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あつい15:23 （デバイスに加わる電圧が）400ボルト
1.2V×3.2A＝3.84Wだから、これはもう相当熱いですね。メーター表示見ながらハラハラしました www 高効率の為にも低損失は常に意識する必要がありますが検証がいつも大変です。
火傷にお気をつけて
おもむろに握り締めるの好き
取り替えるならインバーター
鉄オタなので見にきましたがIGBT完全に理解した
鉄道好きなので知識を深められて嬉しいです
非情に勉強になりました。毎度していらっしゃりますが、実験を示しながらの解説が理解しやすくて好きです
I インバータでG ご機嫌になるB ぶっ飛んだT 特殊性癖
I：（けっこう）いろいろ知ってるG：（けっこう）ご機嫌なB：（けっこう）ぶっ飛んだT：（けっこう）トンデモナイやつ
@@Yanto-Kun-JP間違いなく博識なヤク中の特徴
電車関係でよく聞いてたけどなんか理解できた気がします☺️出来たらサイリスタ壊してみて欲しいです❗️高校の時に先生が（大学で破壊実験見たけど凄かった）と言ってたので気になりました🙇🏻♂️
今はIGBTはあまり使われていません、法話電圧が２Vもあり、テールを長く引くので、多くのアプリケーションがSiCにシフトしています、安くても放熱器がばかみたいにおおきくなって、トータルコストがあまりよくないからです。
時代ですね～。SiCで設計してみたかったです。このじゃじゃ馬、暴走しないよう使いこなすの結構大変。デカい放熱器はIGBTの強烈な爆発より防護してくれました。
@@御隠居-b8z 安くなったし４端子が出てきて使いやすい、ロームにお願いして４端子にしてくれと言って営業マンは３年かかる、って実際には５年かかった。
@@井上薫-i6o そんなリクエストが実現するほどの大口取引をされていたんですね！
メカ屋ですが、コイツの放熱にはいつも悩まされる。学生の頃の専攻はデバイスだったので好きな素子なのですが。
ICの半導体としての構造もわかっていい
弱電な人ですCEに400vもかけられてVce1vとかめちゃロス少ないですね。ただ飽和させるVgeが高いのでスイッチング時、オフから飽和、飽和からオフを高速で切り替えるため駆動回路にそれなりの定石がありそうですね。特に高速でオフする際。お約束も見れて愉しかったです。
動画にもある通り、ゲートのオフ駆動を早くしてもテール電流がどうしても流れちゃうデバイスなので、そもそも高速でオフする動作が必要な場合はMOSFETを選ぶことになるかなーと思います。
MOSFETとバイポーラトランジスタの組み合わせなので端子名がコレクタ・エミッタ・ゲートになるのですね！
なるほど、ベースでは無くゲートなのは構造由来だったのですね🎉
7:45 Electroboom 感がめっちゃあった
IGBT初めてつかったのが４０年ぐらい昔の話、当時ジャイアントトランジスタとか言ってたけれど、バイポーラしかなく絶縁ゲートは画期的でした。MOSFETの大きいデバイスがなかったから仕方ないんだけど特性はあんま良くない。
MOSFETの基本構造が横型（チャネルが水平に形成される）だったので高耐圧・大電流化が難しかったからと聞いています。そういえばIGBTって縦MOSのドレイン層の下にP＋層を追加してバイポーラ化したような構造しているんですよね。
弱電やってると10ｖぐらいまでしか使わないから400Vとか聞くだけで怖いVce 1Vは弱電屋にとって大き過ぎる、弱電で使わない理由がよくわかりました。
久しぶりにイチケン成分を摂取できた
エポキシ樹脂タイプのICは1Chip上に6組のIGBTとFWDが搭載されているものもあるんですよ．これは縦型ではなくIGBTですけど．
ややマイナーなデバイスを紹介いただきありがとうございます。炊飯器、エアコン、鉄道に使うというイメージがあります。ただ、今だと400VですとSi-MOSですかね？テール電流消失に時間が掛かるのでスイッチング周波数も上げにくいです。
（またやってしまった…）好き。
海外製の半導体電子部品を販売している商社に勤めて35年になります（ALTERA TI AD など）未だに納期が悪いメーカーや部品が多く、部材高騰によるメーカー値上げ、円安による価格上昇など、皆さん対応に追われてヘロヘロな状態です。イチケンさんの半導体解説動画は社内共有させていただいております（ベテラン営業、新人さんにも）また、よろしくお願い致します。
そりゃ熱かろうぜ(ネイビーのXLサイズが欲しいです)
最近の電車で使われてるSicも今度お願いします
SiCだとMOSFETが使われることもあるようですね。Si-MOSFETでは耐圧が低くて鉄道用には不向きでした。Si-IGBTに比べて発熱を抑えることができるのが特徴のようです。詳しい説明はイチケンさんにお願いします。
鉄道だと逆導通サイリスタ→GTOサイリスタ→IGBT→(進化は続く)
エレベーターのインバーターによく使われてます。
FETの記号が好きなのでNch MOSFET Tシャツ買いました。
オーディオアンプの終段でNPN/PNPのバイポーラTrの回路のバイアス電流を半固定VRで調整していたらヒートシンクに付けて熱補償Trを付けていたにも関わらず数分で熱暴走を起こして大電流が流れて火傷しそうになったバイポーラパワーTrを不飽和領域で使うと温度が上がると電流が増えさらに発熱が増えるので結構怖いIGBTは使った事が無いけどMOSFETみたいに熱的には安定しているのか初めて知りました
IGBTの音はよく聞きます。
リフロについてやってほしいな
最近はSiC増えたよねー
SiC素材が導入されたことによって始めて工業・車両分野でMOSFETの使用が可能になった。わざわざ、構造の問題で大してスイッチング特性の良くないIGBTをSiCで造る優位性はないのでSiC素子＝MOSFETとなります。
ゲートのインシュレータが個々の素子のゲート電圧の独立性に寄与しているんかな。Y/N
15:23総合計で6ｋｗ（200ｖ）のＩＨヒーターですが、この電磁調理器でもＩＧＢＴが使用されています。４００Ｖから使用されるとは限らないね。
入力電源の交流電圧のことを言ってるなら、それとこれとは関係ない気はするそもそも400Vというのは一つの目安でしかないし
Digikeyの提供だからRS隠してるのかな、？これ
モータのpid制御の波形をオシロで観測するというテーマで動画にできないでしょうか？？
この天才は何を喋ってんだ？？とりあえずそのTシャツ買うわ。
SiCのPN接合やトランジスタ、サイリスタが出来たら何か役に立つかな。高濃度P型SiC層を作る方法も、周辺耐圧を上げる方法も知ってるけど。世間は、あまり関心が無いのかな？？？
あちちー！
ジャンパー線のオバケ。試作品という訳ではないですね？２層にするより安上がり？
ボンディングワイアにしたほうが高速に製造できるから？LSIのパッケージ技術が流用できる点が有利なのでは？
IGBT理解法案！
パワー半導体て、微細化の恩恵てあるんですかね？メモリのように使われる数が増えれば、個数削減のために微細化・３D化に進むように思うのですが・・・・
コレクター側の基板抵抗が大きいので、面積で稼ぐしかないのですね。
最近はMOSFETがふえてきましたね
IGBTはなかなか複雑なデバイスですね。
そりゃめっちゃ熱くなるよなぁ😅
06:40 何でVGEを上げるときにVCEが落ちながらICがあがるんですか。VCEが落ちる原理が知りたいです。
G-E間の電圧操作により、C-E間の抵抗値が下がり、電流が流れる(※なぜ下がるのかはトランジスタの解説を参照)この時、C-E間の電圧降下も当然低減するという感じと思います
半導体不足は少しは解消したのだろうか。
400Vで何アンペアぐらい流すんですか？
工作機械で十数アンペアぐらいですかね？
@@山田雅寛-x1b なるほど。4000～8000Wぐらいの世界の話ということですね
ディジキーのロゴの説明の間に、着荷。 速いですね... 論点が.
これで電験もバッチリやな😂
いいね👍
でかいプラズマテレビの中で見た
完全なんてない から？ 学者 学問 学生と すら 解決できない やはり 問題は ？ きっと 物質がある限り解決不能な我が宇宙 か
LGBTかと思ったわ・・・。
同 じ く
テーリュ なんてイコール そこが 人？生命？ を分けたん？ですか？？わかるはずもないし あなた 神なら 説明せよ わたしたちは 無能のまま 逸脱できない のか？
チョッチュ何言ってるのか...🙄
すべてを かいけつするひつようがる けど やはり無能 だから死す のか？ なぜだ
イチケンはチー牛好きなの？
![OhGeesy x Lefty Gunplay - What It Iz [Official Music Video]](http://i.ytimg.com/vi/L0yzW9t2ixk/mqdefault.jpg)
あつい
15:23 （デバイスに加わる電圧が）400ボルト
1.2V×3.2A＝3.84Wだから、これはもう相当熱いですね。メーター表示見ながらハラハラしました www 高効率の為にも低損失は常に意識する必要がありますが検証がいつも大変です。
火傷にお気をつけて
おもむろに握り締めるの好き
取り替えるならインバーター
鉄オタなので見にきましたがIGBT完全に理解した
鉄道好きなので知識を深められて嬉しいです
非情に勉強になりました。
毎度していらっしゃりますが、実験を示しながらの解説が理解しやすくて好きです
I インバータで
G ご機嫌になる
B ぶっ飛んだ
T 特殊性癖
I：（けっこう）いろいろ知ってる
G：（けっこう）ご機嫌な
B：（けっこう）ぶっ飛んだ
T：（けっこう）トンデモナイやつ
@@Yanto-Kun-JP間違いなく博識なヤク中の特徴
電車関係でよく聞いてたけどなんか理解できた気がします☺️
出来たらサイリスタ壊してみて欲しいです❗️
高校の時に先生が（大学で破壊実験見たけど凄かった）と言ってたので気になりました🙇🏻♂️
今はIGBTはあまり使われていません、法話電圧が２Vもあり、テールを長く引くので、多くのアプリケーションがSiCにシフトしています、安くても放熱器がばかみたいにおおきくなって、トータルコストがあまりよくないからです。
時代ですね～。SiCで設計してみたかったです。このじゃじゃ馬、暴走しないよう使いこなすの結構大変。デカい放熱器はIGBTの強烈な爆発より防護してくれました。
@@御隠居-b8z 安くなったし４端子が出てきて使いやすい、ロームにお願いして４端子にしてくれと言って営業マンは３年かかる、って実際には５年かかった。
@@井上薫-i6o そんなリクエストが実現するほどの大口取引をされていたんですね！
メカ屋ですが、コイツの放熱にはいつも悩まされる。学生の頃の専攻はデバイスだったので好きな素子なのですが。
ICの半導体としての構造もわかっていい
弱電な人です
CEに400vもかけられてVce1vとかめちゃロス少ないですね。ただ飽和させるVgeが高いのでスイッチング時、オフから飽和、飽和からオフを高速で切り替えるため駆動回路にそれなりの定石がありそうですね。特に高速でオフする際。
お約束も見れて愉しかったです。
動画にもある通り、ゲートのオフ駆動を早くしてもテール電流がどうしても流れちゃうデバイスなので、そもそも高速でオフする動作が必要な場合はMOSFETを選ぶことになるかなーと思います。
MOSFETとバイポーラトランジスタの組み合わせなので端子名がコレクタ・エミッタ・ゲートになるのですね！
なるほど、ベースでは無くゲートなのは構造由来だったのですね🎉
7:45 Electroboom 感がめっちゃあった
IGBT初めてつかったのが４０年ぐらい昔の話、当時ジャイアントトランジスタとか言ってたけれど、バイポーラしかなく絶縁ゲートは画期的でした。MOSFETの大きいデバイスがなかったから仕方ないんだけど特性はあんま良くない。
MOSFETの基本構造が横型（チャネルが水平に形成される）だったので高耐圧・大電流化が難しかったからと聞いています。そういえばIGBTって縦MOSのドレイン層の下にP＋層を追加してバイポーラ化したような構造しているんですよね。
弱電やってると10ｖぐらいまでしか使わないから400Vとか聞くだけで怖い
Vce 1Vは弱電屋にとって大き過ぎる、弱電で使わない理由がよくわかりました。
久しぶりにイチケン成分を摂取できた
エポキシ樹脂タイプのICは1Chip上に6組のIGBTとFWDが搭載されているものもあるんですよ．これは縦型ではなくIGBTですけど．
ややマイナーなデバイスを紹介いただきありがとうございます。炊飯器、エアコン、鉄道に使うというイメージがあります。ただ、今だと400VですとSi-MOSですかね？テール電流消失に時間が掛かるのでスイッチング周波数も上げにくいです。
（またやってしまった…）好き。
海外製の半導体電子部品を販売している商社に勤めて35年になります（ALTERA TI AD など）
未だに納期が悪いメーカーや部品が多く、
部材高騰によるメーカー値上げ、円安による価格上昇など、皆さん対応に追われてヘロヘロな状態です。
イチケンさんの半導体解説動画は社内共有させていただいております（ベテラン営業、新人さんにも）
また、よろしくお願い致します。
そりゃ熱かろうぜ(ネイビーのXLサイズが欲しいです)
最近の電車で使われてるSicも今度お願いします
SiCだとMOSFETが使われることもあるようですね。Si-MOSFETでは耐圧が低くて鉄道用には不向きでした。Si-IGBTに比べて発熱を抑えることができるのが特徴のようです。詳しい説明はイチケンさんにお願いします。
鉄道だと
逆導通サイリスタ→GTOサイリスタ→IGBT→(進化は続く)
エレベーターのインバーターによく使われてます。
FETの記号が好きなのでNch MOSFET Tシャツ買いました。
オーディオアンプの終段でNPN/PNPのバイポーラTrの回路のバイアス電流を
半固定VRで調整していたらヒートシンクに付けて熱補償Trを付けていたにも関わらず
数分で熱暴走を起こして大電流が流れて火傷しそうになった
バイポーラパワーTrを不飽和領域で使うと温度が上がると電流が増えさらに発熱が増えるので結構怖い
IGBTは使った事が無いけどMOSFETみたいに熱的には安定しているのか
初めて知りました
IGBTの音はよく聞きます。
リフロについてやってほしいな
最近はSiC増えたよねー
SiC素材が導入されたことによって始めて工業・車両分野でMOSFETの使用が可能になった。わざわざ、構造の問題で大してスイッチング特性の良くないIGBTをSiCで造る優位性はないのでSiC素子＝MOSFETとなります。
ゲートのインシュレータが個々の素子のゲート電圧の独立性に寄与しているんかな。Y/N
15:23
総合計で6ｋｗ（200ｖ）のＩＨヒーターですが、
この電磁調理器でもＩＧＢＴが使用されています。
４００Ｖから使用されるとは限らないね。
入力電源の交流電圧のことを言ってるなら、それとこれとは関係ない気はする
そもそも400Vというのは一つの目安でしかないし
Digikeyの提供だからRS隠してるのかな、？これ
モータのpid制御の波形をオシロで観測するというテーマで動画にできないでしょうか？？
この天才は何を喋ってんだ？？
とりあえずそのTシャツ買うわ。
SiCのPN接合やトランジスタ、サイリスタが出来たら何か役に立つかな。高濃度P型SiC層を作る方法も、周辺耐圧を上げる方法も知ってるけど。世間は、あまり関心が無いのかな？？？
あちちー！
ジャンパー線のオバケ。試作品という訳ではないですね？
２層にするより安上がり？
ボンディングワイアにしたほうが高速に製造できるから？LSIのパッケージ技術が流用できる点が有利なのでは？
IGBT理解法案！
パワー半導体て、微細化の恩恵てあるんですかね？メモリのように使われる数が増えれば、個数削減のために微細化・３D化に進むように思うのですが・・・・
コレクター側の基板抵抗が大きいので、面積で稼ぐしかないのですね。
最近はMOSFETがふえてきましたね
IGBTはなかなか複雑なデバイスですね。
そりゃめっちゃ熱くなるよなぁ😅
06:40 何でVGEを上げるときにVCEが落ちながらICがあがるんですか。VCEが落ちる原理が知りたいです。
G-E間の電圧操作により、C-E間の抵抗値が下がり、電流が流れる
(※なぜ下がるのかはトランジスタの解説を参照)
この時、C-E間の電圧降下も当然低減する
という感じと思います
半導体不足は少しは解消したのだろうか。
400Vで何アンペアぐらい流すんですか？
工作機械で十数アンペアぐらいですかね？
@@山田雅寛-x1b なるほど。4000～8000Wぐらいの世界の話ということですね
ディジキーのロゴの説明の間に、着荷。
速いですね... 論点が.
これで電験もバッチリやな😂
いいね👍
でかいプラズマテレビの中で見た
完全なんてない から？
学者 学問 学生と すら 解決できない やはり 問題は ？
きっと 物質がある限り解決不能な我が宇宙 か
LGBTかと思ったわ・・・。
同 じ く
テーリュ なんてイコール そこが 人？生命？ を分けたん？ですか？？わかるはずもないし あなた 神なら 説明せよ わたしたちは 無能のまま 逸脱できない のか？
チョッチュ何言ってるのか...🙄
すべてを かいけつするひつようがる けど やはり無能 だから死す のか？ なぜだ
イチケンはチー牛好きなの？