선생님 안녕하세요! 역시나 영상너무 잘 보고 있습니다. 다만 상압(저진공)에서 isotropic이 무슨 뜻인지 여쭤봐도 될까요?? 비등방성이랑 상압에서 비등방성인게 어떤 의미인지랑 비등방성이면 MFP가 어떻게 달라지는건가요? 오히려 고진공에서 비등방성인거 아닌가요?! 감사합니다 선생님! 아 그리구 고진공이 될수록 step coverage가 좋아지는건가요!.?!!
평균자유행로와 stepcoverage의 연관성에서 고진공일수록 line if sight deposition이라고 설명해주셨는데 이게 곧 좋은 step coverage 라고 이해해도되는건가요? 뒤 영상에서 PVD 설명에서는 high vac상태에서 step coverage가 나쁘다고 하셔서 어떤게 맞는건지 잘모르겠습니다... 제 생각에는 람다값이 큰것이 꼭 substrate에 수직방향이라 균일하게 증착이되는것과는 관련이없어 보이긴하는데 명쾌한 답변 기다리겠습니다!! 항상 큰도움받구있어요
이게 스텝 커버리지는 진공도와 라인오브사이트랑은 완전히 일치하진 않아요. 예를들어 ALD는 라인오브사이트는 전혀 아니지만, 꽤나 스텝커버리지가 좋은편이죠. 내가 스텝커버리지를 옆면을 기준으로 하거나하면, 라인오브사이트는 안좋을거구요, 아랫면을 기준으로 하면 좋을겁니다..! 원하시는 증착 형태에 따라 알맞은 장비 사용이 필요할것같아요 : )
우선 저진공과 고진공을 나누는 기준은, 챔버 내에서 기체가 viscous flow 를 하느냐 , molecular flow를 하느냐로 크게 나눕니다. 중진공 이라는 표현은 잘 안쓰죠. Void가 생기는 압력조건같은것은 주입해주는 가스의 유량(부분압), 온도 등등에 의한 조건에따라 달라서 얼마다 라고 하긴 어렵네요
항상 잘 보고 있습니다~ 궁금한게 하나 있는데 step coverage가 좋지 않다=수평증착량에 비해 벽면 증착량이 적다 라고 하면 aspect ratio가 큰 표면 증착시에 step coverage가 굉장히 낮은 물질로 증착을 하는게 맞을 것 같은데 실제로 그런가요? 일반적으로 step coverage가 낮다 라기보단 나쁘다 라고 표현하길래 낮은게 장점이 될 수도 있는가해서 질문 드립니다.
유니포미티는 같게 만들어야 되는 것을 얼마나 같게 하느냐 이고... 스텝 커버리지는 말그대로 스텝을 얼마나 잘 덮냐의 값입니다. 스텝커버리지가 낮길 원하는 경우라면 꾸준하게 낮아야겠죠? 즉 높은 유니포미티와 낮은 스텝 커버리지를 갖는 공정이 필요합니다. Air gap low k 공정 파라메터같은건... ㅎㅎ 저도 잘 모르거나 말씀드릴수가 없네요
3:45 이해안가네요. 온도 증가하면 입자가 열운동하는데 어떻게 자유경로가 증가하나요? 충돌이 잦아질텐데요
안녕하세요 감사히 잘 보고 있습니다
06:20 에서 isotropic하다고 하셨는데 무엇이 등방성인지 모르겠습니다 ㅠㅠ
증착되는 물질이 방향과 상관없이 움직인다는 의미일까요?
이야 감사합니다 좋은 영상이네요
이해가 잘되었습니다. 감사합니다
9:32
😅 쳄버속 반응을 실험을 해보고싶은데 쳄버의 제질은.?
지리시네요 정말루...
선생님 안녕하세요! 역시나 영상너무 잘 보고 있습니다. 다만 상압(저진공)에서 isotropic이 무슨 뜻인지 여쭤봐도 될까요?? 비등방성이랑 상압에서 비등방성인게 어떤 의미인지랑 비등방성이면 MFP가 어떻게 달라지는건가요? 오히려 고진공에서 비등방성인거 아닌가요?! 감사합니다 선생님! 아 그리구 고진공이 될수록 step coverage가 좋아지는건가요!.?!!
평균자유행로와 stepcoverage의 연관성에서 고진공일수록 line if sight deposition이라고 설명해주셨는데 이게 곧 좋은 step coverage 라고 이해해도되는건가요? 뒤 영상에서 PVD 설명에서는 high vac상태에서 step coverage가 나쁘다고 하셔서 어떤게 맞는건지 잘모르겠습니다... 제 생각에는 람다값이 큰것이 꼭 substrate에 수직방향이라 균일하게 증착이되는것과는 관련이없어 보이긴하는데 명쾌한 답변 기다리겠습니다!! 항상 큰도움받구있어요
이게 스텝 커버리지는 진공도와 라인오브사이트랑은 완전히 일치하진 않아요. 예를들어 ALD는 라인오브사이트는 전혀 아니지만, 꽤나 스텝커버리지가 좋은편이죠. 내가 스텝커버리지를 옆면을 기준으로 하거나하면, 라인오브사이트는 안좋을거구요, 아랫면을 기준으로 하면 좋을겁니다..! 원하시는 증착 형태에 따라 알맞은 장비 사용이 필요할것같아요 : )
@@namrnam5413 답변 감사드립니다!!
남알남님 08:32 까지 설명하신 부분에 대해 질문드릴게 있습니다.
MFP
우선 저진공과 고진공을 나누는 기준은, 챔버 내에서 기체가 viscous flow 를 하느냐 , molecular flow를 하느냐로 크게 나눕니다. 중진공 이라는 표현은 잘 안쓰죠.
Void가 생기는 압력조건같은것은 주입해주는 가스의 유량(부분압), 온도 등등에 의한 조건에따라 달라서 얼마다 라고 하긴 어렵네요
매번 감사합니다! 질문 있습니다~ 첫번째에서 저진공일 때 볼록 튀어나온다고 했는데, 저 경우 side가 넓어져서 step coverage 가 커질 수 있지 않습니까? 그러면 step coverage 가 크면 무조건 좋은 거라고 할 수있는지 궁금합니다!
반도체에 대해 공부하고 있는데 주옥같은 강의에 너무 감사드립니다.
길게발음하는거 맞죠?ㅋㅋㅋㅋㅋ
항상 잘 보고 있습니다~ 궁금한게 하나 있는데 step coverage가 좋지 않다=수평증착량에 비해 벽면 증착량이 적다
라고 하면 aspect ratio가 큰 표면 증착시에 step coverage가 굉장히 낮은 물질로 증착을 하는게 맞을 것 같은데 실제로 그런가요?
일반적으로 step coverage가 낮다 라기보단 나쁘다 라고 표현하길래 낮은게 장점이 될 수도 있는가해서 질문 드립니다.
스텝커버리지가 낮은것을 이용하기도 합니다. Pr같은게 패터닝 되어잇을 때 웨이퍼를 기울여서 증착하거나 하면 PR에 가려진 부분들은 증착이 안되는걸 이용하기도 해요 : )
@@namrnam5413 답글 감사합니다!
질문이 있습니다..!
1. uniformity와 step coverage의 의미차이가 있을까요??
2. 아직 증착영상을 다 보지 않긴했는데 airgap이라고 임의로 low k를 쓰는 경우도 있다는데 이때는 MFP를 작게해야하나요?
유니포미티는 같게 만들어야 되는 것을 얼마나 같게 하느냐 이고...
스텝 커버리지는 말그대로 스텝을 얼마나 잘 덮냐의 값입니다. 스텝커버리지가 낮길 원하는 경우라면 꾸준하게 낮아야겠죠? 즉 높은 유니포미티와 낮은 스텝 커버리지를 갖는 공정이 필요합니다.
Air gap low k 공정 파라메터같은건... ㅎㅎ 저도 잘 모르거나 말씀드릴수가 없네요
MFP 설명할때 챔버보다 작다,크다에서 챔버는 뭘 말하는건가요?? 챔버보다 크다 -> 입자들이 챔버벽면에 부딪힌다, 챔버보다 작다 -> 입자들이 챔버벽면에 부딪히지않고 수직으로 잘 내려간다 정도로 이해하면되나요?
민프리패스가 챔버보다 길다 = 소스부터 목표한 위치까지 한번의 부딛힘 없이 1자로 들어가진다.
민프리패스가 챔버보다 짧다 = 도중에 입자의 경로가 바뀐다
@@namrnam5413 여기서 챔버가 진공상태로 만들어지는 그 통? 이라고 생각하는게 맞나요??
감사합니다~~~
uniformity는 증착이 평평하게 되는 정도고, conformal은 side쪽 증착의 두께가 top쪽 증착의 두께와 동일한 정도라고 이해하면 될까요??
네! 아주 정확해요 : )
남알남NamRNam conformal 과 step coverage의 차이가 정확히 뭔지 알려주실 수 있나요~?
재밌어요
ㅠㅠㅠ 그래도 감사합니다