SiCウェーハはどうやって作られる？
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- Опубликовано: 22 авг 2024
- SiCウェーハはどうやって作られる？SiCウェーハは半透明の緑色
Siウェーハとの違い
訂正
3:47 ここはガスで成長させる場合です。すみません。ご指摘ありがとうございました。
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【SiCパワー半導体のサプライチェーンマップ(ビジュアル版)】 SiCウェハは争奪戦の様相？
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ニュースリリースや各社公表情報などから、
(ビジュアル版)SiCパワー半導体のサプライチェーンマップを作成しました。
【内容】
垂直統合型のSiCパワー半導体生産フロー
主なSiCウェハ(エピ含む)サプライヤー
主なSiCパワー半導体製品サプライヤー
専業とEV車載Tier1パワーモジュールサプライヤー
SiCウェハ供給に関するプレスリリース
SiCパワー半導体のサプライチェーンマップ
パワー半導体とはどんなものか？どういったところで使われているのか？なぜ今、SiCが注目を浴びているの？ などを分かりやすく解説することを目指しています。特に、SiCパワー半導体を主に取り上げます。
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いまさら聞けないパワー半導体の基礎知識(第1回)
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内容
パワー半導体を体に例えると
ICとパワー半導体もシリコンだが構造が違う
パワー半導体の働き(４つ)
（1）直流を交流に変換する「インバーター」(DCACコンバーター)
（2）交流を直流に変換する「コンバーター」(ACDCコンバーター)
（3）直流の電圧を変換する「レギュレーター」(DCDCコンバーター)
（4）交流の周期を変える「周波数変換」
パワー半導体の種類
バイポーラ、MOSFET、IGBT
パワー半導体の提供形態
ディスクリート、モジュール、IPM
パワー半導体の今後
いまさら聞けないパワー半導体の基礎知識(第2回)
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内容
ダイオードの特長と用途を比較
・Siのショットキー・バリア・ダイオード(Si-SBD)
・Siのファースト・リカバリ・ダイオード(Si-FRD)
・SiCのショットキー・バリア・ダイオード(SiC-SBD)
1)整流用ダイオードの分類と特徴比較
2)SiC-SBDの高い耐圧と低いVF特性(Si-SBDとの違い)
3)ダイオードの損失(スイッチング動作)の説明
4)SiC-SBDのターゲットアップリケーション(Zeroリカバリー特性の効果)
いまさら聞けないパワー半導体の基礎知識(第3回)
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内容
SiCのショットキー・バリア・ダイオード(SiC-SBD)
長所をいかす使い方、いかせない使い方
・ハードスイッチかソフトスイッチか？逆回復の有無
・「VF損失＜SW損失」か「VF損失＞SW損失」動作周波数に依存
こんな回路にSiC-SBDは最適です；
昇圧チョッパー(PFCやMPPT)の連続モード
絶縁型DCDC(位相シフトも含む)
3相AC/DC(Modified Vienna)
--------このチャンネルの目的------------
SiCパワーデバイスの最新技術や特徴を分かりやすく説明したRUclipsチャンネルです。
/ @sic-powersemiconductor
パワー半導体とは？なんに役立ってるの？
最近よく聞くワイドバンドギャップ・パワー半導体って何？
なぜ今、SiC、GaN、酸化ガリウムやダイヤモンドが注目を浴びているの？
シリコンのパワー半導体と比べて何が違うの？その特徴と長所は？
どんなところ(装置や製品)に使われるの？
パワー半導体の旬な情報を丁寧に分かりやすい動画にしてアップしています。
資料のご請求・ご質問がありましたらいつでもご連絡下さい。
SiCパワー半導体推進部
#パワー半導体 #SiCウェーハ #昇華法
ドーピングにより色が変わる。パワー用途n型4H：青-紫の補色のアンバー。通信・高周波用高純度4Hは広いバンドギャップでしか光を吸収しないので可視光に対して無色透明、発光用途n型6H：エメラルドグリーン、P型：青色 ・・だそうです。
結晶は門外漢でしたので、ありがたいです！ためになりました！
シリコンカーバイド、シリコンの単結晶の引上げ法で作ればもっと高品質な物が作れると思う。
地上で作ると大電力が必要なので衛星軌道で作れば低コスト高品質で作れる。 但し衛星軌道に原料を持ち上げるのに莫大な費用がかかるが、トータルコストが安くなれば良いので検討する価値は有る、月で作る方法も有る。
衛星軌道なら太陽炉（パラボラ鏡の焦点）で熱は得られる、原理としては棒状のシリコンカーバイドを真ん中に太陽炉の焦点を当て溶かす、そのままでは昇華して原料が宇宙空間に逃げるので不活性ガスで圧力を掛ける、その圧力容器は不純物が出ない石英ガラスで作る。
ガラスが曇らない様に不活性ガスを層流に流し冷却部分に導き固体のシリコンカーバイドに戻す、不活性ガスは循環させる。
衛星軌道は無重力なので大きな構造体も軽く作れる、そして宇宙空間は極低温なので温度コントロールも案外簡単に出来るかも知れないし、シリコンカーバイドの単結晶も１０インチどころでは無く５０インチとか１００インチも可能で長さも長く出来る。 衛星軌道も静止衛星軌道の上ならばまだ使われていないと思う。
宇宙で作ればシリコンカーバイドの単結晶がガリウムヒ素やガリウムナイトライドやその他の材料より安く作れるのでは無いか？
楽しいお話しありがとうございます。SFっぽくていいですね。私の子供時代あったSFの世界が、今、実現していますものね。(ウルトラセブンのウルトラ警備隊が腕にしていたテレビ電話のような腕時計型、実現してます。若い方は知らない。。。)
ダイヤモンド砥石が平面回転し遊星運動して、この砥石面に回転させたウエハーを加圧圧力を微調整して押し付けるラップ加工です。
このようなマシンをこのウエハーの表面加工機に使えませんか？
ウェハ表面(裏面)加工は専門外なので、的確にお答えできないですが、おっしゃるような加工はすでにやられている気がします。すみません。
初めまして。質問ですが、LNとLTも工程は同じですか？
差分があれば、ざっくりでも良いので教えて頂けると嬉しいです。
LiTaO3（タンタル酸リチウム）/LiNbO3（ニオブ酸リチウム）のウェーハのことでしょうか？SAWフィルター用の？パワー半導体専門なので全く分かりません。。。ゴメンなさいです。
@@SiC-PowerSemiconductor いえいえ！とんでもないです。こちらこそ適当な質問で失礼しました。。
仰る通り、SAWデバイス用のウェハです。
最近勉強しないといけなくなり、あわよくばと、思いました(笑)
勉強になります！
SiCウェハの中心付近に濃緑色の箇所がございますが、あれはなぜできるのでしょうか？
ご質問ありがとうございます。
たぶん背面に影ができているか、質感のための画像処理かもしれません。結晶の専門家ではありませんので正しいかどうかは分かりません。すみません。
どなたかご存じの方がおられましたらお教えください。
@@SiC-PowerSemiconductor 一般論ですが、昇華法での結晶成長のときに中心部分のファセット面（（0001）面）の成長過程が他の部分と若干異なるため、窒素濃度が高くなり、その結果色が濃くなります。
@@m34kato ありがとうございます。デバイスが専門なのでとても助かります。
@@m34kato
ありがとうございます！
sicは今後siに取って代わる事になるのでしょうか？
ご質問ありがとうございます。SiCがSiに取って代わることはありません。SiCは半導体のなかでもパワー半導体といって、電力変換器(電圧や電流を制御)のみに使われ限定的です。ですが省エネに威力を発揮するので注目度が高いのです。でも、遠い将来は分かりませんが。
ありがとうございます。
siウェーハ業界の人間なので少し気になって質問させてもらいました。
昭和電工さんはどの位置づけでしょうか？
ご視聴ありがとうございます。
今ちょうど、「ビジュアルSiCサプライチェーンマップ」作成中です。近日動画公開しますっ！宣伝でした。