교수님, 질문이 있습니다. 열적 평형 상태에서 extrinsic 상태인 경우, 그리고 만약 n-type 도펀트를 주입한다면 도펀트에 의해 hole은 생성되지 않고 전자만 비대칭적으로 증가하는데, 그에 따라 전자 농도가 많아지므로 recombination rate가 증가하지 않나요? 그래서 recombination rate가 generation rate보다 더 크지 않나요?
recombination rate 이 generation rate 보다 크다고 가정한다면, 시간이 흐르면서 캐리어의 농도가 감소하게 됩니다. 열적평형상태는 캐리어의 농도가 시간에 따라서 일정한 상태이므로 recombination rate = generation rate 이 되어야만 합니다.
안녕하세요, 교수님. Recombination rate of excess carriers 파트에서 질문이 있어 댓글 남깁니다. 해당 슬라이드 첫번째 식에서 generation rate은 고려하지 않아도 되는 건가요? generation이 일어나면 시간에 따른 excess carrier 농도도 증가할 것이라 생각하여서 좌변이 g'-r'이 되어야 하는 것 아닌지 의문이 남습니다. 감사합니다.
@@DevicePhysics excess carrier의 농도는 recombination과 generation 둘의 영향을 모두 받는데, 시간에 따른 excess carrier의 농도 변화(라운드 델타 n 라운드 t)가 단순히 recombination rate와 같다고 식을 세울 수 있는건가요...? 감사합니다.
교수님, 혹시 G_n0이나 G_p0은 도핑된 반도체라고 쳤을 때 이미 ionization이 다 일어나 extrinsic한 상태라고 가정하고 시작하는 건가요?? 만약 freeze-out에서 아직 ionization energy를 주입하지 않았다면 n type일 땐 일정 온도까지 G_n0>G_p0이 아닌가 헷갈려서 질문드립니다! 감사합니다.
반도체공정을 배우게 되면 알게되겠지만, dopant 를 주입하는 implantation 공정 이후에는 활성화를 위한 열처리 과정을 반드시 거칩니다. 따라서 도핑과정을 거친 반도체는 항상 fully ionization 된 상태입니다. 간혹 캐리어 움직임의 물리적인 해석을 위해 일부러 액체질소에 반도체를 넣어 온도를 낮추는 경우 freeze-out 에 대해 고려해야하지만, 그 이외에 일반적인 경우에서는 고려할 필요가 없습니다.
![[물리전자공학|6.2] #low-level injection #quasi-Fermi level](http://i.ytimg.com/vi/5qFC6Q4_SHQ/mqdefault.jpg)
![[물리전자공학|6.2] #low-level injection #quasi-Fermi level](/img/tr.png)
![[물리전자공학|2.5] #1차원 슈뢰딩거 방정식 #자유전자 #E-k 다이어그램](http://i.ytimg.com/vi/q_qFmdanTjw/mqdefault.jpg)
![[물리전자공학|3.1] #크로니-페니 모델 #에너지밴드의 생성 원리 #conduction band #valence band #bandgap](http://i.ytimg.com/vi/KZcVoVjouVk/mqdefault.jpg)
한국어로 쉽게 설명해주셔서 이해하기 너무 좋았습니다! 좋은 강의 감사합니다!
교수님, 질문이 있습니다. 열적 평형 상태에서 extrinsic 상태인 경우, 그리고 만약 n-type 도펀트를 주입한다면 도펀트에 의해 hole은 생성되지 않고 전자만 비대칭적으로 증가하는데, 그에 따라 전자 농도가 많아지므로 recombination rate가 증가하지 않나요? 그래서 recombination rate가 generation rate보다 더 크지 않나요?
recombination rate 이 generation rate 보다 크다고 가정한다면, 시간이 흐르면서 캐리어의 농도가 감소하게 됩니다. 열적평형상태는 캐리어의 농도가 시간에 따라서 일정한 상태이므로 recombination rate = generation rate 이 되어야만 합니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다. 확인이 늦어서 죄송합니다.
recombination rate에수 minority carrier의 lifetime이 분모에 있다고 하셨는데, recombination될때 전자와 정공이 동시에 recombination되니깐 lifetime이 같다고 볼 수 없나요?
사실 내용이 조금 복잡하기 때문에 이 강의에서는 대충 설명한 부분입니다. 자세한 내용은 [고급소자물리|4.3] 강의에서 왜 minority carrier 의 lifetime 을 따르는지 설명하였으니 참고 바랍니다.
안녕하세요, 교수님. Recombination rate of excess carriers 파트에서 질문이 있어 댓글 남깁니다.
해당 슬라이드 첫번째 식에서 generation rate은 고려하지 않아도 되는 건가요?
generation이 일어나면 시간에 따른 excess carrier 농도도 증가할 것이라 생각하여서 좌변이 g'-r'이 되어야 하는 것 아닌지 의문이 남습니다.
감사합니다.
고려하지 않은것이 아니라 그 다음 슬라이드에 generation rate 에 대한 설명이 따로 있습니다.
@@DevicePhysics excess carrier의 농도는 recombination과 generation 둘의 영향을 모두 받는데, 시간에 따른 excess carrier의 농도 변화(라운드 델타 n 라운드 t)가 단순히 recombination rate와 같다고 식을 세울 수 있는건가요...?
감사합니다.
@@흐음-c8m 아 질문을 이해 했습니다. 전체적인 excess carrier 의 농도변화를 기술할 수 있는 방정식(continuity equation)은 다음 강의에서 배웁니다. 지금 여기서는 각각의 성분만 이해해보는 준비 단계입니다.
@@DevicePhysics 아 네 이해했습니다. 교수님 빠른 답변 감사합니다!
교수님, 혹시 G_n0이나 G_p0은 도핑된 반도체라고 쳤을 때 이미 ionization이 다 일어나 extrinsic한 상태라고 가정하고 시작하는 건가요?? 만약 freeze-out에서 아직 ionization energy를 주입하지 않았다면 n type일 땐 일정 온도까지 G_n0>G_p0이 아닌가 헷갈려서 질문드립니다! 감사합니다.
반도체공정을 배우게 되면 알게되겠지만, dopant 를 주입하는 implantation 공정 이후에는 활성화를 위한 열처리 과정을 반드시 거칩니다. 따라서 도핑과정을 거친 반도체는 항상 fully ionization 된 상태입니다.
간혹 캐리어 움직임의 물리적인 해석을 위해 일부러 액체질소에 반도체를 넣어 온도를 낮추는 경우 freeze-out 에 대해 고려해야하지만, 그 이외에 일반적인 경우에서는 고려할 필요가 없습니다.
@@DevicePhysics 교수님 답변 감사합니다!! 좋은 주말 보내세요 :-)
어느 교재 기준으로 챕터 6일까요? 반도체소자공학 책에서는 이 챕터6 내용이 거의 없어요ㅠ
제일 처음 강의소개 영상에 이미 어떤 교재인지 안내되어 있습니다.
@@DevicePhysics 감사합니다. 저희 학교 교재랑 저자는 같은데 책이 다르네요. 앞강의까지는 거의 같다가 지금부터 좀 달라지네요
교수님 쉽게 설명해주셔서 반도체 공부하는데 큰 도움이 되고 있습니다. 혹시 hall effect에 대한 강의 내용은 없나요 ? 이 부분은 찾아봐도 안보여서 댓글씁니다! 항상감사합니다
hall effect 강의 영상은 없습니다.
@@DevicePhysics 혹시 기초반도체강의에도 없을까요?