****** 아주 중요한 수정이 있습니다!! 반도체공정에서 사용되는 모든 SiO2는 전부 amorphous상입니다!!! 마스크 바디로 사용되는 SiO2만 결정성이며, 그 이외의 모든 SiO2는 전부 다 amorphous 입니다. 최근 열역학을 다시 공부하면서 보게 된 내용인데, crystal SiO2가 증착되는 조건이 엄청나게 극단적인 환경이더라구요, 모든 공정은 amorphous입니다!!!!
반도체공정 처음 들어보는 1인입니다. 어떻게 만드는지 중에서 증착 과정이 있는데 공정 순서에도 증착 과정이 있다고 하셨습니다. 그렇다면 산화 단계에서의 증착 방식과 공정 단계에서 증착은 방식은 같지만 별개로 생각 하면 되는 건가요? 증착방식으로 산화한다면 다음단계에 또 증착을 하는...? 아니면 같은 단계이나 공정 단계를 나눠서 표기하는것,,,? 기초적인 질문 죄송합니다
결정도는 자라게 할 때 어느정도 조절 할 수 있습니다. 핵생성이 매우 적은 밀도로 되게 하고, 느린속도로 핵성장을 시키거나, 어닐링을 통해 recovery 시켜주면 크리스탈하게 됩니다. 반대로 급격히 성장시키고 냉각시키면 amorphous 하게 자라게 되죠. 필요한 형태의 실리카를 필요한 곳에 사용하면 됩니다 : )
****** 아주 중요한 수정이 있습니다!! 반도체공정에서 사용되는 모든 SiO2는 전부 amorphous상입니다!!! 마스크 바디로 사용되는 SiO2만 결정성이며, 그 이외의 모든 SiO2는 전부 다 amorphous 입니다. 최근 열역학을 다시 공부하면서 보게 된 내용인데, crystal SiO2가 증착되는 조건이 엄청나게 극단적인 환경이더라구요, 모든 공정은 amorphous입니다!!!!
****** 아주 중요한 수정이 있습니다!! 반도체공정에서 사용되는 모든 SiO2는 전부 amorphous상입니다!!! 마스크 바디로 사용되는 SiO2만 결정성이며, 그 이외의 모든 SiO2는 전부 다 amorphous 입니다. 최근 열역학을 다시 공부하면서 보게 된 내용인데, crystal SiO2가 증착되는 조건이 엄청나게 극단적인 환경이더라구요, 모든 공정은 amorphous입니다!!!!
모든 계면에는 불완전한 결합들이 벌크보다 많이 존재해요. 이런 애들은 종종 charge를 갖게 되는데, 모스펫 동작의 Vth 를 계산할 때, 이 surface charge를 고려해줘야해요. 계면의 defect 즉 interface defect가 적다면, 계산할 surface charge가 작아진다는거죠!
![[기초반도체공정|2.1] #oxidation #gate insulator #SiO2 #dangling bond #forming gas annealing](/img/1.gif)
****** 아주 중요한 수정이 있습니다!! 반도체공정에서 사용되는 모든 SiO2는 전부 amorphous상입니다!!!
마스크 바디로 사용되는 SiO2만 결정성이며, 그 이외의 모든 SiO2는 전부 다 amorphous 입니다.
최근 열역학을 다시 공부하면서 보게 된 내용인데, crystal SiO2가 증착되는 조건이 엄청나게 극단적인 환경이더라구요, 모든 공정은 amorphous입니다!!!!
선생님 공정과목 관련 질문도 받아주시나요
현직이신가요? 잘보구갑니다
네 현직잡니다
반도체공정 처음 들어보는 1인입니다. 어떻게 만드는지 중에서 증착 과정이 있는데 공정 순서에도 증착 과정이 있다고 하셨습니다. 그렇다면 산화 단계에서의 증착 방식과 공정 단계에서 증착은 방식은 같지만 별개로 생각 하면 되는 건가요? 증착방식으로 산화한다면 다음단계에 또 증착을 하는...? 아니면 같은 단계이나 공정 단계를 나눠서 표기하는것,,,? 기초적인 질문 죄송합니다
산화는, si를 정말 말그대로 산화시켜서 sio2를 만드는 과정을 말합니다. 증착은 외부에서 물질을 추가해서 박막을 형성하는 방법입니다. 둘 다 박막을 형성한다는 목적은 같으나, 과정이 다르고 그에 따른 박막의 물리/화학적 특성이 다릅니다.
@@namrnam5413 답변 감사합니다! 제가 혼자 공부하는 중인데 어디서는 산화다음 증착단계고 어디서는 식각 다음 증착단계라고 나와서 헷갈리더라구요ㅠㅜ그렇다면 산화 다음 증착 하는 것과 식각 다음 증착 하는 것은 그냥 단계의 일부라고 생각하면 될까요?
@@뽕꾸똥꾸 8대 공정은 반도체마다 순서를 바꿔가면서 layer를 만드는것으로 알고 있습니다.
즉 8대 공정은 순서대로 진행하는게 아니라 상황에따라 순서가 바뀐다고 생각하시면 될 것 같습니다
9:30초에 지금까지 말한것은 crystal line이라고하셨는데 어떤거 말씀하시는 건가요??
정확한 격자를 갖는 SiO2 결정을 말한 것입니다. Quartz라고 하기도 하죠.
이후에 말하는 형태는 흔히 우리가 말하는 유리 형태의 amorphous한 SiO2를 말합니다.
@@namrnam5413 혹시그러면 growth한게 crystal line이고 deposition으로 sio2만든게 amophous라고 이해해도 될까요?
NativeOxide Growth Deposition 방식이 크리스탈 라인이 아닌가요?
아니면 한통님 말씀대로 deposition으로 SiO2한 게 아머포스인건지... 헷갈헷갈쓰
결정도는 자라게 할 때 어느정도 조절 할 수 있습니다. 핵생성이 매우 적은 밀도로 되게 하고, 느린속도로 핵성장을 시키거나, 어닐링을 통해 recovery 시켜주면 크리스탈하게 됩니다.
반대로 급격히 성장시키고 냉각시키면 amorphous 하게 자라게 되죠.
필요한 형태의 실리카를 필요한 곳에 사용하면 됩니다 : )
****** 아주 중요한 수정이 있습니다!! 반도체공정에서 사용되는 모든 SiO2는 전부 amorphous상입니다!!!
마스크 바디로 사용되는 SiO2만 결정성이며, 그 이외의 모든 SiO2는 전부 다 amorphous 입니다.
최근 열역학을 다시 공부하면서 보게 된 내용인데, crystal SiO2가 증착되는 조건이 엄청나게 극단적인 환경이더라구요, 모든 공정은 amorphous입니다!!!!
안녕하세요 남알남님! oxide 형성방식 중에 growth(oxidation으로 형성한 sio2)가 가장 퀄리티가 좋다고 하셨는데 Si에서 성장시켜 만들었기 때문에 좋은것인가요?
그리고 다른 증착공정으로 형성한 옥사이드에 비해 어떤점이 좋은지 궁금합니다!
4:30
도저히 이건 하트 못누르겠다
growth 성장방식에서 thermal(dry) 방식이 있다 하셨는데
sio2 wet 성장 방식에서는 열을 높여서 더 빠르게 성장시키진 않는건가요?
둘다 온도가 1000~1200도로 충분히 높습니다. 더 높아지면 Si가 녹을수 있어 지양합니다
안녕하세요,
산화막(절연막, 유전막, oxide layer)의 두께 감소를 하면 왜 MOSFET의 속도가 빨라지는지 질문드립니다.
감사합니다.
같은 물질이라고 가정 할 때, 캐퍼시턴스 값이 커지기 때문이 가장 빠르게 설명이 가능하겠네요 : )
남알남NamRNam 감사합니다ㅎㅎ
@@namrnam5413 두께가 감소하면 cap 값이 작아지는게 아닌가요..??!
@@뽀뽀네대가족 커집니다! C=A x e/t 니까요 : )
이 내용.. 혹시 대학교재로 좀 더 이론적으로 공부할 수 있는 책이 있나요?
native oxide 된 상태에서 HF를 사용하여 SIO2를 지우는 이유는 얇은층의 sio2를 지우고 순수si만 남아있는상태에서
보다 잘 control 할 수 있는 sio2를 만들기위함인가요??
HF가 검색해 보니까 불화수소 같던데 SiO2층에 HF처리하면 물이 생기는 이유가 뭔가요?
반응식을 보면 SiO2 + 6HF -> H2 + SiF6 + 2H2O 로 반응하며 물이 생성됩니다. 그러면서 SiO2층이 제거되죠.
혹시 반응메커니즘이 왜 저런식으로 진행되는지를 물어보신 건가요?
궁금한게 있습니다. 산화공정에서 사용되는 산화막이 MOSFET의 gate insulator로 쓰이지 않는 경우도 있나요?
게이트 인슐레이터라는게 게이트 옥사이드 말씀하시는건가요? 채널 바로 위의 그것?
그 외에도 사용처는 아주 많습니다! 오히려 요새는 게이트옥사이드로 실리콘옥사이드를 잘 안쓰죠.
@@namrnam5413 네. 게이트 옥사이드 말하는 거였어요. 산화공정과정에서 생기는 산화막은 무조건 게이트 옥사이드로 사용되는 거죠?
그렇지는 않습니다. 산화공정 이라고 말하는건, 각종 실리콘 옥사이드 들을 '산화' 반응을 이용하여 만드는 것을 말해요. 게이트 옥사이드 외에도 SiO2를 산화공정으로 성장시키는 공정은 많습니다.
@@namrnam5413 산화공정으로 만들어진 산화막이 게이트 옥사이드로 사용되지 않는다면 게이트 옥사이드는 만들긴 만들어야할텐데 어떻게 만드나요..?
@@Lucky-xn9vj 산화공정으로 만드는 경우라면 물질을 실리콘옥사이드로 할 겁니다. 요새 트렌드는 high k 물질을 쓰는게 더 트렌드라서요,
이럴경우 CVD공정이나 ALD공정을 씁니다.
혹시 NANO SPRAY CO2 (CO2 + DIW WATER) SCRUBBING 공정을 진행하면서 SIO2(OX DEP THK)가 ETCHING이 될 가능성도 있을까요?? 아니면 물성 변화를 시킨다던가요..
죄송합니다, 저는 현업자라기보다는 이 분야를 공부했던 사람인 정도라 디테일하게 들어가면 막 찾아보는게 아니라면 잘 모르겠습니다 ㅠㅠ
@@namrnam5413 아닙니다 ㅎㅎㅎ 화학전공이 아니다보니 극성이나 물성상 이해가 조금 모자란 것 같아서 남알남님 유튜브로 모자란 부분 잘 배우고 있습니다! 감사합니당
Nano spray 는 diw에 co2를 녹여 쓰기 때문에 sio2 loss는 없고, 오히려 sio2 표면 particle을 제거하는 목적으로 사용합니다
sputter 방식으로 증착해도 crystal로 볼 수 있나요? 일부 dangling bond 있어서 비결정이 되지 않을까요?
****** 아주 중요한 수정이 있습니다!! 반도체공정에서 사용되는 모든 SiO2는 전부 amorphous상입니다!!!
마스크 바디로 사용되는 SiO2만 결정성이며, 그 이외의 모든 SiO2는 전부 다 amorphous 입니다.
최근 열역학을 다시 공부하면서 보게 된 내용인데, crystal SiO2가 증착되는 조건이 엄청나게 극단적인 환경이더라구요, 모든 공정은 amorphous입니다!!!!
interface defect가 적다는 것이 surface charge? 계산할 것이 적다고 받아들이면 된다하셨는데 쫌 더 부연설명 해주실 수 있을까요??
모든 계면에는 불완전한 결합들이 벌크보다 많이 존재해요. 이런 애들은 종종 charge를 갖게 되는데, 모스펫 동작의 Vth 를 계산할 때, 이 surface charge를 고려해줘야해요. 계면의 defect 즉 interface defect가 적다면, 계산할 surface charge가 작아진다는거죠!
계산도 계산이지만, 트랜지스터 성능이 좋아집니다. S.S. 값이 작아져서 (물론 상온에서 60 mV/dec. 이하로는 안 되지만) 저전압 및 고속동작이 가능해집니다.
아, 추가로 트랜지스터 특성의 안정성도 좋아져서 오래 사용해도 고장이 덜 납니다. 반도체는 오래 사용하면 조금씩 망가지므로 2~3 년마다 바꿔주세요.
재밋어여🙂유익해용
남알남님 HCL로는 SiO2제거가 안된다고 하던데. 맞나요 HF말고는 제거 할수 있는 다른 방법이 있을까요
제가 알기론 딱히 없습니다. 행여 있더라도 불산만큼 수율이 안나와주니 불산을 사용하겠죠..? 불산이 위험해도 어쩔수 없이 사용해야하는 이유가 SiO2 selectice 에칭이 가능해서 니까요...
F를 포함한 플라즈마를 이용한 건식식각 방법을 많이 사용합니다.
혹시 실례지만 capacitance equivalent thickness에 대해서 들어보셨나요ㅜㅜ
EOT말씀이신가요?
@@namrnam5413 아뇽ㅜㅜEOT배우다가 같이 배웠는데 좀 더 알고 싶어서 검색해도 찾기가 힘드네요...ㅜㅜ 되게 잘 가르쳐주셔서 혹시나 해서 물어봤습니당ㅎㅎ
선생님 최고에요😍
정주행 2
산화공정에서 인위적으로 만든 순수 SiO2가 crystal 이라는 말씀이시죠?? Amorphous 말씀해주신 이유는 SiO2가 amorphous인 경우도 있다고 알려주시려고 그러신거죠...? 아닌가용..?
과거 답변을 수정합니다. 열역학적인 면을 봤는데, 결정성 SiO2가 결정성이 나올것같진 않아요. 아주아주 높은 온도와 압력이 요구되네요. 대부분 반도체공정의 SiO2는 amorphous일거구요, 마스크에 사용되는 부분 정도만 결정성일것 같습니다.
@@namrnam5413 맞습니다. 수정해주신 내용이 맞습니다.
Hydrophilic 친수성. Hydrophoblic 소수성