Видео

정말 큰 도움이 되었습니다. 감사합니다

This is very helpful. Thanks!

혹시 참고 문헌 알수있을까요?

칩쟁이님 혹시 카퍼핀이라는 기술 아시나요? 카퍼필러 대체기술이라는데 웹에 관련자료가 없어서 찾기힘드네요.

왜 한국말보다 영어를 더 잘함?

Dummy gate를 만드는 이유는 gate가 열에 취약해서 인가요?

반도체 쪽은 잘몰라서 찾아봐도 이해하기 어려웠는데 쉽게 설명해주셔서 너무 감사합니다 !!

진짜 제일 잘설명해주시는거같아요..정말 감사합니다

맛잇네요

농담아니고 야코레드 이상급 제발 딴것도해주세요 제인생 구원해주세요재발

좋은 영상 너무 감사드립니다. 혹시 자료 제작에 참고하신 자료나 논문이 있을까요? 한번 보고 싶습니다 ㅎㅎ

감사합니다 핵심을 너무 잘 요약해주셔서 포인트를 잘잡을수 있었고 학교 쪽지시험도 망하지 않은거 같아요. 감사합니다!!!! 혹시 공정 영상은 더 안만드시나요? 학교 교수님 PPT랑 검색으로 어떻게든 하고는 있는데 요점은 잘 모르겠습니다

삼성전자가 공급하는게 아니라 삼성전자가 공급 못 하는 중인 제품이라고 제목을 바꾸는게 옳을 것 같음

기다렸습니다

너무 필요했던 내용 잘 들었습니다 ㅜㅜ

대항마는 amd 말씀하실줄 알았는데 아니였네요 ㅎㅎ

정말 오랜만입니다 ㅠㅠ

정확한 정보를 알기쉽게 잘 설명해 주셔서 감사합니다.

HBM도 SIP의 일종이라고 볼 수 있는 것 맞나요?

쉽고 재미있는 강연 감사합니다

원래 도체성향인 Floating gate의 전자들을 -전압으로 P형 반도체로 넘어가면 그 전자들에 의해 n과 n사이에 n채널이 생겨서 전류가 흘러 bit가 1이 되고, +전압으로 다시 Floating gate로 전자가 FN 터널링으로 넘어가면 P형 반도체에 전자가 사라져 n 채널이 없어지니 n과 n사이에 전류가 흐르지 않아 bit에 0이 기록된다는 건가요?

Good job

이해가 잘가네요 정말 감사합니다 저같은 일반인도 알아듣기 쉽게 잘 설명해주셔서 감사합니다 핀펫이 사실 3면이 아니고 2면의 게이트라거나 cfet의 구조 설명 등등 너무 많이 알아가네요 영상하고는 관계가 없는 내용이지만 제가 얼마전에 읽은 기사에서 궁금한 점이 생겨서 염치 없지만 질문드립니다 기사인용 (VDD 스케일링은 0.7~0.8 전압 범위 근처의 포화점에 도달했습니다. 즉, 더 이상 전압 감소로 인한 추가적인 이점을 얻을 수 없으며 기타 누설 수준도 상대적으로 변하지 않은 상태로 유지됩니다. SRAM의 밀도를 계속 높이고 칩에 더 많은 트랜지스터를 추가하기 위해 새로운 기술로 계속 마이그레이션한다면 칩 작동을 위해 더 많은 전력이 필요합니다) 인용 끝 이 말은 기술발전의 한계로 로직반도체의 소비전럭을 낮출수 없다는 말로 들리는데 그럼 예를 들어 1.4nm공정에서 1nm 공정으로 발전을 하여도 면적의 감소 말고 이점이 없어진다는 말인가요?

안녕하세요! 영상에서 3d 구조는 칩쟁이님이 만드신건가요? 만드셨다면 어떤 프로그램을 사용하셨나요?

HBM 공부중인데 가장 이해가 잘 되는 영상입니다. 친절한 강의 정말 감사합니다!!!

좋은 영상 감사드립니다~! 이해하기 쉽게 설명해주시네요~

안녕하세요 영상속 내용에서 궁금한점이있습니다! 영상에서 mosfet은 대부분 saturation 영역에서 동작시킨다고 말씀해주셨는데 1. 제가 알기로는 mosfet을 증폭역할로 사용할때는 주로 saturation영역에서 동작시키고 스위치 역할로 사용할때는 주로 triode영역에서 동작시킨다고 알고있는데 제가 잘못알고있는걸까요? 2. mosfet을 대부분 saturation영역에서 동작시키는 이유에 대해 이전 영상에서 설명해주셨다고해서 찾아봤는데 어디있는지 모르겠습니다ㅜㅜ 혹시 어떤 영상에서 설명해주셨는지 영상제목 알려줄수있을까요?

FinFET 도입시점 설명에 오류가 있는 것 같습니다. 22nm까지 TSMC, 삼성은 HKMG planar를 썼고 인텔이 이때부터 FinFET을 썼습니다. 이후 sub 20nm로 진입하면서 TSMC는 16nm, 삼성은 14nm (숫자의 크기 차이는 이미 의미가 없지만 공식 명칭 표기이니 무시할 수는 없겠죠), 그리고 인텔도 14nm로 갔던 것으로 기억합니다.

대학 반도체과 면접 준비하는 학생인데 도움이 많이 되네요..ㅎㅎ 면접 부수고 오겠습니다!

좋은 영상 감사합니다. 혹시 나중에 rram논문에 해당하는 그래프 해석하는 방법에 대해서도 영상을 찍어주실 수 있나요?😢

다른 영상들에선 앵무새처럼 뉴로모픽 차세대 메모리만 반복하던데 이런 원리를 설명해주는 영상은 유일한 것 같네요 좋은 영상 감사합니다!

좋은 영상 감사합니다

고전압을 걸어주면 oxygen vacancy가 많아져 전자가 이동할 수 있는 길이 생긴다는 의미로 받아들이면 되나요? 전압을 걸기 전에도 상부 전극에 oxygen 이온이 존재하나요?

영상 감사합니다!! 혹시 FinFET의 단점 중 하나가 ESD(정전기에 의한 충격)에 약하다고 들었는데 그 이유를 알 수 있을까요? 감사합니다

u should probably do the video with english

안녕하세요 개인적인 궁금증이 있어 댓글달아봅니다. FINFET GAA는 DRAM같은 메모리반도체가 아닌 AP같은 시스템반도체를 위해 개발된 것인가요?

Tsmc

문과생도 알아듣기 쉽게 설명해주셔서 감사해요 ㅎㅎ!

선생님이 최고입니다

안녕하세요.! 영상 잘 봤습니다. 반도체에 대해서 거의 모르는 상태인데 FLASH 메모리의 경우 MOSFET에서 floating gate를 사용해 문턱전압의 변화로 메모리를 저장하는 걸로 알고 있는데 여기 영상에서 mosfet 이 진화함에따라 진화된 mosfet에 floating gate 를 추가해 진화된 flash memory 를 만든다고 이해해도 될까요? 그리고 vnand flash 가 시작된 형태는 어떤 mosfet 형태인지 궁금합니다. 항상 좋은 영상 감사합니다.!

좋은 영상 덕분에 취준에 도움이 됩니다ㅎㅎ 구독 눌렀습니다!!

간단명료하게 설명 감사합니다^^

진짜 자세하고 정확한 영상 감사합니다 다른 영상들은 전문적이지도 않고 정확하지도 않았는데

뉴로모픽 브레인칩inc 아키다 1000 아키다 1500 아키다 2.0 TeNN with ViT 끝.

안녕하세요! 좋은 영상 감사드립니다. 질문이 하나 있습니다. HBM이 DDR5나 LPDDR5에 비해서 capacity가 떨어지는 이유가 뭔지 혹시 알 수 있을까요??

차세대메모리에 뉴로모픽 디바이스를 끼워넣을 수 있다는 거에 대해 좀 더 자세히 설명해주실 수 있을까요?ㅠ

녹인다라는 표현이 식각을 뜻하는건가요?

안녕하세요! 파운드리 관련해서 공부할때 많이 참고해서 공부하고 있습니다! 궁금한 게 있는데 혹시 아신다면 왜 gaa 공정이나 mbcfet에서 채널을 3개를 쓰는지랑 4개나 2개를 쓰면 안되는지 궁금합니다. 추가적으로 3개의 채널이 하나의 1 0 로 동작하는게 아니라 3개의 채널이니까 이걸 이용해서 논리 회로를 구성한다면 1 1/2 0 으로 동작하는 트랜지스터도 만들 수 있는건가요?

정말 알기 쉽게 살려주셔서 감사합니다!!

항상 참고하면서 공부하고 있습니다 감사합니다..!!!