Схема стенда для измерения параметров мощных транзисторов

Поделиться
HTML-код
  • Опубликовано: 19 фев 2024
  • Предназначена для измерения параметров мощных биполярных pnp и npn транзисторов а также N- канальных и P-канальных полевых транзисторов. Функциональные возможности: установка напряжения на базе мощного биполярного PNP или NPN транзистор, измерение напряжения база-эмиттер и тока базы, измерение напряжения коллектор-эмиттер и тока коллектора биполярного транзистора, измерение статического усиления по току (h21) транзистора, измерение мощности рассеяния биполярного или полевого транзистора, установка напряжения на затворе мощного полевого N-канального или P-канального транзистора, измерение напряжения затвор-исток и напряжения сток-исток, измерение тока стока и сопротивления канала сток-исток, измерение температуры испытуемого транзистора.
    Подробнее на
    radiosch.eu/pribory/power-tra...
    Поддержка канала www.donationalerts.com/r/dona...
  • НаукаНаука

Комментарии • 5

  • @---fc8jp
    @---fc8jp 3 месяца назад +2

    Спасибо за материал проекта. Не подскажите где взять стабильный Proteus?

    • @michaelhirs6927
      @michaelhirs6927  3 месяца назад

      К сожалению не могу подсказать

    • @user-bj4nl7jx5j
      @user-bj4nl7jx5j 3 месяца назад

      А я знаю,но не скажу

  • @user-bj4nl7jx5j
    @user-bj4nl7jx5j 3 месяца назад +1

    Во мужик дает, сам с собой разговаривает

    • @user-jh4gp6zh8s
      @user-jh4gp6zh8s 3 месяца назад +1

      Побрей его или от зеркала отойди!подслушивает!