영상을 잘보고 있습니다! 자꾸 질문하게 되네요 ㅋㅋ 앞서 핵과 이온간의 상호 작용 때문에 damage가 일어난다고 했는데, 슈뢰딩거 모델에서는 핵이 부동이 아니고 전자 처럼 존재 할 확률이있는 구름 처럼 분포 되어있어서 그런가요? 여기서 이온내의 핵 과 si 의 핵의 작용이 큰건가요,아니면 이온 전체의 전하 와 si 핵 전하의 작용이 크다고 보는건가요?? 좋은 영상들 올려 주셔사 김시힙니다!
FinFeT 공부하다가 궁금한점이 생겨서 질문드립니다.!!! FinFET의 경우 채널의 윗면이(100)plane 일때 옆면은 (110)plane이 되어서 그 경우 전자의 monility가 옆면에서는 작아진다고 하는데 바라보는 결정 구조 때문에 그런 것인가요?.. (110)은 이 영상에도 나와있듯 가운데가 뚫려있는 구조라는데 잘 이해가 안갑니다..ㅠㅠ
음 결정 내에서의 전도도 이야기는 그렇게 단순하게 여기는 뚤려있다 저기는 조밀하다 로 설명하기 어렵습니다. 일단 결정 방향에 따라 이동도가 다른데요, 이건 실험적으로 측정하는 경우가 많습니다. 이론적으로 이해하려면 양자역학에서 일정한 거리를 갖는 결정 내 전자 이동을 보셔야합니다. 아주 단순화된 모형으로는 Kronig-Penney model 이 있습니다. 아주 상세한 양자역학은 저도 몰라서 ㅠㅠ
설명해주신 smart cut에서 산화막 밑에 얇은 si층이 있고 그 아래로 H가 침투한다고 설명해주셨는데요 얇은 si층에 H가 다 뚫고 내려가지못하고 남아있으면 어떻게 되나요? 이런경우엔 수소층을 잘라내도 얇은 si층안에 수소가 남아있을텐데 이거에 대한 후처리 방법이 있는지 궁금합니다
저도 실제로 쏘이웨이퍼 만드는걸 본 적은 없어서 디테일한건 모르지만, 수소는 상당히 작고 실리콘과 반응성도 그다지 좋지 않아서 잘 빠져나가는 편입니다. 꼭 스마트컷이 아니더라도 폴리 실리콘 옥사이드 혹은 비정질 실리콘 옥사이드의 표면 defect를 제거하는 데에도 수소는 쓰이니까요, 아마 남김없이 나가지 않을까 싶습니다..!
![[반도체 공정] 2. 이온주입 (ion implantation)](http://i.ytimg.com/vi/4dQahfRJsKQ/mqdefault.jpg)
3개 과 돌아다니면서 반도체 강의 수강했어요 반도체 공부를 하면서 뜬구름 잡는 느낌 많이 들어 재미를 못느꼈는데 면접 이틀전인 오늘 복습을 위해 영상 정주행하다 처음으로 재밌다고 느끼네요.. 면접 잘 보고오겠습니다 좋은 영상 감사합니다
잘 보고 오세요~~~~
@@namrnam5413 삼전 족치고 왔습니다! ㅎㅎ 그래도 직무면접은 대답이라도 좀 했어요! 남알남님 영상 도움 많이 됐습니다 ㅎㅎ
항상 유익하고 이해하기 쉬운 영상 감사합니다! 오늘도 많이 배우고 갑니다!
도움이 많이 되고 있습니다. 감사합니다. ^^
영상을 잘보고 있습니다! 자꾸 질문하게 되네요 ㅋㅋ
앞서 핵과 이온간의 상호 작용 때문에 damage가 일어난다고 했는데, 슈뢰딩거 모델에서는 핵이 부동이 아니고 전자 처럼 존재 할 확률이있는 구름 처럼 분포 되어있어서 그런가요?
여기서 이온내의 핵 과 si 의 핵의 작용이 큰건가요,아니면 이온 전체의 전하 와 si 핵 전하의 작용이 크다고 보는건가요??
좋은 영상들 올려 주셔사 김시힙니다!
울 학교 교수님 보다 설명 잘하셔요ㅋㅋㅋㅋ😆
에너지가 높은 때 전자에 의해서 낮을 때 핵에 의해서 영향을 더 많이 받는 이유가 뭔지 궁금해요!!
영상 계속 올려주세요 ㅎㅎ
요새 좀 바빠서요 ㅠㅠ 힘내세 올려드릴게요.
FinFeT 공부하다가 궁금한점이 생겨서 질문드립니다.!!! FinFET의 경우 채널의 윗면이(100)plane 일때 옆면은 (110)plane이 되어서 그 경우 전자의 monility가 옆면에서는 작아진다고 하는데 바라보는 결정 구조 때문에 그런 것인가요?.. (110)은 이 영상에도 나와있듯 가운데가 뚫려있는 구조라는데 잘 이해가 안갑니다..ㅠㅠ
음 결정 내에서의 전도도 이야기는 그렇게 단순하게 여기는 뚤려있다 저기는 조밀하다 로 설명하기 어렵습니다. 일단 결정 방향에 따라 이동도가 다른데요, 이건 실험적으로 측정하는 경우가 많습니다. 이론적으로 이해하려면 양자역학에서 일정한 거리를 갖는 결정 내 전자 이동을 보셔야합니다. 아주 단순화된 모형으로는 Kronig-Penney model 이 있습니다. 아주 상세한 양자역학은 저도 몰라서 ㅠㅠ
@@namrnam5413 그렇군요 아직 제 수준에서 이해가 너무힘들었습니다. 친절한 답변 감사합니다!!
03:03 여기서 Y축은 뭐를 나타내는 건가요 ?
남알남NamRNam x축이 주입이온속도 아닌건가요...? 무슨 power라고 설명해주셨는데 잘 안들려서ㅜ 알려주시면 감사하겠습니다! 영상 너무 감사드리고 잘 보고있습니다!
어머 제가 잘못말씀드렸군요,,, 저 그래프에서는 y축은 stopping power 입니다. X축은 이온 속도이구요.
설명해주신 smart cut에서 산화막 밑에 얇은 si층이 있고 그 아래로 H가 침투한다고 설명해주셨는데요 얇은 si층에 H가 다 뚫고 내려가지못하고 남아있으면 어떻게 되나요? 이런경우엔 수소층을 잘라내도 얇은 si층안에 수소가 남아있을텐데 이거에 대한 후처리 방법이 있는지 궁금합니다
저도 실제로 쏘이웨이퍼 만드는걸 본 적은 없어서 디테일한건 모르지만,
수소는 상당히 작고 실리콘과 반응성도 그다지 좋지 않아서 잘 빠져나가는 편입니다. 꼭 스마트컷이 아니더라도 폴리 실리콘 옥사이드 혹은 비정질 실리콘 옥사이드의 표면 defect를 제거하는 데에도 수소는 쓰이니까요, 아마 남김없이 나가지 않을까 싶습니다..!
@@namrnam5413 답변 감사드립니다 !
와 이부분은 정말 어렵네요!
채널링 방지에대해서 궁금한데,
틸팅은 이해가 가는데 비정질화 한 이온 주입이 왜 방지가되나요ㅠㅠ?
비정질화 하면 실리콘 원자 틈 사이가 줄어들잖아요