A few things that are incorrect. 1. Beta value of a bipolar transistor = 100 only if the transistor is operating in the linear region. Your entire video is about using transistor as a switch, therefore the beta value of a bipolar transistor should only be ~10 (operating in the saturation region). 2. At 3:48, when the MOS switch is closed, the voltage at the base of the bipolar transistor should be 0V and therefore the bipolar transistor is turned off (i.e. no current flow through CE). 3. At 4:00, when the MOS switch is opened, the voltage at the base of the bipolar transistor is ~0.6V and therefore the bipolar transistor is turned on (i.e. current flow through CE).
我们致力于新能源汽车功率模块的散热系统
這是目前我所看過最深入淺出的視頻，讚！
😮😮總於弄懂 IGBT ，MOS ,與電晶體 不同🎉
說明淺顯易懂! 之前也曾嘗試自行了解IGBT 但可能是因為我沒專業背景的關係，所有網上找到的資訊對我來說都難以消化。直到孫老師給了一盞明燈
哇，讲解得很到位！我一个小白终于不用看天书了。
老师，你这发型总是让我出戏。
我记得大概10年前做逆变焊机出口，就是始于MOS管，那时候最好就是东芝或者富士的，然后大概在2015年左右开始用IGBT, 最好的是仙童 英飞凌，富士也有一点，几乎没有中国的品牌，也有中国工厂拿来做测试，装上去就跟放鞭炮一样炸管子。 2017以后我就没有做做过焊机了， 大概到2019年老客户又来问我买焊机，当我联系过去的工厂时，问现在用什么场效应管时，居然回复说国内已经没有人再用国外品牌的了，都是用的如杭州士兰微等国内品牌的IGBT管，性能也很好，价格超便宜。这就是我亲身感受到的中国的制造研发能力。
这么多国人都要吃饭呢,所有领域都会被疯抢的,赶上外国是迟早的事.
中國研發製造能力世界第一.就很會製造假新聞.
老师现在还在这个行业吗？
卧槽，这就是一个聪明的设计，😂就是萌新想不到啊啊啊
期待孫老師能談到碳化硅，謝謝!
非常意外，非常开心
我這非電子類別專長的居然也聽懂了
但要實際應用可就是另外一回事了...
三极管短板绝不是开关频率，相反还很快很快，是驱动功耗
講解真是簡單精要! 之前看到IGBT也只想到
應用在高瓦數的開關 沒細想成是跟BJT做搭配
這真的是講得太好了! 讓外行也能深入了解!
我看成「五分鐘搞明白什麼是LGBT」🤣🤣🤣
三極管/電晶體 功率電晶體一般說hef值雖然用電表測時可以到100~150 但實際應用上會以20~50做估算。
少講了達靈頓電路 也可以以小電流驅動大電流，當然他的缺點是比IGBT消耗電壓高了些
但在低電流10A以下 還算常用的方式。
通常微控制器/單片機是以"拉"電流(LOW電位)來當啟動ON，因為下拉時電流可以到100mA 在使用功率電晶體驅動時。
通常MOS管 的G極還是會加一電容跟電阻做緩衝跟洩放用
孫老師!謝謝你啊!很詳細!勁!
期待看到碳化硅，謝謝!
这么接，三极管IB的大电流（大于1A)还是来自于MOS管。普通MOS管的电流还是达不到呀。所以还是要用power MOS。
讲得很好
孙老师您好! 不好意思， 我有个基本问题想请教..4:25....Ib = Ie 吗？我一直以为Ib 电流通常是很小的？😅
可否讲述一下高负荷情况下IGBT的损耗问题? 很多人以为半导体器件没有moving parts所以可以永远使用下去
期待你对Sic的介绍，谢谢🙏
atx电源里的开关管就是这个吗？我有个旧的很喜欢的电源开关管坏了，找了一下配件水很深，可以用更好的电源里面开关管替换吗？例如碳化硅开关管？哪个参数是关键参数决定是否能替换呢？还是都不能替换，必须和控制开关管的芯片匹配？
碳化龟，可以聊一下，还有淡化镓
龟
龜🐢
氮化镓前面做过一期，可以翻一下我以前的视频
有个疑问一直找不到答案，为什么IGBT引脚那么细却能过几十几百A的电流
MOS管不是不能作高壓只是做到高壓後導通阻抗會高於IGBT 最近的趨勢是用SiC MOS 管來取代IGBT
IGBT是雙載子元件，MOSFET是單載子元件，在高壓操作時，雙載子元件有優勢，因為它的飽和電壓幾乎為定值，但MOSFET卻會隨著電流越大飽和電壓越大形同損耗越大
我覺得他是沒有實務經驗的老師而已不用太認真
在沒有合適的元件材料前，用現有材料去達到用途，挺有趣的
这跟调光台灯上用的可控硅比有啥优势？用那个不行吗？
分析的好清楚
讲的很好，浅显易懂
孙老师是否有兴趣做一期视频介绍和测评目前市面上的一些支持PD等多协议或者全协议的升降压芯片呢？包括充电管理芯片。比如英集芯的IP2368，IP6559，南芯的SC8812A，还有其他一些品牌和型号的，包括进口的
老大，不是IGBT的开关而产生你说的的那个PWM波形，而是这个PWM波（方形波--square wave）作为输入作用于于IGBT的base，通过改变这个square wave的duty cycle来调节load上的电压。
的确是这样，但是up好像也没说错，毕竟IGBT输出的就是基于控制芯片的波形产生的高压大电流的相同占空比的波形
up主这么说也没问题，没必要较真。
知识被掏空，😂
这只是说法上的问题，大家表达的是一个意思。
鑽牛角尖
不错，年轻有为，不过音量太小了点，关注你了！
看到孙老师怎么有看到阪本丽娜的感觉呢
最后的结论非常赞
可以講CCD與CMOS的細節嗎
个人建议：声音可以大一点，另外，理个发吧
简单明了 赞一个
一直有个疑惑，逆变器里的上桥臂，导通后电位升高，为什么IGBT不会关闭?
直流無刷電機是用6個Mosfet或6的倍數來產生高頻交流三相電力驅動的，目前有650V的Mosfet可工作於310V的直流電之下仍可安全運作，但比igbt貴，Mosfet的效率比igbt更高嗎？
Sir it would better if compare with disorder mag.
意不意外！开不开心！❤
1:50老师的电路用错了MOS管，这电路图应该用P-MOS管。
专业的讲解，学习了
老师给设计个110变高压电老鼠的电路图？
MOSFET 耐壓大多在 200V 以下, 而 IGBT 可以到 1200V
哈哈，我们就是生产变频器的厂家😀
早期 電磁爐裡面推動感應線圈的是大功率達靈頓BJT，不知後來的是否使用IGBT
应该有吧……小米的电磁炉还有IH电饭煲里面都有IGBT
印刷9012就是PNP ，一般常用的種類，看到印刷時 ，左手的就是 E 發射極 中間是B 基極 右手是 C集電極
9013就是NPN ，
講解得很棒，期待下一期
咦？pnp電晶體比起npn電晶體不是有很大的缺點嗎？怎麼反而取代npn成為igbt的架構？
2
原来真正电路设计这么复杂吗？我们做EE第二年实验用了个current mirror去bias BJT就可以制造需要的电流了 我知道肯定我们的做法在经济性和合理性有很多的问题😓 但是这恰恰是我们只能做的..
原來IGBT是這樣組成的，我以為是用完全不同的半導體結構設計來達成的，原來是用既有元件的方式為基礎設計的!😀
其实是用的完全不同的半导体结构，但是等效以后就是视频中的组合。
@@工科男孙老师频道迁移 懂了!~(*^▽^*)
为啥不用三极管级联，好像叫达林顿管？
碳化硅可以替代IGBT吧
好意外 好开心😅
孙老师年轻了不止10岁
如果仅仅是简单的串联 前置的mos受到的电压和三极管一样,这就不可能耐受千伏的高压了.
對，我也是一直卡在這個BUG腦袋打結…
业余笔记：用一个MOS管在低压的情况下控制相对大的电流去控制耐压很高的三极管。
謝謝孫老師,
請問有機會說一下近年很火的fpga和verilog嗎
A few things that are incorrect. 1. Beta value of a bipolar transistor = 100 only if the transistor is operating in the linear region. Your entire video is about using transistor as a switch, therefore the beta value of a bipolar transistor should only be ~10 (operating in the saturation region). 2. At 3:48, when the MOS switch is closed, the voltage at the base of the bipolar transistor should be 0V and therefore the bipolar transistor is turned off (i.e. no current flow through CE). 3. At 4:00, when the MOS switch is opened, the voltage at the base of the bipolar transistor is ~0.6V and therefore the bipolar transistor is turned on (i.e. current flow through CE).
1，我觉得没必要纠结于这种问题，视频场景下本来就是取较大的值。2和3，我觉得我视频里没说错，是你自己搞错了。
短板频率在什么区间？没说！
really love your videos！
太意外~
我還是沒搞清楚IGBT耐高壓的道理。照您的IGBT內部連接的電路，IGBT內的MOS的漏極電壓只比供電電壓低0.7V。您說MOS管不耐高壓。那麼MOS管不是被擊穿了嗎？
太具体过细的原理估计一般人无法搞清楚的,得看当时的发明人的论文.
MOS的例圖有點小錯誤，NMOS的位置不是在那邊，放那邊應該要畫成PMOS比較合適
你说的应该是1:40处。确实你说的没错，不过为了视频方便演示，我也就没改。另外如果一定要用nmos其实也不是不可以。加自举升压电路就行。
@@工科男孙老师频道迁移 配合自舉升壓確實可行耶，不過我從來沒想到過這種玩法，學習了!!
我居然听懂了😁
Hello can you give subtitles in English
说了半天没说IGBT啊，说的是mos管和三极管
IGBT的等效電路是MOSFET + BJT
变频是pwm？
我猜孙老师马上就要到下一 次理发周期了 ： ）
还有一个维度 --> 价格
竟然無視達林頓 差評
主要是控制逻辑的问题。
九十年代， 就可以买到三铃的功率模块。
控制逻辑不好， 就会断路。
为什么MOS要不停的开关，不能一直开着呢
用不停开关可以改变duty cycle,这样就可以调整电机的转速，也可以达到节能的效果。
变频器是真的变频吧？不是开关。因为是tongbudianji
老师，你长头发更酷
一年剪一次，到冬天就又长了
可以請問大家什麼是Tmb嗎？
你怎麼知道我在想什麼 哈哈
❤
比我们老师讲得好
漏电流会很大吧？
是不是变频器的上桥臂用IGBT产生漏电流
一直以为IGBT很高大上，也没去细究……原来原理就是这么简单……
声音有点小
good
mcu控nmos做负载上端不合适。
Gan???
请问是否意味着同样的条件下，IGBT比mos和三极管效率更低？
高壓操作IGBT有優勢，低壓操作MOSFET有優勢
Por favor necesito comprar el k15t60 original. Ayúdenme a conseguirlo.
Estoy en Medellín Colombia
Muchas gracias
三极管ce极不是有0.2V压降么？大电流不是损耗很大？
就是因为大电流，这种固定压降才有优势啊。
世界ＩＧＢＴ領導廠商 健策
特斯拉就是用的碳化硅
我怎麼會把標題看成LGBT?
請參考 ruclips.net/video/ZMRAzdPFJuk/видео.html
這圖畫得好啊! 與產品的實物最接近的圖，一看就懂
第一名 哈~
咋一看我还以为是吴亦凡
原來如此
LGBT是多元性別的簡稱
我还以为是LGBT
LGBT 我也知道，這個在世界上任何地方要是火起來也是相當厲害
巧了，我乍一看标题也以为是LGBT