Ola caio ! Muito bom sua explicação sobre o bootstrap em mosfet high side. Surgiu uma dúvida aqui. Estou querendo fazer um circuito dimmer de vários LED`s usando essa técnica de mosfet high side, entretanto, para atingir o brilho minimo dos leds preciso que o Dmin seja 0 e, consequentemente o brilho máximo seja em Dmax = 1. Ao meu entender, na hora que chega no cálculo de I_avg a fórmula "explode" pro infinito positivo. De fato é isso que acontece com a corrente sobre o diodo ?
Olá! Estou cursando engenharia elétrica e estou com um trabalho de montar um conversor Buck boost, seus vídeos estão ajudando muito! Só uma dúvida não temos acesso a nenhum gate drive na região, e por questão de pouco tempo e fim do semestre vamos tentar montar o circuito com os transistores usando os mesmos componentes utilizados por você no primeiro vídeo, simulei no Ltspice com nossos parâmetros de projeto e parece que funciona bem,mas para realizar os cálculos mostrados no fim do vídeo, como poderíamos calcular sem saber os dados do gate drive, apenas os dados do transistores, alguma dica?
like, melhor vídeo sobre polarização de Gate drive, como calcular a potencia de dissipação no resistor de bootstrap? e como escolher o tempo ideal de subida mediante a frequência de operação do circuito?
Top. Amigo como fasso para acionar um Mosfet canal n sem referência com GND ou vcc do PWM exemplo com trafo driver mais eu queria fazer sem usar trafo driver
Boa noite muito top . Eu preciso ela bora um convexo DC DCque entre 24 a28 v e das 12.7 a 13.8 com corrente de 80 amperis eu uso mais draive pro mosfet? Bocado vou precisar usa uns 8 unidade de MOSFET
Olá, Antonio. Não tem necessidade usar mais drives. É até melhor usar apenas um para evitar que os MOSFETs entrem em condução em instantes diferentes. Mas é muito importante considerar um resistor de gate para cada MOSFET; e ter em mente que o gate-drive terá que fornecer uma corrente de gate 8x maior do que no caso com apenas um MOSFET. Então, ou você escolhe um modelo que consiga fornecer essa corrente, ou diminui a frequência de chaveamento e deixa a comutação mais lenta (aumentando o resistor de gate) pra reduzir a corrente de gate.
@@CaioMoraesEP bom dia Agradecido pelas dicas vou precisar elabora um pra coloca num caminha ele vai alimenta uma módulo amplificador de áudio e presiza entrar 24a 28 e sai 12.7a13.9 com 60 amperes
Se possível,você poderia fazer um vídeo explicando detalhadamente, o uso e funcionamento deste capacitor que fica em série com o primário do transformador. A parte em que ele elimina o nível DC evitando o saturação do transformador eu entendi,porém a parte que se cria uma tensão invertida ao PWM não. Tudo de bom sempre e obrigado pelo aula.
Quando o capacitor elimina o nível DC, o sinal PWM, que antes variava de 0 a 15V, por exemplo, passa a variar de -7,5 a 7,5V. Se adotarmos uma relação de espiras de 1:2, é possível então comandar o MOSFET com um sinal PWM que varia de -15 a 15V. Essa tensão negativa torna o processo de bloqueio mais rápido, o que é interessante para reduzir as perdas por chaveamento. Futuramente, posso fazer um vídeo focado nesse circuito de comando com trafo. Vou anotar a dica, valeuu Ruan
@@ruankiuby A minha dúvida é mais na questão do funcionamento deste capacitor,em alguns livros e sites encontrei algo relacionado ao uso dele, mais nada que fosse muito esclarecedor.
Olá, amigo. Colocar mais transistores em paralelo irá exigir mais corrente do driver, caso você não ajuste os resistores de gate. Por outro lado, aumentar os resistores de gate para manter a mesma corrente resultará no aumento do tempo de comutação e, consequentemente, no aumento das perdas por chaveamento. Além disso, você precisa garantir que os IGBTs irão operar com um coeficiente de temperatura positivo. Para isso, é necessário analisar a curva que relaciona a corrente de coletar com a tensão gate-emissor (VGE), e usar uma tensão maior do que aquela referente ao ponto em que a corrente passa a diminuir com o aumento da temperatura. Também é importante usar resistores de gate idênticos para cada IGBT. Aqui vai um artigo interessante sobre o assunto: www.onsemi.com/pub/Collateral/AND9100-D.PDF
@@CaioMoraesEP obrigado pelo ensinamento, eu coloquei 3 igbt na placa da inversora de solda v8 155 Estreme, troquei a ponte retificadora de 66A por duas KBPC.50A e coloquei mais 4 diodos rápido de saída,e aumentei a ventilação. Mas acho que vou tirar o igbt que está a mais porque não tenho conhecimento de fazer oque vc disse.
Boa noite, Caio, de antemão parabéns pelo projeto, estou começando a estudar fontes chaveadas, se fosse possível tirar uma dúvida seria extremamente grato, qual seria a função desse indutor toroidal na saída? vejo que em praticamente toda fonte chaveada que estudo (na prática) ele está presente, agradeço!!
E ai, Raphael. Dependendo da topologia da fonte, o indutor pode funcionar como filtro ou como um armazenador de energia. No conversor buck, por exemplo, o indutor forma um filtro LC passa-baixa com o capacitor de saída. A ideia é atenuar o conteúdo em alta frequência do chaveamento, de modo que a carga só "enxergue" uma tensão contínua bem definida
Boa noite, mestre!! Deixa eu tirar uma dúvida. No transformador de pulso vc mostrou um capacitor poliestra em serie, minha dúvida é, qual é o mais correto o capacitor que nem vc colocou ou resistor em serie, ou os dois cada um ne um braço do trafinho. Obrigado mestre.
Esses componentes têm propósitos diferentes. O capacitor em série elimina o nível DC no transformador, diminuindo problemas de saturação. E o resistor em série limita a corrente de gate. Então você pode usar os dois no circuito
Se eu usar um driver TC4427 pra fazer um conversor buck com mosfet P, como mostrado no vídeo 11:40 , a tensão que alimenta o TC4427 precisa ser a mesma tensão que vai ser chaveada pelo mosfet?
Sim, Orides. Não precisa ser a mesma fonte da entrada, mas o ideal é que ambas tenham o mesmo valor de tensão e q estejam no mesmo GND. Esse circuito possui uma limitação que eu acabei não mencionando no vídeo. A tensão de entrada do conversor buck deve ser maior do que a tensão de threshold do MOSFET e menor do que a sua tensão máxima entre gate e source.
Excelente vídeo Caio! Só uma dúvida, o resistor de gate sendo 24R não daria uma corrente de pico de aproximadamente 15/24=0.625A, o que estaria acima do permitido pelo CI segundo o datasheet?
A corrente de gate não é limitada apenas pelo resistor externo. O próprio gate-drive possui uma resistência de saída, e o MOSFET possui uma resistência de gate interna que devem ser consideradas no cálculo do resistor externo. Mas a sua observação foi muito boa. Provavelmente não me atentei a isso nesse circuito hahah acho que aproveitei os componentes que tinha testado com outro gate-drive
@@CaioMoraesEP Obrigado pela resposta Caio! No caso também perguntei isso porque nos datasheets que vejo de gate drivers que operam com bootstrap (os IR da vida) aparentemente não mostram a resistência de saída, nesse caso tem alguma sugestão de como calcular a resistência externa sem essa informação?
Rapaz, tô tentando projetar uma ponte H Mas só faço queimar o driver, nao sei que estou fazendo de errado. Funciona direitinho, de repente o driver queima
Eu estou tão acostumado em ver esse tipo de conteúdo em língua estrangeira, que eu fiquei com dificuldades de ler o título, tipo, que idioma é esse? Aí me toquei que é conteúdo brasileiro. Hahaha bom trabalho, não se vê muito isso por aqui no Brasil.
Ontem o Wagner Rambo postou um circuito de de PWM com gate driver, vi que ele usou em paralelo 10uF eletrolítico. Tem ideia de como isso afeta o circuito?
Olá, Ruan. O certo é usar um capacitor maior do que o valor calculado mesmo. Mas como eu considerei nos cálculos uma variação de tensão no capacitor de bootstrap bem pequena (apenas 0,05*15V = 0,75V), o de 100nF ainda consegue manter essa tensão dentro de um intervalo ok para comandar o MOSFET, e era o único que eu tinha em mãos ali na hora.
@@ruankiuby Se a capacitância for muito maior do que o valor necessário, o carregamento do capacitor de bootstrap fica muito lento. Por isso, dependendo da razão cíclica e da frequência de chaveamento, pode ocorrer de o intervalo de carga do capacitor (quando a chave de baixo fica ativa) não ser longo o suficiente para atingir a tensão do bootstrap.
Isolamento galvanico, usada muito em invertidas de solda, ótima topologia.
Voce é um dos melhores, talvez o melhor.fala tranquilo, coloca imagens , isto o torna muito didatico PARABEMS
Valeu demais, Jorge. Fico feliz em ler isso. Abração
Ola caio ! Muito bom sua explicação sobre o bootstrap em mosfet high side. Surgiu uma dúvida aqui. Estou querendo fazer um circuito dimmer de vários LED`s usando essa técnica de mosfet high side, entretanto, para atingir o brilho minimo dos leds preciso que o Dmin seja 0 e, consequentemente o brilho máximo seja em Dmax = 1. Ao meu entender, na hora que chega no cálculo de I_avg a fórmula "explode" pro infinito positivo. De fato é isso que acontece com a corrente sobre o diodo ?
Eu entendo que nessa aplicação o capacitor bootstrap iria descarregar por completo.
TOP! TOP! 👏👏👏
Valeu, Anderson 👊👊
graças a esse conteúdo consegui fazer meu projeto de conversor buck , parabens pelo canal !!
Que bacana, Bruno. Fico feliz em saber que o conteúdo te ajudou. Abraço
Ótimo conteúdo, muito relevante.... Continua postando pra gente...
Parabéns pelo canal Caio. Conteúdo de extrema qualidade. Continue, seu trabalho está fantástico!!!
Que bom que gostou. Muito obrigado 😀😀
Ótimo
Muito Grato
Sucesso :)
Obrigado, Carlos 👊😀
Parabéns pelo canal Caio, está muito bom e didático. Continue assim, a eletrônica de potência é fantástica.
Que bom que gostou, Mauricio. Valeuu 😬😬
Legal pra caramba🎉
Parabéns Caio, suas aulas são perfeitas.
Olá! Estou cursando engenharia elétrica e estou com um trabalho de montar um conversor Buck boost, seus vídeos estão ajudando muito! Só uma dúvida não temos acesso a nenhum gate drive na região, e por questão de pouco tempo e fim do semestre vamos tentar montar o circuito com os transistores usando os mesmos componentes utilizados por você no primeiro vídeo, simulei no Ltspice com nossos parâmetros de projeto e parece que funciona bem,mas para realizar os cálculos mostrados no fim do vídeo, como poderíamos calcular sem saber os dados do gate drive, apenas os dados do transistores, alguma dica?
Parabéns !!! ótima explicação .
Muito obrigado, Roberto 😬
Você é fera chefe 👍💯
Meus parabéns!
Obrigado, Antonio 😬
Muito bom seu canal obrigado por compartilhar seus conhecimentos
Que bom que gostou, Maximiliano. Eu que agradeço por acompanhar o canal 😀
Fantástico!!! Parabéns!!! Muito obrigado!!!
Que bom que gostou. Valeuu 😬
like, melhor vídeo sobre polarização de Gate drive, como calcular a potencia de dissipação no resistor de bootstrap? e como escolher o tempo ideal de subida mediante a frequência de operação do circuito?
Parabéns ! Super didático.
Obrigado, Luiz 👊😬
Top. Amigo como fasso para acionar um Mosfet canal n sem referência com GND ou vcc do PWM exemplo com trafo driver mais eu queria fazer sem usar trafo driver
Excelente conteúdo!! +1 inscrito
Muito obrigado, Heitor. Seja bem vindo 👊😬
Boa noite muito top .
Eu preciso ela bora um convexo DC DCque entre 24 a28 v e das 12.7 a 13.8 com corrente de 80 amperis eu uso mais draive pro mosfet?
Bocado vou precisar usa uns 8 unidade de MOSFET
Olá, Antonio. Não tem necessidade usar mais drives. É até melhor usar apenas um para evitar que os MOSFETs entrem em condução em instantes diferentes. Mas é muito importante considerar um resistor de gate para cada MOSFET; e ter em mente que o gate-drive terá que fornecer uma corrente de gate 8x maior do que no caso com apenas um MOSFET. Então, ou você escolhe um modelo que consiga fornecer essa corrente, ou diminui a frequência de chaveamento e deixa a comutação mais lenta (aumentando o resistor de gate) pra reduzir a corrente de gate.
@@CaioMoraesEP bom dia
Agradecido pelas dicas vou precisar elabora um pra coloca num caminha ele vai alimenta uma módulo amplificador de áudio e presiza entrar 24a 28 e sai 12.7a13.9 com 60 amperes
Que aula top!!! Parabéns!!
Muito obrigado, Lucas 👊😬
Se possível,você poderia fazer um vídeo explicando detalhadamente, o uso e funcionamento deste capacitor que fica em série com o primário do transformador.
A parte em que ele elimina o nível DC evitando o saturação do transformador eu entendi,porém a parte que se cria uma tensão invertida ao PWM não.
Tudo de bom sempre e obrigado pelo aula.
A sua dúvida me parece mais relacionada ao aspecto funcional do transformador
Quando o capacitor elimina o nível DC, o sinal PWM, que antes variava de 0 a 15V, por exemplo, passa a variar de -7,5 a 7,5V. Se adotarmos uma relação de espiras de 1:2, é possível então comandar o MOSFET com um sinal PWM que varia de -15 a 15V. Essa tensão negativa torna o processo de bloqueio mais rápido, o que é interessante para reduzir as perdas por chaveamento. Futuramente, posso fazer um vídeo focado nesse circuito de comando com trafo. Vou anotar a dica, valeuu Ruan
@@CaioMoraesEP Obrigado pela resposta.
@@ruankiuby A minha dúvida é mais na questão do funcionamento deste capacitor,em alguns livros e sites encontrei algo relacionado ao uso dele, mais nada que fosse muito esclarecedor.
Olá amigo.
Em uma placa com 2 igbt, pode colocar 4 Igbt pra aquecer menos ? O driver irá suportar?
Olá, amigo.
Colocar mais transistores em paralelo irá exigir mais corrente do driver, caso você não ajuste os resistores de gate. Por outro lado, aumentar os resistores de gate para manter a mesma corrente resultará no aumento do tempo de comutação e, consequentemente, no aumento das perdas por chaveamento.
Além disso, você precisa garantir que os IGBTs irão operar com um coeficiente de temperatura positivo. Para isso, é necessário analisar a curva que relaciona a corrente de coletar com a tensão gate-emissor (VGE), e usar uma tensão maior do que aquela referente ao ponto em que a corrente passa a diminuir com o aumento da temperatura. Também é importante usar resistores de gate idênticos para cada IGBT.
Aqui vai um artigo interessante sobre o assunto: www.onsemi.com/pub/Collateral/AND9100-D.PDF
@@CaioMoraesEP obrigado pelo ensinamento, eu coloquei 3 igbt na placa da inversora de solda v8 155 Estreme, troquei a ponte retificadora de 66A por duas KBPC.50A e coloquei mais 4 diodos rápido de saída,e aumentei a ventilação. Mas acho que vou tirar o igbt que está a mais porque não tenho conhecimento de fazer oque vc disse.
Boa noite, Caio, de antemão parabéns pelo projeto, estou começando a estudar fontes chaveadas, se fosse possível tirar uma dúvida seria extremamente grato, qual seria a função desse indutor toroidal na saída? vejo que em praticamente toda fonte chaveada que estudo (na prática) ele está presente, agradeço!!
E ai, Raphael. Dependendo da topologia da fonte, o indutor pode funcionar como filtro ou como um armazenador de energia. No conversor buck, por exemplo, o indutor forma um filtro LC passa-baixa com o capacitor de saída. A ideia é atenuar o conteúdo em alta frequência do chaveamento, de modo que a carga só "enxergue" uma tensão contínua bem definida
@@CaioMoraesEP Obrigado pelo esclarecimento!
Boa noite, mestre!! Deixa eu tirar uma dúvida. No transformador de pulso vc mostrou um capacitor poliestra em serie, minha dúvida é, qual é o mais correto o capacitor que nem vc colocou ou resistor em serie, ou os dois cada um ne um braço do trafinho. Obrigado mestre.
Esses componentes têm propósitos diferentes. O capacitor em série elimina o nível DC no transformador, diminuindo problemas de saturação. E o resistor em série limita a corrente de gate. Então você pode usar os dois no circuito
Se eu usar um driver TC4427 pra fazer um conversor buck com mosfet P, como mostrado no vídeo 11:40 , a tensão que alimenta o TC4427 precisa ser a mesma tensão que vai ser chaveada pelo mosfet?
Sim, Orides. Não precisa ser a mesma fonte da entrada, mas o ideal é que ambas tenham o mesmo valor de tensão e q estejam no mesmo GND. Esse circuito possui uma limitação que eu acabei não mencionando no vídeo. A tensão de entrada do conversor buck deve ser maior do que a tensão de threshold do MOSFET e menor do que a sua tensão máxima entre gate e source.
@@CaioMoraesEP Valeu pelos esclarecimentos, Caio!
Excelente vídeo Caio! Só uma dúvida, o resistor de gate sendo 24R não daria uma corrente de pico de aproximadamente 15/24=0.625A, o que estaria acima do permitido pelo CI segundo o datasheet?
A corrente de gate não é limitada apenas pelo resistor externo. O próprio gate-drive possui uma resistência de saída, e o MOSFET possui uma resistência de gate interna que devem ser consideradas no cálculo do resistor externo. Mas a sua observação foi muito boa. Provavelmente não me atentei a isso nesse circuito hahah acho que aproveitei os componentes que tinha testado com outro gate-drive
@@CaioMoraesEP Obrigado pela resposta Caio! No caso também perguntei isso porque nos datasheets que vejo de gate drivers que operam com bootstrap (os IR da vida) aparentemente não mostram a resistência de saída, nesse caso tem alguma sugestão de como calcular a resistência externa sem essa informação?
Rapaz, tô tentando projetar uma ponte H
Mas só faço queimar o driver, nao sei que estou fazendo de errado.
Funciona direitinho, de repente o driver queima
👍👍👍
Eu estou tão acostumado em ver esse tipo de conteúdo em língua estrangeira, que eu fiquei com dificuldades de ler o título, tipo, que idioma é esse? Aí me toquei que é conteúdo brasileiro. Hahaha bom trabalho, não se vê muito isso por aqui no Brasil.
hahaha valeu, Moises. Essa é a ideia do canal. Aprofundar em assuntos da eletrônica de potência, que não são facilmente encontrados na internet
Gostaria que você montase um projeto de ponte h para iversor de energia
Legal, Jovenildo. Está nos meus planos 👊😀
Achei interessante o fato de vc ter usado um capacitor de 100nF, que é um pouco menos que os 113nF calculados.
Ontem o Wagner Rambo postou um circuito de de PWM com gate driver, vi que ele usou em paralelo 10uF eletrolítico. Tem ideia de como isso afeta o circuito?
Olá, Ruan. O certo é usar um capacitor maior do que o valor calculado mesmo. Mas como eu considerei nos cálculos uma variação de tensão no capacitor de bootstrap bem pequena (apenas 0,05*15V = 0,75V), o de 100nF ainda consegue manter essa tensão dentro de um intervalo ok para comandar o MOSFET, e era o único que eu tinha em mãos ali na hora.
@@ruankiuby Se a capacitância for muito maior do que o valor necessário, o carregamento do capacitor de bootstrap fica muito lento. Por isso, dependendo da razão cíclica e da frequência de chaveamento, pode ocorrer de o intervalo de carga do capacitor (quando a chave de baixo fica ativa) não ser longo o suficiente para atingir a tensão do bootstrap.
@@CaioMoraesEP ahh, sim. Certo
@@CaioMoraesEP Sim, era essa minha dúvida. Eu vejo por aí o pessoal colocando capacitância a rodo
Boots Strap o que é isso