안녕하세요 교수님. 질문이 있어서 덧글 남겨봅니다. 1) 몰드 공정에는 transfer과 compression이 있다고 하셨는데, 업계에서는 어떤 방법을 주로 사용하는지 궁금합니다. 또한 두가지 방법의 장단점이 존재하나요? 2) PoP는 기존의 conventional package 두개를 이어붙인건데 그럼 이것도 conventional package 기술의 일종으로 볼 수 있나요? 아니면 적층해서 올렸기 때문에(3D) Advanced package의 일종으로 봐야할까요? 강의 감사합니다
1번 질문은 각 패키지 마다 다 다르게 적용이 됩니다. Transfer는 밀어넣는 방식이고, Compression은 틀에 고정 후 찍어넣는 방식입니다. 패키지의 높이 & 칩의 두께 & 와이어냐 플립칩이냐 등등 모든 경우의 변수가 존재하기에 어떤 패키지냐에 따라 다른 몰드 방식이 선택될 수 있기에 제가 콕 집어 어떤 방식이다 라고 이야기를 할 수가 없습니다. 2번 질문의 경우, PoP는 컨벤셔널 패키지에서 부터 시작된 기술 입니다. 구조를 살펴보시면 위는 메모리, 아래는 비메모리가 주를 이루는데요. 와이어본딩 (위) + 플립칩 (아래)를 합치면 당연히 컨벤셔널 패키지의 PoP가 되는 것이고, 와이어본딩 (위) + 팬아웃 (아래)를 합치면 컨벤셔널 + 어드밴스드의 합입니다. 3D라는 단어는 어드밴스드 패키지를 의미하는 것이 아니라 그냥 위로 적층하면 다단의 와이어본딩 칩도 3D 와이어본딩입니다. 어드밴스드에서 3D로 표현을 하는경우는 TSV가 적용된 HBM을 간단하게 3D 칩이라고 부릅니다. 개념적으로 혼동이 있을 수 있으니, 3D면 위로 쌓아올린 칩 그리고 HBM을 의미할 수도 있겠구나 라고 생각하시고, PoP는 컨벤셔널에서 왔고 지금도 컨벤셔널의 조합이 많지만 팬아웃 등 WLP도 사용할 수 있겠구나 라고 생각하시면 될거 같아요.
안녕하세요 교수님 강의 잘 듣고 있습니다. 질문이 있어 댓글 남깁니다. PoP 공정의 경우 interposer층이 하단의 비메모리 PKG의 어디와 연결되는 것이며, 또 상단의 메모리 PKG의 Solder Ball과 연결되는 지 궁금하여 댓글 남깁니다. 강의 잘 듣고 있습니다. 감사합니다.
일단 PoP의 경우 여러 형태가 존재할 수 있는데요. 하단에 링크를 하나 첨부합니다 그냥 예시로 봐주시면 될 것 같아요. 하단의 비메모리 패키지의 PCB에 인터포져와 연결되는 솔더볼에 연결이 되고, 상단의 메모리는 스스로가 가지고 있는 솔더볼을 통해서 인터포져와 연결이 됩니다. 그러면 인터포져를 통해 위 아래 패키지가 연결이 되겠지요? 한번 그림 보시면 좋을 것 같습니다. www.indium.com/applications/pcb-assembly/package-on-package/
안녕하세요 구리 위에 금만을 올릴 경우 전류 & 열 등 에너지 즉 테스트 공정 혹은 솔더링 등에서 구리와 금이 서로 확산을 하게 되어 구리가 표면에 노출되어 산화가 발생합니다. 따라서 이러한 구리 금의 확산 방지를 위해 니켈을 금 구리 사이에 배리어 층으로 넣습니다. 참고 링크 첨부합니다. www.rndtech.co.kr/bbs/board.php?bo_table=free&wr_id=114&sca=PCB
![FNAF vs TF2 - Episode 2 [SFM]](http://i.ytimg.com/vi/z5b3V2-VLb0/mqdefault.jpg)
![반도체 8대 공정 속성 과외! 삼성전자 출신이 쉽게 설명드립니다. 50분만 투자하세요. [인포맥스D]](/img/1.gif)
00:30 5강 강의 목표
00:56 Conventional package 공정의 이해 (2)
02:37 Back-end 공정 : 몰드(Mold) 공정
06:12 Back-end 공정 : 언더필(Underfill) 공정
12:07 Back-end 공정 : 마킹(Marking) 공정
15:19 Back-end 공정 : 솔더볼 어태치(SBA) 공정
16:18 Back-end 공정 : 패키지 쏘팅 공정
17:20 Back-end 공정 : 테스트 공정
22:20 Back-end 공정 : 패키지-온-패키지 공정
23:59 5강 Review
오늘도 감사드립니다. 어느덧 5강까지 오셨군요. 감사합니다 😃
교수님 감사합니다. 행복하세요.
행복한 연휴 되세요!! 감사합니다.
안녕하세요 교수님. 질문이 있어서 덧글 남겨봅니다.
1) 몰드 공정에는 transfer과 compression이 있다고 하셨는데, 업계에서는 어떤 방법을 주로 사용하는지 궁금합니다. 또한 두가지 방법의 장단점이 존재하나요?
2) PoP는 기존의 conventional package 두개를 이어붙인건데 그럼 이것도 conventional package 기술의 일종으로 볼 수 있나요?
아니면 적층해서 올렸기 때문에(3D) Advanced package의 일종으로 봐야할까요?
강의 감사합니다
1번 질문은 각 패키지 마다 다 다르게 적용이 됩니다. Transfer는 밀어넣는 방식이고, Compression은 틀에 고정 후 찍어넣는 방식입니다. 패키지의 높이 & 칩의 두께 & 와이어냐 플립칩이냐 등등 모든 경우의 변수가 존재하기에 어떤 패키지냐에 따라 다른 몰드 방식이 선택될 수 있기에 제가 콕 집어 어떤 방식이다 라고 이야기를 할 수가 없습니다. 2번 질문의 경우, PoP는 컨벤셔널 패키지에서 부터 시작된 기술 입니다. 구조를 살펴보시면 위는 메모리, 아래는 비메모리가 주를 이루는데요. 와이어본딩 (위) + 플립칩 (아래)를 합치면 당연히 컨벤셔널 패키지의 PoP가 되는 것이고, 와이어본딩 (위) + 팬아웃 (아래)를 합치면 컨벤셔널 + 어드밴스드의 합입니다. 3D라는 단어는 어드밴스드 패키지를 의미하는 것이 아니라 그냥 위로 적층하면 다단의 와이어본딩 칩도 3D 와이어본딩입니다. 어드밴스드에서 3D로 표현을 하는경우는 TSV가 적용된 HBM을 간단하게 3D 칩이라고 부릅니다. 개념적으로 혼동이 있을 수 있으니, 3D면 위로 쌓아올린 칩 그리고 HBM을 의미할 수도 있겠구나 라고 생각하시고, PoP는 컨벤셔널에서 왔고 지금도 컨벤셔널의 조합이 많지만 팬아웃 등 WLP도 사용할 수 있겠구나 라고 생각하시면 될거 같아요.
안녕하세요 교수님 강의 잘 듣고 있습니다.
질문이 있어 댓글 남깁니다.
PoP 공정의 경우 interposer층이 하단의 비메모리 PKG의 어디와 연결되는 것이며, 또 상단의 메모리 PKG의 Solder Ball과 연결되는 지 궁금하여 댓글 남깁니다. 강의 잘 듣고 있습니다. 감사합니다.
일단 PoP의 경우 여러 형태가 존재할 수 있는데요. 하단에 링크를 하나 첨부합니다 그냥 예시로 봐주시면 될 것 같아요. 하단의 비메모리 패키지의 PCB에 인터포져와 연결되는 솔더볼에 연결이 되고, 상단의 메모리는 스스로가 가지고 있는 솔더볼을 통해서 인터포져와 연결이 됩니다. 그러면 인터포져를 통해 위 아래 패키지가 연결이 되겠지요? 한번 그림 보시면 좋을 것 같습니다. www.indium.com/applications/pcb-assembly/package-on-package/
교수님 안녕하세요.
소켓핀에서 니켈이 금과 구리의 확산 방지 목적으로 사용된다고 하는 것이 금과 구리 사이의 반응을 막는걸까요? 니켈을 제외하고 구리 위에 금만 씌우면 어떤 문제가 생기는지 궁금합니다.
안녕하세요 구리 위에 금만을 올릴 경우 전류 & 열 등 에너지 즉 테스트 공정 혹은 솔더링 등에서 구리와 금이 서로 확산을 하게 되어 구리가 표면에 노출되어 산화가 발생합니다. 따라서 이러한 구리 금의 확산 방지를 위해 니켈을 금 구리 사이에 배리어 층으로 넣습니다. 참고 링크 첨부합니다. www.rndtech.co.kr/bbs/board.php?bo_table=free&wr_id=114&sca=PCB
@@HBNUFCML 감사합니다!