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전공 과목으로 핀펫을 배운 적은 없어서 과정이 궁금했는데 깔끔하고 간결하게 설명이 잘 되어있네요
Thank you again, thanks this makes sense. I was looking at nanosheet technology but now looking at FinFET too. Good information! Thanks :)
안녕하세요. 선생님. 좋은 영상 감사드립니다. 공부 중에 하나 궁금한 점이 있어 여쭙습니다. Etchback 과정에서 위의 hardmask layer를 제거하지않으면 dual gate이고 제거하면 tri gate라고 이해하면 되는 것일까요? 그리고 이 때, hardmask를 제거할 때는, hardmask에 selectivity가 높은 물질로 에칭해서 제거하는 것인가요?
안녕하세요!영상에서 3d 구조는 칩쟁이님이 만드신건가요? 만드셨다면 어떤 프로그램을 사용하셨나요?
감사합니다 그런데 혹시 2:15 에서 하드마스크를 에치하지 않는 이유가 무엇인가요? 그리고 finfet 공정에도 ldd 부터 halo implant, channel implant 같은 각종 잡기술 다 들어가는 건지 궁금합니다..!
제품마다 다를 수 있지만 에치 합니다! 아마 초기 기술이거나 에치 안 하는 특정 제품을 공부하셔서 영상 만드신 게 아닐까 해요그리고 말하신 잡기술 다 들어갑니다 ㅎㅎ
설명 감사합니다. Fin은 그럼 Si 기판을 etch해서 만드는 건가요? 아니면 depo된 Si 을 etch하는 것인지 궁금합니다!
둘다 가능합니다 ㅎㅎ다만, 증착에 의해 형성된 폴리스리스탈린 형태의 실리콘은 사용하지 않고에피택시 성장에 의해 형성된 싱글 트리스탈 구조의 soi 웨이퍼를 사용합니다
최고에요
Dummy gate를 만드는 이유는 gate가 열에 취약해서 인가요?
전공 과목으로 핀펫을 배운 적은 없어서 과정이 궁금했는데 깔끔하고 간결하게 설명이 잘 되어있네요
Thank you again, thanks this makes sense. I was looking at nanosheet technology but now looking at FinFET too. Good information! Thanks :)
안녕하세요. 선생님. 좋은 영상 감사드립니다. 공부 중에 하나 궁금한 점이 있어 여쭙습니다. Etchback 과정에서 위의 hardmask layer를 제거하지않으면 dual gate이고 제거하면 tri gate라고 이해하면 되는 것일까요? 그리고 이 때, hardmask를 제거할 때는, hardmask에 selectivity가 높은 물질로 에칭해서 제거하는 것인가요?
안녕하세요!
영상에서 3d 구조는 칩쟁이님이 만드신건가요?
만드셨다면 어떤 프로그램을 사용하셨나요?
감사합니다 그런데 혹시 2:15 에서 하드마스크를 에치하지 않는 이유가 무엇인가요? 그리고 finfet 공정에도 ldd 부터 halo implant, channel implant 같은 각종 잡기술 다 들어가는 건지 궁금합니다..!
제품마다 다를 수 있지만 에치 합니다!
아마 초기 기술이거나 에치 안 하는 특정 제품을 공부하셔서 영상 만드신 게 아닐까 해요
그리고 말하신 잡기술 다 들어갑니다 ㅎㅎ
설명 감사합니다. Fin은 그럼 Si 기판을 etch해서 만드는 건가요? 아니면 depo된 Si 을 etch하는 것인지 궁금합니다!
둘다 가능합니다 ㅎㅎ
다만, 증착에 의해 형성된 폴리스리스탈린 형태의 실리콘은 사용하지 않고
에피택시 성장에 의해 형성된 싱글 트리스탈 구조의 soi 웨이퍼를 사용합니다
최고에요
Dummy gate를 만드는 이유는 gate가 열에 취약해서 인가요?