[메모리반도체소자|2.4]

device variability 가 SRAM 동작에 미치는 영향에 대해 알아봅니다.

[@프리즌-m1p]

오늘도 잘 배웠습니다. 너무 쉽게 이해가 되네요. 항상 감사드립니다.

[@윤재원-k7t]

많이 배우고 있습니다. 다만 궁금한 것이 있는데 DRAM, NAND에 대한 후속 강의를 올리실 예정인지 여쭙고 싶습니다.
혹시 올리지 않을 계획이라면, 이대로 SRAM만 공부하고 끝나는 것이 너무 아쉬워, DRAM, NAND에 대해서도 공부할만한 사이트나 내용같은 것을을 추천해주실 수 있나요?

[@DevicePhysics]

강의를 업로드는 할 계획이나, 제가 업무가 많아져서 개인적으로 영상을 만들 시간이 없습니다. 아마도 한동안은 업로드가 어려울 것 같습니다.
DRAM, NAND 에 대해서는 강의 첫 소개 영상에 참고 도서들을 이미 안내하였으니 참고해보길 바랍니다.

[@jeongwookang8458]

설명 잘 해주셔서 많이 배웠습니다. 감사합니다.
영상 보고 나서 질문이 있어 댓글 달아 봅니다 ㅎㅎ
1) 최근에 SRAM의 스케일링이 로직 등의 소자 대비해서 계속 느려지고 있다고 합니다. 이번 영상에서 설명해주신 부분은 다른 소자에도 공통적으로 적용되는 문제라고 하셨는데요, 특별히 SRAM의 스케일링이 다른 소자에 비해 어려운 이유는 어떤 것이 있을까요?
2) 다른 영상에서는 HKMG를 적용함으로 인해 도핑을 아예 안 하면서 RDF 문제가 해결되었다고 말씀 하셨는데, 여전히 SRAM 스케일링에서 RDF가 문제되는 부분이 있을까요?
좋은 영상 만들어주셔서 다시 한 번 감사드립니다.

[@DevicePhysics]

1. 이 질문은 제가 현업에 있지 않기 때문에 잘 모르겠습니다.
2. SRAM 에서는 metal gate 만으로 원하는 Vt 를 맞출수 없기 때문에, 어쩔수 없이 채널 도핑이 필요해 RDF 문제를 완전히 없애기 어렵습니다.

[@jeongwookang8458]

@@DevicePhysics 정말 감사합니다 SRAM은 도핑이 계속 필요하다는 것은 처음 알았네요!
앞으로도 좋아요 열심히 누르겠습니다