김성호 반도체

metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor 의 에너지밴드 다이어그램을 그려보고, 3가지 동작모드 (accumulation, depletion, ...

SRAM 의 동작에 문제를 발생시킬 수 있는 몇몇 현상들에 대해 이해해봅니다.

oxidation 공정에 대해 이해해보고, SiO2 가 어떠한 장점을 가지고 있는지 알아봅니다. 그리고 Si/SiO2 에서 발생하는 dangling bond ...

pn접합을 형성했을 때, 어떤일이 발생하는지 수식없이 정성적으로 이해해 봅니다.

2019년 3학기 50 열린학교 열린강사 김성호가 전하는 미리보는 열린강좌 스케치.

최신 MOSFET 공정에는 oxidation 이 사용되지 않는 이유에 대해 이해해봅니다.

substrate 에 전압을 인가했을 때 MOSFET 에 어떠한 변화가 발생하는지 이해해봅니다.

게이트전압과 드레인전압의 크기에 따라 결정되는 MOSFET 의 동작영역에 대해 정성적으로 이해해 봅니다.

상태밀도함수 = 전자가 채워질 수 있는 양자적 상태의 밀도 = '허용된 에너지 상태' 의 밀도 에 대해 이해해 봅니다. 이 부분은 조금 어렵 ...

외국인 삼성전자 순매도 (출연: 김장열 유니스토리자산운용 본부장) / 증시대담/ 매일경제TV #반도체 #삼성전자 #외국인매도.

반도체 내에서의 전자의 움직임을 물리적으로 해석하려면 양자역학 이라고 불리는 물리학이 필요합니다. 그 이유에 대해 알아봅니다.

대부분의 반도체공정이 왜 진공상태에서 진행되는지 이해해보고, 플라즈마에 대해 간단히 알아봅니다.

PVD 증착방식 중 sputtering 에 대해 알아 봅니다.

전하중성조건을 이용하여 도핑농도와 캐리어농도와의 상관관계 식을 유도해봅니다. 그리고 캐리어농도가 온도에 따라 어떻게 변하는 ...

MOSFET의 동작원리를 앞에서 배운 MOS의 동작모드와 연결하여 정성적으로 이해해 봅니다.

도핑 농도가 매우 높은 축퇴 반도체를 해석할 때 주의해야 하는 점에 대해 이해해봅니다.

반도체 내에서 캐리어 농도의 시간적&공간적 변화를 기술할 수 있는 continuity equation 에 대해 이해해 봅니다. drift, diffusion, ...

CH3 에서 배운 내용들을 활용하여, 열적평형상태에 놓인 반도체의 캐리어의 농도를 구할 수 있는 식을 유도해 봅니다.

ALD(atomic layer deposition) 증착 방식에 대해 알아봅니다.

gate length 가 scaling 되면서 발생하는 short-channel effects 의 정의와 발생하는 원인을 이해해 봅니다.

반도체 내에 전하를 운반하는 캐리어(전자, 홀)에 대해 정성적으로 이해해보고, 순수한 실리콘에서의 캐리어 농도를 알아봅니다.

도핑농도가 균일하지 않은 반도체 내부에 형성되는 built-in E-field 에 대해 이해하고, 이로부터 mobility 와 diffusion constant 사이의 ...

conductivity, resistivity 의 물리적인 정의를 유도해 봅니다.

positive/negative PR 의 차이점에 대해 알아보고, photolithgraphy 전과정에 대해 자세히 알아봅니다.

pn diode 에서 depletion region 을 건너온 minority carrier 의 농도를 구해 보고, minority carrier 가 pn diode 의 전류에 어떠한 영향을 ...

As a preparation step for physically interpreting the pn diode, learn about the meaning of various assumptions necessary for ...

반도체 내의 캐리어가 E-field 에 의해 가속될 대 발생하는 drift velocity 에 대해 이해해 봅니다. mobility, scattering, velocity saturation ...

Let's describe the strength of the built-in E-filed and the width of the depletion region at the pn junction where no voltage ...

metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor 에 small signal(소신호)를 인가했을 때 발생하는 capacitance 성분에 대해 이해해보고, ...

외부 자극에 의해 반도체 내에 excess carrier 가 발생한 상황에 대해 이해해 봅니다. 그리고 steady state condition (정상상태) 라는 ...

device variability 가 SRAM 동작에 미치는 영향에 대해 알아봅니다.