다 길가다가 5만원주우시길 바라용

역시 어렵군요... 이번 강의도 잘 들었습니다. 감사합니다.

이번 강의도 감사합니다!

우주선 등 외부 요인에 의한 에러의 영향이 점점 커진다면, 금속으로 쉴딩을 해주면, 상당 부분 막을 수 있지 않을까요?

정말 신기하네요 ㅎㅎ 이번 강의도 잘 들었습니다. 감사합니다.

N1, N2 구조가 완전 대칭이고 어떤 기준이 없으면, 00, 11은 존재할 수가 없는 상태에서 01, 10 은 구별이 안되는 사실상 같은 상태여서 아무런 정보를 주지 못할 것 같은데요. N1 상태만 읽겠다 (또는 N2 상태만 읽겠다) 뭐 이런식의 약속이 있는것인지, 약속이 있다면 그 내용은 어디에 포함이 되어 있는지 궁금합니다

아니 외모가 누가봐도 20대인데 교수님...? 혼란스럽네

SRAM은 집적도 면에서 가장 불리한데, 왜 스케일러빌리티가 굿인가요??

bios 가 ROM에 저장되면, bios 업데이트는 어떻게 가능한지 궁금합니다

이해 안 되는 부분이 있더라도 너무 파고들려고 하지말고 일단은 전체적으로 먼저 들어보려고 합니다. 이번 강의도 잘 들었습니다. 감사합니다.

이번 강의도 잘 들었습니다. 감사합니다.

강의 잘 들었습니다. 감사합니다.

강의 잘 들었습니다. 감사합니다. 그럼 xyz축의 방향은 결정마다 영상에 나온 것 처럼 정해져 있는 건가요?

강의 잘 들었습니다. 감사합니다!!

잘 들었습니다. 감사합니다.

엄청나게 유용한 강의네요. 왜 실리콘 대신 하프늄을 쓰고자 하는지, 그리고 그게 기술적으로 도달하기 왜 어려운지, 수소 어닐링을 왜 하는지 한번에 알게 되었어요. 이런 강의를 마음껏 들을 수 있다는 것이 너무 감사합니다!

이런 좋은 강의 영상을 무료로 올려주셔서 정말 감사합니다. 교수님 강의 목록에 있는 [물리전자공학-기초반도체공학]과 전자회로의 공부 순서가 어떻게 되는지 알려주실 수 있을까요? 회로이론만 어느정도 공부한 상태인데 그 다음으로 전자회로를 먼저 보는 게 맞는지, [물리전자공학-기초반도체공학]을 먼저 보는 게 맞는지 궁금합니다.

안녕하세요 교수님 혹시 해당 자료가 어디 출처인지 알 수 있을까요? 혹시 교재나 레퍼런스를 알고 싶습니다. 저 혼자 velocity seturation model이 단순 pinch off model과 뭐가 다른지 알아보고 싶어서 이렇게 댓글 남깁니다.

교수님 안녕하세요. 좋은 강의 잘 수강하고 있습니다. 질문이 있어서 질문 남깁니다. Channel length modulation에 대해서 설명하신 것을, Vd가 증가하면서 depletion영역의 길이가 늘어나고, 그만큼 channel의 길이가 줄어들기 때문에, 전류가 증가한다고 이해하였습니다. 그런데 채널의 길이가 줄어들면서 전류가 증가하는 것은, 저항이 작아지기 때문에 전류가 증가하는 것이라 생각이 듭니다. 그럼 위와 같이 depletion 영역이 늘어나면 오히려 저항이 높은 depletion 영역을 전자가 이동해야 하기 때문에 전류가 줄어들어야 하는 것이 아닌가? 라는 생각이 듭니다. 어짜피 전자가 이동해야 하는 경로는 채널 + depletion 영역이라고 생각이 들어서요. 제가 잘못 생각한 부분 지적해주시면 감사하겠습니다!

교수님 강의 너무 잘들었습니다! 현직자 말로는 최근 IIP 공정에서도 PR 마스크가 아닌 Hard Mask를 사용하는 추세라고 하셨는데, 교수님께서도 알고 계시면 좋을 것 같아 정보 공유합니다ㅎㅎ 늘 감사합니다:)

교수님 사랑합니다...

교수님 사랑합니다..

안녕하세요 교수님. 좋은 강의 감사드립니다. 기본적인 개념에서 헷갈리는게 있어 질문드립니다. p-type에는 전자가 거의 없고, n-type 반도체에는 매우 많은 전자가 존재합니다. 따라서 pn jucntion에서 reverse bias를 인가하게 될 경우, p-type에서 n-type 쪽으로 오는 전자는 존재하지만 그 수가 상대적으로 적기 때문에 무시가 가능합니다. 하지만, n-type 영역에 존재하는 수많은 전자가 + 전압을 인가한 contact쪽으로 이동하면서 높은 전류가 생성되어야 할 것 같습니다. 그렇지 않은 이유를 조금 알려주실 수 있을까요?