[반도체 공정] 2. 이온주입 (ion implantation)

Поделиться
HTML-код
  • Опубликовано: 27 дек 2024

Комментарии • 12

  • @sdfa9469
    @sdfa9469 2 года назад +2

    implant 장비 구조를 알고 싶었는데 너무 감사합니다, 전공책은 wafer내의 이온 깊이에 대해서만 자세히 다루고 있어서 , 기계에대해서 딱 필요한만큼의 설명을 해주셔서 좋네요

    • @KoreanChipmaker
      @KoreanChipmaker  2 года назад

      도움이 되었다니 다행입니다.
      감사합니다 ㅎㅎ

  • @sdfa9469
    @sdfa9469 2 года назад +1

    설명도 깔끔하고 ppt 도 깔끔하고 구성도 완전 깔끔해요 , 이럴러면 발표주제에 대해 진짜 잘 알아야 할거 같다는 생각이드네요

  • @세번째19년11월
    @세번째19년11월 2 года назад

    공부하는데 도움 너무 많이되요
    감사합니다

  • @윤지원-b1q
    @윤지원-b1q 2 года назад

    매번 잘 보고 있습니다. 감사합니다 :)

  • @류호석-s6l
    @류호석-s6l 2 года назад

    이해가 잘되네요 ㅎㅎ 감사합니다

  • @남궁남궁-q8q
    @남궁남궁-q8q 4 месяца назад

    혹시 참고 문헌 알수있을까요?

  • @류호석-s6l
    @류호석-s6l 2 года назад +1

    질문있습니다.
    이온주입공정은 양이온을 이용하는데 만약 원소번호 16번 원소를 이용한다고 하면 보통 -2가 음이온인데 +6가 양이온으로 환산하는건가요?? 화학을 잘몰라서 이부분을 어떻게해야할지 모르겠습니다. 그냥 계산상 -2가 음이온을 +6가 양이온으로 환산하는건지 아님면 실제로 전자를 2개 얻는것보다 6개를 잃게 만들어서 +6가 양이온으로 이온주입공정을 진행하는지 궁금합니다

    • @KoreanChipmaker
      @KoreanChipmaker  2 года назад

      임플란트공정에서는 전자를 1개 또는 2개 잃게 만들어 항상 양이온을 사용합니다. ㅎㅎ
      옥탯 규칙이랑 이온이랑 헷갈리는시는것 같네요 ㅠㅠ

    • @류호석-s6l
      @류호석-s6l 2 года назад

      @@KoreanChipmaker 답변감사합니다! 아 그냥 열전자를 충돌시켜 옥텟규칙만족안해도 그렇게 만들수잇다는건가요??

  • @피아노컴퍼니
    @피아노컴퍼니 Год назад

    질문이 있습니다. 1차 가속 0~30kev 전자의 속도가 쉽게 얘기하면 얼마 정도 나오는지 궁금해요 초당 몇 km 이런씩으로 좀 알수 있를까요? 10kev면 초당 59,000km정도 될까요?

  • @jae_0an713
    @jae_0an713 8 месяцев назад +1

    농담아니고 야코레드 이상급
    제발 딴것도해주세요
    제인생 구원해주세요재발