【伝スパ】LTSpiceのための ないなら作ろうモデル ft周波数特性

[@tsu-3459]

容量モデルについてコメントします。3:50辺りで拡散容量の説明がありますが、VjeとMjeは接合容量Cjeのバイアス依存性を表す
パラメータなので拡散容量Cdeには関係しません。PN接合の逆バイアスが大きくなると空乏層が広がって接合容量は小さくなり、
これを表現するのにVjeとMjeが使われます。拡散容量はPN接合が順バイアスのとき、拡散する少数キャリアによって感じる容量
です。このとき空乏層は消滅しますので接合容量はほぼゼロになります。私の記憶ではCdeモデルは順方向のベース走行時間TFと
順方向電流IF、ITF、VTFなどのフィッティングパラメータで表されていたかと思います。ベースエミッタ間容量はCje＋Cdeとして
SPICEモデルに組み込まれていますので、この容量がVjeとMjeで計算されるという表現なら正しいと思います。

[@Denspa]

コメントありがとうございます。
ご丁寧にご説明ありがとうございます。
「PN接合の逆バイアスが大きくなると空乏層が広がって接合容量は小さくなり、
これを表現するのにVjeとMjeが使われます。」...たしかに
この辺りはもやっとしていて、勢いで説明した感があります。
今後ともビシバシ、突っ込みコメントよろしくお願いいたします。

[@タラちゃん-n1g]

いつか、MOS-FETのモデルの解説もお願いできませんでしょうか？ バイポーラトランジスタより、物によって全然違うので。。

[@Denspa]

いつも見ていただいてありがとうございます。
そうなんですよ、FETやりたいんですね。
少し準備を進めているのですが....まとめ切れていないのが現状です。