안녕하세요. 교수님. develop 후, positive PR은 사다리꼴 모양, negative PR은 역사다리꼴 모양이라고 하셨는데 빛의 회절로 인해 마스크로 가려진 약간의 영역이 추가적으로 빛을 받았으므로, 즉 빛을 받지않은 부분도 일부분 깎였으므로 positive PR이 역사다리꼴, negative PR이 사다리꼴 모양인 것이 아닌지 궁금합니다. 항상 좋은 강의 감사드립니다.
회절때문에 mask로 가려진 영역의 일부가 빛을받아 깎여나가는데, positive PR의 상부(mask에 가까운쪽)쪽이 빛을 더 많이 받기 때문에, 결과적으로 사다리꼴 모양이 만들어집니다. 댓글만으로 표현이 어려운데 구글에서 positive pr profile 이라고 검색해보면 이해하는데 도움이 될 그림을 쉽게 찾아볼수 있을 겁니다.
안녕하세요, 교수님 좋은 강의해주셔서 감사합니다. 강의를 듣다가 궁금한게 생겨 질문을 드립니다! CD값(선폭)은 사용하는 빛의 파장에 의해 거의 결정된다고 알고 있는데 Photolithography 과정에서 선폭을 더 작게 만들 수 있는 공정 변수가 있을까요? 예를 들어서 현상 시간을 늘린다거나 PEB 시간을 늘린다거나 그러한 변수가 있는지 궁금합니다.
일반적으로는 hard bake 이후에 etching 을 하게 되는데, hard bake 한 다음 곧바로 O2 plasma ashing 을 적당히 진행하게 되면하게 되면 PR 의 사이즈가 전체적으로 감소하게 됩니다. 즉 PR 의 크기가 감소한만큼 선폭을 줄일 수 있습니다. 다만 이 테크닉은 PR 이 ashing 되기 때문에 PR 두께가 충분히 두꺼워야 그 이후의 etching 공정에서 mask 역할을 할 수 있습니다.
별도의 조사를 통해 Stepper와 Scanner의 동작을 이해하였습니다. 하지만 1:37 경 "stepper나 scanner 같은 장비들을 이용하면 더 짧은 파장의 빛을 사용할 수 있는데"에서 stepper, scanner와 i-line보다 짧은 파장(KrF, ArF, EUV)과의 관련성이 궁금합니다.
안녕하세요, 교수님 잘 듣고 있습니다! 궁금한 점이 aligner는 wafer 전체를 한번에 찍는 것이고 stepper는 wafer위의 수많은 칩 중 1개의 회로가 그려진 mask를 통해 칩 1개를 한번에 찍는 것, scanner는 렌즈의 중심부만 사용하기 때문에 1개의 칩을 여러번에 걸쳐 찍는 것이 맞을까요?
항상 좋은 강의에 감사드립니다. PEB에 대해 추가로 궁금한 점이 있습니다. PEB가 Standing wave effect를 개선하는 원리가 PAC의 확산이라고 알고 있습니다. 다만, PAC는 노광 시 반응하는 감광 물질인데, 노광이 끝난 후, PEB를 진행해봤자 확산된 PAC는 반응할 기회가 없는 것이 아닌가요? PEB로 인한 열에너지가 광원 대신 에너지를 전달하는 것인지...궁금합니다.
bake 하는 단계는 전부 열에너지를 가해주는 단계로 생각하면 됩니다. 노광이 끝난 이후에도 PR이 아주 단단한 상태는 아닙니다. 따라서 여기에 열을 가해주면 (PEB), 여러 물질들(PAC를 포함하여)이 고르게 재확산하게 됩니다. 그리고 아직 덜 반응한 PAC의 반응을 촉진하기도 합니다. 따라서 standing wave 때문에 노광이 덜된 부분도 PAC가 활성화될 수 있게 됩니다.
PR 관련 개인적으로 궁금한걸 여쭤봐도 될까요? 근무중에 생산중인 PR이 뭐 32단이다 64단이다 96단이다 했었는데 단수가 높을수록 당연히 좋은거겠지만 어떻게 좋은건지 체감이 되질 않아서요... 케미컬 만드는 회사다 보니깐 관심있는 사람도 없고 반도체 공정을 잘 아는 사람도 없어서요. 간략하게나마 설명해 주실수 있으실까요?
PR 에는 몇'단' 이라는 개념은 없습니다. 아마도 추측컨데, 3D NAND flash 용 PR 을 의미하는 것 같습니다. 3D NAND flash 에는 한번에 몇 개의 layer 를 수직하게 etching 해서 만드는지가 중요합니다. 이것을 32단, 64단 등으로 표현 합니다. 이렇게 수직 방향으로 깊게 etching 할 때에는, 일반적인 PR 보다 훨씬 더 두꺼운 PR 이 필요하게 됩니다. 이러한 PR을 의미하는 것이 아닌가 생각됩니다.
안녕하세요, 교수님. 물리전자, 반도체공학에 이어 공정 강의까지 잘 보고 있습니다! 다름이 아니라, PR의 Solvent로 인한 dark erosion 현상의 정의가 헷갈려 질문드립니다. 1. solvent가 노광 공정 시 빛을 흡수하여 의도한 패턴대로 노광이 되지 않는 것 2. 현상 공정 시 solvent로 인해 노광되지 않은 PR까지 현상액에 의해 용해되는 것. 검색해보니 두가지 설명이 나오는데, 둘 모두 dark erosion 현상이라고 부르는 건가요?
2번 설명이 조금 더 정확한 설명 같습니다. PR 에는 빛에 반응하는 물질들이 solvent 에 녹아 있습니다. 이 solvent 를 soft bake 단계에서 적절히 제거해주는데, soft bake 가 충분하지 않으면 이 solvent 가 과도하게 남아 있을 수 있습니다. 이렇게 solvent 가 많이 남아 있는 상태에서 노광을 진행하면, 빛을 맞지 않은 부분도 developer 에 의해 깎여 나가는 문제가 발생합니다. 즉 빛을 맞지 않은 (dark 한 영역)도 침식(erosion)이 발생하게 됩니다.
![[기초반도체공정|4.1] #etching #etch rate #profile #isotropic #anisotropic #selectivity #bias #uniformity](http://i.ytimg.com/vi/T6H-apNTAD4/mqdefault.jpg)
![[기초반도체공정|4.1] #etching #etch rate #profile #isotropic #anisotropic #selectivity #bias #uniformity](/img/tr.png)
![[기초반도체공정|3.2] #photolithography #light source #resolution #critical dimension #DOF](http://i.ytimg.com/vi/BnjT_Nr_Jvo/mqdefault.jpg)
![[CLEAN] "먼지? 그게 뭔데?" 먼지 한 톨도 용납하지 않는 세정공정😎 | 반도체8대공정 | 인생맛칩](/img/1.gif)
정말 많은 공부가 되었습니다, 현업에서 단기간에 기초지식이 필요했는데, 너무 유익했습니다
교수님 정말 감사합니다!😊😊
안녕하세요. 교수님. develop 후, positive PR은 사다리꼴 모양, negative PR은 역사다리꼴 모양이라고 하셨는데 빛의 회절로 인해 마스크로 가려진 약간의 영역이 추가적으로 빛을 받았으므로, 즉 빛을 받지않은 부분도 일부분 깎였으므로 positive PR이 역사다리꼴, negative PR이 사다리꼴 모양인 것이 아닌지 궁금합니다. 항상 좋은 강의 감사드립니다.
회절때문에 mask로 가려진 영역의 일부가 빛을받아 깎여나가는데, positive PR의 상부(mask에 가까운쪽)쪽이 빛을 더 많이 받기 때문에, 결과적으로 사다리꼴 모양이 만들어집니다.
댓글만으로 표현이 어려운데 구글에서 positive pr profile 이라고 검색해보면 이해하는데 도움이 될 그림을 쉽게 찾아볼수 있을 겁니다.
안녕하세요, 교수님 좋은 강의해주셔서 감사합니다. 강의를 듣다가 궁금한게 생겨 질문을 드립니다!
CD값(선폭)은 사용하는 빛의 파장에 의해 거의 결정된다고 알고 있는데 Photolithography 과정에서 선폭을 더 작게 만들 수 있는 공정 변수가 있을까요? 예를 들어서 현상 시간을 늘린다거나 PEB 시간을 늘린다거나 그러한 변수가 있는지 궁금합니다.
일반적으로는 hard bake 이후에 etching 을 하게 되는데,
hard bake 한 다음 곧바로 O2 plasma ashing 을 적당히 진행하게 되면하게 되면 PR 의 사이즈가 전체적으로 감소하게 됩니다.
즉 PR 의 크기가 감소한만큼 선폭을 줄일 수 있습니다.
다만 이 테크닉은 PR 이 ashing 되기 때문에 PR 두께가 충분히 두꺼워야 그 이후의 etching 공정에서 mask 역할을 할 수 있습니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다! 영상 잘 챙겨보겠습니다!
별도의 조사를 통해 Stepper와 Scanner의 동작을 이해하였습니다. 하지만 1:37 경 "stepper나 scanner 같은 장비들을 이용하면 더 짧은 파장의 빛을 사용할 수 있는데"에서 stepper, scanner와 i-line보다 짧은 파장(KrF, ArF, EUV)과의 관련성이 궁금합니다.
i-line 까지는 수은램프에서 나오는 자외선을 이용하며, KrF 와 ArF는 엑시머 레이저를 이용합니다. EUV는 플라즈마를 이용한 극자외선 영역을 사용합니다. 즉 요약하면 광원의 소스를 개선하여 더 짧은 파장을 활용합니다.
안녕하세요, 교수님 잘 듣고 있습니다!
궁금한 점이
aligner는 wafer 전체를 한번에 찍는 것이고
stepper는 wafer위의 수많은 칩 중 1개의 회로가 그려진 mask를 통해 칩 1개를 한번에 찍는 것,
scanner는 렌즈의 중심부만 사용하기 때문에 1개의 칩을 여러번에 걸쳐 찍는 것이 맞을까요?
네 맞습니다.
안녕하세요 교수님, 혹시 PEB과정 생략하고 ARC를 사용하는 경우는 보통 어느 경우일까요?? 포토레지스트의 열적 안정성의 문제가 있을때일까요?? 만약 그렇다면 Hard baking은 어떤식으로 대체될 수 있는지 궁금합니다.
답을 할 수 없는 질문입니다. 그냥 PR에 따라 PEB 를 안해도 되는 PR 도 있습니다.
@@DevicePhysics 시간 내주셔서 감사합니다. 좋은 강의와 답변 감사합니다! 정말 너무 도움이 많이 되네요! :)
항상 좋은 강의에 감사드립니다. PEB에 대해 추가로 궁금한 점이 있습니다.
PEB가 Standing wave effect를 개선하는 원리가 PAC의 확산이라고 알고 있습니다. 다만, PAC는 노광 시 반응하는 감광 물질인데, 노광이 끝난 후, PEB를 진행해봤자 확산된 PAC는 반응할 기회가 없는 것이 아닌가요? PEB로 인한 열에너지가 광원 대신 에너지를 전달하는 것인지...궁금합니다.
bake 하는 단계는 전부 열에너지를 가해주는 단계로 생각하면 됩니다. 노광이 끝난 이후에도 PR이 아주 단단한 상태는 아닙니다. 따라서 여기에 열을 가해주면 (PEB), 여러 물질들(PAC를 포함하여)이 고르게 재확산하게 됩니다.
그리고 아직 덜 반응한 PAC의 반응을 촉진하기도 합니다. 따라서 standing wave 때문에 노광이 덜된 부분도 PAC가 활성화될 수 있게 됩니다.
@@DevicePhysics 자세한 답변 감사드립니다.
Deposition은 photolithography 과정에 없나요? Spin coating으로도 증착이 하나요?
뒤에 증착공정은 따로 강의가 있습니다.
PR 관련 개인적으로 궁금한걸 여쭤봐도 될까요?
근무중에 생산중인 PR이 뭐 32단이다 64단이다 96단이다 했었는데 단수가 높을수록 당연히 좋은거겠지만 어떻게 좋은건지 체감이 되질 않아서요... 케미컬 만드는 회사다 보니깐 관심있는 사람도 없고 반도체 공정을 잘 아는 사람도 없어서요.
간략하게나마 설명해 주실수 있으실까요?
PR 에는 몇'단' 이라는 개념은 없습니다. 아마도 추측컨데, 3D NAND flash 용 PR 을 의미하는 것 같습니다.
3D NAND flash 에는 한번에 몇 개의 layer 를 수직하게 etching 해서 만드는지가 중요합니다. 이것을 32단, 64단 등으로 표현 합니다. 이렇게 수직 방향으로 깊게 etching 할 때에는, 일반적인 PR 보다 훨씬 더 두꺼운 PR 이 필요하게 됩니다. 이러한 PR을 의미하는 것이 아닌가 생각됩니다.
감사합니다!!
안녕하세요, 교수님. 물리전자, 반도체공학에 이어 공정 강의까지 잘 보고 있습니다! 다름이 아니라, PR의 Solvent로 인한 dark erosion 현상의 정의가 헷갈려 질문드립니다.
1. solvent가 노광 공정 시 빛을 흡수하여 의도한 패턴대로 노광이 되지 않는 것
2. 현상 공정 시 solvent로 인해 노광되지 않은 PR까지 현상액에 의해 용해되는 것.
검색해보니 두가지 설명이 나오는데, 둘 모두 dark erosion 현상이라고 부르는 건가요?
2번 설명이 조금 더 정확한 설명 같습니다.
PR 에는 빛에 반응하는 물질들이 solvent 에 녹아 있습니다. 이 solvent 를 soft bake 단계에서 적절히 제거해주는데, soft bake 가 충분하지 않으면 이 solvent 가 과도하게 남아 있을 수 있습니다.
이렇게 solvent 가 많이 남아 있는 상태에서 노광을 진행하면, 빛을 맞지 않은 부분도 developer 에 의해 깎여 나가는 문제가 발생합니다. 즉 빛을 맞지 않은 (dark 한 영역)도 침식(erosion)이 발생하게 됩니다.
@@DevicePhysics 답변 감사드립니다!!!
(수정) 3:47 경 PR에서 빛에 감응하는 영역의 profile 역시 퍼져나가는 형태가 더 타당하고 생각하였으나 조사를 통해 해결하였습니다.