If you know anything about semi fabrication. U know that 2nm is about the max current tech can go beyond which U will run into quantum issues. Moore;s law already recahed it's limit with respet ot physical shrinkage. So anything beyond 2nm is just an equivalent representation. U can achieve that via many means like carbon based semis, chiplets, photonic chips, VGAA, CFET......
@@leolee-d1h 媽呀，仔細查了一下14奈米是INTEL先推出，10奈米是三星先推出，7奈米是IBM先宣布做出，卻是台積先量產，自此開始世界風向轉變，7奈米前台積都還只是人家的小老弟而已，熬出頭了怎樣，現在要背鍋亂標名字的亂象是嗎，而且各種訊息混亂了，怎麼同樣一隻iphone體積不變的情況下，到第16代依然年年校能有進展，反而當老大的INTEL CPU 13/14現在卻翻車了?我以為是看實際成品如何來決定這件事呢，重申一遍，命名之亂請找對企業好嗎
![Kodak Black - Catch Fire [Official Music Video]](http://i.ytimg.com/vi/A4ch-olIuZo/mqdefault.jpg)
A16的16不是随便定的，22-14-12-10-7-5-3-2-1.6是遵循1.4倍。这个1.4也不是随便定的，是1.414214…就是面积缩一半，是摩尔定律里提到的……
他不懂，別教
摩尔定律早死了好几年了（或十多年了）
只要敢張口就來，天下無敵。
@@䧝贵 這跟摩爾定律死不死沒關係，單純就是一個慣例
就跟運動比賽很多標準都不是根據什麼科學研究標準訂定
而是當年這項運動創立時的歷史沿用下來
摩爾定律是intel的跟台積電有什麼關係？而且台積電是28 22 16 12...從來沒有14，萬年14是intel招牌。intel 那邊是18A也跟你說法也不對。
沒有埃米這東西，Å就是長度單位，所以只能稱"埃"。16埃等於1.6奈米。
而且比原子大上不少 (但也不是很多)
@aronyang 你說的對，A本身就是長度單位，不必再加米這個字，不過現在大家都積非成是，連維基和百度百科都這樣寫了！
baike.baidu.com/item/%E5%9F%83%E7%B1%B3/9584915
語言有個特性就是積非成是😅
謝謝分享👍👍👍👍👍👍
我之前是研究纳米物理的。超高真空STM下可以看到几个埃的原子形貌。但是对机器振动隔离的要求非常高。我们实验室都在地下一层。
前排评论：大刘最近越来越沉迷芯片了
他不是也常說電池嗎？
不，是反覆橫跳
提升真的越来越小了，N3相比N4也只是提升了10%左右，甚至如果你设计得更好，用n4工艺的高通芯片比苹果的n3芯片性能还更强。
所以放開密度不就有n3e
是因為蘋果每一年都要出新機
那時n3b就剛好出來 而n3e卻還沒
是蘋果下單 下太密集了
才會有這種狀況
這些芯片說到底還是三維芯片，粒子在三維中傳播速度有上限，無法超越光錐，新一代的芯片應該往四維芯片技術靠近，這樣就沒有光速的限制，而且不會有熱損耗，在性能上碾壓三維芯片。
祝中国芯片越做越大😂
GAA工序困難又影響良率, 是時候革新晶片設計做VGAA啦😜
誰能高良率製造？
看對誰吧~對於TSMC GAAFET 2nm流片良率已達90%
CFET也是1nm的事~!
下一個技術節點是 1.4nm
沒辦法改變電子大小，只能改編設計，也就是有極限，但可改變應用路線！
背面供電看似很理想，但是難度應該非常高，良率如果做不出來也是枉然
你以為台積電是三星哦，30%良率都敢放出來用
目前可等待量產的是1.1n
PG是pre-route階段就會先長的，不存在繞來繞去
经常去纳米世界旅游的人都了解，一个 silicon（硅）的原子是大过一个 Angstrom（Å）。硅原子（Atomic Radius: 1.46 Å）的体积差不多是 三个 Angstrom（Å）
Nvidia GB200 chips mass production in N4P technology for late 2024
其實dielectric layer如HfO2早就只有3層原子了，去看一下TEM照片就知道了😁
@@Mems12342 正确。十几年前已经看到仅仅五层原子的隔离层。
@@Mems12342你说的是哪个方向上的
中國也有，還手刻的
准备手刻VGAA晶体管😂
天龙人😊
就是最先進的 沒有之一
现在早就不是物理制程了，只是命名方式而已
这是等效纳米，是根据晶体管数量等效的，你可以理解为最初22纳米工艺要达到现在这个晶体管所需要的NM级别。因为现在采用了的3D排布，自然跟之前不同了，如果还用之前的命名方式，那就会出现同样22纳米工艺，新的要比老的多出一倍不止的晶体管。
我以為只有台灣記者無知把Å叫成"埃米"，沒想到號稱科普的頻道也跟著誤人子弟了，很好，可以退訂了！
不知道是什麼原因 在台灣維基之類還會寫正確唸法埃但常被錯念埃米 但在中國百度百科中直接寫正式念法埃米簡稱埃 其實更大問題是埃是歷史慣用單位不是正式SI單位 在科學表示法中奈米還能繼續用不用換 要換也應該換皮米 使用埃本身就是錯誤的
蘋果A16晶片台積電美國生產。
一般一個大製程飛越功耗進步15%~ 但A16只進步10% 叫A14有點太超過～ 所以只叫A16
If you know anything about semi fabrication. U know that 2nm is about the max current tech can go beyond which U will run into quantum issues. Moore;s law already recahed it's limit with respet ot physical shrinkage. So anything beyond 2nm is just an equivalent representation. U can achieve that via many means like carbon based semis, chiplets, photonic chips, VGAA, CFET......
所以，台積電公佈 2030年達到 1nm 是？
@@mjk7530 他們是指等效納米
@@akka2011hk 難道你說的不是等效？
1纳米?又改定义了吗？
好意思说是深度解读工艺。东拉西扯一大堆，也没见深入工艺呀
不會啦！我覺得大劉講的還不錯，適合一般大眾，如果覺得深度不夠的話可以看一下這個，把台積電整份簡報講的很詳細了！
記憶體、共同封裝光學、先進封裝技術！？台積電先進製程日出時刻！未來重要發展方向一次看！
ruclips.net/video/z9vd3pF5mUw/видео.html
@@Ansforce 這裡也有曲博
5:56看着很舒適
刻過晶圓的小伙伴們看法如何?
什么都讲，什么也没讲明白
化學藥水 才是主宰一切
理想中每一代的關鍵尺寸理應微縮根號2 (1.414...) 倍
技術上做不到時
要求等效或說是晶體管密度夠多亦可
命名則依舊
不管是材料或架構能有所突破
比方 "鉍" 元素的使用
以及 FinFET/GAAFET 等架構的演進即是
再後來連等效也達不到
那麼只要有進步就好
命名只是參考
如此一來
客戶就需要具體比較一下各個代工廠的製程優劣
再下單才比較不會 "被騙"
比方高通就常被三星騙
博通最近被英特爾騙
小粉紅則... 自己心甘情願就不算被騙?
但還是蘋果最聰明
知道緊抱台積電大腿
不會心存僥倖
不愧是數一數二的世界級大廠
台積電的 EUV (NA=0.33) 光源
據傳早在 2019 年
便已由 250W 提升至 350W
已有藉此攻克 1 奈米製程的底氣
至於 5200 EUV (NA=0.55) 只會買一台練練手
真正鎖定的則是再下一代
超高數值孔徑 EUV (NA=0.75) 的機型
是啊自己骗自己，改了定义就能把5纳米改良版叫3纳米
确实，数字都乱了
總之…
偉大的祖國總是不容置疑的…遙遙領先…😂
🐸
很有内容。 但是说话实在太快了。 如果讲稍微慢一些， 会更有效一些。
目前不得而知
台積電已經把1nm 商轉期程排出來了
不会是继续改定义吧？5纳米改良版叫3纳米……
埃米時代來臨了，這下子中国手刻芯片不好搞了吧！😂
大牛哥，感谢科普。 关于单位“埃米” 要澄清一下，这个词不是 全国科学技术名词审定委员会 发布的长度单位用词。 看来只有拿了繁体中文直接来用。 物理学单位 一般有两部分 词头 和 单位。 千米 对应 英文 kilo-meter。 这个“埃米”没法分割 词头和单位。 但是不容否认 台湾半导体行业技术领先，在某些科技名词上有一些话语权，晶圆 埃米 这些词被一些人直接 繁 转 简 了。 提醒，初中生 物理考试 写 “埃米” 是错的。
本來就沒有埃米這東西，Å就是長度單位，所以只能稱"埃"。叫埃米的就是"不學無術"，不學無術哪有話語權。
不知道是什麼原因 在台灣維基之類還會寫正確唸法埃但常被錯念埃米 但在中國百度百科中直接寫正式念法埃米簡稱埃 其實更大問題是埃是歷史慣用單位不是正式SI單位 在科學表示法中奈米還能繼續用不用換 要換也應該換皮米 使用埃本身就是錯誤的
台灣台積電半導體世界第一。台灣 No1.我台灣，我驕傲。哈哈～
埃米和奈米只不過是商品名稱而已，又不是實際的電晶體尺寸😑
現在英特爾二奈米失敗、三星二奈米也失敗，只有台積電成功🏆
硅电子隧穿效应极限是5nm，用这个A16来雕刻硅晶是在用牛刀杀鸡吗😂现代芯片，除了用硅晶做雕刻材料，还有其他可以量产的基材？所以得出一个结论，任何吹嘘5nm一下的硅晶芯片都是谣言😂
所以要把供電層放到背面
三星就是用GAA做3nm良率奇低，这种构造的刻蚀非常困难。台积电之前没用也是无法解决这个问题，但做到3nm以下就必须用GAA了。目前中科院的VGAA专利绕过了这个问题，并首先用于长鑫存储的内存生产中。华为如果马上官宣的麒麟9100是3nm的话，很可能也会使用这个技术。
能商轉再來說吧！
硅电子隧穿效应极限是5nm，任何吹嘘5nm以下的硅基芯片都是谣言😂
加油喔😂 美元燒起來研究
試驗室產品 聽聽就好 商轉死給你看
中共論文造假一大堆 聽聽就好
自爽而已，中共國什麼都不懂只會撈錢而已，笑死😂😂
講的挺爛的 像念稿內容農場文章
沒有科普點
人类控制了火，然后就控制电 再然后就是光了🤭
抛开漏电率谈制程就是耍流氓，老老实实等gaa吧
就是摩爾定律每一代比值要差1.4倍
一直除除除下去而已
早期是靠縮減線寬，所以尺寸是對應線寬，但後來這招不管用了，只能靠各種神奇操作來達到設計指標，尺寸就沒有意義了，就只是上一代除以1.4倍而已
按照古早的定义，现在的3nm晶片其实还是十几nm工艺。
@@feijida8841 但是晶体管数量是实际增加的，具体栅极距离多少其实没多大意义
珊極，哈哈。閘極才對吧？
雾草！都能翻面了。
什么埃米。那是騙人的。那一個部件是埃米 現在所謂幾奈米。只是晶體管密度的換算。其實G級寬度低於七奈米。漏電就開始急劇升高。七奈米以下。只是晶體數增加。用特殊指令的硬體塊 代替通用指令的硬體塊 耗電急速增加 博主似乎只對化學熟
閘極底下的介電層HfO2只有3層原子還是能擋住漏電😁
这是这样那台积电一直欺骗我们说是通道长度
建議去看Mr Question. 他講的清楚太多。所謂幾奈米 有三個指標。現在幾乎都以晶體管密度來算。但是每個晶體管單位耗電下不去。提高晶體管數目是沒有用的。特別是商用品。你會買個1000_2000瓦的桌上電腦。10_20瓦的手機嗎？真到次奈米。耗電再加個零
我印象中12nm还是14nm就撑不住了
真的假的
叫皮米不好么？1pm=1000nm 1fm=1000pm 1am=1000fm
換材料可能才會採用
量子穿隧
中國人一直有個迷思，認為中國無法製造高階晶片是因為美國卡脖子而導致無法買到DUV光刻機，所以，就無法製造高階晶片。
中國人要知道一件事情:
三星和INTEL都有高階DUV光刻機，結果咧？
這兩家公司有生產出具有商業價值的3nm晶片嗎？
是EUV
@@winnow568
啊~對，你說的一點都沒錯！
是我筆誤了！
中國如果有EUV，會不擇手段的從tsmc偷技術，台積的DUV 7奈米技術就被中芯山X走了
当然不只是设备掐脖子的问题，发展时间短，技术积累不够也是主要原因，中国和去工业化的美国，人口远比中国少的韩国不一样，它有自己的优势，只要有机器，大概率会赶上来。。。
@@林幼蕖
所以，你要表達:
中國如果有EUV光刻機，只要時間足夠，中國就能製造3NM高階晶片？
又在炒作台積電?!可笑!!3奈米都搞不定量子躍遷效應,還Å米?!放屁放到家,能做出來能不能用還是問題,不要一通電馬上一縷白煙起!!
遙遙領先中國遙遙領先
自己骗自己的游戏 现在再说制程几纳米我都感觉是大忽悠！！
你可以去比較一下蘋果晶片和華為晶片 他們的能耗分別是多少
1納米是物理極限，已經
沒辦法再往下繼續縮小
"3納米"是名稱，製程遠沒接近3納米，台積電N3，找到的資料是閘寬45nm，最少結構尺寸在23nm，還有人說大一點，自台積電亂標名字之後，各種訊息就混亂了，還有一串科普人就是在説3納米或1納米是物理極限，所以"3納米製程"小不下去。真物理極限其實還有很遠。
@@leolee-d1h 啥，不知道的人真以為你說的是真的，查了一下最先喊的不是IBM從2015年先喊7奈米的嗎，後面的人照舊怎麼不找起頭的算帳找起了後起的算帳了? 可以修改一下自從IBM亂標名字之後嗎，不然我還以為你是誰的打手來洗地的
@@leolee-d1h 媽呀，仔細查了一下14奈米是INTEL先推出，10奈米是三星先推出，7奈米是IBM先宣布做出，卻是台積先量產，自此開始世界風向轉變，7奈米前台積都還只是人家的小老弟而已，熬出頭了怎樣，現在要背鍋亂標名字的亂象是嗎，而且各種訊息混亂了，怎麼同樣一隻iphone體積不變的情況下，到第16代依然年年校能有進展，反而當老大的INTEL CPU 13/14現在卻翻車了?我以為是看實際成品如何來決定這件事呢，重申一遍，命名之亂請找對企業好嗎
这咋追啊！打下来算球了。
對耶，跟中國足球踢不贏可以踢人一樣的邏輯😊
你先管管你的徐州鐵鏈女媽每天被打被操的事吧😊
不可能！絕對不可能⋯
3nm与5nm完全没有任何区别，而且发热还大，只能说是5nm的微微改良版。就听台积电瞎吹吧，工艺在进步是非常难的了，除非在物理上有大的突破。
對，只是全球科技巨頭都搶著要，利潤越來越高。😂
物理制程还差得远
得了吧，总所周知台积电的3纳米实际上栅极宽度不过是22纳米，按以前的标准定，只能叫做22nm，还吹什么埃米。。P来
等效 3nm
@@mjk7530 等效于美国好莱坞登月。
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土!.
@@mjk7530 等效什么了？栅极间距22nm=栅极间距3nm？？如果哪一天台积电真的做出3nm，是不是要等效到3pm？
@mjk7530通过改定义大法?
tsmc變成美積電後也開始為了估值造夢 能被遠端停機的公司再先進也像殖民地.
不爽你就去你宗祖國阿😂
台積電在南京也有16奈米廠，那麼為什麼不叫中積電？設廠也很久了，為什麼技術還沒給偷去😁
你要關多久😂
中國人游回祖國啊，台灣海峽沒加蓋
你該關心祖國買那麼多ASML機台....最先被停機
喔~還有那些美日德義英西瑞等國的機台.....小心連做原子筆筆心挪威機台也被停機
钻牛角尖。投入的大量时间、物力、人力，不如宏观进取。
美国科技做到国债顶天。
同时华为也快要超越🍎
你先管管你的徐州鐵鏈女媽每天被打被操的事吧😊
Stay away any electronic product that is made in or by Taiwan if you cherish life
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土!.
哈哈哈ㄧ篇兩毛
抬把子聽到事實要玻璃了?
@@user-urwedfvftgfr228 哈哈🤣傻韭
你先管管你的徐州鐵鏈女媽每天被打被操的事吧😊
台積電董事會中，具中華民國籍者有4人、外國籍者5人、同時有中華民國與外國籍者1人，外資持有台積電股票目前約72.06%， 其餘股權分散在政府機構、金融機構、各式法人、散戶手中。外資股權分布於7千多個外國法人、基金等機構，所以即使外資持股高，但不是集中於單一或少數人手中，對台積電並無控股力量。
你看不懂重點我整理給你，外資沒有主導權，再來董事10席中有4人擁有股票，6名獨立董事均無持股。持股比例最高是官股董事6.38%，另3人持股為0.11%、0.05%、0.11%，另外台積電單一最大股東為台灣行政院國發基金。外資72%被你吹到80就算了，就跟你說沒主導權，然後呢要證明甚麼?
這麼喜歡大眾汽車你們要就拿去好不 @user-urwedfvftgfr228
台積電的晶片不會賣給中國，貴國要自己努力
你台积电芯片做再好，台湾也做不出电动车，飞机，无人机，5g，3A游戏大作。也就给人芯片大厂做代工
会努力的😢
最讨厌大刘视频，看起来好像科学，仔细分析不专业。
他一年前講IPU就被罵過不專業
一年後還是這逼樣
好險只是演算法剛好掃過我瞄個幾眼
水貨還想裝良品，可笑
歷史將近換新的賽道？！😂😂😂😂😂
中國政府管不到的民營第一大企業。不用聽黨話，想怎麼走就怎麼走！😂😂😂
步子太大容易扯到蛋
重要的不是听别人怎么说，而是怎么做，能不能做！
吹牛逼谁都会，反正也不上税，但究竟能不能实现那就另外一回事了
騙流量而已
才6个硅原子
哪个台积电，，美国台积电的不是说2027才能投产吗？？
那是美積電阿😂
@@wuwoo8586中積電舔著要五奈米都得不到呢
@adlevi5944那是假的五纳米，实际栅极宽度22纳米上面有大神说的
@@adlevi5944 還不是你美爸在怕
@@dylan-tv8vz 哪位大神啊，这么厉害。。原来华为用22纳米技术就能做出比肩5纳米性能的手机芯片，这起止是科技一大进步，简直都上天了
A上一小圆圈
Å
三星就是用GAA做3nm良率奇低，这种构造的刻蚀非常困难。台积电之前没用也是无法解决这个问题，但做到3nm以下就必须用GAA了。目前中科院的VGAA专利绕过了这个问题，并首先用于长鑫存储的内存生产中。华为如果马上官宣的麒麟9100是3nm的话，很可能也会使用这个技术。
通常不官宣,是底調被爆料😂
晶体管密度达到物理极限 貌似对中国来说是好事？
Vgaa 能商轉了？
@@mjk7530 长鑫存储已经用了，只是内存的制程不高。如果华为的麒麟9100是预期的3nm，那就极大可能用了VGAA。中国在下一代制程工艺的技术储备上并不落后，中科院的VGAA，上海交大的CFET，甚至更大镜头孔径(大NA值)的EUV光刻机，这几种路径都在搞。大NA值的光刻机就是ASML卖给Intel的1.8nm的光刻机，影响光刻精度的主要就是这几个路径。
@@shawnwang9832 理論上的東西在微影世界不一定能實現，根本沒有廠商願意為 VGAA 試錯，理論將永遠只是理論。