촤근에 반도체공정을 공부하면서 영상을 접하게 됐습니다! 공정이 참 길고 복잡한데 쉽게 알려주셔서 감사드립니다!! Hot carrier effect 관련해서 자세한건 질문드리면 알려주신다고 하셔서 질문드리고 싶습니다. Hot carrier effect는 어떻게 보면 Short channel effect 중의 하나라고 생각합니다. 이론적으로만 공부해서 실무적인 내용을 여쭤보고 싶습니다. 최근 삼성이나 sk에서 제조하는 dram소자의 회로 선폭들이 nm급으로 작아졌는데, 이에 발생하는 문제가 바로 Hot carrier effect일까요??
우선 저는 실무자가 아닙니다. 따라서 실무적인 답변을 드리기는 어려울것 같아요. 채널이 짧아짐에 의해 생기는 수많은 문제들이 존재하고, hot carrier effect도 그중 하나라고 생각하시는게 맞을 듯 합니다. 나중에 MOSFET에 대하여 조금 더 자세히 올릴 예정입니다.
웨이퍼를 형성할 때 도핑하는것은 실제로 물질을 도가니 안에 같이 넣습니다, 그 후 초크랄스키 방법등을 이용하여 웨이퍼로 만들지요, 반면 반도체공정중 들어가는 도핑과정은 Ion implantation 이나 diffusion 등의 방법을 이용하여 넣어줍니다. 도핑방법에 큰 차이가 있다고 보면 되겠군요. 도핑의 목적은 모두 , 내가 원하는 수준의 전기전도도를 만들기 위한 것이라는것은 같으나, 방법과 도핑 수준이 다를겁니다 : )
남알남님! 항상 좋은 영상 잘 보고있습니다! 혹시 이 영상 00:38 쯤 나오는 저 그림이 앞에 산화때부터 많이 보였는데 혹시 그리는 과정이 영상에 어딨는지 여쭤보고싶습니다.. 전체적인 소자 전개도? 같은데 모르고 영상보면서 저 그림으로 설명하실때 이해가 잘 안가서요 ㅜㅜ 앞에 영상 다 봤는데 저 부분 그리는 건 없습니다 ㅜㅜ
hot carrier effect에 대해서 좀더 자세히 설명해주실 수 없나요? 블로그 찾아보니까 지나치게 이동도가 높은carrier가 생겨서 si격자와 충돌해 일부 carrier가 oxide에 trap되는 현상이라고 하는데 1. 채널길이가 짧아진다고 전계에 갑자기 가속이 붙어서 지나치게 이동도가 높은carrier가 생기나요? 2. si격자와 충돌하여 일부 carrier가 oxide에 간다는게 서로 충돌할때 강한 힘을 받아서 엄청 빠른속도로 oxide로 튀어나간다고 생각하면 되는건가요??
![[기초반도체공정|5.1] #doping #diffusion #ion implantation #dose #projected range #channeling #RTA](/img/1.gif)
선생님 질문이 잇는데요 ! 예전에 교수님께서 질문 하셧던건데 제가 답을 못해서 !
현업에서 si 도핑을 해서 p형을 만들때 비소보다는 알류미늄을 더 많이 사용한다고 했는데 혹시 이유가 뭔가요 ?
Al 과 si 가 같은 주기에 잇어서 인가요 ?
이온 주입이 imp라 말하는게 맞는거죠?
촤근에 반도체공정을 공부하면서 영상을 접하게 됐습니다! 공정이 참 길고 복잡한데 쉽게 알려주셔서 감사드립니다!! Hot carrier effect 관련해서 자세한건 질문드리면 알려주신다고 하셔서 질문드리고 싶습니다. Hot carrier effect는 어떻게 보면 Short channel effect 중의 하나라고 생각합니다. 이론적으로만 공부해서 실무적인 내용을 여쭤보고 싶습니다. 최근 삼성이나 sk에서 제조하는 dram소자의 회로 선폭들이 nm급으로 작아졌는데, 이에 발생하는 문제가 바로 Hot carrier effect일까요??
우선 저는 실무자가 아닙니다. 따라서 실무적인 답변을 드리기는 어려울것 같아요. 채널이 짧아짐에 의해 생기는 수많은 문제들이 존재하고, hot carrier effect도 그중 하나라고 생각하시는게 맞을 듯 합니다. 나중에 MOSFET에 대하여 조금 더 자세히 올릴 예정입니다.
이온 주입 공정 즉, 도핑은 웨이퍼를 형성할 때 사용하기도 하는데 식각공정 후에 이루어지는 도핑이랑 웨이퍼 공정 중에 이루어지는 도핑이랑 무슨 차이가 있마요?
웨이퍼를 형성할 때 도핑하는것은 실제로 물질을 도가니 안에 같이 넣습니다, 그 후 초크랄스키 방법등을 이용하여 웨이퍼로 만들지요,
반면 반도체공정중 들어가는 도핑과정은 Ion implantation 이나 diffusion 등의 방법을 이용하여 넣어줍니다. 도핑방법에 큰 차이가 있다고 보면 되겠군요.
도핑의 목적은 모두 , 내가 원하는 수준의 전기전도도를 만들기 위한 것이라는것은 같으나, 방법과 도핑 수준이 다를겁니다 : )
남알남님! 항상 좋은 영상 잘 보고있습니다! 혹시 이 영상 00:38 쯤 나오는 저 그림이 앞에 산화때부터 많이 보였는데 혹시 그리는 과정이 영상에 어딨는지 여쭤보고싶습니다.. 전체적인 소자 전개도? 같은데 모르고 영상보면서 저 그림으로 설명하실때 이해가 잘 안가서요 ㅜㅜ 앞에 영상 다 봤는데 저 부분 그리는 건 없습니다 ㅜㅜ
아아 이게 모스펫이 어떻게 생겼는지를 아는 사람 대상으로 영상을 찍은겁니다...
지금 반도체소자 시리즈에서 모스펫이 어떻게 생겼는지 다룰 예정이에요. 아직 한참 뒤지만요...ㅠ
모스펫 단면도 라고 검색하시면 많이 나올거에요 : )
@@namrnam5413 감사합니다! 모스펫을 배웠는데도 왜 모르죠.. 저는..? ㅜㅜ 남알남님 영상 거의 다 시청하고 있는데 면접 준비에 엄청 도움이 됩니다! 덕분에 잘 준비하겠습니다. 감사합니다!🙏🏻
제가 듣기론, 전자,전기과에서는 수직단면도보다는 위에서 본 그림을 더 많이 공부한다고 하시더라구요..!
들어갓쩌여
항상 감사합니다
강의 감사합니다
정주행 6
hot carrier effect에 대해서 좀더 자세히 설명해주실 수 없나요? 블로그 찾아보니까 지나치게 이동도가 높은carrier가 생겨서 si격자와 충돌해 일부 carrier가 oxide에 trap되는 현상이라고 하는데
1. 채널길이가 짧아진다고 전계에 갑자기 가속이 붙어서 지나치게 이동도가 높은carrier가 생기나요?
2. si격자와 충돌하여 일부 carrier가 oxide에 간다는게 서로 충돌할때 강한 힘을 받아서 엄청 빠른속도로 oxide로 튀어나간다고 생각하면 되는건가요??