지나가다 대신 답변드려봅니다. 우리가 계단을 오르는 상황을 비유로 들어보겠습니다. (계단1에서 계단2 사이의 높이=에너지밴드갭, 발=전자, 다리를 드는 것=빛, 다리를 드는 높이=빛의 에너지) '발'이 계단1에 있습니다. 이때 '다리를 드는'데 그 '높이'가 '계단1과 2 사이의 높이'보다 낮으면 아무런 변화가 일어나지 않겠죠? (-> 흡수 없이 빛은 그대로 투과) 그런데 '다리'를 '두 계산 사이의 간격' 보다 높게 들면 우리는 다음 계단에 발을 디딜 수 있게 됩니다. (-> 아래에 있던 전자가 빛에너지를 흡수 absoprtion, 빛은 흡수되었으므로 투과x) 때문에 빛이 투과할 수 있느냐 없느냐는 가 보다 로 결정될 수 있는 것입니다. 이런 설명이 도움이 되실지 잘 모르겠네요...ㅎㅎ
글쎄요... 한국의 반도체는 크게 메모리부문에 의존합니다. 따라서 반도체 업황이 좋아진다는건 메모리 산업이 좋아진다는 의미겠죠? 그렇다면 당연히 삼성전자 , sk하이닉스가 그게 덕을 보겠죠. 그와 동시에 반도체재료 회사들도 뜨긴 하겠지만... 산업분야는 자세하게는 모르겠습니다 : )
영상 잘봤습니다. 혹시 액침노광에서 RES와 DOF관계가 어떤지 알려주실 수 있나요?? 식에따르면 굴절률이 높아지면서 RES값은 작아지게 되고(good) DOF도 작아지게 되는 (bad) 현상으로 이해했었는데 스넬의 법칙에 의해서 NA = nsin세타 이점이 다른매질에서 굴절률이 커져도 세타값이 작아져 모든매질에서 NA값이 다 같다고 들었습니다. 이렇게 되면 DOF도 값을 계속 유지하게 되고, RES값도 변화하지 않게 되는데 어떤말이 맞는건지.. 답변기다릴겟습니다
기본적인 질문일 수 있는데 M.G와 DOF중 M.G를 선택하게 된 이유가 뭘까요? 반도체가 점점 작아지는 추세에서 반도체의 기능적 부분을 충족하기위해 M.G를 택하고 생산 효율성과 관계된 DOF를 양보했다고 이해하면 될까요? 그냥 제 상상입니다 ㅎㅎ 답변 부탁드리겠습니다!!
![[기초반도체공정|3.2] #photolithography #light source #resolution #critical dimension #DOF](http://i.ytimg.com/vi/BnjT_Nr_Jvo/mqdefault.jpg)
![[Photolithography Part3] Alignment & Overlay](http://i.ytimg.com/vi/AmKUNuN-ugE/mqdefault.jpg)
그저 GOAT 영상
영상 유익하게보고있습니다
에너지밴드갭이랑 빛이 투과하는거랑 무슨 관련이있는건지 질문드리규 싶습니다
아무리 구글링을 해도 안나오네요..
지나가다 대신 답변드려봅니다.
우리가 계단을 오르는 상황을 비유로 들어보겠습니다. (계단1에서 계단2 사이의 높이=에너지밴드갭, 발=전자, 다리를 드는 것=빛, 다리를 드는 높이=빛의 에너지)
'발'이 계단1에 있습니다. 이때 '다리를 드는'데 그 '높이'가 '계단1과 2 사이의 높이'보다 낮으면 아무런 변화가 일어나지 않겠죠? (-> 흡수 없이 빛은 그대로 투과)
그런데 '다리'를 '두 계산 사이의 간격' 보다 높게 들면 우리는 다음 계단에 발을 디딜 수 있게 됩니다. (-> 아래에 있던 전자가 빛에너지를 흡수 absoprtion, 빛은 흡수되었으므로 투과x)
때문에 빛이 투과할 수 있느냐 없느냐는 가 보다 로 결정될 수 있는 것입니다.
이런 설명이 도움이 되실지 잘 모르겠네요...ㅎㅎ
@@방구석펭귄 계속 의문점이 들어서 질문 드립니다. 포토 마스크가 있으면 노광되야할 부분은 마스크에 구멍이 뚫린 부분이고 막혀야할 부분은 마스크가 막아주겠죠? 그렇다면 밴드갭이 작은 재료를 사용해서 빛을 흡수하여 노광이 안되도록 막아야하는 것이 맞는것 아닌가요?
@@yhyh8284 mask에서 뚫린 부분 / 막힌 부분이 있는데 뚫려있는 부분은 밴드갭이 커서 빛이 통과를 해야하고 막혀있는 부분은 밴드갭을 작게 해서 빛을 투과시키지 않게 해야 합니다.
영상 잘 봤습니다!
마스크는 빛을 막아주는 역할인데 왜 밴드갭이 큰 물질을 써서 빛을 투과하여야 하나요..?
오히려 밴드갭이 작은 재료를 써서 마스크가 막는 부분은 빛을 흡수하여야 하는 것이 아닌지요ㅜㅜ
빛을 막아주는 역할부는 마스크에 붙어있는 금속부분입니다. 금속을 공중에 띄울 수 없으니 투명한 마스크바디에 붙여서 사용합니다. 그런데 마스크바디가 빛을 막아버리면... 모든 구간이 빛이 막힐거에요 : )
@@namrnam5413 헉! 바로 이해했어요 \ㅎㅎㅎ 저희 교수님보다 잘 알려주시는 거 같아요... 감사합니다!!
@@hwieixhw696 저도 같은생각입니다!
저는 네델란드반도체 회사에서 거의 20년을 근무한 사람인데 영상을 올리신 분은 어떤 일을 하신 분이신가요??
학생입니다 : )
먼저 강의 감사합니다. 궁금한것이 있는데
1. 혹시, Align key가 한개인 경우도 있나요?
2. 포토공정은 처음부터 다시 진행 가능하다고 하셨는데, PR을 지울때는 아세톤을 사용하여 지우나요?
1. 없습니다. 얼마나 돌아갔는지를 알 수 없게되기 때문이지요.
2. 랩 수준에서 아주 마이너한 레벨의 클리닝일경우 그렇습니다.
랩수준이어도 스탠다드 클리닝 하는 경우도 많구요. 산업계에선 무조건 스탠다드 클리닝 할꺼같네요
@@namrnam5413 감사합니다. Align key가 두개면 Align이 실패하는 경우가 생길 수 있나요? 직접 경험해보지 못해서 머릿속으로는 Align key가 두개라면 어떻게 실패하지? 라는 생각이 들어서요!ㅠㅠ
@@celbim8915 얼라인을 실패하지 않게하려고 얼라인키를 여러개 둬서 모든 얼라인키가 다 맞아줘야하는거죠 : )
@@namrnam5413 감사합니다🙏🏻
리쏘는 거의 아예 몰랐는데 많이 배우게 되었네요!
추측입니다만 orthogonal이 수직이라는 뜻이니까 마스크랑 웨이퍼가 평행이 아녀서 정사각형 패턴이 평행사변형 모양으로 찍히는 게 아닐까 싶습니다 ㅋㅋㅋㅋ
😮
Masking material 관련 내용 듣다가 의문점이 생겨 질문 하나만 드리겠습니다 !!
물질의 밴드갭보다 적은 에너지의 빛을 받는다면, 그 빛은 투과한다고 단정지을 수 있나요 ??
이상적으로는 그렇습니다. 투과하지않는다면 딱 그부분에 밴드갭이 더 작은겁니다. 불순물이 있거나 결정상이 다르거나...
@@namrnam5413 답변 감사합니다 !!!
mask material을 선정할 때, 사용하는 빛의 eV보다 큰 밴드갭을 가지는 재료를 찾아야하는 건가요?
맞습니다. 그래야 투과합니다. SiO2는 밴드갭이 거진 9 정도 되어서 좋은 마스크 바디 재료로 사용됩니다. 실제로 빛을 막는 부분은 금속으로 되어있습니다.
반도체 업황이 좋아지면서 수혜를 볼 수 있는 회사가 어떤 것이 있는지도 여쭤봐도 되나요?
여러 회사가 있겠지만 그중에서도 가장 혜택이 큰?
글쎄요... 한국의 반도체는 크게 메모리부문에 의존합니다. 따라서 반도체 업황이 좋아진다는건 메모리 산업이 좋아진다는 의미겠죠?
그렇다면 당연히 삼성전자 , sk하이닉스가 그게 덕을 보겠죠. 그와 동시에 반도체재료 회사들도 뜨긴 하겠지만... 산업분야는 자세하게는 모르겠습니다 : )
목소리가 본격사랑 비슷해용
영상 잘 봤습니당
1240은 어디서 나온 숫자인가요?
E=h x v=h x c/람다 이니까 h x c의 값이 1240 아닐까요
감사합니다
영상 잘봤습니다.
혹시 액침노광에서 RES와 DOF관계가 어떤지 알려주실 수 있나요??
식에따르면 굴절률이 높아지면서 RES값은 작아지게 되고(good) DOF도 작아지게 되는 (bad) 현상으로 이해했었는데
스넬의 법칙에 의해서 NA = nsin세타 이점이 다른매질에서 굴절률이 커져도 세타값이 작아져 모든매질에서 NA값이 다 같다고 들었습니다. 이렇게 되면 DOF도 값을 계속 유지하게 되고, RES값도 변화하지 않게 되는데 어떤말이 맞는건지.. 답변기다릴겟습니다
어.. 그부분은 저도 잘 모르겠군요, 제가 광학은 전공이 아닌지라..! ㅠㅠ
추후에 알게되면 따로 답글 달아드리겠습니다.
작성자님 말이 맞아요 스넬의법칙 공부하고 오시면 이해될거에요. NA가 증가요인은 렌즈크기입니다.
액침노광에서 NA값이 1 을 넘기는이유는 1차 굴절(공기ㅡ렌즈) 2차굴절(렌즈ㅡ물) 을통해 2번 굴절되기 때문아닐까요? 스넬법칙은 한번의 굴절에대한 NA증가의 한계를 뒷받침하는 논리 법칙같습니다
완강하고 싶은데... 아 컴터용 싸인펜 소리가 너무 닭살돋아요.....
포기하고싶진않은데..
좋은데요 전
기본적인 질문일 수 있는데 M.G와 DOF중 M.G를 선택하게 된 이유가 뭘까요? 반도체가 점점 작아지는 추세에서 반도체의 기능적 부분을 충족하기위해 M.G를 택하고 생산 효율성과 관계된 DOF를 양보했다고 이해하면 될까요? 그냥 제 상상입니다 ㅎㅎ 답변 부탁드리겠습니다!!
네 그런거죠, DOF라는건 CMP를 오지게 잘 갈아주는거롤 어느정도 괜찮으니까요..ㅎㅎ
EUV에서는 DOF가 어떻게 들어가는지 모르겠네요, 일반적인 렌즈가 아니다보니...
Richard C.Jaeger 형님의 반도체공정개론으로 공부중인데 여기서는 DOF를 DF(초점 깊이, 필드의 깊이)라고 써놨네용 같은거 맞겠죠??
Depth of Focus 와 Depth of Field가 있습니다. 이거 두개는 다른 것이라 따로 알아두시는게 좋을것 같아요! 공정에선 그냥 DOF나 DF로 퉁쳐서 말하기도 합니다.