GaN charger teardown. Innoscience

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  • Опубликовано: 22 авг 2024
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Комментарии • 211

  • @user-ix5xh5or1l
    @user-ix5xh5or1l Год назад +166

    Innoscienceの樋口です
    次世代パワー半導体GaNの紹介及び弊社GaNの紹介ありがとうございます。
    解析頂いた充電器は3年前に設計した販促品です。
    最近の充電器は更に性能が上がっています。
    GaNの小型急速充電器をお楽しみください。

  • @xlg5993
    @xlg5993 Год назад +72

    お借りしましたから分解しますまで約12分でした
    流石です

  • @shin1083
    @shin1083 Год назад +26

    0:21
    「山本先生からこちらをお借りしました」
    からの舌の根も乾かぬうちに当然の如く分解しまくるイチケンさん

  • @user-lv3yr3od6q
    @user-lv3yr3od6q Год назад +13

    「GaNが流行っている背景」の解説、面白かったです!
    不思議には思っていたけどそのことを自覚していなかったので、解説が始まった瞬間、「!!!」となりました!

  • @zin5898
    @zin5898 Год назад +33

    各半導体の効率値を自分で持ってる実験結果から引っ張ってこれるのかっこいい

  • @tk0228born
    @tk0228born Год назад +79

    GaNトランジスタを採用したACアダプターの普及の仕方は凄まじかったですね。

    • @user-oe7pr5ww2m
      @user-oe7pr5ww2m Год назад +11

      USBのPDのお陰だね、ガジェット類の給電は殆どがこれになるんじゃないかな。

  • @fortune_Star
    @fortune_Star Год назад +9

    お借りしてるって言うてたのに、躊躇無く分解www

  • @user-sn3nq1hk5v
    @user-sn3nq1hk5v Год назад +49

    名古屋大の研究室から借りた物だから傷つけずに外部から徹底的に調べてるなーと思ってたらいきなり 11:45 「分解します」って刃を入れ始めたw

  • @kanryukato5656
    @kanryukato5656 Год назад +115

    窒化ガリウムも含めて先端素材の開発は日本が先行してるのに、なんで産業供給段階になったら日本勢が居なくなるんだろうね。悲しいね。

    • @user-mm5cw3wv3q
      @user-mm5cw3wv3q Год назад +31

      ヒント
      レアアース
      安い労働力

    • @wa-sanbon
      @wa-sanbon Год назад +24

      クオリティコントロール
      耐久性
      事故時の引責

    • @hima1848
      @hima1848 Год назад +41

      商売下手。
      マニアック性質だから作って満足して終わり。だからいつまで経っても大成しない。

    • @user-jq3hh7nm4q
      @user-jq3hh7nm4q Год назад

      大まかに国策の問題、国防安全愛国心の欠如、
      結局スパイ防止法がキチンとあれば軍事技術として流出を禁止できる、それで世界中生活発展が少し遅れても知ったことじゃないわけ、自国の安全が最優先。
      敵に獲られるくらいならむしろそんな技術は存在しなかったまでするのです。
      アランチューリングは暗殺されるし、F-22、B-2も外国へは輸出できない。
       民生ビジネスと半導体安全保障の線引きができない経団連の非国民サラリーマン経営者、

    • @user-jq3hh7nm4q
      @user-jq3hh7nm4q Год назад

      対ステルス機レーダーの高周電波発生素子の技術なんだからヤバイのわかるじゃん、じゃ国に助けてくれといっても、役人は法律がないからできない、法律を作る国会議員は親中親韓、それに投票する国民は創価カルトやテレビで韓流ドラマ見ているオバサン・・・・そういうことです。

  • @tames_one
    @tames_one Год назад +7

    いつも詳しい説明で勉強になり感謝してます。

  • @ShikimoriMobile
    @ShikimoriMobile Год назад +21

    酸化ガリウムパワー半導体では日本メーカーがシェア握って欲しい泣

    • @user-oe7pr5ww2m
      @user-oe7pr5ww2m Год назад +4

      そもそもガリウムを中国とロシアが牛耳ってる時点で無理がある...

  • @eco713
    @eco713 Год назад +2

    いつも有難うございます。楽しみにしています。

  • @sanjose7667
    @sanjose7667 Год назад +15

    詳細な説明、非常に良かったです😊
    Transphormは自社Fabが会津若松にありますが、もしかするとグループ会社に分社化しているため、ファブレスという記載方法だったのかもしれませんね。

    • @ICHIKEN1
      @ICHIKEN1  Год назад +5

      完全に見落としていました

  • @user-bh1ud9si2w
    @user-bh1ud9si2w Год назад +3

    理解し易い上手な解説 👍 Thx♪

  • @26c62626yamashita
    @26c62626yamashita Год назад +3

    季節の変わり目でありますね^一日の寒暖差に 注意をして無理はせず がんばってほしいです。

  • @-private8214
    @-private8214 Год назад +8

    This is how i learn Japanese, thanks for your good videos

  • @ROBOSKIJ
    @ROBOSKIJ Год назад +3

    2:00 なんでこんなに嬉しそうなんですかねぇw

  • @younan68000
    @younan68000 Год назад +2

    変圧器の小型化は難しいのです。
    磁束密度を上げても周波数が上がっても鉄損が上がります。同時に、これらの措置で変圧器は小型化します。ところが、
    鉄損は、そのまま変圧器の最高温度と一致するので、どちらも単に上げられない理由があります。
    あちらを立てればこちらが立たない、いわゆるトレードオフなので、変圧器の巻線公式と磁束密度、そして周波数による鉄損とを決めなければならないのです。
    高い磁束密度で対応するならフェライトではなく、アモルファスやファインメットなどがありますし、周波数で小型化するにはフェライトが優れています。
    変圧器は個人で巻いて、簡単に試験できますので、皆さんやって見てください。

  • @morkaz6648
    @morkaz6648 Год назад +13

    GaNの製造には青色発光ダイオードが必要不可欠で、赤崎先生などの高効率青色発光ダイオード研究がなければ今のGaNもここまで普及しなかったことになります。

  • @GucciElena
    @GucciElena Год назад +17

    いつも素晴らしい動画をありがとうございます。GaNのインフォメーションがチラチラ出始めて、とても興味がありました。今回の動画はすでに製品に応用されているものでしたが、私もゲートドライブのところに興味があり、とても参考になりました。GaNのターンオフの波形の振動は、言われますように、要因の一つとして、計測の難しさからプローブ系のリンギングが出ていると思われます。ところで負荷を掛けた時のGanの発熱はどうでしたでしょうか?・・・これからも、お身体に気を付けて、ご活躍を願っております。

  • @user-dq7vf2qt2i
    @user-dq7vf2qt2i Год назад +3

    自分もイチケンさんの話しは素人なので、良く分かりませんが、色々な技術や進歩が人間の平和の為に役立って欲しいです。

  • @user-vz1gd2mm1q
    @user-vz1gd2mm1q Год назад +9

    確かに多少高くても60w100wACアダプターは11tproで感じたけど、充電がみるみる進むのはすこなんだ

  • @Omusubisan
    @Omusubisan Год назад +3

    ちゃんとpseマーク取得したのですね。

  • @user-sp8dr9vw6c
    @user-sp8dr9vw6c Год назад +3

    例え、半導体自体が温度に耐えられても、それを電気的につなげているのは
    ICの中も外も半田という高温で溶ける金属です
    その半田は100度を超えると劣化(酸化)が始まる
    だから、パソコンに使われるCPUクーラーはかなりの放熱効果があり
    それでも足らないと水冷等で強制的に温度を下げる仕様がある
    CPU自身は大抵80度の温度上昇まで耐えられる設計ですがその温度になる前に
    60度位で速度制限がかかり温度がそれ以上に上昇しないように制御しているのは
    製品の劣化を防ぎ安定的に動作させるためです
    装置のディレーティング考えないと、どんなものでも短時間で壊れる
    だから、高温でも動く設計だからいい・・・訳ではありません
    中国製が壊れやすいのはこういう耐久性を意識(制御)せずに造ってる
    中国は昔から大量生産・大量消費の国で周り中ゴミだらけにしている
    むしろ早く壊れてくれなければ次の製品が売れませんから、耐久度は無い方が儲かる
    消費者にとって高価な部品が簡単に壊れれるのは手痛い出費でデメリットしかない

  • @emcon3
    @emcon3 Год назад +10

    日本が圧倒してたEV向けリチウムイオンセルのシェアもたった数年で中韓で4分の3以上になったしな イチケンさんはネトウヨに媚びず中韓のモノ作りの強さ、日本の弱さに対して警鐘をならしてほしい。

  • @user-bw2dz8wr4x
    @user-bw2dz8wr4x Год назад +3

    窒化ガリウム
    LEDだけでなく、ACアダプターにも、使われてるんだあ

  • @mano3849
    @mano3849 Год назад +3

    勘違いしてる人が多いけどに日本に工場なんか元々ないよ、ファミコンのカセットもプレステも全部海外で作られてた。作ったところで亀山工場みたいになる。

    • @singlefather01
      @singlefather01 4 месяца назад

      セミコンの工場?えっ那加とか高崎にあったと思うで、熊本の方も。

  • @poukljabe4165
    @poukljabe4165 Год назад +14

    gen 65W目前在中国已经做到更小的在售卖了,相比起这里这个明显要小很多 价格大概是 50-89CNY ≈1000-1800JPY

  • @h.n8826
    @h.n8826 Год назад

    イチケンさん:ギャンですね
    私:わぉ!?

  • @zxctube72537
    @zxctube72537 Год назад +6

    低いスイッチング周波数でスイッチングすると、低周波ノイズが増えてノイズの低減が難しくなりますね。
    数百kHzのノイズでも、受動素子でフィルタを構成するのは至難の業なので、設計がシビアになりますね。。。

    • @slack-no.3
      @slack-no.3 Год назад +2

      そこを確かな技術力とノウハウでコーディネートしてるAnkerは凄いですね!

  • @kt57
    @kt57 Год назад +9

    パワー半導体って日本が進んでると思ってたけどシェアに日本企業皆無で泣いた

  • @STRD
    @STRD Год назад +27

    電子系と情報系で同音多義語になるGaN (またはGAN)

  • @ruzzi2227
    @ruzzi2227 Год назад +1

    とても参考になります

  • @Hidekazu123
    @Hidekazu123 Год назад +6

    DCDCコンバータでは、コイルも技術革新で小型化出来ると嬉しいですね。

    • @ti6079
      @ti6079 Год назад +3

      一般に、周波数上げると一度のスイッチングで貯めなければならない磁気エネルギーが相対的に小さくなるので、小型化につながります。
      (昔のACアダプター電源の50/60hz用なので容量の割に重かったです)

  • @masarukawada
    @masarukawada Год назад +1

    いいね

    チャンネル登録
    させていただきます。
    😀🇯🇵😀

  • @mmcdkl5
    @mmcdkl5 Год назад +3

    酸化ガリウムについても検証してくれたら嬉しいです。

  • @1lime36
    @1lime36 Год назад +3

    アマゾンなどで売っている充電式の単三単四1.5ボルトリチウムイオン電池の安全性や直列接続の可否などを検証していただけませんか。

  • @user-yg7bh1pc2l
    @user-yg7bh1pc2l Год назад +8

    お借りしたブツを容赦なく分解!

  • @mkep82da
    @mkep82da Год назад +8

    半導体を製造する方は設備投資やらで1企業だけでは資金調達が難しいため、製造企業だけ別会社として複数メーカーからの半導体を製造するようにしてる場合がある。なので回路設計販売などは大手メーカーだが実際に製造してるのは一般の人はよく知らないようなメーカーだったりする…

  • @vod123
    @vod123 Год назад +3

    1:00 ファブレス企業 1:10  窒化ガリウムGaN 2019.2   ゲートドライブ
    10:15 ピーエスインマーク
     アナリシス、説明、分かりやすいですね。

  • @user-jp8cv4cl6v
    @user-jp8cv4cl6v Год назад +3

    GaNと聞くと青色LEDの中村さんを思い出します

  • @user-it9ot6vw9m
    @user-it9ot6vw9m Год назад +20

    埋められたの二十年ですね。十数年の日本の大学ではGaNの優位性をよく研究していたのにもかかわらず、産業界は反応が冷たくて、コスト削減にしか興味がなかったです。そのときはすでにアダプターのほとんどが中国製で、日本のメーカーは様々な異なる形の電気端子を採用して、特許料を取りまくったでしょう。かつてPCの汎用CPU以外なら何でも作られた日本は、今まだ作れるのはコンデンサとハードディスクぐらいですね。
    イチケンのスポンサーも中国の会社に変わり、ある意味で時代の流れですね。観光立国、中抜き発注、外国移転、バラマキ、属国万歳、嘘つき、おまけに国葬です。なんか皮肉です。

  • @bitbehind
    @bitbehind Год назад +2

    プレゼンのスタイルがものづくり太郎さんみたいになってきましたね😊

  • @minamico
    @minamico Год назад +1

    MOSFETはスイッチングの時に一番電力を消費しますからね。
    100%から効率を引くと損失が出ますから、損失は
    Si→11%、GaN→8%でまんまおよそ30%低い、という結果です。

  • @eiichiogawa8432
    @eiichiogawa8432 Год назад +2

    Innoscience充電器はどこで購入でしますか。日本の規格がおりていないものですか。自分は今、UGREENのGaN X 100W Chager、携帯用にAnker NanoⅡをパソコンスマホ向けに使っています。

  • @user-zi1ov6jp2i
    @user-zi1ov6jp2i Год назад +4

    大学生時代(2000年代)には研究室で教授が熱く語ってました(パワー半導体で無く通常半導体時代)😂

  • @user-di8tn2zx9g
    @user-di8tn2zx9g Год назад +1

    9月19日のTシャツを購入しました。まだ到着しませんがいつ頃届きますか?

  • @Rockhome1
    @Rockhome1 Год назад +4

    GaN=ガリウムナイトライド=ギャン。これテストに出るから覚えておこう。勉強になります。

  • @UMA0986
    @UMA0986 Год назад +2

    あまりに耐熱温度(ジャンクション温度)が高過ぎてプラスチックパッケージでは追いつかないという件😁

  • @rudderfish
    @rudderfish Год назад +1

    窒化ガリウムの半導体は日本でも造ってるみたいね

  • @gelsemium_elegans3725
    @gelsemium_elegans3725 Год назад +8

    普通の疑似共振なのでGaNを使ってる割りにはそこまで効率高くないんでしょうね。
    リンギング結構出てますが、スナバの設計がそこまで良くないのだと思います。
    回路技術はまだ未熟なんでしょうか。
    とはいえ、GaNデバイスを垂直統合で生産できるのは素直に凄い。(GaNの結晶成長したことがあるので難しさはよく分かります)
    日本はパワー半導体しか取り得が無いのに、次世代半導体の分野でも中国に抜かれてますね。
    日本勢も力を入れないとヤバいと思います。(もう遅いか?)
    TSMCもいいけど、パワー半導体分野に公的資金を注入して強化してほしい・・・

    • @gelsemium_elegans3725
      @gelsemium_elegans3725 Год назад +5

      GaNパワーデバイス関連の論文も日本より中国の方が圧倒的に多いイメージです。
      InnoScienceは国家のバックアップを受けているという話もあるので、PIの牙城をも崩すかも知れません・・・
      低コストばかり気にして、もたついていた日本の産業界に比べてこういったリスクを取るのは上手いし、産官両面において日本勢は完全に出遅れましたね。

    • @Pacmania100
      @Pacmania100 Год назад +6

      @@gelsemium_elegans3725 工業系・技術系だけではないのだろうけど、若い人材の卵の多くは、萌え萌え・アニメのハニートラップ攻撃に負け、
      社会で活躍して能力を発揮する前に腑抜けにされた感じです。

    • @user-hs3px4hu3j
      @user-hs3px4hu3j Год назад +3

      リンギングはイチケンさんが仰られてるようにプロービングじゃないですかね?

    • @slack-no.3
      @slack-no.3 Год назад +3

      日本は技術者を大切にしない国民性だから。。
      仕方ないね。

    • @user-uz9xf9oj8q
      @user-uz9xf9oj8q Год назад +7

      @@gelsemium_elegans3725 私は自動車の分野しかハッキリと分からないのですが、日本の場合は「国が企業努力に頼っている構図」が大体の問題ですね。基本的に「対応は"民間"に丸投げされている状態」なので、企業側が負担とリスクを被って対応しています。国の支援も大体が"ガイドラインや制度を策定"するだけで終わってしまい、「"市場の"環境整備が進まない」ため時間がかかっています。 中国はこの辺の事情は真逆で、介入が強すぎるぐらいやっていますね(善悪は別にして)。
       なお、「日本は技術者を大切にしない」というのも同じ構図です。「日本(政府)は技術者を大切に(できる環境へ整備を)しない」の方が正確かと。

  • @iryuu3asada
    @iryuu3asada Год назад +1

    PCBwayは前から気になってた

  • @starfighter4662
    @starfighter4662 Год назад +2

    私はこういう話大好きですけど、なんせⅠQが低いもんでほとんど理解できません・・。

  • @yasuhirokouno5198
    @yasuhirokouno5198 Год назад +1

    窒化ガリウムと言えばパナソニックが世界で初めて開発したのでは?

  • @user-hc8td3qw9b
    @user-hc8td3qw9b Год назад +2

    5:51 効率30%up、凄い。⇒⇒⇒USB PD 3.1対応品を注文した。

  • @KEN-hk8pw
    @KEN-hk8pw Год назад +2

    GaNはFT-IR,A-TRの短波長表面組成分析用プリズムしか思い出さん。Siに比べて窒化ガリウム、酸化ガリウムが効率がいいとは聞いてたけど、始めて見ました。

  • @taroham7670
    @taroham7670 Год назад +3

    まだウェーハのお値段がシリコンの300倍くらいするのがね・・・

  • @Toreneco
    @Toreneco Год назад +5

    その充電器は前の世代のGaNを使っている、ってメーカーの方が言ってた気がします。
    最新世代はもう少し効率がいいとか。

  • @katino.
    @katino. Год назад +2

    借り物を分解!!???

  • @user-cz2zj6hp3w
    @user-cz2zj6hp3w Год назад +2

    高速スイッチングで熱損失を低減させる、しかし電流の急峻な変動によりノイズの発生が懸念される。この辺りを解析してみたらどうでしょう?また、一般的なSiと比べGaNの許容ジャンクション温度の違いから小型化への貢献度を比較してみたらどうでしょう?

    • @user-de9zr9lp5w
      @user-de9zr9lp5w Год назад

      高速スイッチングすると熱損失は増えると思います。

    • @user-cz2zj6hp3w
      @user-cz2zj6hp3w Год назад

      @@user-de9zr9lp5w
      動画でも言ってる様にスイッチング周期は同じですのでON/OFFだけの損失は低減されます。

    • @user-hs3px4hu3j
      @user-hs3px4hu3j Год назад

      EPCとかはGaNで理想的なレイアウトならオーバーシュートが抑えられる分急峻にしてもノイズは小さいと言っていたような

  • @4864427
    @4864427 Год назад +1

    急速充電ってバッテリー痛めるように思うんだがなあ。ラジコンのLiPoみたいな最低限装備の電池と比べちゃいけないのかもしれないけど、急速充電したバッテリーは膨らみやすい・・

  • @user-pb7mi3qz4z
    @user-pb7mi3qz4z Год назад +2

    物理で習ったんですけど半導体って抵抗と違って温度が上昇するほど誘電率が高くなるのにAC/DCを冷却する必要はあるのでしょうか?

  • @Fang_of_Skyrim
    @Fang_of_Skyrim Год назад +6

    「ギャンはホットだぜぇ」って言うのが分かりました!キシリア様に報告しときます。

    • @ROBOSKIJ
      @ROBOSKIJ Год назад +2

      あれはいいものだ~

  • @user-sn5by2lr8z
    @user-sn5by2lr8z Год назад

    作れたとしてどれくらいの期間運転できるのでしょうか?
    すぐ壊れてメンテナンスばかりにならなければいいですね

  • @user-ls9zl2fe5l
    @user-ls9zl2fe5l Год назад +1

    説明にある、FETゲート回路のコンデンサはスピードアップコンデンサではありません。コンデンサの役割はDCバイアス電圧を作り出す為です。 電流を必要とするTRのベース回路と異なり原理的にも動作しません。 高速化するにはゲート抵抗の値を低くするだけで済みます。

  • @MOCHIZUKINOBORU
    @MOCHIZUKINOBORU Год назад +4

    いままでEVとかアンカーとかドイツさんちのとかTIのマイコンとかだったのでパワー半導体は自力しんどいのかとなめていました。昔はなめられていた中華の防空駆逐艦やミサイルのAESAレーダーかなりやりそうですね。AIはあちら進んでいるものなあ。秋月型護衛艦のFCS-3Aレーダーが窒化ガリウム使ってあのちっこいはんぺんで500kmいけるとかで日本すごいと思っていたのですがもがみ型フリゲートとミサイルわんさか作る必要がありそうです。

  • @tuttik
    @tuttik Год назад +6

    Спасибо за обзор. Я думаю чтобы не потели руки воспользуйтесь строительными перчатками

  • @iamnothing-_-
    @iamnothing-_- Год назад +4

    GaNトランジスタ使用のACアダプタが今後も増えてきて、シリコンのACアダプタは今後なくなるでしょうね。そうなると電子部品屋さんにもGaNトランジスタ単体が売られてくる可能性もあるのでしょうか?

    • @user-hs3px4hu3j
      @user-hs3px4hu3j Год назад +2

      mouserとかdigikeyでもEPCのGaNトランジスタ売ってたイメージです パッケージが裸でかなり取り扱いが難しそうですが

  • @TenTem
    @TenTem Год назад +1

    やっぱり、スマホにACアダプタつけるのは難しそう

  • @reika927
    @reika927 Год назад +5

    背景中国🇨🇳にしたイチケン好き

  • @hai9029
    @hai9029 Год назад +5

    Xiaomi 11t proを使ってるのだけれど、120wというちょっと充電するのが怖ろしく感じる充電速度の充電器とバッテリーと充電技術。
    少し前は18wで急速充電とか言ってたのに、技術の進歩を肌感覚で感じられる程のスピードは、日本企業では無さそうだなぁ...

  • @pico.8449
    @pico.8449 Год назад +5

    研究室の人が言ってたけども日本は研究費として大学にあんまりくれなくなったからパワー半導体の大学での研究は一気に下火になったっていってたなぁ…

  • @hal007
    @hal007 Год назад +1

    ACアダプタから採用が進んだ理由が何かあるのでしょうか。そのあたりも説明して頂けたら勉強になります。
    ACアダプタ以外の電源素子としての動向が気になります。今後、大電流にも対応し、低損失を活かした背品が登場するのでしょうか。

    • @user-hs3px4hu3j
      @user-hs3px4hu3j Год назад

      モーターだと高周波のメリットが少ないからだと思いますね〜

  • @user-ex7yi4ck6j
    @user-ex7yi4ck6j Год назад +1

    学会発表のスライドを思い出しました

  • @knobcreek5361
    @knobcreek5361 Год назад +10

    GaN素子といえばマニアックなミリオタの間ではF-2のレーダーのAPG-1の素子として有名でしたね。
    それが一般層にも広がりつつあるというのはちょっと驚きですね。

    • @user-hm8gb8vv7s
      @user-hm8gb8vv7s Год назад

      あれ窒化ガリウムだったんだ…!
      アクティブ電子走査アレイを使った初の戦闘機とは聞いてたけど、あれ窒化ガリウムの素子使ってたのか…
      と思って調べたけど、wikiにはヒ化ガリウムって書いてありました、どっちが正しいんですかね?

    • @Chief_Buster
      @Chief_Buster Год назад +6

      F-2が当初積んだJ/APG-1レーダーは、GaAsです。ちなみにこれは世界初の航空機用AESAレーダーでした。
      アップデートで積み替えているJ/APG-2がGaNを使ってます。これの開発が始まったのが2003年度なので、GaNの生産が可能になったのがそれくらいなのかも知れませんね。基礎特許がこの頃だとすれば、20年経って特許切れで中国メーカーが生産を始めたのでしょう。

    • @knobcreek5361
      @knobcreek5361 Год назад +3

      皆様ご指摘ありがとうございます。
      確かにGaN素子使ってるのはAPG-2の方でした…。
      うろ覚えでコメントしてしまい申し訳ない…。
      あとついでに調べたところP-1のレーダーのHPS-106もGaN素子なんですね。
      こう観るとGaNは近年のレーダー素子として割とポピュラーな物なんでしょうかね?

    • @Chief_Buster
      @Chief_Buster Год назад +4

      @@knobcreek5361 J/APG-2以外で確認できたのは、国内だとF-3用に開発中のAESAレーダー、中SAM改の低空用レーダー、あきづき型のFCS-3A、いずも型のOPS-50、あさひ型のOPY-1、P-1用のHPS-106... と、沢山あるようです。
      アメリカだとF-16アップデート用のAN/APG-83、イージス艦用AN/SPY-7(V)1(富士通製を採用)でGaNを使うようです。
      F-35用のAN/APG-81がGaAsである所からすると、世界ではまだ新しい技術のようですね。

    • @ra2719
      @ra2719 Год назад +4

      GaN素子はそもそも高輝度青色LEDの研究で初めて量産化されたもの。その高周波特性をレーダーやパワー半導体に転用したのはずっと後の事だ。このようなパターンは珍しい事ではない。真空管のマグネトロンは電力用の低周波管として発明され次第に高周波化、マイクロ波を発振できる段階になるとパルスレーダーに転用され、レーダー製造会社がマイクロ波の水分発熱効果を発見し電子レンジの発明に至る。

  • @is-dp4kk
    @is-dp4kk Год назад +6

    最近小型PD充電器でCIOというメーカーが伸びていると思います。
    私も使っていますけどコンパクトで気に入っています。
    変換効率とか制御方法とかイチケンさんの解析動画を観たいです

    • @SuitTrain
      @SuitTrain Год назад +10

      例えばAmazonでnovaport duo 65wを星1レビューに限定して表示して見てください
      詳しく計測している方が複数おられますが、いずれも表面温度がPSE(電気用品安全法)に違反していたり
      emarkerに違反しており最悪ケーブルの発火も考えられます。
      しかもメーカーそう言った声を無視していて規格違反しまくりの
      日本のメーカーとは思えないレベルです。
      スペックは目を惹かれますが、詳しい人は買わないメーカーです。

    • @is-dp4kk
      @is-dp4kk Год назад +2

      @@SuitTrain
      すぐ壊れたとかある程度の悪評があることは知っていたけど規格違反は知りませんでした。
      ANKERとかも違反しているらしいけどイチケンさんのレビューを見てみたいです。
      安全性と関係ない規格違反ならまぁ許せますね

  • @harry333ism
    @harry333ism Год назад

    結局のところシリコンカーバイトの方が全然性能良いね

  • @edamaru00
    @edamaru00 Год назад +2

    国策の圧倒的な予算の差で日本開発陣涙不可避

  • @alwaysoutofbase5255
    @alwaysoutofbase5255 Год назад +1

    プローブの周波数特性の限界に近いのでしょう。

  • @poparuaru
    @poparuaru 5 месяцев назад

    「ギャン」?「ガン」「ガァン」じゃ。「ヤ」はどこにも。ちなみにSiCは「シック」が好きだけど、ロームの営業の人には通じなかったです。「エスアイシー」と読んでいました。

  • @0242OTFT
    @0242OTFT Год назад +1

    単純にケースに段差や溝をつけて表面積を上げないのは何故でしょうか

  • @SlTFShReCA
    @SlTFShReCA Год назад +4

    イチケンさん、「す」の発音変わりましたね

  • @user-ji8wn7ex8r
    @user-ji8wn7ex8r Год назад +3

    GaNパワー半導体は周波数が高い5Gなどの通信で有利なのでは?

    • @user-yf9di8mx9s
      @user-yf9di8mx9s Год назад +2

      まさに5Gの基地局で使われている電力変換素子はGaNです.

    • @Pacmania100
      @Pacmania100 Год назад +2

      もう一方の次世代半導体のSiCが鉄道車両やEVなどのIGBTに代わる大電力制御向けに全振りしていて、こういう小型向けの製品に積極的でないとか。

  • @y_pika5324
    @y_pika5324 Год назад +2

    ワイドギャップ半導体は青色レーザーの開発初期に盛んに研究されていました。

  • @MikuHatsune-np4dj
    @MikuHatsune-np4dj Год назад +1

    中村さんに特許料入ってるのかな

  • @komattaa
    @komattaa Год назад

    竹箸がいいw

  • @user-fl7vz6lx6p
    @user-fl7vz6lx6p Год назад +2

    サムネイルが赤いなw

  • @singlefather01
    @singlefather01 4 месяца назад

    高速スウィッチング見るんやったらアクティブディファレンチャルは必須だよね、プローブのグラウンドをピンにして短くしたり、きゃぱしたー噛ませたりだましだまし使う方法もあるけど、最終的に1GHzのバンドまでしか見れないからねぇ。スコープも4GHzの8チャン位の欲しいよね。

  • @22kyuq18
    @22kyuq18 Год назад +1

    発熱を利用したら温泉卵ができるやん❗

  • @NeoKimyu
    @NeoKimyu Год назад +8

    イチケンが中国の千人計画とかに加担しませんよ〜に!

  • @user-lv4ur4sy9c
    @user-lv4ur4sy9c Год назад

    ガリウムっていう元素はあたしの学生時代はソビエトだけが資源として持っていました。今は?

  • @Ataruu
    @Ataruu Год назад +1

    他の半導体と同様にパワー半導体も中国の半導体メーカーが勃興していますが、技術的に習得しやすいものなのでしょうか。
    それとも、他の産業と同じく企業スパイとか国家的スパイとかでの技術的漏洩が影響しているのでしょうか。あまりにも早くて不思議です💦

  • @KAITEN_ttrpm
    @KAITEN_ttrpm Год назад

    見てる奴はちゃんと見てるから。

  • @mysygisun3335
    @mysygisun3335 Год назад

    軍用・電磁カタパルト、電磁砲等への応用はどうでしょうか。
    最初き、chは、米国製の電力装置を密輸入していたようですが、
    この5年米穀輸出管理が厳しくなり、内製に切り替えてるようなのですが。

  • @slack-no.3
    @slack-no.3 Год назад +6

    こう言う分野では日本製は高い割に性能低いし品質も悪い印象。
    日本のエンジニアに対する評価の低さを思うと当然なんだろうけど。
    大学の同期も成績優秀な人は皆海外メーカーの研究職に就いたり海外の研究室に行ったりが多かったし少ない人員がさらに流れていく現実が日本製の低迷として現れ始めたんだな。

  • @universal_rising
    @universal_rising Год назад +2

    聞くところによると、4割ほどが不良品だったとも聞いたんだけど。

  • @user-hs3px4hu3j
    @user-hs3px4hu3j Год назад +6

    全然詳しくないのですがGaNを用いても30%程度しか性能変わらないんですね
    逆回復がない分もっとすさまじく性能がアップしてるのかと思ってました
    あとGaNの場合でもスイッチング周波数130kHzというのは意外でした
    GaN使う場合はもっと高速にしていると思っていましたが
    それ以上にしてもトランスの小型化にはつながらないんですかね?
    周波数上げた場合のスイッチングロスとトランス小型化のトレードオフみたいなことなんでしょうか?

    • @user-mz9fh1t32
      @user-mz9fh1t32 Год назад +14

      30%程度は草
      十分すぎるやろ・・・

    • @ICHIKEN1
      @ICHIKEN1  Год назад +12

      変圧器はこのクラスは元々小型です。なのでスイッチング周波数を従来のSi半導体と同じか少し高いくらいに設定して発熱と小型化のバランスを取っています。

    • @user-hs3px4hu3j
      @user-hs3px4hu3j Год назад +2

      @@ICHIKEN1 なるほどコメント頂きましてありがとうございます!スイッチング周波数は同等か少し高いくらいなんですね!
      GaNの採用理由がQrrを0にするためってことなんですかねえ もっと色々勉強したくなる良い動画ありがとうございます

    • @TM-gb4fb
      @TM-gb4fb Год назад +2

      最先端の競争だと0.1%を争ってるよ!

    • @Cyan_pro04
      @Cyan_pro04 Год назад +4

      高周波化するとトランスは次世代のコア材が出ない限り小型に限界があります。また、高周波化に対応したコンデンサ類はフィルムコンデンサでも容量特性が有効な範囲での制限が掛かります。コンデンサも次世代材料が出ないとダメですね。

  • @millefeuille4583
    @millefeuille4583 Год назад +2

    八丈島のギャン🤓

  • @balon2753
    @balon2753 Год назад

    黒いけど赤いと3倍早いのですか?w

  • @tetuosugiura9070
    @tetuosugiura9070 Год назад

    今晩は。若し宜しければ、お恥ずかしい事なんですが電気に関しての知識が全く在りません。そこで、電気のテスター計測の使い方、本当に初歩の初歩での番組一度して頂ければ在りがたいのですが。すいません無理なお願いで。70歳の爺からです。