Presado, boa tarde! em 21 de março de 2023!!! Muito bom o seu vídeo !! Me inscrevi no canal e vou assistir os demais. Obrigado pelos materiais postados. Força, sucesso!!! PARABÉNS!!!
Excelente explanação sobre os cálculos do disparo dos gates nos mosfets, e também do circuito interno do CI , o qual já substitui muitos outros componentes, como driver dos mosfets. Continue postando mais vídeos sobre este mundo incrível e realista da ELETRÔNICA DE POTÊNCIA. Um grande abraço CONTROL SYSTEMS LTDA TRANSFORMANDO ENERGIA EM SOLUÇÕES. EMPRESA ESPECIALIZADA EM SISTEMAS NO BREAK'S E ESTABILIZADORES ( MONOFASICOS E TRIFÁSICOS) Um grande abraço!!!
VALEU CAIO. CONHECIA SEU CANAL HOJE. JÁ ESTOU INSCRITO. SEMPRE DAREI LIKE ANTES MESMO DE VER O VIDEO, POIS SÓ O ESFORÇO NA PRODUÇÃO E A BOA VONTADE NA EXPLICAÇÃO, JÁ O JUSTIFICA ( O LIKE). PARABENS E BOA SORTE ENGº LUIZ POWER SYSTEMS
Olá, Sandro. Que bom que gostou do conteúdo. Com relação à sua pergunta, Q2 tem que ser um NPN mesmo. Note que são dois amplificadores de emissor comum em cascata. É uma forma de garantir que o sinal de saída fique em fase com o de entrada. Caso contrário, teríamos uma lógica inversora
Like, uma pergunta: Porque eu desejaria um valor distinto entra a corrente de carga e a de descarga da gate do mosfet? Nao se deseja que ambas as correntes sejam o maior possivel dentro das possibilidades? Muito obrigado.
Olá, Afonso. Em algumas topologias é interessante deixar a entrada em condução mais lenta do que a entrada em bloqueio, para reduzir as perdas por chaveamento. E a corrente de gate está diretamente relacionada aos tempos de comutação. Neste outro vídeo, eu mostro isso em simulação: ruclips.net/video/Wx8EFXA44Xo/видео.html
Por exemplo, se eu usar um driver IR2110 para acionar 4 mosfets em paralelo eu não poderia usar uma etapa push-pull com BD139 e BD140 antes de ligar no gate dos mosfets? Assim forneceria um ganho de corrente maior
Até poderia, Daniel. Mas o IR2110 consegue fornecer/drenar 2A nas saídas, enquanto esses transistores suportam uma corrente máxima pulsada de 3A (por 10us) ou contínua de 1,5A. Então, seria melhor usar transistores com capacidade maior pra valer a pena. Ou limitar a corrente de cada MOSFET com resistores de gate e usar só o IR2110. Só não pode deixar a comutação muito lenta, senão aumenta as perdas no MOSFET. Na Figura 11 desse material tem uma solução interessante para adicionar o push-pull no IR2110: web.mit.edu/6.131/www/document/float_drive.pdf
Na tabela de especificações elétricas tem as faixas de tensão correspondentes ao nível lógico alto (logic '1') e nível lógico baixo (logic '0'). Esses valores são compatíveis com circuitos TTL
Para diminuir o ruído, você precisa diminuir as indutâncias parasitas do circuito. Isso é feito a nível de layout da placa, diminuindo a área entre a triha de gate e a trilha de source. Também é possível reduzir o ruído, aumentando o resistor de gate. Mas isso deixa o chaveamento mais lento e pode aumentar demasiadamente as perdas
Ótimo vídeo, porem fiquei na duvida quanto a corrente. Um AVR consegue fornecer 40mA e sempre ligo diretamente no mosfet FDS6982. Até o momento não queimei nada, pois na pratica o tempo que a corrente é alta no gate do mosfet é incrivelmente pequeno e com frequências de PWM em torno de 10 a 25khz não devo ter problemas certo? Pelo que entendi um resistor para limitar a corrente prejudica o tempo de comutação então eu nem coloco. Esse vídeo me ajudou bastante, vou procurar me informar mais sobre o assunto no seu canal.
Excelente explanação. Já na espera do vídeo sobre técnicas de chaveamento em high-side, especialmente o bootstrap. OFF: algumas imagens e fórmulas estão com problemas de carregamento no seu blog. Poderia checar isso? Um abraço.
*Não existe bom sem defeito ( autor desconhecido). O MOSFET tem altíssima impedância de entrada pra CC, quando opera em high frequency pulse,or auternate corrente..........*
Presado, boa tarde! em 21 de março de 2023!!! Muito bom o seu vídeo !! Me inscrevi no canal e vou assistir os demais. Obrigado pelos materiais postados. Força, sucesso!!! PARABÉNS!!!
Seja bem-vindo, Fernando. Eu que agradeço por acompanhar os conteúdos. Abração
Otimo video! Parabens pelo trabalho!
conheci hoje o canal... top 10
Excelente aula ❤❤❤❤ parabéns 👏 👏 👏 Caio Moraes. Muito Sucesso....
Ótimo!!! Exelente a sua aula. Explicação completa! Muito obrigado pelo seu trabalho!
Que bom que gostou, Rossini. Eu que agradeço por acompanhar o canal 😀
Deu uma aula...muito bom
Que bom que gostou 😬
Excelente explanação sobre os cálculos do disparo dos gates nos mosfets, e também do circuito interno do CI , o qual já substitui muitos outros componentes, como driver dos mosfets.
Continue postando mais vídeos sobre este mundo incrível e realista da ELETRÔNICA DE POTÊNCIA.
Um grande abraço
CONTROL SYSTEMS LTDA TRANSFORMANDO ENERGIA EM SOLUÇÕES.
EMPRESA ESPECIALIZADA EM SISTEMAS NO BREAK'S E ESTABILIZADORES ( MONOFASICOS E TRIFÁSICOS)
Um grande abraço!!!
Que bom que gostou 😀 Abração
Meus parabens pela excelente aula.
Muito obrigado, Carlos 😀
muito boa a aula sem enrolação .
Obrigado, Roberto. No canal tem a parte II, onde eu abordo algumas soluções de gate-drivers para MOSFETs high-side. Abraço
Ótimo vídeo. Conheci o canal agora e ja estou indo assistir os outros videos do canal.
Seja bem-vindo, Mateus. Espero que os conteúdos sejam úteis para o seu aprendizado. Valeuu 😬
Muito boa a didática, parabéns 😉👍
BRAVO!
Muito bom
Grato irmão pelo ótimo conteúdo.
Abraços e Sucesso
Que bom que gostou, Carlos. Valeuu 😀
VALEU CAIO. CONHECIA SEU CANAL HOJE.
JÁ ESTOU INSCRITO.
SEMPRE DAREI LIKE ANTES MESMO DE VER O VIDEO, POIS SÓ O ESFORÇO NA PRODUÇÃO E A BOA VONTADE NA EXPLICAÇÃO, JÁ O JUSTIFICA ( O LIKE).
PARABENS E BOA SORTE
ENGº LUIZ
POWER SYSTEMS
Muito obrigado, Luiz. Seja bem-vindo ao canal. Espero que os conteúdos sejam úteis para os seus projetos e aprendizado. Abraço
Excelente conteúdo! Parabéns
Muito obrigado, Fernando. 😬
Bom dia amigo no circuito 02:59 Q2 não deveria ser um PNP ?. Excelente conteúdo !!!
Olá, Sandro. Que bom que gostou do conteúdo.
Com relação à sua pergunta, Q2 tem que ser um NPN mesmo. Note que são dois amplificadores de emissor comum em cascata. É uma forma de garantir que o sinal de saída fique em fase com o de entrada. Caso contrário, teríamos uma lógica inversora
Like, uma pergunta: Porque eu desejaria um valor distinto entra a corrente de carga e a de descarga da gate do mosfet?
Nao se deseja que ambas as correntes sejam o maior possivel dentro das possibilidades? Muito obrigado.
Olá, Afonso.
Em algumas topologias é interessante deixar a entrada em condução mais lenta do que a entrada em bloqueio, para reduzir as perdas por chaveamento. E a corrente de gate está diretamente relacionada aos tempos de comutação. Neste outro vídeo, eu mostro isso em simulação: ruclips.net/video/Wx8EFXA44Xo/видео.html
Obrigado muito esclarecedor@@CaioMoraesEP
Por exemplo, se eu usar um driver IR2110 para acionar 4 mosfets em paralelo eu não poderia usar uma etapa push-pull com BD139 e BD140 antes de ligar no gate dos mosfets? Assim forneceria um ganho de corrente maior
Até poderia, Daniel. Mas o IR2110 consegue fornecer/drenar 2A nas saídas, enquanto esses transistores suportam uma corrente máxima pulsada de 3A (por 10us) ou contínua de 1,5A. Então, seria melhor usar transistores com capacidade maior pra valer a pena. Ou limitar a corrente de cada MOSFET com resistores de gate e usar só o IR2110. Só não pode deixar a comutação muito lenta, senão aumenta as perdas no MOSFET. Na Figura 11 desse material tem uma solução interessante para adicionar o push-pull no IR2110: web.mit.edu/6.131/www/document/float_drive.pdf
Qual o nome do parâmetro( da lógica Ttl) no datasheet que você se refere aos 7:01 ?
Na tabela de especificações elétricas tem as faixas de tensão correspondentes ao nível lógico alto (logic '1') e nível lógico baixo (logic '0'). Esses valores são compatíveis com circuitos TTL
Em um circuito de fonte DC-DC Buck-Boost sua recomendação seria em continuar a utilizar os Mosfets?
Excelente aula. Ganhou um inscrito para um canal. Tem coisas que fala muito rápido e ficam incompreensível. Qual nome do teu blog ?
Valeu, Osvaldir. Vou observar isso nos próximos vídeo.
O nome é Blog Eletrônica de Potência: eletronicadepotencia.com/
Como eliminar ou diminuir o ruído de chaveamento do mosfet? Tem alguma vídeo aula sua demonstrando?
Para diminuir o ruído, você precisa diminuir as indutâncias parasitas do circuito. Isso é feito a nível de layout da placa, diminuindo a área entre a triha de gate e a trilha de source. Também é possível reduzir o ruído, aumentando o resistor de gate. Mas isso deixa o chaveamento mais lento e pode aumentar demasiadamente as perdas
Ótimo vídeo, porem fiquei na duvida quanto a corrente. Um AVR consegue fornecer 40mA e sempre ligo diretamente no mosfet FDS6982. Até o momento não queimei nada, pois na pratica o tempo que a corrente é alta no gate do mosfet é incrivelmente pequeno e com frequências de PWM em torno de 10 a 25khz não devo ter problemas certo? Pelo que entendi um resistor para limitar a corrente prejudica o tempo de comutação então eu nem coloco. Esse vídeo me ajudou bastante, vou procurar me informar mais sobre o assunto no seu canal.
Muito bom.
Amigo essa tencao de 15v apricada no gate ela varia de acordo com a carga q aprico na saída ou ela se mantém constante
Essa tensão tem que ser bem regulada. Normalmente se utiliza uma fonte auxiliar ou um regulador dedicado para os circuitos de controle e comando.
professor o resistor de protecao r3 de 100k como calcular-lo??? em full bridge com barramento cc 330 vdc
Esse resistor de pull-down é só para não deixar o gate flutuando. Pode escolher algum valor entre 10k e 100k. Não tem muito mistério. Abraço
Excelente explanação. Já na espera do vídeo sobre técnicas de chaveamento em high-side, especialmente o bootstrap.
OFF: algumas imagens e fórmulas estão com problemas de carregamento no seu blog. Poderia checar isso? Um abraço.
Obrigado, Kilmer. Já estou editando o vídeo sobre bootstrap hehe Quanto ao blog, você lembra qual artigo apresentou problema? Valeu
É o artigo sobre controle multimalhas do conversor Buck.
@@kilmercd beleza, vou dar uma olhada. Valeu por avisar 👊😬
*Não existe bom sem defeito ( autor desconhecido). O MOSFET tem altíssima impedância de entrada pra CC, quando opera em high frequency pulse,or auternate corrente..........*
ESTE DRIVERS Tc4427 MUITO CARO.