[반도체 엔지니어 아카데미] CCP 챔버의 RF PLASMA 해석

[@sewoongahn]

와 이걸 이렇게 쉽게 설명해주는게 ㄹㅇ 어려운건데 감사합니다 당신을 대한민국의 탑 엔지니어로 인정하겠습니다👍(지나가던 23살 공대생이)

[@85585]

DC Bias 단박에 이해했습니다. 확실히 영상으로 보니까 이해가 잘되네요. 감사합니다.

[@mungineer1914]

도움이 되셨다니 다행이네요..^^

[@머니해피-y1z]

유투브 내용 잘 보고 있습니다. 자료가 정말 깔끔하고, 설명을 정말 잘해주시네요. 회사 내에서도 대성하실거 같습니다 ㅎ

[@mungineer1914]

좋은 말씀 감사드립니다.

[@larchide1771]

동영상 잘 봤습니다. 질문이 있는데 전자가 가벼워서 양이온보다 이동이 빨라서 극판이 (+)일때 양이온보다 전자가 쌓이는 건 이해하는데 극판이 (-)로 변할 경우 반발력으로 반대쪽으로 이동해서 결국에는 극판에 안 쌓이지 않나요?

[@sellemi]

상부(shower) 측의 전압이 +,-를 왔다갔다 하면서 플라즈마를 발생시킬 때, 하부(stage, gnd) 쪽은 전압이 어떻게 되나요? 동일하게 -,+를 반복하는 건지, 아니면 전체적으로는 상부와 하부는 +, -이고 상부가 +면서 상부관점에서만 +,-를 반복하는 걸까요??🤔

[@hr2517]

Bias를 사용하는 cvd가 아닌 일반 ICP Type PECVD(Source만 있는) 에서는 웨이퍼 로딩하는 곳을 챔버와 연결시켜 전극을 크게 만드나요? 아니면 그 반대로 작게만드나요?

[@제마니]

혹시 ECCP Type도 있던데..혹시 이건 CCP하고 다른건가요?

[@blind2642]

안녕하세요 CCP 에서 SRC Power와 Bias Power 를 따로 쓰는 경우에 +이온의 움직임이 Bias Power 를 통해 제어되는건가요??

[@mungineer1914]

SCR power를 말씀하시는것 같습니다. SCR파워는 60hz 전후로 매우 낮은 주파수를 가지고있습니다.

[@blind2642]

@@mungineer1914 네 답변 감사합니다

[@nam-qj1hw]

전자가 극판이 (+)일때 극판까지 도달하면 pass된고 반복이되면 전자가 극판에 쌓여서 Vdc를 형성한다고 하셨는데 극판의 전압이 계속(+),(-) 반복이 되는데 전자가 어떻게 쌓이는지 궁금합니다.

[@mungineer1914]

극판에는 동일한 주기로 + 와 - 가 반복되지만 챔버 내부 전자와 양이온사이에는 무게차이가 존재합니다. 그래서 가벼운 전자는 가속도가 빨라 고주파 영역에서 빠르게 극판으로 접근 할수 있고 이온은 상대적으로 무거워 거의 움직이지 못한다고 보면됩니다. 그러다보니 극판까지 도달되는 전자의 양이 훨씬 많고 그로인해 극판 근처에 전자 밀도가 양이온의 밀도 보다 높아지는 현상이 발생됩니다.

[@larchide1771]

​​@@mungineer1914 극판이 (+)일때는 전자가 극판으로 이동을 할텐데 극판이 (-) 일때는 반발력때문에 반대편 쪽으로 이동을해서 결국에는 전자가 쌓일수 없지 않나요??

[@김병곤-j8f]

안녕하세요? 챔버에서 splash 또는 arc가 발생했을때 변동이 되는 파라미터는 뭘까요?

[@mungineer1914]

반도체 관련 근무를 하고 계신 분이신 것 같네요. 제가 어떤 답을 드릴 수 는 없는 내용인 것 같구요. 그냥 제 생각을 말씀 드리겠습니다. 질문의 요지가 matching position 변화를 수반 할 정도의 Arcing issue가 아니라면 reflect power or impedance 정도의 파라미터의 변화가 있어야 겠지만, 감지는 어려울 것 같습니다. 파라미터의 data gathering 속도가 아무리 빨라도 현재 100ms 수준이라. 사실 Arcing 발생시 매번 감지하기는 어렵다고 생각합니다.

[@김병곤-j8f]

@@mungineer1914 답글 감사드립니다

[@제마니]

CCP, ICP 차이도 알려주세요

[@mungineer1914]

아주 간단하게 말씀을 드리면 ..CCP는 양 극판에 RF 를 인가하여 전기장에 의한 plasma를 형성하는 방식이구요... ICP 는 챔버를 감아놓은 코일에 RF를 이용하여 자기장에 의해 plasma를 만들어내는 방식입니다.
" HDP Process Hardware concept. , CVD HDP 설비는 어떻게 생겼을까?" ===> 이 영상을 보시면 CCP와 ICP에 대해 조금 이야기 했습니다. 참고하시면 될 것 같습니다.

[@제마니]

@@mungineer1914 정말 동영상 하나하나가 큰 도움이 되고 있습니다 감사합니디