안녕하세요 김성호 교수님. 영상 9:30 , CMP의 issue 부분에서의 질문과 개인적인 추가 질문이 있습니다. 1. 패턴이 촘촘한 영역이 왜 더 많은 압력을 받는지 궁금합니다. 2. 패턴이 촘촘하더라도 촘촘한 패턴들의 굴곡이 먼저 다 갈리고 나면, 전체적인 wafer 표면이 평평해질 것입니다. 여기에 polishing pad로 wafer를 polishing 해주는데, 어떻게 '평평한' polishing pad가 압력을 더 많이 받는 부분만 더 polishing을 해주는 것인지 궁금합니다. 3. 기초반도체공정강의가 8.2 CMOS Process로 마지막인지 궁금합니다. 4. 기초반도체공정 강의 이후로 어떤 주제로 강의를 계획중이신지 궁금합니다. 항상 좋은 강의 감사드립니다. 즐거운 하루 보내시길 바랍니다.
1. 2. 적절한 비유일지 모르겠는데, 어떤 청소용 솔이 있는데 군데군데 모가 빠져 있는 상황을 상상해 보겠습니다. 이 솔로 바닥을 문지르면, 모가 빠져 있는 부분이 아니라 모가 빽빽한 부분이 바닥에 문질러지면서 힘이 가해질 것입니다. 이 상황과 비슷하게, wafer 에 패턴이 촘촘한 부분이 polishing pad 에 문질러질 때 상대적으로 더 큰 압력을 받게 됩니다. 3. 몇가지 더 강의할 부분이 남긴 했는데, 지금까지의 강의만으로도 기초적인 CMOS 공정은 이해할 수 있습니다. 4. 아직 정확한 계획이 없습니다. 고민 중에 있습니다.
![[기초반도체공정|7.3] #metallization #silicide](http://i.ytimg.com/vi/XRL21X7oCds/mqdefault.jpg)
![[기초반도체공정|7.3] #metallization #silicide](/img/tr.png)
![[기초반도체공정|4.2] #wet etching #dry etching #ion milling #RIE #Bosch process](/img/1.gif)
안녕하세요 김성호 교수님. 영상 9:30 , CMP의 issue 부분에서의 질문과 개인적인 추가 질문이 있습니다.
1. 패턴이 촘촘한 영역이 왜 더 많은 압력을 받는지 궁금합니다.
2. 패턴이 촘촘하더라도 촘촘한 패턴들의 굴곡이 먼저 다 갈리고 나면, 전체적인 wafer 표면이 평평해질 것입니다. 여기에 polishing pad로 wafer를 polishing 해주는데, 어떻게 '평평한' polishing pad가 압력을 더 많이 받는 부분만 더 polishing을 해주는 것인지 궁금합니다.
3. 기초반도체공정강의가 8.2 CMOS Process로 마지막인지 궁금합니다.
4. 기초반도체공정 강의 이후로 어떤 주제로 강의를 계획중이신지 궁금합니다.
항상 좋은 강의 감사드립니다. 즐거운 하루 보내시길 바랍니다.
1. 2. 적절한 비유일지 모르겠는데, 어떤 청소용 솔이 있는데 군데군데 모가 빠져 있는 상황을 상상해 보겠습니다. 이 솔로 바닥을 문지르면, 모가 빠져 있는 부분이 아니라 모가 빽빽한 부분이 바닥에 문질러지면서 힘이 가해질 것입니다.
이 상황과 비슷하게, wafer 에 패턴이 촘촘한 부분이 polishing pad 에 문질러질 때 상대적으로 더 큰 압력을 받게 됩니다.
3. 몇가지 더 강의할 부분이 남긴 했는데, 지금까지의 강의만으로도 기초적인 CMOS 공정은 이해할 수 있습니다.
4. 아직 정확한 계획이 없습니다. 고민 중에 있습니다.
@@DevicePhysics 좋은 답변 감사합니다!
안녕하세요 교수님. Dishing, Erosion, Recess 가 각각 어떤 차이가 있는지 궁금합니다.
이미 강의영상에 설명이 있습니다.
답변 감사합니다. Dishing, Erosion 에 대한 내용은 자세하게 설명해주셔서 이해했는데 Recess 는 좀 헷갈려서요 @@DevicePhysics
교수님. 이메일 주소를 찾을수가 없습니다. 답글로 알려주시면 질문 좀 하겠습니다.
sungho85.kim@gmail.com 입니다. 채널 정보란에 있습니다.