[기초반도체공정|1.2]

[@Throna427]

교수님 이런식의 강의 flow 너무 좋은거 같습니다
보통 공정강의들은 바로 photo 부터해서 넘어가는데 이렇게 기본부터 채워 나가는 강의방식 너무 좋은거 같습니다!감사합니다

[@김주영-d7s]

좋은 강의 너무 감사합니다!!😊😊

[@오포키포키]

6:22 이 부분에서 질문이 있습니다 교수님.
플라즈마를 만들기위해서 전자가 다른 원자와 충돌하고 튀어나온 전자가 또 다른 원자와 충돌하여 기하급수적으로 플라즈마를 만든다고 하셨는데 이때 충돌이 잘 일어나야 플라즈마가 잘 만들어지니깐 mean free path가 짧아야 플라즈마가 잘 만들어지는게 아닌가요? 왜 mean free path가 길어야 플라즈마가 잘 만들어지는 지 이해가 안됩니다.
좋은 강의 항상 감사드립니다

[@DevicePhysics]

mean free path 가 충분히 길어야 가속된 전자가 이온화를 일으킬 정도의 충분한 에너지를 가질 수 있게 됩니다.
다만 질문한대로 무작정 mean free path 가 길어지면 충돌 자체가 잘 일어나지 않게 됩니다. 따라서 플라즈마를 만들려면 진공도와 Ar gas 의 유량을 적절하게 조절해주는 과정이 필요 합니다.

[@오포키포키]

@@DevicePhysics 감사합니다!!!!

[@야옹쓰-c2h]

안녕하세요, 교수님.
흔히 챔버내 압력과 유량을 따로 조절하는 것으로 알고 있는데,
압력이 기체의 총량이라고 알고 있습니다.
그렇다면 유량의 변화는 어떤 영향을 끼치나요?(비율이 동일할 때) ex) A,B를 1,2->3,6->5,10 sccm

[@DevicePhysics]

질문 자체가 답할 수 있는 질문이 아닙니다. 어떠한 공정을 어떠한 조건에서 하는지에 따라 유량이 미치는 영향은 다 다릅니다.

[@btb2485]

교수님 질문이 있습니다. 6:37 에서 이온화된 양이온도 impact ionization에 관여를 하나요? 무거워서 관여 안 할 것같은데 의문이 생겨 질문 드립니다

[@DevicePhysics]

impact ionization 과정에는 관여하지 않지만, 연쇄반응이 일어나기 위해 적절한 Ar flow rate 나 진공도를 유지하는 것이 필요합니다.

[@btb2485]

@@DevicePhysics 감사합니다!

[@이혁주-k2x]

CVD에서도 plasma 생성을 위해 Ar을 사용할까요?
감사합니다.

[@DevicePhysics]

네 강의에서 설명하였듯 반도체 공정에서는 Ar 플라즈마를 사용합니다.

[@thk255]

좋은 강의 감사합니다 교수님. 혹시 대학원 수준에서 플라즈마 강의를 제작해주실 계획은 없으실까요?

[@DevicePhysics]

없습니다. 사실 공정은 제 전문분야가 아니라서 대학원 수준의 강의는 불가능합니다.

[@thk255]

​@@DevicePhysics답변 감사드립니다. 교수님 강의가 학습에 큰 도움이 되고 있습니다. 좋은 강의 무료로 배포해주셔서 너무 감사드립니다!

[@상남자2-s5k]

선생님 혹시 계면에서(유/무기/금속) 차지들의 이동(에너지밴드) 에 관한 강의도 계획이 있으신가요?

[@DevicePhysics]

질문이 정확히 무슨뜻인지 모르겠습니다. 어찌됐든 유기물은 제가 아는게 거의 없고, 강의 대부분은 우선 실리콘에 대해서만 집중할 예정입니다.

[@상남자2-s5k]

@@DevicePhysics 넵 올려주시는거 열심히 공부하겠습니당!!