영상 너무 잘 봤어요👍 진짜 모든 동영상 보면서 필기할거에요!! 그리고, 질문이 있습ㄴ다! 1. Cl2 플라즈마 사용한 에칭이 isotropic하다고 하셨는데, 플라즈마를 사용하면 Cl라디칼 뿐만 아니라 Cl+ 이온도 발생하니깐 anisotropic 하지 않나요?? 2. 플라즈마를 사용하기만 하면 다 anisotropic할 거 같다고 생각이 드는데, 아닌가요..?😭 헷갈리네요... 3. 플라즈마를 사용하면 라디칼(등방성)과 이온(이등방성)이 나오므로, 이게 바로 RIE인가요..? 즉, 플라즈마를 사용한 에칭이 RIE인지 여쭙고 싶습니다!
제생각에는 화학적 반응만을 이용한 Cl2 플라즈마 에칭은 그냥 RIE를 설명하기 위한 과정이지 않을까 싶습니다. Cl 자체가 할로겐이기때문에 양이온이 되기 굉장히 힘들거같구요 Cl+를 굳이 형성해서 케미컬리,메카니컬리 에칭하는 건 좀 비효율 적이지 않을까 싶네요 RIE는 플라즈마를 이용한 에칭 중에서도, 라디칼을 이용해 등방으로 화학반응을 하고, 이온으로 이등방하게 bombardment 시켜서 좀 더 Vertical하고 Selective한 에칭을 구현하는 걸 말하는 것 같습니다! 모든 플라즈마가 이러한 방식으로 에칭될거같진않네요
좋은영상 감사합니다. 두가지 정도 질문이 있습니다. CF4를 이용한 etching에서 H2를 넣어줄 때 CF3+가 si와 결합해서 polymerization되고 그 polymer층이 si의 etching을 막고 SiO2쪽에서는 Si-O보다 C-O의 힘이 더 강하기 때문에 CO가 돼서 날라가기도하고, 남은 F들이 Si와 결합해 SiF4가 돼서 날라가기도 하면서 SiO2 etching의 selectivity가 올라가는 것으로 알고있습니다. 혹시 여기서 잘못된 부분이 있는지 궁금합니다. 두 번째 질문은 CF4를 이용한 etching의 문제점이 mask로부터 redeposition과 tenching이라는 문제가 있다는 것을 알게되었는데, 어떤 원리로 이런 문제가 생기는지 이해가 가지 않아서 혹시 말씀해주실 수 있을까요?
안녕하세요 영상 잘보고있습니다! 영상에서 Cl2로 에치시에 isotropic하게 에치가 된다고 하셨습니다. 근데 W 에치시에 F-based gas로 에치시 나타나는 isotropic 이슈를 Cl2가스 추가로 Side wall passivation을 시켜주면서 해결한다고 알고있는데 , 이렇게 Cl2의 역할이 달라지는건 타겟이 Si냐 W냐에 따라서 달라지는 거라고 이해하면될까요?
안녕하세요 ! 영상 잘 보고 있습니다. 영상 보는중 궁금한 사항이 있어서 질문 드립니다. 1. RIE에서 reactive gas의 이온화를 이용하는데 여기서 reactive gas가 Ar+인가요 ? 2. CF4 Plasma etch에서 H2를 주입시켜 sio2를 에칭을 할 때 단순히 HF로 인해서 식각되는것이 아닌 'CFx의 폴리머층 형성 + Damage' 와 함께 식각이 진행됐을 때 Sio2의 식각이 잘 된다는 건가요 ?
@@namrnam5413 저도 식각업체 찾아보니 꾀있네요^^ 감사합니다 글로벌 해외업체와 비교해서 국내 식각업체들의 기술력 수준이 어느정도 되는지 궁금하네요 반도체의 난해한 공정(채널홀) 에도 투입될 수 있는 기술력인지요 Sk하이닉스 향 업체는 폴리식각(적응결합형 플라즈마 소스 개발)을 하고 있고 프라즈마 소스 원천기술 등을 보유했다는 이야기가 있어서요 이회사가 국내에서는 가장 경쟁력이 있는 회사인지요
![[기초반도체공정|4.2] #wet etching #dry etching #ion milling #RIE #Bosch process](http://i.ytimg.com/vi/hh_V8Gk9Zs8/mqdefault.jpg)
잘배우고있습니다! 감사합니다ㅎㅎ
18:41 이부분에서 약간 의문이 생겨서 질문남깁니다!
결론적으로 H2를 넣어주면 그럼 HF에의해서 SiO2 etching이 더 잘되게 된다는건가요?
아니면 CFx랑 damage가 가해서 SiO2 etching이 더 잘되게 된다는건가요?
처음에 말씀하실땐 HF가 생겨서 잘된다고 하시고 두번째엔 CFx랑 damage가 etching을 한다고 하셔서 약간 헷갈리내요.
둘다 되는건가요??
영상 너무 잘 봤어요👍 진짜 모든 동영상 보면서 필기할거에요!!
그리고, 질문이 있습ㄴ다!
1. Cl2 플라즈마 사용한 에칭이 isotropic하다고 하셨는데, 플라즈마를 사용하면 Cl라디칼 뿐만 아니라 Cl+ 이온도 발생하니깐 anisotropic 하지 않나요??
2. 플라즈마를 사용하기만 하면 다 anisotropic할 거 같다고 생각이 드는데, 아닌가요..?😭
헷갈리네요...
3. 플라즈마를 사용하면 라디칼(등방성)과 이온(이등방성)이 나오므로, 이게 바로 RIE인가요..?
즉, 플라즈마를 사용한 에칭이 RIE인지 여쭙고 싶습니다!
제생각에는 화학적 반응만을 이용한 Cl2 플라즈마 에칭은 그냥 RIE를 설명하기 위한 과정이지 않을까 싶습니다. Cl 자체가 할로겐이기때문에 양이온이 되기 굉장히 힘들거같구요 Cl+를 굳이 형성해서 케미컬리,메카니컬리 에칭하는 건 좀 비효율 적이지 않을까 싶네요 RIE는 플라즈마를 이용한 에칭 중에서도, 라디칼을 이용해 등방으로 화학반응을 하고, 이온으로 이등방하게 bombardment 시켜서 좀 더 Vertical하고 Selective한 에칭을 구현하는 걸 말하는 것 같습니다! 모든 플라즈마가 이러한 방식으로 에칭될거같진않네요
남알남님 강의 잘 보고 있습니다!
질문거리가 생겼는데 Sputter에서는 Target의 크기
좋은영상 감사합니다. 두가지 정도 질문이 있습니다. CF4를 이용한 etching에서 H2를 넣어줄 때 CF3+가 si와 결합해서 polymerization되고 그 polymer층이 si의 etching을 막고 SiO2쪽에서는 Si-O보다 C-O의 힘이 더 강하기 때문에 CO가 돼서 날라가기도하고, 남은 F들이 Si와 결합해 SiF4가 돼서 날라가기도 하면서 SiO2 etching의 selectivity가 올라가는 것으로 알고있습니다. 혹시 여기서 잘못된 부분이 있는지 궁금합니다.
두 번째 질문은 CF4를 이용한 etching의 문제점이 mask로부터 redeposition과 tenching이라는 문제가 있다는 것을 알게되었는데, 어떤 원리로 이런 문제가 생기는지 이해가 가지 않아서 혹시 말씀해주실 수 있을까요?
반도체 강의 대다하십니다. 잘 보고있어요. 에칭에 옥사이드에칭,컨덕트에칭도 설명부탁드려요
안녕하세요! 공정기술 직무 Etch 엔지니어 준비하고있는 4학년 학생입니다. 영상올려주신거 잘보았습니다. 추가적으로 Etch에 대해 공부해보려하는데, 추천해주실만한 공부방법이나 책을 소개해 주실 수 있을까요???
영상 잘 챙겨보고 있습니다 감사합니다^^
감사합니다. 정말 궁금했었는데 ㅎ 아 일단 증착 7부터 보고와야겠군용ㅎ
16:20 여기서 왜 O2를 주입하면 F*가 많아지는건가요??
25:50
안녕하세요 영상 잘보고있습니다! 영상에서 Cl2로 에치시에 isotropic하게 에치가 된다고 하셨습니다. 근데 W 에치시에 F-based gas로 에치시 나타나는 isotropic 이슈를 Cl2가스 추가로 Side wall passivation을 시켜주면서 해결한다고 알고있는데 ,
이렇게 Cl2의 역할이 달라지는건 타겟이 Si냐 W냐에 따라서 달라지는 거라고 이해하면될까요?
CF4를 이용하여 ETCH 할때 O2를 넣는거랑 H2를 넣을때 특성이 달라지는 이유가 궁금합니다!
그건이제... 내부 화학반응식을 보면서 설명드려야하는데 댓글로는 어렵겠군요... 검색 해보시면 많이 자료가 나오긴 할거에요
영상 잘보았습니다^^
영상 잘봤습니다!
안녕하세요 ! 영상 잘 보고 있습니다. 영상 보는중 궁금한 사항이 있어서 질문 드립니다. 1. RIE에서 reactive gas의 이온화를 이용하는데 여기서 reactive gas가 Ar+인가요 ? 2. CF4 Plasma etch에서 H2를 주입시켜 sio2를 에칭을 할 때 단순히 HF로 인해서 식각되는것이 아닌 'CFx의 폴리머층 형성 + Damage' 와 함께 식각이 진행됐을 때 Sio2의 식각이 잘 된다는 건가요 ?
1. Ar뿐은 아니지만 그게 많습니다.
2. Damage는 방향성이 있기때문에 그로 인한 에칭도 방향성을 갖게 됩니다. 이온폭격을 안해주면 폴리머층이 두터워 에칭이 안되니까요 : )
@@namrnam5413 이해했습니다. 감사합니다!
영상 잘 보고 있습니다! 남알남님 혹시 sputter식각은 플라즈마 내 이온을 이용해서 식각하여 이방성으로 (특정 방향으로) 깎이게 되는걸로 알고 있는데 그럼 식각비가 좋은거 아닌가요? 근데 다른 사이트에 보니까 선택비가 나쁘다고 되어있어서 질문 드립니다.
용어를 같이쓰시는거같아서 제가 이해가 잘 안되네요, 식각비, 선택비 라는게 selectivity 를 말하는건가요? etch rate를 말하는건가요? 아니면 anisotropy를 말씀하시는건가요??
스퍼터 식각은 말그대로 vertical 방향으로 이온을 bombardment시키기 때문에 이방성이지만 원하는 위치 말고 다른 부분에도 데미지를 주기 때문에 원하지 않는 물질도 식각됩니다. 따라서 selectivity가 나쁘죠
항상 잘 보고 있습니다! 도움 많이 되고 있어요ㅎㅎ 감사합니다:)
감사합니다 : )
오우야 내용 어려워서 머리 아프네요ㅋㅋ 다시 잘 보면서 공부하겠습니다ㅎ 영상 잘봤습니다
cf4를 이용한 etch에 O2를 주입하여 si를 etch할때는 polymer가 안생기나요? CF3+가 존재하니까 polymer가 생성되는것 같아서요!
이걸 어떻게 다 아시지.. 대단대단
RIE 같은 경우 etch반응이 radical에 의해서 화학적인 etching이 주를 이루고 sputtering으로 인한 물리적 etching은 상대적으로 많이 적은건가요??
CF4 플라즈마 에치 할때, H2주입하여 에칭시 "꼭 데미지를 같이 주어야만" sio2 에치 셀렉티비티가 증가하는건가요? 아니면 H2만 주입해도 sio2 에치 셀렉티비티가 증가하는건가요?
11분쯤에 plasma etch가 isotropic한게 장점이라 하셧는데
Isotropic은 단점 아닌가요??
아니면 isotropic해서 장점인 부분도 있는건가요???
사용처에 따라 다르다고 할 수 있겠습니다..! 장점, 단점이라고 하긴 좀 그러네요 : )
안녕하세요 궁금한게 있어 여쭤봅니다.
플라즈마에치에서 gas flow 혹은 압력을 증가시키면 에치속도가 늘어나다 줄어나는데 이유가 무엇인지 잘 모르겠습니다. 혹시 이유를 알고 계실까요?
허음...글쎄요..그런 옵티마이징은 저도 잘 모르겠습니다.
저도 옵티마이즈 하는거 하나 있는데 꽤 어렵네요..ㅎㅎ
남알남NamRNam 아 감사합니다 더 찾아보니까 플로우가스가 O2 Ar인데 초반에는 페닝이펙트와 o2가 폴리머생성을 억제하고 그 후에는 식각가스의 분압을 감소시켜서 그런거라네요 감사합니당. 항상 영상 잘 보고 있어요!
안녕하세요^^ 질문이 있습니다!
RIE에는 ion induced reaction과 ion enhanced reaction 이 두 타입이 있다고 하셨는데 각각의 개념과 차이점이 무엇인지 궁금합니다.
정말 잘 배우고 있습니다 감사합니다~^^
Ion induced type은, reactive ion에 의해 안되던 에칭이 되게 되는것을 말하고, ion enhanced는 되던게 더 빠르게 되는걸 말해요 : )
더 디테일하게 필요하신가요?
@@namrnam5413 아닙니다 충분한 답변입니다! 감사합니다^^
Dry Etch Sputter에서 pure physical이며 강한 에너지를 사용하므로 플라즈마가 사용되는건가요?
거의 대부분 그렇다고 봅니다. 스퍼터링으로 에칭한다치면요 : )
damage에 방향성이 있다는 말이 무슨말인지 궁금합니다!
질문이 있습니다!
혹시 ultra thin body soi 반도체를 만들때 소자가 정상동작하지 않을수 있는 가장 가능성이 높은 공정 이슈가 있나요...?
소이웨이퍼에 대한 디테일한 것은 저도 잘 모르겠습니다...ㅠ
바디가 컨택된 부분이 없어서 플로팅 바디 이펙트가 있다고는 합니다 : )
유기물 에치할때 O2로 한다고했는데 실험결과보면 N2/O2라고 기입되어있는데 N2의 역할은 무엇인가요?
순수하게 오투만 넣으면 너무높은 분압이 되다보니, 적당한 챔버압력을 만들면서 오튜분압을 유지시키는 그런 친구에요 : )
국내에도 식각업체가 있는지요?
네 많이 있습니다 : )
하이닉스에는 국내에서 납품하기도 합니다.
@@namrnam5413
저도 식각업체 찾아보니 꾀있네요^^
감사합니다
글로벌 해외업체와 비교해서 국내 식각업체들의 기술력 수준이 어느정도 되는지 궁금하네요
반도체의 난해한 공정(채널홀) 에도 투입될 수 있는 기술력인지요
Sk하이닉스 향 업체는 폴리식각(적응결합형 플라즈마 소스 개발)을 하고 있고 프라즈마 소스 원천기술 등을 보유했다는 이야기가 있어서요
이회사가 국내에서는 가장 경쟁력이 있는 회사인지요
여기서 ground라는게 어떤걸 지칭하는 거죠??
접지 입니다! 0v로 해준다는거에요 : )
질문있습니다!!si를 c2f6로 에칭한 후에 측면에 생성된 폴리머는 어떻게 제거해주나요???
추후에 선택적으로 에칭해주지않을까 싶습니다. 폴리머 제거는 쉬운편이니까요 : )
남알남NamRNam 네 너무너무 감사드립니다!!
ㅋㅋ
절대 입사해서는 안되는 부서 에치
이유가 뭘까요?
7시 출근해서 10시 퇴근합니다. 디퓨전 대비 업무량 두배
왓더뻑;;
후.. 내가 이걸 왜 검색하고 있을까.. ㅠㅠ