영상 잘보고 있습니다 두가지 질문을 드리려 합니다. 1. 영상 초기상태에서 그려진 SiO2의 경우 slope 이 있는것 처럼 보이는데 혹시 실수이실까요 아니면 혹은 Diffusion 차이로 인해 나타나서 의도적으로 Slope을 그리셨는지 알고 싶습니다. 2. 성장메커니즘에서 Reaction j=K N 이라고 하시고, K가 반응속도 상수라고 하셨는데, 뒷부분 초기상태에서 Linear rate constant 에서 k는 온도 의존성이라고 하셨습니다. 두개의 상수가 서로 다른것인가요? 아니면 반응속도와 온도의존성 상수 두개를 혼용해서 사용해도 무관한 것인가요?
안녕하세요. 영상 너무 잘 보고 있습니다. 성장 매커니즘 설명에서 초기에는 reaction 말기에는 diffusion에 의존한다고 하셨는데 이부분이 제가 이해한 게 정확한지 확신이 안들어 질문 드립니다. 맨 처음에 si와 o2를 반응시키면 si와 o2가 직접적으로 만나 반응하기 때문에 B/A 상수배라 성장의 주가 되는 반응이 reaction이고 sio2가 si 위에 점차 생기면서 o2가 sio2를 지나(=diffusion) si와 만나기까지 시간이 걸리는데 이 과정이 루트배라 성장의 주가 되는 반응이 diffusion이라는 말씀이신가요? 그렇다면 초기상태 매커니즘이 reaction, 말기상태 매커니즘이 diffusion이라 하셨는데 (sio2 두께)/(growth 시간) 그래프에서 reaction에서 diffusion 매커니즘으로 넘어가는 시점은 언제라 보면 좋을까요? 생각하기에 sio2가 어느 정도 생겨서 diffusion으로 걸리는 시간이 reaction으로 걸리는 시간을 무시해도 될만큼 커지는 시점이라 생각이 드는데 맞나요?
그쵸 반응 초기에는 SiO2 두께가 얇기 때문에 아주 많은 O2와 H2O가 Si에 접근이 가능해서 Surface Reaction 계수에 영향을 받아 성장이 됩니다 그러다가 SiO2가 성장하면 O2와 H2O가 SiO2를 통해 확산된 다음 SiO2와 Si 계면에 가야 Si와 반응하여 SiO2를 성장시키기 때문에 여기서는 Diffusion이 되는 정도가 성장의 주 동력이 된다고 보시면 됩니다 이때, reaction과 Diffusion Control이 교차되는 시점은 앞에 강의에 있었던 걸로 기억하는데 SiO2-Si 연속방정식을 전개하여 같다고 놓은 후 전개하면 됩니다 계산은 직접 해보시면 좋을 듯 하네요
영상을 보다가 궁금한 점이 있습니다. Si보다 열팽창계수가 작은 SiO2가 고온에서 저온 시 압축응력을 받게되는 매커니즘이 이해가 되지 않습니다. 또한 열팽창계수의 차이에 의해 왜 compressive or tensile을 받게 되는지 궁금합니다. 고온에서 저온으로가면 모든 물질은 압축을하지 않나? 라는 생각이 듭니다.
SiO2가 고온에서 si와 같은 사이즈로 증착이 되고 저온이 되면 si가 작아지는 량이 더 커서 sio2보다 작아지게 됩니다. 즉 sio2가 더 큰 상태가 되죠. 근데 si가 훨신 두껍고 sio2와 결합이 단단하기 때문에 sio2와 si가 같은 크기가 됩니다. 그럼 큰 sio2를 작은 si에 맞춰야하니 압축된 상태가 되겠죠?
안녕하세요! 영상 너무 쉽게 잘 올려쥬셔서 늘 감사한 마음으로 보고 있습니다. growth의 초기상태, 말기상태 설명해 주실 때 온도의존성: k , 온도의존성 : D 라고 하셨는데 여기서 온도 의존성이 정확히 어떤 말을 뜻하는 지 이해가 잘 가지 않습니다. 반응속도 k 가 온도에 의존해 빨라지거나 느려진다거나 그런거인가요?
![[기초반도체공정|6.4] #deposition #ALD](http://i.ytimg.com/vi/URsOBG0l2hw/mqdefault.jpg)
강의 너무 잘듣고 있습니다!
비전공자라서 남알남님 말씀해주신 공식 유도과정들도 궁금하네요... 한번 올려주세요~!~!
빨려가듯 보고있어요..대박
ㅎㅎ 영상시청 감사합니다.
반도체 비전공자여서 면접 전에 빠르게 공부중인데 너무 큰 도움이 됩니다^^ 감사합니다!!
영상 잘보고 있습니다
두가지 질문을 드리려 합니다.
1. 영상 초기상태에서 그려진 SiO2의 경우 slope 이 있는것 처럼 보이는데 혹시 실수이실까요 아니면 혹은 Diffusion 차이로 인해 나타나서 의도적으로 Slope을 그리셨는지 알고 싶습니다.
2. 성장메커니즘에서 Reaction j=K N 이라고 하시고, K가 반응속도 상수라고 하셨는데, 뒷부분 초기상태에서 Linear rate constant 에서 k는 온도 의존성이라고 하셨습니다. 두개의 상수가 서로 다른것인가요? 아니면 반응속도와 온도의존성 상수 두개를 혼용해서 사용해도 무관한 것인가요?
영상에 시간부분을 입력해주세요 1:00 이렇게요.
상수는 말그대로 그냥 상수라서 구분 없이 쓰긴했는데 엄밀히 따지면 둘의 조건이 다르기때문에 서브스크립트 표기를 해주는게 좋을것같네요 : )
강의 잘보고 갑니다! 너무 잘 설명하시네요
이해하기 쉽고 좋은 영상 감사합니다!
안녕하세요. 영상 너무 잘 보고 있습니다.
성장 매커니즘 설명에서 초기에는 reaction 말기에는 diffusion에 의존한다고 하셨는데 이부분이 제가 이해한 게 정확한지 확신이 안들어 질문 드립니다. 맨 처음에 si와 o2를 반응시키면 si와 o2가 직접적으로 만나 반응하기 때문에 B/A 상수배라 성장의 주가 되는 반응이 reaction이고 sio2가 si 위에 점차 생기면서 o2가 sio2를 지나(=diffusion) si와 만나기까지 시간이 걸리는데 이 과정이 루트배라 성장의 주가 되는 반응이 diffusion이라는 말씀이신가요?
그렇다면 초기상태 매커니즘이 reaction, 말기상태 매커니즘이 diffusion이라 하셨는데 (sio2 두께)/(growth 시간) 그래프에서 reaction에서 diffusion 매커니즘으로 넘어가는 시점은 언제라 보면 좋을까요? 생각하기에 sio2가 어느 정도 생겨서 diffusion으로 걸리는 시간이 reaction으로 걸리는 시간을 무시해도 될만큼 커지는 시점이라 생각이 드는데 맞나요?
그쵸 반응 초기에는 SiO2 두께가 얇기 때문에 아주 많은 O2와 H2O가 Si에 접근이 가능해서 Surface Reaction 계수에 영향을 받아 성장이 됩니다 그러다가 SiO2가 성장하면 O2와 H2O가 SiO2를 통해 확산된 다음 SiO2와 Si 계면에 가야 Si와 반응하여 SiO2를 성장시키기 때문에 여기서는 Diffusion이 되는 정도가 성장의 주 동력이 된다고 보시면 됩니다
이때, reaction과 Diffusion Control이 교차되는 시점은 앞에 강의에 있었던 걸로 기억하는데 SiO2-Si 연속방정식을 전개하여 같다고 놓은 후 전개하면 됩니다 계산은 직접 해보시면 좋을 듯 하네요
18:56에 "Diffusion은 즉각적으로 일어나니까" 라고 하셨는데 Diffusion이 아니라 Reaction이죠?
아닙니다! 초기에는 확산되어나가야 할 SiO2층이 없어서 확산은 즉시 완료되었다고 봅니다 : )
남알남NamRNam 설명 감사합니다^^
영상을 보다가 궁금한 점이 있습니다. Si보다 열팽창계수가 작은 SiO2가 고온에서 저온 시 압축응력을 받게되는 매커니즘이 이해가 되지 않습니다. 또한 열팽창계수의 차이에 의해 왜 compressive or tensile을 받게 되는지 궁금합니다. 고온에서 저온으로가면 모든 물질은 압축을하지 않나? 라는 생각이 듭니다.
SiO2가 고온에서 si와 같은 사이즈로 증착이 되고 저온이 되면 si가 작아지는 량이 더 커서 sio2보다 작아지게 됩니다. 즉 sio2가 더 큰 상태가 되죠. 근데 si가 훨신 두껍고 sio2와 결합이 단단하기 때문에 sio2와 si가 같은 크기가 됩니다. 그럼 큰 sio2를 작은 si에 맞춰야하니 압축된 상태가 되겠죠?
안녕하세요! 영상 너무 쉽게 잘 올려쥬셔서 늘 감사한 마음으로 보고 있습니다.
growth의 초기상태, 말기상태 설명해 주실 때 온도의존성: k , 온도의존성 : D 라고 하셨는데 여기서 온도 의존성이 정확히 어떤 말을 뜻하는 지 이해가 잘 가지 않습니다.
반응속도 k 가 온도에 의존해 빨라지거나 느려진다거나 그런거인가요?
네 맞습니다! k도 D도 온도의존성이 있죠. k (혹은 D)가 주된 매커니즘이면, 성장에서 온도 의존성은, k (혹은 D)의 온도의존성을 따르게 될거에요.
감사합니다! 열심히 공부하겠습니다~,~
내용 좋아요😁
안녕하세요 영상을 보다가 궁금한 점이 있어서 댓글 남깁니다.
SiO2와 Si의 열팽창계수 차이로 인해 compressive stress 가 발생하게 되는데 이를 해결하기 위해 어떤 방법을 사용하는지 알수있을까요?
주로 SiN을 사이에 증착하여 열충격을 감소시켜줍니다 : )
확산 말씀하실때 logB 와 1/T 의 기울 기가 barrier 라 말씀하셨는데, 잘 이해가 안가서 혹시 조금 설명 해주실 수있습니까??
영상은 너무 잘보고있습니다!
Arrhenius plot에서 기울기는 activation energy를 의미합니다.
와우 잘 보고 있습니다. 구독 눌렀어요 ㅎ
13:27 110, 111이 뭔진 알 수 있을까요?
결정 방향을 말해요 : )
아.... 이전 동영상에서 말씀해주셨는데 깜빡했네요.... 친절한 답변 감사드립니다 ^^
감사합니다
현업에서 중요한 문제 중 하나인 particle issue에 대한 영상 부탁드려도 될까요? 학계에서는 관심이 없는 문제라 논문도 거의 없어서요
제 영상중 클리닝 관련 영상이 하나 있습니다. 우선 그것을 봐주세요 : )
부족한 부분은 따로 댓글달아주세요.
04:19 해당부분에 SiOH가 나온다고 했는데 왜 SIOH가 나오게 된건가요?
저도 이부분이 궁금합니다 SiO2에서 H2O나 O2는 분자 그대로 확산하는 것으로 알고 있는데 제가 잘못 알고 있나 싶어서요
설명 개 잘한다!
Si가 hydrophobic??? 이라고 이전영상에서 하셧는데
Wet 의 경우 물이랑 반응 어떻게 하는거에요???
액체상태의 물이 아니라 고온의 수증기 입니다. 반응종이 산소가 아니라 수증기인 거라고 보시면 돼요. 증착 온도는 400도가 넘어갈거에요 : )
@@namrnam5413 상온에서는 hydrophobic이지만 고온에서 반응이 된다는거죠??
그렇게 보셔도 될 것 같아요~
감사합니다. 그런데 혹시 H20가 O2보다 Si 내에서 확산이 잘 되는 구체적인 이유를 알 수 있을까요?
그 이유는 댓글로 간단히 설명하기는 쉽지 않을것같네요. 저도 공부를 더 해야하는 분야이구요..ㅠ
@@namrnam5413 그렇군요!! 찾아봐도 잘 안나와서요ㅠㅠ 어려운분야인가봐요.. 감사합니다!!
@@antoniovivaldi8175 일단 Si안에 H2O가 들어가는 순간 SiO2가 될거같네요..
그리고 혹시, 인터넷에서는 아레니우스 식이 k=Aexp(-Ea/RT)라 뜨는데, 쓰신 y=y0exp-E/kT 와 다른가요?? 여기서 y가 정확하게 어떤 것인가요?
Thermal activation이 주된 메커니즘인 모든 수가 가능합니다. 디퓨젼이든... 반응상수든... 뭐든...
@@namrnam5413 감사합니다!
정주행 3
혹시 open oxide가 정확히 무엇인지 알려주실수 있으신가요?ㅠ
Vacancy가 있는 oxide라고 생각하시면 좋을것같습니다.
SiO2 wafer 위에 SiO2 실리카를 이용해서 두께를 늘려갈수도 있는지 궁금합니다.
증착을 해서 더 높힐 수 있냐는 말씀이신가요? 가능합니다.