안녕하세요 교수님 우연히 보게되었는데 강의가 너무 좋아서 처음부터 끝까지 다 보면서 정리했습니다!! 면접 준비를 할때 소자쪽 공부 할 때 이해가 잘안되어서 힘들었는데 이 강의를 통해 원리가 이해되면서 학부시절에 이해못했었던 내용들이 쏙쏙 들어왔습니다!! 감사합니다!! 덕분에 자신감 있게 면접에 임할 수 있었고 삼성에 최종합격을 하게 되었습니다!!! 감사합니다!!! 입사 후에도 소자 공부 더 열심히 하겠습니다! 양질의 강의 무료로 올려주셔서 다시 한 번 감사드립니다~~
24.1.19.(금) ~ 3.14.(목) 완강🎉🎉 안녕하세요 교수님! 저는 타대학 신소재공학과 학부졸업생입니다! 다름이 아니라 이번에 취업 준비 때문에 다시 전공을 공부하게 되었습니다! 그 과정 중에 교수님 영상을 찾게 되었고 제가 학부생활동안 이해 안됬던 부분까지 세세하게 설명해주셔서 너무너무 재미있게 다시 공부할 수 있었습니다!! 정말 너무 감사드립니다! 남아있는 반도체공정 수업까지 열심히 공부하도록 하겠습니다!! 다시 한번 질 좋은 강의 정말 감사드립니다!! 😊😊
안녕하세요 교수님! 타 대학 3학년 1학기 과정으로 반도체 수업을 수강한 학생입니다. 중간고사를 보기 직전에 교수님 유튜브 강의를 알게 되었는데, 그 이후로 교수님 덕분에 학교 반도체 수업을 들을 때 정말 많은 도움을 받았습니다. 저희 교수님께서는 이해하면 좋은 설명이었다는 것을 느낄 수 있지만 이해하기가 좀 어려운 방식으로 설명해주셨는데, 교수님께서는 개념의 원리와 유도과정을 이해하기 쉽게 설명해주셔서, 교수님 유튜브 강의로 예습한 다음 저희 교수님 수업을 들으니까 더 깊게 이해할 수 있었습니다. 정말 감사합니다! 다음 학기에 반도체공정 수업을 들을 예정인데, 반도체공정 강의가 없어서 정말 아쉽지만 그래도 방학동안 교수님께서 올려주신 물리전자강의, 기초반도체공학강의를 통하여 복습을 탄탄하게 하고 가면 이후 수업에도 큰 도움이 될 것이라고 믿어 의심치 않습니다. 교수님께 다시 한번 감사하다는 말씀 드리고 싶고, 방학동안 교수님 강의로 꼭 복습을 하도록 하겠습니다.
교수님 제 학교 강의는 영전이고 과목명에 차이가 있지만 Solid state electronic devices 원서를 교재로 하여 학기당 1,2로 열리는 전자소자재료 과목이 있습니다. 영어전용수업인데다가 1을(PN junction, 고체물리 부분 등) 안 듣고 복학하며 무작정 2를 들은것이 바로 이번 학기였는데 교수님 강의가 많은 도움이 되었습니다. 정말 잘 가르쳐주시고 유능하신 교수님이세요, 감사합니다. 종강하고 댓글 남기네요.
Financial math 학과 재학 중인데 반도체 졸업논문을 쓰게, 기본지식이 거의 없는 상태에서 낙담을 심하게 했는데, 교수님의 물리전자공학 & 반도체소자 강의 듣게되어서 이제 어느정도 동작원리와 전문용어들의 의미를 배워 자신감을 많이 얻었습니다. 설명도 정성적으로 굉장히 잘해주시고 중간중간 다시 정리하여 되짚어주는 전달방식이 매우 크게 도움되었습니다. 원리를 하나하나 이해하다보니 정말 예상치못하게 흥미가 생겨버려 즐겁게 공부할 수 있는 시간이 되어 감사말씀드립니다! 유익한 강의 정말 감사합니다!
안녕하세요, 교수님 양질의 강의를 무료로 보실 수 있게 해주셔서 감사합니다! 제가 대학교를 다닐 적인 10~14년 전만 하더라도 유튜브에서 이런 양질의 강의를 무료로 들으려면 MIT Course 라던가, 굉장히 난이도 높은 강의 밖에 없었습니다. 현재 의료 업게에서 반도체 업계로 이직 준비를 하고 있는 시점에서 산업계 전반에 대해서는 다양한 자료를 찾아서 공부할 수는 있으나, 10년 전에도 막막하게 공부했던 반도체 전공에 대해서 공부를 손 놓은지 10년이 지난 지금, 다시 어떻게 할지 막막하던 참에 교수님의 강의를 우연히 찾게되어 공부 중에 있습니다. 교수님께 배우는 현재 학생들은 정말 복 받은 것 같습니다. 이렇게 높은 퀄리티의 강의를 무료로 들을 수 있어서 다시 한번 감사의 말씀 드립니다. 유튜브에 올려진 메모리 반도체소자 강의도 열심히 배우도록 하겠습니다. ^^
안녕하세요 교수님. 타대학 반도체학과 학생입니다. 기초반도체공학 강의를 드디어 40일정도만에 모두 완강했습니다! 학교수업과 병행하기도 하였고 각 하나의 동영상마다 다시 수업내용을 그려보고 써보고 생각해보고 하는데 길게는 2시간씩 걸릴때도 많다보니 생각보다는 완강하는데 조금 오래걸렸습니다!ㅠㅎㅎ 교수님 덕분에 정말 많은 것을 얻고 가는데 감사의 말씀을 드릴 방법이 이렇게나마 댓글을 남기는것밖에 없네요..ㅠㅠ(저희 대학 교수님이셨으면 너무 좋았을텐데....ㅜ) 한번 보기에는 아쉬운 좋은 강의들이라 앞으로도 찾아볼게요. 항상 건강하세요 !!
MOSFET에서 source와 drain이 P-기판 기준으로 n+도핑 하는 이유는 gate 전류를 최소화 하고 전극과는 (practical) ohmic contact을 만들기 위해서 하는 것이라고 이해하면 되는걸까요? 고급소자물리 들으러 가기 전에 2회차까지 마무리 했습니다. 강의 들어오면서 질문이 많았었는데 하나 하나 답변을 달면 알림 확인하시는게 번거로울듯 해서 마지막에 인사드립니다. 정말 좋은 강의에 댓글 질문까지 일일이 다 답해주셔서 정말 감사드립니다.
n+ 로 도핑하기 때문에 ohmic contact 이 만들어지는 것은 맞는데, 이것은 부차적인 이유입니다. 왜냐하면, 단순히 ohmic contact 만 만들려고 한다면 p+ 로 도핑해도 가능하기 때문입니다. source(n+)/body(p-) 으로 만들어줌으로써 에너지 장벽이(pn 접합에서의 built-in potential) 생깁니다. 이 에너지장벽 때문에 MOSFET 의 off 상태가 만들어 질 수 있게 됩니다. 이 에너지장벽은 gate 전압으로 높이거나 낮추면서 MOSFET 이 동작하게 됩니다. 강의를 열심히 봐주셔서 감사합니다. 질문 해주시는 것 덕분에 어느 부분이 부족한지 알게 되어서 저도 도움 많이 되고 있습니다.
1. short channel effect를 줄이려면 게이트로 인한 통제력을 더 늘리고, 드레인 전압에 의한 효과를 줄여야하는데, finfet에서 드레인 전압에 의한 효과는 어떻게 줄이는지 궁금합니다. finfet이 mosfet보다 dibl현상을 줄일 수 있는 이유가 'finfet에서 채널의 3면을 게이트로 감싸기 때문에 게이트 통제력이 늘어나서' 라고 여러군데 적혀있었습니다. 게이트 통제력이 늘어나는건 이해가 되지만, 드레인 전압에 의한 효과를 줄이지 않으면 dibl현상은 똑같이 일어나는거 아닌가요? 2. 아니면 게이트 전압을 그대로 하고 드레인에 더 낮은 전압을 인가해도 게이트 전압의 효과가 강해져 채널에 많은 전자가 모이기 때문에 전류가 잘 흘러 드레인에 더 낮은 전압을 인가해도 되기에 드레인에 걸리는 전압 자체를 줄여버려 드레인 전압에 의한 효과를 줄인다고 말하는건가요?
1,2번 생각 모두 잘못 추측하고 있습니다. 1) 먼저 FinFET 이 planar MOSFET 보다 뛰어난 이유를 간단히 말하면, thin body 를 가지면서 double(or triple) gate 를 가지기 때문입니다. FinFET 으로 구조가 진화된 과정이 있습니다. 이 과정에 대해서는 [고급소자물리|5.1.1~5.1.3] 에 설명하였으니 참고하면 좋을 것 같습니다. 2) DIBL은 단순히 드레인 전압에 의해서만 생기는 현상이 아닙니다. 이것도 [고급소자물리|3.1]에 자세한 설명이 있으니 참고해보길 바랍니다.
@@DevicePhysics 감사합니다 이제 FinFET의 성능이 왜 더 뛰어난지는 이해되었습니다. 그런데 이론값에서 벗어난 결과가 나오게 하는 원인을 통칭해서 Short Channel Effect라고 한다면 FinFET에서 그것이 줄어드는 것은 이해되지만, DIBL 현상만 따로 떼어놓고 보면 왜 FinFET의 구조를 가진다고 해서 DIBL이 줄어드는지는 잘 모르겠습니다. 그냥 실험으로 얻어낸 결과라고 이해해야할까요?
@@김민준-t4i4p 아직 DIBL 에 대해 정확히 이해하지 못한것 같습니다. FinFET 에서는 여러 게이트를 통해 더 높은 채널 조절력(channel controllability)를 가질 수 있기 때문에, 상대적으로 드레인전압에 의한 영향을 줄일 수가 있습니다. 이것이 DIBL 이 감소하는 이유입니다.
질문을 보니 아직 앞에서 배운 강의들을 제대로 이해하지 못한 것 같으니, 복습 먼저 해보길 바랍니다. 게이트의 면적이 아니라 소스와 드레인사이의 간격(gate length, Lg) 를 줄여야 하는 이유에 대해서 이미 앞에서 배웠습니다. Lg를 늘리는 방향으로는 절대로 MOSFET 을 설계하지 않습니다. 그리고 Lg 를 줄이다보면 발생하는 문제가 short channel effects 입니다. 강의에서 설명했듯이 대부분의 short channel effects 는 드레인 전압에 의해 형성된 수평한 방향의 E-field 때문에 발생합니다.
교수님 mos cap에서 했던 CV측정에 대한내용은 mosfet에서도 동일하기때문에 mosfet강의에 없는걸까여??? 궁금해서 찾아보니 mosfet은 source쪽에 도핑농도가 높아서 high frequency때 전부 대응을 해줄수있어서 늘 Cox로 (축적,Vt,flat band,저-고주파상태에서) 같다는 것을 봤습니다. 교수님 이 사실이 맞을까여?? 그러면 주파수 이외영역에서는 mos cap과 동일하나, CV특성 그래프만 보고 mosfet이 고주파와 저주파 중 어떤 주파수에서 얻어진건지는 답하기는 어려운? 불가능?일까여??
MOSFET 은 drain 에 전압이 걸리기 때문에 mos capacitor 처럼 고려해야할 상황이 단순하지 않습니다. 그리고 어떤 cap 을 측정할지 (gate-body, gate-drain 등등), 어떻게 전압을 인가하며 측정할지에 따라 물리적으로 고려해야할 부분들이 많습니다. 따라서 학부 수준에서는 보통 다루지 않습니다.
안녕하세요 좋은강의 정말 감사드려요 공부하다가 이해되지 않는 부분이 있어서 질문드립니다. MOS 에서 metal gate를 만약에 Matal A / Matal B / poly + oxide + sub 이런식으로 3개를 접합하여 형성한다고 했을때 Matal A 와 poly 의 접착면에 ohmic contact를 형성하기 위해서 Metal B 를 중간에 바른 상황이라면 MatalA to MatalB contact 부분에서는 에너지 밴드 다이어그램을 어떻게 그려야하나요..? 갑자기 모르겠습니다..
말로 설명하기가 좀 어려운데, 아무튼 이상적인 상황이라면, 그냥 metal A / metal B 접합은 1) 페르미레벨은 당연히 수평하게 그려 집니다. 2) 페르미레벨부터 진공레벨까지가 workfunction 인데 workfunction 값은 물질마다의 고유한 값이므로, 3) 결국 workfunction 값에 따라 진공레벨이 휘어집니다. 4) 즉, metal A / metal B 접합에 대한 에너지밴드 다이어그램은 그냥 하나의 수평한 직선 (페르미레벨) 로 표현되며, 진공레벨이 workfunction 에 맞추어 휘어집니다. metal B/ poly 접합도 마찬가지로, poly 가 높은 농도로 도핑되었다고 가정하면 그냥 metal 처럼 생각해도 괜찮습니다. 따라서 비슷하게 수평한 직선으로 표현됩니다.
안녕하세요 교수님 강의 항상 감사하게 듣고있습니다! 질문이 있어서 댓글 남기게 되었습니다. 1. on current 즉, Id(sat)을 높이면 회로의 동작속도가 빨라지는 이유가 궁금합니다. 혹시 on current가 더 높아질 경우, Vgs-Ids , Vds-Ids 두 그래프 모두에서 특정 전압을 인가했을 때 그만큼 기울기가 더 가파른 형상을 보이기 때문에 동작속도가 빨라진다고 이해하면 될까요? 2. on current가 정확히 어떤것을 의미하는건지 궁금합니다. 혹시 Vgs-Ids의 그래프에서는, linear 영역이 끝나고 Vgs가 아무리 높아져도 Ids가 일정한 값으로 유지되기 시작할때를 의미하고 / Vds-Ids의 그래프에서는, saturation mode가 시작되며 Vds가 아무리 높아져도 Ids가 일정한 값으로 유지될때를 의미하나요? 3. 일반적으로 mosfet을 회로에서 스위칭소자로 사용할때 Vds를 고정하고 Vgs를 가변하는 Vgs-Ids 방식으로 사용하나요? 아니면 Vgs를 고정하고 Vds를 가변하는Vds-Ids 방식을 사용하나요? 4. on current가 높으면 동작속도가 빨라지는 장점이 있지만 current 자체가 높아지는 것이기 때문에 소비전력 또한 높아진다는 단점이 존재할 것 같은데 맞나요?
1. 이유는 이전 강의에 설명하였으니 참고 바랍니다. 3. 디지털 회로인지 아날로그 회로인지에 따라 다른데, 일반적인 디지털 회로에서는 0V 와 VDD 밖에 없습니다. 전압을 가변하지 않습니다. 2. on current 라는 것은 gate 와 drain 에 VDD 를 인가한 상황에서의 전류입니다. 4. 네 맞습니다. 다만 소비전력을 낮추기 위해 on current 를 줄이지는 않습니다. 그보다는 off current 를 줄여 누설전류를 막는것이 중요합니다.
@@DevicePhysics 교수님 답변감사합니다! 추가로 궁금한점이 있습니다. 회로에서 mosfet은 아주 짧은 시간동안 1과 0의 신호로 계속해서 바뀔것입니다. 이때 1이라는 신호의 경우 gate, drain에 Vdd가 인가될텐데 신호가 0으로 바뀔때는 gate, drain 모두에 0v가 인가되는지 아니면 drain은 Vdd를 유지한채 gate에만 0v를 인가해서 신호를 0으로 바꾸는지 궁금합니다.
![[기초반도체공학|5.2] MOSFET : #동작영역 #linear #pinch off #saturation](http://i.ytimg.com/vi/I2NBu7OuxpU/mqdefault.jpg)
![[기초반도체공학|5.2] MOSFET : #동작영역 #linear #pinch off #saturation](/img/tr.png)
![[기초반도체공학|5.6] MOSFET : #비이상적효과 #단채널효과 #short-channel effect](http://i.ytimg.com/vi/tu8mfnnmRmk/mqdefault.jpg)
![[기초반도체공학|5.1] MOSFET : #정성적해석 #동작원리 #수식없이 #NMOS #PMOS](/img/1.gif)
인생 최고의 강의였습니다. 국가 발전에 크게 기여 해 주셔서 감사합니다.
대학원생이신줄 알았는데 교수이신거 실화인가요... 엄청난 동안이시네요
진짜요... 너무 신기해서 홈페이지 사진까지 봤는데 솔직히 수업 같이 들어도 위화감 없을듯..
맞습니다 실제로는 더 동안.... 잘생기셨어요
안녕하세요 교수님 우연히 보게되었는데 강의가 너무 좋아서 처음부터 끝까지 다 보면서 정리했습니다!!
면접 준비를 할때 소자쪽 공부 할 때 이해가 잘안되어서 힘들었는데
이 강의를 통해 원리가 이해되면서
학부시절에 이해못했었던 내용들이 쏙쏙 들어왔습니다!! 감사합니다!!
덕분에 자신감 있게 면접에 임할 수 있었고
삼성에 최종합격을 하게 되었습니다!!!
감사합니다!!!
입사 후에도 소자 공부 더 열심히 하겠습니다!
양질의 강의 무료로 올려주셔서 다시 한 번 감사드립니다~~
잘 배웠습니다 교수님 유익한 강의 무료로 공유해주셔서 정말 감사합니다 !
교수님 강의 잘들었습니다 감사합니다!
교수님 감사합니다... 드디어 완강하고 교수님 자료를 공책으로 하나하나 옮기면서 복습까지 끝마쳤습니다.
현직에서 회로 설계 일을 하고 있는데, 교수님 덕분에 학교에서 듣지 못한 수업을 들어서, 그 동안 놓쳤던 부분들을 많이 채울 수 있었습니다. 다시 한 번 감사합니다.
반도체 공학 전공생입니다. 좋은 강의 감사합니다. 시각 자료와 더불어 이해하기 쉽게 도와주는 설명입니다.
24.1.19.(금) ~ 3.14.(목) 완강🎉🎉
안녕하세요 교수님!
저는 타대학 신소재공학과 학부졸업생입니다! 다름이 아니라 이번에 취업 준비 때문에 다시 전공을 공부하게 되었습니다! 그 과정 중에 교수님 영상을 찾게 되었고 제가 학부생활동안 이해 안됬던 부분까지 세세하게 설명해주셔서 너무너무 재미있게 다시 공부할 수 있었습니다!! 정말 너무 감사드립니다!
남아있는 반도체공정 수업까지 열심히 공부하도록 하겠습니다!! 다시 한번 질 좋은 강의 정말 감사드립니다!! 😊😊
안녕하세요 교수님! 타 대학 3학년 1학기 과정으로 반도체 수업을 수강한 학생입니다.
중간고사를 보기 직전에 교수님 유튜브 강의를 알게 되었는데, 그 이후로 교수님 덕분에 학교 반도체 수업을 들을 때 정말 많은 도움을 받았습니다.
저희 교수님께서는 이해하면 좋은 설명이었다는 것을 느낄 수 있지만 이해하기가 좀 어려운 방식으로 설명해주셨는데,
교수님께서는 개념의 원리와 유도과정을 이해하기 쉽게 설명해주셔서, 교수님 유튜브 강의로 예습한 다음 저희 교수님 수업을 들으니까 더 깊게 이해할 수 있었습니다. 정말 감사합니다!
다음 학기에 반도체공정 수업을 들을 예정인데, 반도체공정 강의가 없어서 정말 아쉽지만
그래도 방학동안 교수님께서 올려주신 물리전자강의, 기초반도체공학강의를 통하여 복습을 탄탄하게 하고 가면 이후 수업에도 큰 도움이 될 것이라고 믿어 의심치 않습니다.
교수님께 다시 한번 감사하다는 말씀 드리고 싶고, 방학동안 교수님 강의로 꼭 복습을 하도록 하겠습니다.
정말 정말 감사하게 잘 들었습니다.
와.. 진짜 이렇게 좋은 강의가 있다니. 진짜 강추합니다!! 너무 감사합니다!
교수님. 이번 학기 반공 학습에 어려움을 겪어 교수님 강의를 수강하였는데 매우 큰 도움이 되었습니다. 감사합니다! 사실 전자기학, 물전부터 개념이 많이 부족한데 시험 끝나고 교수님 물전 강의 열심히 수강하겠습니다. 다시 한번 감사합니다!
정말 강의 중에 가장 잘 설명해 주신 거 같아요. 감사합니다.
유익한 강의 정말 감사드립니다. 교수님 덕분에 반도체에 대해 더 많이 이해 할 수 있었습니다.
안녕하십니까 교수님!
고체전자 강의 1강에 복습 시작한다고 댓글 달았었는데 열심히 듣다보니 벌써 반도체 공학 강의 끝까지 왔네요
삼성전자 공정쪽으로 준비하면서 반도체 내용 복습이 필요했는데 교수님 덕분에 잘 정리되었습니다.
좋은 강의 해주셔서 감사합니다.
대학원을 바라보는 반도체 전공자인데 교수님 덕분에 방학 기간동안 개념 다시 제대로 잡고 갑니다. 양질의 강의를 제공해주셔서 정말 감사합니다.
안녕하세요 교수님. 물리전자공학 수업부터 시작해서 반도체 공학 수업까지 시간가는줄 모르고 들었습니다. 정말 감사합니다!!
교수님 정말 감사합니다. 전자물리부터 쭈욱 정주행했는데 학교수업보다 훨씬 이해가 잘 되네요. 감사했습니다.
정말 감사합니다!! 교수님 랩실에 들어가고 싶을 정도로 정말 잘봤습니다. 요번 새해에도 모든 일이 잘풀리시길 기원합니다!!!
정말 유익한 강의 쉽게 설명해주셔서 잘 들었습니다! 비전공자도 쉽게 이해가능한 수업이었습니다: ) 감사합니다!
교수님 제 학교 강의는 영전이고 과목명에 차이가 있지만 Solid state electronic devices 원서를 교재로 하여 학기당 1,2로 열리는 전자소자재료 과목이 있습니다. 영어전용수업인데다가 1을(PN junction, 고체물리 부분 등) 안 듣고 복학하며 무작정 2를 들은것이 바로 이번 학기였는데 교수님 강의가 많은 도움이 되었습니다. 정말 잘 가르쳐주시고 유능하신 교수님이세요, 감사합니다. 종강하고 댓글 남기네요.
감사합니다 ^^^ 반도체 업계 취직 희망중인데 덕분에 반도체에 대한 이해도를 많이 높일 수 있었습니다^^ 감사합니다!!
Financial math 학과 재학 중인데 반도체 졸업논문을 쓰게, 기본지식이 거의 없는 상태에서 낙담을 심하게 했는데, 교수님의 물리전자공학 & 반도체소자 강의 듣게되어서 이제 어느정도 동작원리와 전문용어들의 의미를 배워 자신감을 많이 얻었습니다. 설명도 정성적으로 굉장히 잘해주시고 중간중간 다시 정리하여 되짚어주는 전달방식이 매우 크게 도움되었습니다. 원리를 하나하나 이해하다보니 정말 예상치못하게 흥미가 생겨버려 즐겁게 공부할 수 있는 시간이 되어 감사말씀드립니다! 유익한 강의 정말 감사합니다!
감사합니다! 교수님 덕분에 저번학기 물리전자 a+맞았고 올해도 교수님 수업듣고 반도체소자에 대해 더욱 심도있게 공부하겠습니다!
안녕하세요, 교수님
양질의 강의를 무료로 보실 수 있게 해주셔서 감사합니다!
제가 대학교를 다닐 적인 10~14년 전만 하더라도 유튜브에서 이런 양질의 강의를 무료로 들으려면 MIT Course 라던가, 굉장히 난이도 높은 강의 밖에 없었습니다.
현재 의료 업게에서 반도체 업계로 이직 준비를 하고 있는 시점에서 산업계 전반에 대해서는 다양한 자료를 찾아서 공부할 수는 있으나,
10년 전에도 막막하게 공부했던 반도체 전공에 대해서 공부를 손 놓은지 10년이 지난 지금, 다시 어떻게 할지 막막하던 참에 교수님의 강의를 우연히 찾게되어 공부 중에 있습니다.
교수님께 배우는 현재 학생들은 정말 복 받은 것 같습니다.
이렇게 높은 퀄리티의 강의를 무료로 들을 수 있어서 다시 한번 감사의 말씀 드립니다.
유튜브에 올려진 메모리 반도체소자 강의도 열심히 배우도록 하겠습니다. ^^
강의 정말 깔끔하고 유익합니다 감사합니다
안녕하세요 교수님. 타대학 반도체학과 학생입니다.
기초반도체공학 강의를 드디어 40일정도만에 모두 완강했습니다!
학교수업과 병행하기도 하였고
각 하나의 동영상마다 다시 수업내용을 그려보고 써보고 생각해보고 하는데
길게는 2시간씩 걸릴때도 많다보니 생각보다는 완강하는데 조금 오래걸렸습니다!ㅠㅎㅎ
교수님 덕분에 정말 많은 것을 얻고 가는데 감사의 말씀을 드릴 방법이 이렇게나마 댓글을 남기는것밖에 없네요..ㅠㅠ(저희 대학 교수님이셨으면 너무 좋았을텐데....ㅜ)
한번 보기에는 아쉬운 좋은 강의들이라 앞으로도 찾아볼게요.
항상 건강하세요 !!
깔끔한 강의 감사드립니다
안녕하세요. 겨울방학 동안 물리전자공학I&II 를 잘 다지고 학기를 시작할 수 있게되어 기쁩니다. 감사합니다 교수님^-^
유익한 강의 정말 감사합니다!
정말 감사합니다 많은 도움이 됐어요!!!
잘듣고 갑니다 교수님!
내후년 대학원 예습차 고급소자물리도 열공하겠습니다
MOSFET에서 source와 drain이 P-기판 기준으로 n+도핑 하는 이유는 gate 전류를 최소화 하고 전극과는 (practical) ohmic contact을 만들기 위해서 하는 것이라고 이해하면 되는걸까요?
고급소자물리 들으러 가기 전에 2회차까지 마무리 했습니다.
강의 들어오면서 질문이 많았었는데 하나 하나 답변을 달면 알림 확인하시는게 번거로울듯 해서 마지막에 인사드립니다.
정말 좋은 강의에 댓글 질문까지 일일이 다 답해주셔서 정말 감사드립니다.
n+ 로 도핑하기 때문에 ohmic contact 이 만들어지는 것은 맞는데, 이것은 부차적인 이유입니다.
왜냐하면, 단순히 ohmic contact 만 만들려고 한다면 p+ 로 도핑해도 가능하기 때문입니다.
source(n+)/body(p-) 으로 만들어줌으로써 에너지 장벽이(pn 접합에서의 built-in potential) 생깁니다.
이 에너지장벽 때문에 MOSFET 의 off 상태가 만들어 질 수 있게 됩니다.
이 에너지장벽은 gate 전압으로 높이거나 낮추면서 MOSFET 이 동작하게 됩니다.
강의를 열심히 봐주셔서 감사합니다.
질문 해주시는 것 덕분에 어느 부분이 부족한지 알게 되어서 저도 도움 많이 되고 있습니다.
교수님 물리전자 강의부터 기초반도체공학까지 강의를 들으면서 학과공부에 정말 많은 도움이 되었습니다 감사합니다! 교수님께서 강의하신 ppt자료는 받을 수 있는 방법이 있을까요?
강의자료는 우리학교 강의 수강생에게만 제공합니다.
교수님 수업 정말 잘 들었습니다! 혹시 일반물리나 일반화학 같은 기초 강의는 따로 찍어두신 게 없는지 궁금합니다!
반도체 관련 강의만 해서, 업로드 된 동영상이 전부입니다.
후 완강했당 ㅎㅎ
좋은 강의 감사합니다!
정말 유익한 강의들을수 있어서 감사드립니다! 2학기때 배울 반도체소자공학2 예습에 너무큰 도움이 된것같아요 ㅎㅎ
혹시 공정 부분에 대한 강의는 계획에 있으신지 너무 궁급합니다!!
이번학기는 다른과목 강의준비 때문에 시간이 없을것 같고, 어느정도 마무리된 후에 기초수준의 공정강의를 만들려고 준비 중입니다.
혹시 12장이나 그 뒤 챕터까지 강의할 계획이 있으신가요 ? 혹은 다른 강의에 포함되어있을까요? 항상 강의 잘 보고 있습니다
BJT 는 현재에는 거의 사용되지 않는 소자여서 강의할 계획이 없습니다. 12장 이후의 내용은 optoelectronic device 부분인데, 보통은 개별적인 과목으로 다루는 부분이고 제 전문분야가 아니라서 현재로서는 강의할 계획이 없습니다.
좋은 강의 감사합니다.
기초반도체공학 시리즈의 마지막강의인가요?! 메모리 소자 강의도 해주실 계획 있으신가요?ㅎㅎ
일단은 기초반도체공학 강의의 앞부분인 물리전자공학 강의를 다시 만들 예정입니다. 그것이 끝나고 나면 아직 정해진 것은 없는데, 한번 메모리소자 강의도 고려해보겠습니다.
Pn,mos 학교에서 안 배우고 반도체 설계 소자 수업을 듣게 됐는데 이거만 학습하면 충분히 할 수 있겠죠?
소자설계수업이 정확히 무엇을 하는 것인지 알 수 없기 때문에 답변하기 어렵습니다.
아마 여기서 기초반도체공정 내용 일거 같습니다.
finfet.. 한국기술인데, 유일하게 인텔만 특허료 지불하고 사용하는 회사이죠. ㄷㄷ
교수님 죄송한데, High-k Metal Gate가 뭔가요?
아.. 하필 11분까지 듣고 질문했는데 12분뒤에 나오는군요 머쓱
1. short channel effect를 줄이려면 게이트로 인한 통제력을 더 늘리고, 드레인 전압에 의한 효과를 줄여야하는데, finfet에서 드레인 전압에 의한 효과는 어떻게 줄이는지 궁금합니다. finfet이 mosfet보다 dibl현상을 줄일 수 있는 이유가 'finfet에서 채널의 3면을 게이트로 감싸기 때문에 게이트 통제력이 늘어나서' 라고 여러군데 적혀있었습니다. 게이트 통제력이 늘어나는건 이해가 되지만, 드레인 전압에 의한 효과를 줄이지 않으면 dibl현상은 똑같이 일어나는거 아닌가요? 2. 아니면 게이트 전압을 그대로 하고 드레인에 더 낮은 전압을 인가해도 게이트 전압의 효과가 강해져 채널에 많은 전자가 모이기 때문에 전류가 잘 흘러 드레인에 더 낮은 전압을 인가해도 되기에 드레인에 걸리는 전압 자체를 줄여버려 드레인 전압에 의한 효과를 줄인다고 말하는건가요?
1,2번 생각 모두 잘못 추측하고 있습니다.
1) 먼저 FinFET 이 planar MOSFET 보다 뛰어난 이유를 간단히 말하면, thin body 를 가지면서 double(or triple) gate 를 가지기 때문입니다. FinFET 으로 구조가 진화된 과정이 있습니다. 이 과정에 대해서는 [고급소자물리|5.1.1~5.1.3] 에 설명하였으니 참고하면 좋을 것 같습니다.
2) DIBL은 단순히 드레인 전압에 의해서만 생기는 현상이 아닙니다. 이것도 [고급소자물리|3.1]에 자세한 설명이 있으니 참고해보길 바랍니다.
@@DevicePhysics 감사합니다 이제 FinFET의 성능이 왜 더 뛰어난지는 이해되었습니다.
그런데 이론값에서 벗어난 결과가 나오게 하는 원인을 통칭해서 Short Channel Effect라고 한다면 FinFET에서 그것이 줄어드는 것은 이해되지만, DIBL 현상만 따로 떼어놓고 보면 왜 FinFET의 구조를 가진다고 해서 DIBL이 줄어드는지는 잘 모르겠습니다. 그냥 실험으로 얻어낸 결과라고 이해해야할까요?
@@김민준-t4i4p 아직 DIBL 에 대해 정확히 이해하지 못한것 같습니다. FinFET 에서는 여러 게이트를 통해 더 높은 채널 조절력(channel controllability)를 가질 수 있기 때문에, 상대적으로 드레인전압에 의한 영향을 줄일 수가 있습니다. 이것이 DIBL 이 감소하는 이유입니다.
교수님 질문있습니다
Gate가 늘어남에따라 short channel effect를 줄일 수 있는 원리가 궁금합니다. 그리고 gate가 늘어난다는 것이 절연막으로 구분된 채널과 게이트의 면적이 늘어난다는 것을 의미하는걸까요?
질문을 보니 아직 앞에서 배운 강의들을 제대로 이해하지 못한 것 같으니, 복습 먼저 해보길 바랍니다.
게이트의 면적이 아니라 소스와 드레인사이의 간격(gate length, Lg) 를 줄여야 하는 이유에 대해서 이미 앞에서 배웠습니다. Lg를 늘리는 방향으로는 절대로 MOSFET 을 설계하지 않습니다.
그리고 Lg 를 줄이다보면 발생하는 문제가 short channel effects 입니다. 강의에서 설명했듯이 대부분의 short channel effects 는 드레인 전압에 의해 형성된 수평한 방향의 E-field 때문에 발생합니다.
@@DevicePhysics FinFET과 GAA 구조를 갖는 FET인 경우 게이트와 채널사이의 접점이 planer FET보다 많아서 short channel effect을 줄일 수 있다고 이해했습니다.
아. 질문을 이해했습니다.
질문의 답은 댓글에서 간단히 설명하는 것은 불가능합니다. [고급소자물리] 강의에는 설명을 해놓은 부분이 있고, 현재 따로 강의영상을 만들려고 준비중입니다.
@@DevicePhysics 넵 감사합니다
교수님 mos cap에서 했던 CV측정에 대한내용은 mosfet에서도 동일하기때문에 mosfet강의에 없는걸까여???
궁금해서 찾아보니 mosfet은 source쪽에 도핑농도가 높아서 high frequency때 전부 대응을 해줄수있어서 늘 Cox로 (축적,Vt,flat band,저-고주파상태에서) 같다는 것을 봤습니다. 교수님 이 사실이 맞을까여??
그러면 주파수 이외영역에서는 mos cap과 동일하나, CV특성 그래프만 보고 mosfet이 고주파와 저주파 중 어떤 주파수에서 얻어진건지는 답하기는 어려운? 불가능?일까여??
MOSFET 은 drain 에 전압이 걸리기 때문에 mos capacitor 처럼 고려해야할 상황이 단순하지 않습니다. 그리고 어떤 cap 을 측정할지 (gate-body, gate-drain 등등), 어떻게 전압을 인가하며 측정할지에 따라 물리적으로 고려해야할 부분들이 많습니다. 따라서 학부 수준에서는 보통 다루지 않습니다.
@@DevicePhysics 감사합니다 교수님
mosfet 문제풀다가 가끔씩 Low Freq모습의 CV그래프를 주고 정성적으로 고주파저주파인지 어떤주파수인지, 그리고 이에대한 답을 하는것이 가능한지를 물어보는 문제가 나와서..궁금해서 질문드렸습니다!
이유는 위처럼 찾아서 나온거같은데
결론으로 주파수결정하는게 불가능해서, 고주파저주파 둘다가능하다고 내리는게 맞을지 궁금합니다ㅠ
이미 답변했듯이 그냥 답이 정해져 있는것이 아니라, 어떤 방식으로, 어떤 조건에서, 어떤 cap을 측정한 것인지에 따라서 답이 결정되는 것입니다.
안녕하세요 좋은강의 정말 감사드려요
공부하다가 이해되지 않는 부분이 있어서 질문드립니다.
MOS 에서 metal gate를 만약에
Matal A / Matal B / poly + oxide + sub
이런식으로 3개를 접합하여 형성한다고 했을때
Matal A 와 poly 의 접착면에 ohmic contact를 형성하기 위해서 Metal B 를 중간에 바른 상황이라면
MatalA to MatalB contact 부분에서는 에너지 밴드 다이어그램을 어떻게 그려야하나요..? 갑자기 모르겠습니다..
말로 설명하기가 좀 어려운데, 아무튼 이상적인 상황이라면, 그냥 metal A / metal B 접합은
1) 페르미레벨은 당연히 수평하게 그려 집니다.
2) 페르미레벨부터 진공레벨까지가 workfunction 인데 workfunction 값은 물질마다의 고유한 값이므로,
3) 결국 workfunction 값에 따라 진공레벨이 휘어집니다.
4) 즉, metal A / metal B 접합에 대한 에너지밴드 다이어그램은 그냥 하나의 수평한 직선 (페르미레벨) 로 표현되며, 진공레벨이 workfunction 에 맞추어 휘어집니다.
metal B/ poly 접합도 마찬가지로, poly 가 높은 농도로 도핑되었다고 가정하면 그냥 metal 처럼 생각해도 괜찮습니다. 따라서 비슷하게 수평한 직선으로 표현됩니다.
진공 레벨의 휘어짐을 그리는것이 상상이 잘 안되네요 ㅠㅠ
교수님 답변 정말 감사드립니다!!
@@유정-f1l 진공레벨은 반도체 해석에 중요하지 않습니다. 그냥 페르미레벨이 수평하게 그려지는것만 이해하면 충분합니다.
안녕하세요 교수님 강의 항상 감사하게 듣고있습니다!
질문이 있어서 댓글 남기게 되었습니다.
1. on current 즉, Id(sat)을 높이면 회로의 동작속도가 빨라지는 이유가 궁금합니다.
혹시 on current가 더 높아질 경우, Vgs-Ids , Vds-Ids 두 그래프 모두에서 특정 전압을 인가했을 때 그만큼 기울기가 더 가파른 형상을 보이기 때문에 동작속도가 빨라진다고 이해하면 될까요?
2. on current가 정확히 어떤것을 의미하는건지 궁금합니다. 혹시 Vgs-Ids의 그래프에서는, linear 영역이 끝나고 Vgs가 아무리 높아져도 Ids가 일정한 값으로 유지되기 시작할때를 의미하고 / Vds-Ids의 그래프에서는, saturation mode가 시작되며 Vds가 아무리 높아져도 Ids가 일정한 값으로 유지될때를 의미하나요?
3. 일반적으로 mosfet을 회로에서 스위칭소자로 사용할때 Vds를 고정하고 Vgs를 가변하는 Vgs-Ids 방식으로 사용하나요? 아니면 Vgs를 고정하고 Vds를 가변하는Vds-Ids 방식을 사용하나요?
4. on current가 높으면 동작속도가 빨라지는 장점이 있지만 current 자체가 높아지는 것이기 때문에 소비전력 또한 높아진다는 단점이 존재할 것 같은데 맞나요?
1. 이유는 이전 강의에 설명하였으니 참고 바랍니다.
3. 디지털 회로인지 아날로그 회로인지에 따라 다른데, 일반적인 디지털 회로에서는 0V 와 VDD 밖에 없습니다. 전압을 가변하지 않습니다.
2. on current 라는 것은 gate 와 drain 에 VDD 를 인가한 상황에서의 전류입니다.
4. 네 맞습니다. 다만 소비전력을 낮추기 위해 on current 를 줄이지는 않습니다. 그보다는 off current 를 줄여 누설전류를 막는것이 중요합니다.
@@DevicePhysics 교수님 답변감사합니다! 추가로 궁금한점이 있습니다. 회로에서 mosfet은 아주 짧은 시간동안 1과 0의 신호로 계속해서 바뀔것입니다. 이때 1이라는 신호의 경우 gate, drain에 Vdd가 인가될텐데 신호가 0으로 바뀔때는 gate, drain 모두에 0v가 인가되는지 아니면 drain은 Vdd를 유지한채 gate에만 0v를 인가해서 신호를 0으로 바꾸는지 궁금합니다.
@@TAEON. 그건 정해져 있는것이 아니라 로직회로 구성에 따라 달라지는 것입니다. 아마 디지털논리회로나 전자회로 시간에 배웠을 겁니다.
@@DevicePhysics 네 답변 감사합니다:)
교수님 좋은 강의 해주셔서 정말 감사합니다!!
마지막으로 질문 하나만 드리겠습니다!!
finfet같이 채널 면적을 늘리게 되면 Id가 증가한다고 하셨는데 채널 면적이 증가함에따라 전류가 더 많이 흐를려면 면적이 증가한만큼 Vd도 증가시켜야하는건지 궁금합니다.
전류의 개념을 잘못 알고 있는것 같습니다. 전류의 정의를 다시 한번 찾아 공부해보길 바랍니다.