Modelos de pequenos sinais de TBJ e MOSFET | Amplificadores | Transistores #11
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- Опубликовано: 1 июн 2018
- O projeto e análise de amplificadores transistorizados possui uma etapa crucial que ainda confunde muitos alunos e profissionais, que é a análise de pequenos sinais (small-signal). Nesta análise, após determinar a polarização dos transistores do amplificador, substitui-se o componente por um modelo de circuitos que representa o comportamento do dispositivo quando ele é exposto a uma perturbação de corrente alternada de baixa amplitude, ou seja um pequeno sinal alternado. Esse modelo nos permite calcular com boa precisão as características do amplificador transistorizado como resistências de entrada e saída, ganho, entre outros. Nesta aula, discutimos a origem dos modelos de pequenos sinais do TBJ e do MOSFET e como calcular os parâmetros deste modelo a partir da polarização (análise cc) do circuito.
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Aula#10 - Polarização por espelho de corrente: • Espelho de Corrente co...
Playlist das aulas da unidade IV: • Transistores: Exercíci...
Muito bom. Isso reforça o estudo dos alunos que são interessados.
muito bem explicado
Ótima aula, parabéns professor!!!!
Valeu Pedro
Sempre salvando!!!!!!!!
Obrigado 😀
bom prof
Ótima aula professor, estou com dúvidas em amplificadores em cascatas. Pode ajudar com algo, nos próximos videos ?
Oi Guilherme, obrigado pelo elogio. Nesta série de aulas eu não chego a cobrir amplificadores multi-estágios, mas eu fiz uma aula de exercícios sobre definição do ponto de operação de um circuito com dois amplificadores: ruclips.net/video/N1RFh3CmpbQ/видео.html
Se uma dica ajudar, a principal questão de se analisar amplificadores com múltiplos estágios é primeiro se definir o ponto quiescente de cada amplificador (identificando as correntes e tensões CC nos terminais do amplificador), a aula acima ajuda nisso. Em seguida, faça uma análise c.a., substituindo todos os transistores pelos seus modelos de pequenos sinais, com isso você vai ter um grande circuito elétrico para resolver, aí é tentar fazer por partes até chegar no parâmetro desejado.
Eu devo postar uma aula ou no fim desta semana, ou no início da próxima sobre análise c.c. e c.a. de amplificadores, fique ligado.
Abraço
Eletrônica Geral obrigado pelo retorno, um grande abraço.
Excelente aula, só tenho uma dúvida: Na equação que relaciona a corrente de coletor com a tensão entre base-emissor não deveria ter o fator de ganho beta? No caso, a equação que foi escrita seria a relação da corrente de BASE com a tensão base-emissor, não é?
Oi, o Beta está embutido no valor do Is
Olá... em muitos exercicios aparece o termo hie (Impedancia de entrada) e Beta(muitas vezes chamado de hfe - ganho em CA). Encontrei que hie = Beta*re. Poderia me explicar uma analogia ao modelo encontrado?
Acredito que o hie seja o r(pi) no seu modelo, mas e gmvbe?
Oi hfe e hie são os parâmetros h do transistor (baseados na teoria de quadripolos). Na literatura atual, não se aborda os parâmetros desta forma mais, por isso se utiliza os termos r(pi), re, gm, etc. O r(pi) = (Beta+1)*re, na prática é a mesma coisa que o hie
É a mesma coisa pro jfet?
Oi, o Jfet tem algumas diferenças construtivas em relação ao MOSFET do tipo enriquecimento, mas do ponto de vista dos modelos, é basicamente a mesma coisa