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GaN的優點不是寄生電容，是因為GaN MOSFET打開沒有PN通道!!另外一個重點也沒講，GaN 開關速率可以到200K以上，比Si MOSFET 快，二次側的電容也可以縮小
200K的方波，高频谐波的功率成分也不小吧？ 有大概的数据吗
1MHz也行， 高頻ZVS Totem pole PFC的產品，業界也已經量產了
我没太听懂，感觉是缺了很多前置知识。充电器为什么是先转成直流再降压，交流不是更好降压吗？还有开关管是150k赫兹？这么高的频率对于降压又起到什么作用？
你从电子学的角度解释了寄生电容对ACDC转换电路的影响。我解释下寄生电容怎么来的，以及为什么氮化镓寄生电容会小，芯片设计类似于PCB分层的，每层的电路都会跟substrate基底形成电容器。所以说寄生电容是跟元器件的面积和所在的层和基底的距离还有每层间填充材料的电介常数有关。硅材料能不能做到更小的寄生电容，也是可以，减小管子的尺寸，那么管子的功耗又会达不到。所以氮化镓的优势从微电子学的角度是，更高功率下管子的所占的面积更小，再加上材料的电介常数优于硅材料同等面积下寄生电容也更小。一般同等大小的氮化镓管子能做到几百瓦，CMOS也就十几瓦
刚想买氮化镓充电器（主要是多口USB的，出行的时候带一个就行）的时候，发现有一些评论说这种充电器比较容易坏，这是为什么？平时买充电器很少担心会坏掉，因为没什么高深的技术含量，几乎也没见见过充电器用一个月就坏的，有的评论甚至说一个月坏掉2个氮化镓充电器，这是材料特性导致的吗？氮化镓的充电器是不是散热太难导致内部元器件寿命严重缩短？
雖然我不是一個科學家 但這視頻解決了我失眠的困擾 聽起來很不錯對吧
喜歡孫老師的講解，不廢話、講重點的同時，難明或者有坑的地方又會展開解釋，非常好的講師，
請問影片下方的進度條怎麼做的?能出一集教學嗎? 謝謝!
為什麼開關頻率高了，就能使用輕薄的變壓器 ？
重點是75w以下不需PFC, 且頻率高有emi問題，不是這麼簡單啦！
所以剛剛拆解時, 外殼都有厚厚的EMI遮蔽
變壓器，需要利用到電磁特性，頻率低，磁粉芯要比較大棵，才能保證磁轉換性效率。頻率越高，磁粉芯可以很細也可以有高效率。舊式50hz變壓器像石頭一樣又大又重，就是因為運作頻率太低。
感谢，终于明白为什么老式电源适配器的变压器绕组和铁芯巨大了。
补足了我的疑惑。
深入浅出讲道理！请老师讲一下手机快速充电的原理以及快充对电池的利弊。
自从GaN火起来之后，我就一直很好奇为什么一个新材料的引入就能缩小充电器体积，今天算是初步解惑了~
智商
你才知道？呵呵
@@叼爱国术士 ？？？我不知道你在呵呵啥？知道得早就很有优越感？你早参透了原理也没见你做个视频发来给大家科普一下呢???搞的好像你发明的一样…欠你一个诺贝尔奖呗？mdzz…
@@UCan927 知道了为什么告你 你是什么
@@UCan927 你理这种喷子干啥。。你看看他那弱智的昵称就明白了。兄台，淡定，你还需要在网络上多修炼呀，哈哈。
不也是因爲內電阻較低 效率高 發熱小 所以整體可以塞進更小的空間嗎？ 大學老師教過....
理論搭配實體拆解，講得很清楚，感謝您的分享!
讲解得非常好，谢谢～
請問，開關的頻率變高的話，鐵粉芯的磁損不就更大了嗎？因為現實的磁性材料都一定存在磁化、反磁化時的滯後現象。
把复杂的问题讲的简单易懂，牛！
应该是方波的斜率越大，感生电动势越大，而不是频率越大，感生电动势越大．当然频率大了，不可避免地，方波斜率也要变陡．
非常謝謝孫老師的視頻，令我得益良多，希望孫老師能有多些視頻給我們學習!
簡單來說就是提高切換頻率就能使用Ae較小的變壓器(體積也較小)但我認為現在GaN根本就是炒作，一顆MOS賣的價格是同電流Si MOS的好幾倍，加上driver線路也要改，而且GaN對於熱的耐受性比較差(大概90度就死了，Si大概110度還撐得住)
請問，為何切換頻率高，變壓器就能縮小呢？請求指點~
B=(L*i)/(N*Ae) f增加時固定相同設計條件則L可下降, 因此Ae縮小鐵芯縮小, 同時planer transformer才是充電頭縮小的關鍵
無意中發現這個頻道,好正👍👍👍
老師您好，請問是否能講解一下定電流二極體CRD電路設計呢?此部分跟以前所學相差甚遠，希望能指教，感謝萬分
开关频率高，为啥变压器就可以做薄呢？没理解
其實在80W以下，用GaN 的mos 效率並不是最好的，而是SJMOS 就可以了，真正讓充電器變小的原因是ZVS的技術，並且能減少功耗
ACF Flyback 這個topology + GaN應該是目前最佳解惹@@
还是有噱头才能卖。要是硅的充电器卖个100多谁会买？MOS用ZVS效率一样非常高也能1M以上开关频率。反而Hard Switching时GaN的优势才明显。
@@johnyang799 Hard switching 要100w以上的產品了吧？噱頭這點是對的，畢竟零售市場要有行銷價值，現在消費者已經認為GaN 的充電器才是最好的
@@ong55663 其实就是骗了一堆人。
聽不很懂 願聞其詳
请问，把现有的110V市电交流，变成不超过150V， 不少于100V的直流， 大家有什么推荐吗？要追求转换效率，是按照这个模式直接再次ＤＣ转ＤＣ，但是输出很高的电压吗？ 大部分应用没有这种需求， 所以找不到这种产品！
学习了，小小的寄生电容影响这么大！任何产品向极致进化，就是解决这些一个个的“小”问题的过程！
究竟氮化镓实使几高频？频率高减少滤波电容值，但干扰附近电器会更强。每一视频能否多些数据？
孙老师的视频做的很精良，条理清楚，由浅入深，感谢像您这样的内容创作者。
GaN 开关频率高可不光是因为寄生电容比MOS管小。 首先，GaN HEMT是通过自换相来完成反向导通，没有类似MOSFET那样的体二极管。没有体二极管就意味着没有二极管的反向恢复，没有Qrr，这就使得GaN HEMT非常适合半桥硬开关。GaN的零反向恢复还可以实现新的高效拓扑结构，如连续型无桥式图腾柱PFC，这是传统硅器件所不能做到的。其次，没有体二极管也意味着没有体二极管刚导通时的噪声。这样EMI设计变得相对容易，性能也会更好。
2DEG的Mobility高會不會也是一個好處 sheet resistance小
看了一些高手的回复，我想说的是我觉得这个视频的意义在于简单通俗的让我们这种小白明白一个原理，而不是一堆专业术语变成高手之间的讨论。
你看不懂可以不看啊哈哈哈。专业人士讨论专业人士的，小白可以不参与。
可以讲解一下迷你点焊机么。通常会有4～6颗mos管。对应的电流最高1200～1800A。（航模电池,汽车启动电源,汽车电瓶等供电；或者2颗[2.7V, 3000F]的大电容供电；另外不能使用开关电源供电）。
原理很简单，就是短路大电流，MOS管用于精确控制放电时间，电源要有足够的放电能力。
我也是电力电子工程师，孙老师说的很简单易懂
10M錶夠測嗎？
請問，切換頻率提高之後 emi 的問題怎麼辦？
孫老師 新年快樂 ^ω^
不是很清楚，直接跳到频率越高就越小就可以选用轻薄行变压器，为什么？
牛b 中国需要多点像你这样的人才。
講解的非常好，非常清楚，寓教於樂。
雖然也是工科男... 聽不太懂但只能給推!@@ 讚啦
你这个拆解真的很愉快！
up说的通俗易懂，希望越做越好！
構造/原理都講解得很清楚~增加了不少知識
简单明了没有多余的废话，不错的视频，关注了
如果能说一下氮化镓管、mos管、大变压器、小变压器的价格差别，进行成本分析比较就更好了。解释了体积，但并没有解释价格。我3年前买的笔记本配的变压器已经比我10年前买的老笔记本变压器小2/3了，氮不氮化镓我觉得完全是个寂寞。
你为什么要转移频道？
可以请孙老师展开讲一下高开关频率为什么可以用更轻薄的变压器吗？
應該是電感量di/dt 斜率越大 線圈導線需要的管徑,匝數越少.
视频中有短暂出现一个磁电转换公式。频率越高场变越快，同匝数线圈产生电压越高，所以可以减小线圈体积也就是减少匝数。
可以用更小的电感值就能达到相同的开关频率衰减 所以更小。
變壓器本質是一個電感，而電感的作功與(頻率x電感值)成正比，所以兩個作功相同的變壓器，頻率高就電感值低(體積小)、頻率低就電感值高(體積大)。
视频中的充电电路为反激式变换器，特点为开关导通时整流后的直流电压加在变压器上，变压器中蓄积能量，开关管关断时将变压器中蓄积的能量释放到次级负载端。这样一开一关地将输入电能片段式地传导给充电负载。频率越高意味着开关导通断开的时间越短，变压器中需要储存的能量片段越小，这样也意味着变压器需要的磁芯尺寸越小以及需要的绕线匝数更少。于是变压器就变小了……
解释得非常好！
哈哈哈，我就是一个开关电源研发工程师，氮化镓和碳化硅都用很多。。。
提个建议，视频可以用RUclips的章节功能，直接在视频下边显示章节太突兀了
主要还是单位面积下Rdson更小咯，所以同样的开关电阻，寄生电容更小，而且因为不是同步的AC-DC，其实dead zone的导通电流应该是没有的。。。。
我有個問題 你能否解答？？ 為啥麼所有的充電器 都聽到電流聲 嘰嘰嘰嘰 那是怎麼回事？？？？？？？ 有電流聲 安全嘛？？？？？？
3:16请问孙老师，为什么不直接将220V, 50Hz的输入交流电直接通过变压器变压？为什么要“多此一举”地先整流滤波成直流电，然后再通过晶体管的周期性导通变成方波后，再通过变压器变压？
頻率問題，不是不行，而是變壓器超大一個，大概會比吃飯的碗公大，成本太貴、又重，沒人要買。只有超高級對雜訊極為敏感的音響，才會使用
超喜歡我是MPS上班的員工, 現在正在買NVTS股票, 你講的內容都是我愛的甚至我也在公司推廣你的視頻
NVTS的產品未來市場有那麼大嗎？畢竟第三代半導體其實市場不大，而且GaN 的應用在電動車上也比SiC少，GaN 在射頻元件上的應用才是最大的吧，但是Navitas 並沒有這類產品，不知道您的看法是什麼？
@@ong55663 我們主要講的是type-c adaptor的產品關於Navitas這家公司後續看好.目前市場上主要品牌廠都往GaN上面做設計要縮小化尺寸.大系統上車電或是其他應用會是wolfspeed或是TI或是其他家都有產品可以cover.剛好你的影片是做充電器就會看到是Navitas, 他同步SR也主力會用MPS產品提高效率.一年NB shipment大致為200Mu, 可以看到現在用type-c +GaN可能不到10%,所以這個未來有很大淺力成長上去. pure type-c就至少45-55%.只看NB adaptor的話NVTS目前是是占第一
@@lininray 這部分我知道，只是這個領域的競爭者也很多，PI跟Innoscience也都有推出一樣的產品，英飛凌義法半導體也有相關產品設計，甚至蘋果最新140w的GaN 充電器也是用GaN system的產品，如果公司產品只能用在這上面，未來市場有點侷限，另一點是NVTS的流通股數太多了
现在市面上的全是Navitas的吧
@@ong55663 Navitas方案集成度高价格低廉 就这一个其他方案就很难对抗。GaN在消费市级场的最大意义就是噱头。 Epc什么的也不错但是不是在消费级市场的。
请问大电容C1在这里有泵升变压器一次侧电压的作用吗？
coss那个差距不是这样算的，不应该用减法，用除法算的话就会发现氮化镓的coss只有普通mos的15%，这差距还是非常明显的
如果，再加上IGBT和MOS一起讲解下PWM电路就更好了
好棒，找了好多文章，終於清楚知道為何可以做的小，但是為何可以充的快呢？能否簡單說明一下
你應該是指手機的部分，主要是充電器瓦數變高了，手機本身的充電電路也要配合改，早期手機附的充電器是 5W、10W，電壓5V，充電電流只有 1A~2A，現在手機PD/QC 充電器可以到 30W 65 W 或更高，充電電壓 提高到 20V，電流也能到 3A 或更高，充電速度當然可以變快，但手機本身的充電電路也要配合，如果新的充電器拿去充舊手機，速度也不能提升多少，因為還是會用 5V 充電
但是没有讲两种变压器的原理和区别以及为什么高频开关可以使用小体积的变压器
非常喜歡老師的影片，可以請孫老師介紹如何將LED 燈 從220V 供電改為110V 供電嗎
買全電壓的就可以
老师，可以评测下dc-atx的模块哪个好吗？
講得非常好非常清楚！ 謝謝！
文科男只想知道应该怎么买😅
為什麼不是先變壓在濾波整流 橋式過後變成脈動直流後還可以變壓嗎
可以，buck converter
謝謝你的科普 受益良多
感觉图片用了很多是倍思的
话延一题；开关管最大输出功率与自身功耗比最高物，应属电动力机车了吧？NYC用可控硅153年！
然而频率高了磁损指数倍增加，效率不增反降，再加上大幅度缩小体积，散热性能变差，所以无一例外的氮化镓都是高热和不稳定和贵的代名词，类似小米120w氮化镓，一边宣称比苹果96w体积小功率大，结果呢？苹果96w能连续稳定96w输出，小米120w氮化镓只能连续45w输出，连65w输出都抗不到半小时就过热保护降档45w，体积却比小米自家65w+连续稳定65W的普通MOS充电器大得多。
体积 发热 功率 这三个就是取舍的东西。要了小体积和大功率自然 发热发热这个优势就没有了。
而且现在GaN的方案用的GaN管的效率也没有很高 都是集成的方案 实际上Rdson也要大几十mohm。分立的GaN可以到个位数。
这个拆解的至少还用了平板变压器，磁损和寄生性能应该好一点。但是厂家的方案一般只有电路图，优化switching cell和搞好热管理对于想赚快钱的行业来说不太可能。
耐用度哪個好?淘寶賣的氮化镓質量希望有出評測
这一百几十个pF相对量是多少？
直接整流->PWM开关降压不就好了，为什么还要变压器？体积这么大
厉害 啊，虽然没怎么听明白，但是感觉很厉害的样子。哈哈
有个小bug：氮化镓也是mos管，只是使用了氮化镓材料以获得性能提升
栅极材料引入氮化镓是不对的。AlGaN/GaN两层堆叠形成导电沟道，栅极一般是金属
AlGaN/GaN因極化差形成channel 跟Si MOS裡的inversion layer不一樣
GaN器件工作温度理论上可以很高，因此在结构设计上对散热要求也会降低。
真正的重点，一个都没解释出来！！！ 为什么换了氮化镓管就可以用小的寄生电容？
感覺還是沒說清楚啊 只說了體積的問題 沒說為什麼充電可以這麼快 另外如果是因為功率大就快的話 為什麼不把功率再做的更大一些 比如做個300W
推到300W的話散熱會是大難題，或許以後可以看到用熱管或是均熱板的電源了
孙老师你怎么不拆核电站？
這個科普很細，講到最基本的原理
讲解的生动形象 深入浅出，刷新了对大学学过的 模拟 数字两本书（康华光/童诗白）的认知。希望继续看到更新视频
他说的里面不太对
为什么开关快，变压器可以做小。滤波电容未来会不会变小
价格问题。目前可以做小
你讲了好多……我还是一头雾水，赞是一定的
感谢孙老师科普模电知识
請問一下氮化鎵管的英文是什麼呢，是指氮化鎵做成的MOS嗎
GaNfet ，mos是mosfet的简称。
@@工科男孙老师频道迁移 請教老師，一般說GaNfet指的是HEMT嗎？ 感謝🙏
@@chia-hengsun7381 看一下每个字母的定义。HEMT 是 High Electron Mobility Transistor. SiC和以后AlN 甚至 Diamond 都应该算作HEMT。 现在的GaN是在Si上堆GaN。epc有视频解释。
看这个ruclips.net/video/QivKAyS2sEM/видео.html
频率不高只是散热的考量吗？
我可以更简单的说出原理：因为氮化镓做的开关管可以达到更高的频率，而电源频率越高，变压器效率越高，所以可以把变压器缩小，主要是这缩小的体积。氮化镓是普通开关管10倍的频率。
確定只有效率？效率再差一點怎麼不做到更小，主要原因並非變壓器效率
我看了5次, 想給5個好評。越簡潔越考功夫。
谢谢你的高度评价
请点那个大拇指奇数次，不要点偶数次。其中的原理可以问孙老师。😄
为何我之前的关注订阅莫名其妙就给取消啦？
变压器只能变压 不能整流吧？？
讲的太清楚了！我之前买过一个GaN的充电器，但是发热也很严重，这是不是说明GaN的开关管也有效率很差的？这种充电器主要的热源就是开关管吗？
体积缩小了 发热自然优势就没有那么大了。还有就是能大面积商用的方案肯定是价格相对低廉的也就是真正开关管性能没有特别好。其实也就是和比较好的硅mos管性能差不多。但GaN有噱头。目前主要优势其实是ZVS带来的并不是GaN。
每一家設計GaN充電器所採用的控制器方案都不同，一般來說使用外商的控制器比較容易把效率做高，效率高損失較小，自然比較不會發熱，當然體積做大一點增加散熱面積也是一個辦法。
@@tonylai3394 不都是Navitas的？
@@johnyang799 國外：MPS ,TI ,PI , Onsemi等等都很優秀，若是消費者可以選大品牌的充電器，比較有保障，一般充電器長時間熱機溫度在95度以下都算安全
@@tonylai3394 那些方案贵得很 我看到的手机充电器好像都是Navitas的。
还有一个重要指标，就是导通电阻。
谢谢孙老师，简单易懂。想知道氮化镓还能应用于充电器以外的电路吗？还是说氮化镓就是为了这个目的才诞生的？
比如用于大功率 Totem Pole PFC 电路
每個電器都有電源電路，電源電路裡面最重要的就是那顆開關元件 mosFET，以前傳統是用硅（台灣叫矽）製造出來的，氮化鎵出現後改用氮化鎵製造出來不過通常都會依照晶片數據來設計專用的電路，直接把硅晶片換成氮化鎵晶片是行不通的，所以傳統電源跟氮化鎵電源就差在那顆電源晶片而已
任何需要高速開關的場合 不差錢都可以用氮化鎵 例如射頻電路
看你对于充电器的定义是什么。功率器件其实也就是在供电电路上。充电器本身也就是一个供电电路。具体就电脑电源，服务器电源，class D放大器。
CPU ， 内存附近就有大量的 MOS 管不差钱可以换成氮化镓管
谢谢知识分享
工科男整的像艺术男一样
何不把壞掉充電器修一修
看到很多充电宝是66w 67w 估计也是氮化镓
氮化镓的缺點跟傳統的比有什麼呢?除非商品會比較貴之外還有嗎?壽命上會有明顯差距嗎?充電速度上?還是只是商人噱錢的方式之一XD
氮化镓能实现快充，同时在功率相同的情况下大幅减少充电头体积。总而言之就是使用更方便。
傳統的也能快充... 但體積縮小才是重點
應用於氮化鎵（GaN）技術的充電器，大致上具有下述幾項優勢：體積更小、重量更輕、非常方便攜帶 良好的導熱性，散熱效果較佳良好的導電性，在高電壓、高電流上，能降低導通損耗中間能源耗損小，充電效率高
也就是GaN对 DC-DC 转换没有帮芝嘛
有个问题，为什么不是先变压再经过整流桥变成直流电呢？是因为这样损耗比较大么？
那样的话变压器要很大，有好几斤重
相同功率的时候电压低电流就会大 电流越大损耗越高。
@@johnyang799 明白了
市电是50Hz, MOS管是 150K HZ...
什麼是coss
我個人的想法:東西火起來賣的多=廠商賺錢說是新科技價格高=廠商賺錢體積縮小散熱變差=廠商賺錢😂
所以为什么不做多个 MOS 轮流开关呢？
成本 并且功率要求还有对供电平稳度没有特别高 主板这种电流巨大并且对电压平滑度要求高的地方就会多个开关了。
電源大廠台達電的Innergie 65U不用GaN就能做到跟GaN一樣的體機
![I.N "HALLUCINATION" | [Stray Kids : SKZ-PLAYER]](http://i.ytimg.com/vi/n5B5q1Hwt_U/mqdefault.jpg)
GaN的優點不是寄生電容，是因為GaN MOSFET打開沒有PN通道!!
另外一個重點也沒講，GaN 開關速率可以到200K以上，比Si MOSFET 快，二次側的電容也可以縮小
200K的方波，高频谐波的功率成分也不小吧？ 有大概的数据吗
1MHz也行， 高頻ZVS Totem pole PFC的產品，業界也已經量產了
我没太听懂，感觉是缺了很多前置知识。充电器为什么是先转成直流再降压，交流不是更好降压吗？还有开关管是150k赫兹？这么高的频率对于降压又起到什么作用？
你从电子学的角度解释了寄生电容对ACDC转换电路的影响。我解释下寄生电容怎么来的，以及为什么氮化镓寄生电容会小，芯片设计类似于PCB分层的，每层的电路都会跟substrate基底形成电容器。所以说寄生电容是跟元器件的面积和所在的层和基底的距离还有每层间填充材料的电介常数有关。硅材料能不能做到更小的寄生电容，也是可以，减小管子的尺寸，那么管子的功耗又会达不到。所以氮化镓的优势从微电子学的角度是，更高功率下管子的所占的面积更小，再加上材料的电介常数优于硅材料同等面积下寄生电容也更小。一般同等大小的氮化镓管子能做到几百瓦，CMOS也就十几瓦
刚想买氮化镓充电器（主要是多口USB的，出行的时候带一个就行）的时候，发现有一些评论说这种充电器比较容易坏，这是为什么？平时买充电器很少担心会坏掉，因为没什么高深的技术含量，几乎也没见见过充电器用一个月就坏的，有的评论甚至说一个月坏掉2个氮化镓充电器，这是材料特性导致的吗？
氮化镓的充电器是不是散热太难导致内部元器件寿命严重缩短？
雖然我不是一個科學家 但這視頻解決了我失眠的困擾 聽起來很不錯對吧
喜歡孫老師的講解，不廢話、講重點的同時，難明或者有坑的地方又會展開解釋，非常好的講師，
請問影片下方的進度條怎麼做的?能出一集教學嗎? 謝謝!
為什麼開關頻率高了，就能使用輕薄的變壓器 ？
重點是75w以下不需PFC, 且頻率高有emi問題，不是這麼簡單啦！
所以剛剛拆解時, 外殼都有厚厚的EMI遮蔽
變壓器，需要利用到電磁特性，頻率低，磁粉芯要比較大棵，才能保證磁轉換性效率。頻率越高，磁粉芯可以很細也可以有高效率。舊式50hz變壓器像石頭一樣又大又重，就是因為運作頻率太低。
感谢，终于明白为什么老式电源适配器的变压器绕组和铁芯巨大了。
补足了我的疑惑。
深入浅出讲道理！请老师讲一下手机快速充电的原理以及快充对电池的利弊。
自从GaN火起来之后，我就一直很好奇为什么一个新材料的引入就能缩小充电器体积，今天算是初步解惑了~
智商
你才知道？呵呵
@@叼爱国术士 ？？？
我不知道你在呵呵啥？知道得早就很有优越感？你早参透了原理也没见你做个视频发来给大家科普一下呢???
搞的好像你发明的一样…欠你一个诺贝尔奖呗？mdzz…
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@@UCan927 你理这种喷子干啥。。你看看他那弱智的昵称就明白了。兄台，淡定，你还需要在网络上多修炼呀，哈哈。
不也是因爲內電阻較低 效率高 發熱小 所以整體可以塞進更小的空間嗎？ 大學老師教過....
理論搭配實體拆解，講得很清楚，感謝您的分享!
讲解得非常好，谢谢～
請問，開關的頻率變高的話，鐵粉芯的磁損不就更大了嗎？因為現實的磁性材料都一定存在磁化、反磁化時的滯後現象。
把复杂的问题讲的简单易懂，牛！
应该是方波的斜率越大，感生电动势越大，而不是频率越大，感生电动势越大．当然频率大了，不可避免地，方波斜率也要变陡．
非常謝謝孫老師的視頻，令我得益良多，希望孫老師能有多些視頻給我們學習!
簡單來說就是提高切換頻率就能使用Ae較小的變壓器(體積也較小)
但我認為現在GaN根本就是炒作，一顆MOS賣的價格是同電流Si MOS的好幾倍，加上driver線路也要改，而且GaN對於熱的耐受性比較差(大概90度就死了，Si大概110度還撐得住)
請問，為何切換頻率高，變壓器就能縮小呢？請求指點~
B=(L*i)/(N*Ae) f增加時固定相同設計條件則L可下降, 因此Ae縮小鐵芯縮小, 同時planer transformer才是充電頭縮小的關鍵
無意中發現這個頻道,好正👍👍👍
老師您好，請問是否能講解一下定電流二極體CRD電路設計呢?
此部分跟以前所學相差甚遠，希望能指教，感謝萬分
开关频率高，为啥变压器就可以做薄呢？没理解
其實在80W以下，用GaN 的mos 效率並不是最好的，而是SJMOS 就可以了，真正讓充電器變小的原因是ZVS的技術，並且能減少功耗
ACF Flyback 這個topology + GaN應該是目前最佳解惹@@
还是有噱头才能卖。要是硅的充电器卖个100多谁会买？MOS用ZVS效率一样非常高也能1M以上开关频率。反而Hard Switching时GaN的优势才明显。
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请问，把现有的110V市电交流，变成不超过150V， 不少于100V的直流， 大家有什么推荐吗？要追求转换效率，是按照这个模式直接再次ＤＣ转ＤＣ，但是输出很高的电压吗？ 大部分应用没有这种需求， 所以找不到这种产品！
学习了，小小的寄生电容影响这么大！任何产品向极致进化，就是解决这些一个个的“小”问题的过程！
究竟氮化镓实使几高频？
频率高减少滤波电容值，
但干扰附近电器会更强。
每一视频能否多些数据？
孙老师的视频做的很精良，条理清楚，由浅入深，感谢像您这样的内容创作者。
GaN 开关频率高可不光是因为寄生电容比MOS管小。 首先，GaN HEMT是通过自换相来完成反向导通，没有类似MOSFET那样的体二极管。没有体二极管就意味着没有二极管的反向恢复，没有Qrr，这就使得GaN HEMT非常适合半桥硬开关。GaN的零反向恢复还可以实现新的高效拓扑结构，如连续型无桥式图腾柱PFC，这是传统硅器件所不能做到的。
其次，没有体二极管也意味着没有体二极管刚导通时的噪声。这样EMI设计变得相对容易，性能也会更好。
2DEG的Mobility高會不會也是一個好處 sheet resistance小
看了一些高手的回复，我想说的是我觉得这个视频的意义在于简单通俗的让我们这种小白明白一个原理，而不是一堆专业术语变成高手之间的讨论。
你看不懂可以不看啊哈哈哈。专业人士讨论专业人士的，小白可以不参与。
可以讲解一下迷你点焊机么。通常会有4～6颗mos管。对应的电流最高1200～1800A。
（航模电池,汽车启动电源,汽车电瓶等供电；或者2颗[2.7V, 3000F]的大电容供电；另外不能使用开关电源供电）。
原理很简单，就是短路大电流，MOS管用于精确控制放电时间，电源要有足够的放电能力。
我也是电力电子工程师，孙老师说的很简单易懂
10M錶夠測嗎？
請問，切換頻率提高之後 emi 的問題怎麼辦？
孫老師 新年快樂 ^ω^
不是很清楚，直接跳到频率越高就越小就可以选用轻薄行变压器，为什么？
牛b 中国需要多点像你这样的人才。
講解的非常好，非常清楚，寓教於樂。
雖然也是工科男... 聽不太懂但只能給推!@@ 讚啦
你这个拆解真的很愉快！
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構造/原理都講解得很清楚~增加了不少知識
简单明了没有多余的废话，不错的视频，关注了
如果能说一下氮化镓管、mos管、大变压器、小变压器的价格差别，进行成本分析比较就更好了。解释了体积，但并没有解释价格。我3年前买的笔记本配的变压器已经比我10年前买的老笔记本变压器小2/3了，氮不氮化镓我觉得完全是个寂寞。
你为什么要转移频道？
可以请孙老师展开讲一下高开关频率为什么可以用更轻薄的变压器吗？
應該是電感量di/dt 斜率越大 線圈導線需要的管徑,匝數越少.
视频中有短暂出现一个磁电转换公式。频率越高场变越快，同匝数线圈产生电压越高，所以可以减小线圈体积也就是减少匝数。
可以用更小的电感值就能达到相同的开关频率衰减 所以更小。
變壓器本質是一個電感，而電感的作功與(頻率x電感值)成正比，所以兩個作功相同的變壓器，頻率高就電感值低(體積小)、頻率低就電感值高(體積大)。
视频中的充电电路为反激式变换器，特点为开关导通时整流后的直流电压加在变压器上，变压器中蓄积能量，开关管关断时将变压器中蓄积的能量释放到次级负载端。这样一开一关地将输入电能片段式地传导给充电负载。频率越高意味着开关导通断开的时间越短，变压器中需要储存的能量片段越小，这样也意味着变压器需要的磁芯尺寸越小以及需要的绕线匝数更少。于是变压器就变小了……
解释得非常好！
哈哈哈，我就是一个开关电源研发工程师，氮化镓和碳化硅都用很多。。。
提个建议，视频可以用RUclips的章节功能，直接在视频下边显示章节太突兀了
主要还是单位面积下Rdson更小咯，所以同样的开关电阻，寄生电容更小，而且因为不是同步的AC-DC，其实dead zone的导通电流应该是没有的。。。。
我有個問題 你能否解答？？
為啥麼所有的充電器 都聽到電流聲 嘰嘰嘰嘰 那是怎麼回事？？？？？？？
有電流聲 安全嘛？？？？？？
3:16
请问孙老师，为什么不直接将220V, 50Hz的输入交流电直接通过变压器变压？为什么要“多此一举”地先整流滤波成直流电，然后再通过晶体管的周期性导通变成方波后，再通过变压器变压？
頻率問題，不是不行，而是變壓器超大一個，大概會比吃飯的碗公大，成本太貴、又重，沒人要買。
只有超高級對雜訊極為敏感的音響，才會使用
超喜歡我是MPS上班的員工, 現在正在買NVTS股票, 你講的內容都是我愛的甚至我也在公司推廣你的視頻
NVTS的產品未來市場有那麼大嗎？畢竟第三代半導體其實市場不大，而且GaN 的應用在電動車上也比SiC少，GaN 在射頻元件上的應用才是最大的吧，但是Navitas 並沒有這類產品，不知道您的看法是什麼？
@@ong55663 我們主要講的是type-c adaptor的產品關於Navitas這家公司後續看好.目前市場上主要品牌廠都往GaN上面做設計要縮小化尺寸.大系統上車電或是其他應用會是wolfspeed或是TI或是其他家都有產品可以cover.剛好你的影片是做充電器就會看到是Navitas, 他同步SR也主力會用MPS產品提高效率.一年NB shipment大致為200Mu, 可以看到現在用type-c +GaN可能不到10%,所以這個未來有很大淺力成長上去. pure type-c就至少45-55%.
只看NB adaptor的話NVTS目前是是占第一
@@lininray 這部分我知道，只是這個領域的競爭者也很多，PI跟Innoscience也都有推出一樣的產品，英飛凌義法半導體也有相關產品設計，甚至蘋果最新140w的GaN 充電器也是用GaN system的產品，如果公司產品只能用在這上面，未來市場有點侷限，另一點是NVTS的流通股數太多了
现在市面上的全是Navitas的吧
@@ong55663 Navitas方案集成度高价格低廉 就这一个其他方案就很难对抗。GaN在消费市级场的最大意义就是噱头。 Epc什么的也不错但是不是在消费级市场的。
请问大电容C1在这里有泵升变压器一次侧电压的作用吗？
coss那个差距不是这样算的，不应该用减法，用除法算的话就会发现氮化镓的coss只有普通mos的15%，这差距还是非常明显的
如果，再加上IGBT和MOS一起讲解下PWM电路就更好了
好棒，找了好多文章，終於清楚知道為何可以做的小，但是為何可以充的快呢？能否簡單說明一下
你應該是指手機的部分，主要是充電器瓦數變高了，手機本身的充電電路也要配合改，早期手機附的充電器是 5W、10W，電壓5V，充電電流只有 1A~2A，現在手機PD/QC 充電器可以到 30W 65 W 或更高，充電電壓 提高到 20V，電流也能到 3A 或更高，充電速度當然可以變快，但手機本身的充電電路也要配合，如果新的充電器拿去充舊手機，速度也不能提升多少，因為還是會用 5V 充電
但是没有讲两种变压器的原理和区别以及为什么高频开关可以使用小体积的变压器
非常喜歡老師的影片，可以請孫老師介紹如何將LED 燈 從220V 供電改為110V 供電嗎
買全電壓的就可以
老师，可以评测下dc-atx的模块哪个好吗？
講得非常好非常清楚！ 謝謝！
文科男只想知道应该怎么买😅
為什麼不是先變壓在濾波整流 橋式過後變成脈動直流後還可以變壓嗎
可以，buck converter
謝謝你的科普 受益良多
感觉图片用了很多是倍思的
话延一题；
开关管最大输出功率
与自身功耗比最高物，
应属电动力机车了吧？
NYC用可控硅153年！
然而频率高了磁损指数倍增加，效率不增反降，再加上大幅度缩小体积，散热性能变差，所以无一例外的氮化镓都是高热和不稳定和贵的代名词，类似小米120w氮化镓，一边宣称比苹果96w体积小功率大，结果呢？苹果96w能连续稳定96w输出，小米120w氮化镓只能连续45w输出，连65w输出都抗不到半小时就过热保护降档45w，体积却比小米自家65w+连续稳定65W的普通MOS充电器大得多。
体积 发热 功率 这三个就是取舍的东西。要了小体积和大功率自然 发热发热这个优势就没有了。
而且现在GaN的方案用的GaN管的效率也没有很高 都是集成的方案 实际上Rdson也要大几十mohm。分立的GaN可以到个位数。
这个拆解的至少还用了平板变压器，磁损和寄生性能应该好一点。但是厂家的方案一般只有电路图，优化switching cell和搞好热管理对于想赚快钱的行业来说不太可能。
耐用度哪個好?淘寶賣的氮化镓質量希望有出評測
这一百几十个pF相对量是多少？
直接整流->PWM开关降压不就好了，为什么还要变压器？体积这么大
厉害 啊，虽然没怎么听明白，但是感觉很厉害的样子。哈哈
有个小bug：氮化镓也是mos管，只是使用了氮化镓材料以获得性能提升
栅极材料引入氮化镓是不对的。AlGaN/GaN两层堆叠形成导电沟道，栅极一般是金属
AlGaN/GaN因極化差形成channel 跟Si MOS裡的inversion layer不一樣
GaN器件工作温度理论上可以很高，因此在结构设计上对散热要求也会降低。
真正的重点，一个都没解释出来！！！ 为什么换了氮化镓管就可以用小的寄生电容？
感覺還是沒說清楚啊 只說了體積的問題 沒說為什麼充電可以這麼快 另外如果是因為功率大就快的話 為什麼不把功率再做的更大一些 比如做個300W
推到300W的話散熱會是大難題，或許以後可以看到用熱管或是均熱板的電源了
孙老师你怎么不拆核电站？
這個科普很細，講到最基本的原理
讲解的生动形象 深入浅出，刷新了对大学学过的 模拟 数字两本书（康华光/童诗白）的认知。希望继续看到更新视频
他说的里面不太对
为什么开关快，变压器可以做小。滤波电容未来会不会变小
价格问题。目前可以做小
你讲了好多……我还是一头雾水，赞是一定的
感谢孙老师科普模电知识
請問一下氮化鎵管的英文是什麼呢，是指氮化鎵做成的MOS嗎
GaNfet ，mos是mosfet的简称。
@@工科男孙老师频道迁移 請教老師，一般說GaNfet指的是HEMT嗎？ 感謝🙏
@@chia-hengsun7381 看一下每个字母的定义。HEMT 是 High Electron Mobility Transistor. SiC和以后AlN 甚至 Diamond 都应该算作HEMT。 现在的GaN是在Si上堆GaN。epc有视频解释。
看这个ruclips.net/video/QivKAyS2sEM/видео.html
频率不高只是散热的考量吗？
我可以更简单的说出原理：因为氮化镓做的开关管可以达到更高的频率，而电源频率越高，变压器效率越高，所以可以把变压器缩小，主要是这缩小的体积。氮化镓是普通开关管10倍的频率。
確定只有效率？效率再差一點怎麼不做到更小，主要原因並非變壓器效率
我看了5次, 想給5個好評。越簡潔越考功夫。
谢谢你的高度评价
请点那个大拇指奇数次，不要点偶数次。其中的原理可以问孙老师。😄
为何我之前的关注订阅莫名其妙就给取消啦？
变压器只能变压 不能整流吧？？
讲的太清楚了！我之前买过一个GaN的充电器，但是发热也很严重，这是不是说明GaN的开关管也有效率很差的？这种充电器主要的热源就是开关管吗？
体积缩小了 发热自然优势就没有那么大了。还有就是能大面积商用的方案肯定是价格相对低廉的也就是真正开关管性能没有特别好。其实也就是和比较好的硅mos管性能差不多。但GaN有噱头。目前主要优势其实是ZVS带来的并不是GaN。
每一家設計GaN充電器所採用的控制器方案都不同，一般來說使用外商的控制器比較容易把效率做高，效率高損失較小，自然比較不會發熱，當然體積做大一點增加散熱面積也是一個辦法。
@@tonylai3394 不都是Navitas的？
@@johnyang799 國外：MPS ,TI ,PI , Onsemi等等都很優秀，若是消費者可以選大品牌的充電器，比較有保障，一般充電器長時間熱機溫度在95度以下都算安全
@@tonylai3394 那些方案贵得很 我看到的手机充电器好像都是Navitas的。
还有一个重要指标，就是导通电阻。
谢谢孙老师，简单易懂。想知道氮化镓还能应用于充电器以外的电路吗？还是说氮化镓就是为了这个目的才诞生的？
比如用于大功率 Totem Pole PFC 电路
每個電器都有電源電路，電源電路裡面最重要的就是那顆開關元件 mosFET，以前傳統是用硅（台灣叫矽）製造出來的，氮化鎵出現後改用氮化鎵製造出來不過通常都會依照晶片數據來設計專用的電路，直接把硅晶片換成氮化鎵晶片是行不通的，所以傳統電源跟氮化鎵電源就差在那顆電源晶片而已
任何需要高速開關的場合 不差錢都可以用氮化鎵 例如射頻電路
看你对于充电器的定义是什么。功率器件其实也就是在供电电路上。充电器本身也就是一个供电电路。具体就电脑电源，服务器电源，class D放大器。
CPU ， 内存附近就有大量的 MOS 管
不差钱可以换成氮化镓管
谢谢知识分享
工科男整的像艺术男一样
何不把壞掉充電器修一修
看到很多充电宝是66w 67w 估计也是氮化镓
氮化镓的缺點跟傳統的比有什麼呢?
除非商品會比較貴之外還有嗎?
壽命上會有明顯差距嗎?
充電速度上?
還是只是商人噱錢的方式之一XD
氮化镓能实现快充，同时在功率相同的情况下大幅减少充电头体积。总而言之就是使用更方便。
傳統的也能快充... 但體積縮小才是重點
應用於氮化鎵（GaN）技術的充電器，大致上具有下述幾項優勢：
體積更小、重量更輕、非常方便攜帶
良好的導熱性，散熱效果較佳
良好的導電性，在高電壓、高電流上，能降低導通損耗
中間能源耗損小，充電效率高
也就是GaN对 DC-DC 转换没有帮芝嘛
有个问题，为什么不是先变压再经过整流桥变成直流电呢？是因为这样损耗比较大么？
那样的话变压器要很大，有好几斤重
相同功率的时候电压低电流就会大 电流越大损耗越高。
@@johnyang799 明白了
市电是50Hz, MOS管是 150K HZ...
什麼是coss
我個人的想法:
東西火起來賣的多=廠商賺錢
說是新科技價格高=廠商賺錢
體積縮小散熱變差=廠商賺錢
😂
所以为什么不做多个 MOS 轮流开关呢？
成本 并且功率要求还有对供电平稳度没有特别高 主板这种电流巨大并且对电压平滑度要求高的地方就会多个开关了。
電源大廠台達電的Innergie 65U不用GaN就能做到跟GaN一樣的體機