Clearest explanation of EUV research on the internet! Very good. Given the existential threat, China has no choice, and the governance model favours state owned intervention. So it will not be surprising the the Chinese will consider the Utility EUV model and invest in the EUV accelerator and sell the light source to a group of foundries located in the vicinity. Watch out world. The semiconductor manufacturing model is just about to change. If realised, one can foresee more than one TSMC in China. Breathtaking!
今天看了 SSMB-EUV 的幾個影片，讓我對中國科研人員的看法又改觀了，根本是沒底線地在拼命，進度太快了。
不要盲目害怕，但要有危機感。新的技術要不斷延進。
在過去發展極紫外光時。科技界就探討過許多方案。 本中子方案當年被捨棄。原因是溫度太高。擾亂晶圓表面矽結構。 如今。矽結構被破壞。已經可以找到還原結構的技術。 因此。中子雕刻術就復活了
前途是光明的、道路是艰难的、加油!
有凭有据又中肯 谢谢解读！
用同步輻射加速器可以做為獲得極紫外光的光源之一，主要是希望得到穩定的高功率光源，事實上ASML的極紫外光源並不需要使用到這麼大的設備，而是採用雷射電漿（laser-produced plasma，LPP）技術來產生波長為 13.5 奈米的 EUV 光，不過這種方法產生的光源比較弱，最佳狀態時只能輸出 10 瓦的功率，而且可靠性低，這也是為什麼EUV這麼貴的原因。
EUV 光的產生是用二氧化碳雷射每秒 5 萬次去轟擊液態錫滴，主要的困難就是要怎樣把 EUV 光的穩定的輸出功率調高到可作為量產的250瓦功率。目前的EUV機是台積電和 ASML共同合作，日夜不停地改進光源的各項參數，才在 2015 年完成了這個任務。
是20k瓦 镭射得到 250瓦。
而且使用这方法镜面会被污染。
镜面当耗材😅是一笔不小开支
@@CK-123-o2i鏡面當耗材？哪來的結論？
台積的EUV好幾年了，根本不需要換POB
@@CK-123-o2i ASML EUV光刻機也是有壽命的..笑死人
@@skjhfuihff08757 锡滴可能会污染镜面啊，再加上本身吸收光能破坏反射镜，所以需要定期清洗和更换。EUV工作原理我们很清楚，就是花点时间工程实现而已。
@@leiwu9305 EUV的CO2 laser (錫滴）在sub fab，跟EUV機台根本沒有在一起，你到底懂不懂
機台是在sub fab產生euv光，經由beam delivery unit把光帶到collector，然後經過illuminate, reticle stage, POB,再到wafer成像。這些東西網路上都可以查到。
SSMB目前的方案簡單說就是把滾水倒進去一根超級長的金屬管子，然後要哪個溫度的水自己去相應的段落裝水。
0:36 0:36 0:36 0:36 0:36 光刻机是目前为止，人类有能力制造的最精密和复杂的机器，没有之一。一台光刻机，有三大关键部分组成。第一部分是光源、第二部分是光学系统、第三部分是蚀刻工作台。每一部分的技术挑战都堪比登月。
1997 年，英特尔公司和美国能源部共同投资一家公司，开始研制 EUV 光刻机。在 6 年的时间中，这家公司研发了绝大部分的核心专利技术。但英特尔和美国能源部都不打算自己造光刻机，因为他们觉得造光刻机其实不挣钱，还不如把核心技术授权给一家外国公司，让他们去造光刻机。后来，荷兰的阿斯麦公司拿到了这些核心技术的授权，然后在三星和台积电等公司的帮助下，终于在 2010 年生产出了第一台 EUV 光刻机的原型机，又测试、优化、升级了 9 年，最终在 2019 年生产出了第一台可以正式投入商业生产的 EUV 光刻机，总共历时 22 年。
然而，虽然 EUV 光刻机是荷兰的阿斯麦公司生产的，但它也不过就是一个组装厂，只有 15% 的零件是自主生产的，其他 85% 的零件依靠进口。又因为美国能源部拥有光刻机几乎所有的核心专利，所以，阿斯麦生产光刻机，需要美国能源部的授权。这就是为什么假如美国政府说不准把光刻机卖给中国，荷兰的阿斯麦公司只能听它的原因。可以说，一台 EUV 光刻机是七、八个国家围成一个圈，卡着阿斯麦的脖子。
中国想要突破技术封锁，独立生产光刻机，就需要在全部三大关键部分上实现完全的自主创新。我们现在只能说，在第一个光源部分，我们看到了一点点希望。
2010 年，斯坦福大学的华人教授，同时也是清华杰出访问教授赵午与他的博士生一起提出了一种产生极深紫外光源的新原理，这种原理被称为“稳态微聚束”，英文简称 SSMB，就是利用巨大的粒子加速器来产生极深紫外光。2017年，清华大学的唐传祥教授团队与德国的同行一起合作，完成了实验的理论分析和物理设计，并开发测试实验的激光系统，进行了一定的原理验证。2021 年2 月，他们的论文在《自然》杂志上成功发表[1]，唐教授的博士生邓秀杰是第一作者，唐教授和德国亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心的另外一位教授是通讯作者。
到了 2022 年 3 月，唐传祥教授和邓秀杰博士又在我国的《物理学报》上发表了同名论文[2]，可能他们自己也没想到，一年多后，不知道什么原因，大概是在 2023 年的 9 月 13 日，不知道是哪个自媒体发了个视频，标题很那个啥，叫《逆天了！清华大学SSMB-EUV光源横空出世，功率达到EUV光刻机40倍》，然后，仿佛一把火，各个自媒体平台都开始以各种“逆天了”三个字开头为题，来热炒清华大学的这个 SSMB 方案，看得都傻了。
中國现在离实现生产极深紫外光刻机还有十万八千里，千万别上头。首先，清华的官网上说，2021 年，唐传祥教授就已经向国家发改委申报把 SSMB 实验装置列为十四五国家重大科技基础设施。但是，我没有查到任何立项的新闻。注意，这种民用科研项目不是军事项目，不需要保密，立项都是需要公示的。也就是说，至少到目前为止，这个项目连立项都没有立项。
就算乐观一点，明年立项。这种级别的科研装置，没有个 5 年是很难建成的。然后建成了以后我们再乐观点，搞个 3 年测试成功，然后再花 5 年建成可以商用的光源。这就 13 年过去了。但是，光刻机的另外两个关键部分能不能在这 13 年中搞成呢？现在连个影子也还没有。
而且，我们不知道再过 13 年，美国人、荷兰人是不是又搞出了更先进的下一代光刻机，中國还得继续追。
最后说一句不中听的观点：
在 20 年之内，这个世界上不可能有任何一个国家可以完全独立自主的造出一台代表国际最先进水平的光刻机，美国也不例外。
为什么要把这个观点说出来，是因为真的不希望过去大跃进的悲剧重演，中国人是很聪明，但并不意味着中国人就是特殊材料的人，全世界所有的种族都是人科、人属、智人种，中国人和外国人的基因几乎没有差异，不比外国人笨，但也并不比外国人聪明很多。
实事求是才是发展科学技术的正道，光刻机这样超级精密复杂的机器，寻求最大范围的国际合作才是最佳解决方案。
全部留言看下來，就你的留言最客觀真實，任重而道遠。
抄的科学声音的稿子。不过科研机构研究的效率和华为等公司组织团队干完全是两个不同世界的效率。
逻辑不对，既然阿斯麦能用22年造出EUV光刻机，那么现在在中国已经拥有生产7纳米芯片技术的情况下，怎么还需要20年？研制第一台EUV光刻机的难度，绝对要比跟随其原理而制作要大多了，而阿斯麦也没有中国的集中力量办大事的体制，因此中国并不需要20年，甚至在两三年之内，3到5纳米的芯片量产技术都会出来了。
@@Thephilpw99
1.首先中芯的N+2製程，使用的是浸潤式DUV，構造原理和EUV不同，其次使用的機台仍然是ASML的機台，華為並沒有掌握大規模製造DUV的技術。
2.SSMB目前還在實驗室階段，大約類似2000年左右的EUV，而從理論到成品，美國及世界各國團隊花了10年，所以預估13年有成品出來是符合邏輯的評估。
人家荷兰人天天都担心中国自己出的光刻机抢了他们的市场，所以天天和政府闹要取消限制，一个什么都不会造只会用的台湾却把别人造的光刻机说的好象是神造的一样！
其实大家都知道，多数情况下，prototype搞成了基本就是90%的成功率了。剩下的事就是购买设备组装调试，由于不同于工业领域的大规模量产，不存在要解决的一系列连续生产质量控制维修更换部件成本等等一系列问题。从工程和经济角度说，这个装置已经成功了！
Clearest explanation of EUV research on the internet! Very good. Given the existential threat, China has no choice, and the governance model favours state owned intervention. So it will not be surprising the the Chinese will consider the Utility EUV model and invest in the EUV accelerator and sell the light source to a group of foundries located in the vicinity. Watch out world. The semiconductor manufacturing model is just about to change. If realised, one can foresee more than one TSMC in China. Breathtaking!
感謝曲博士！
聽老半天的結論是，1. SSMB 可以產生最短至 5nm 的光源，比 ASML 的 EUV 13.5nm 更短。2. SSMB 可以輸出達 1k w，比 ASML 的EUV 最大 500w 還高。3. 補充說，中國的光學鏡面，光罩技術還等漫長發展，所以目前還不能使用。第三項，需要更多資料就才有說服力！
总结的很好 语文课代表就是你了😅
第三项可以去长春光机所找找答案，这个博主一定没看过长春光机所的论文。
@@leiwu9305其實博主沒考慮一點中國終將統一宇宙！要叫誰提供什麼都是下個令的事！所以這些都不是事！中國眼光是放在統一各個平行宇宙實行大一統的理想
感谢曲博的专业讲解，涨知识了！
同意，我无时无刻不对中国芯片发展期望，希望快一点，再快一点。但是面对自媒体的狂嗨，还是保持清醒。希望科学家们再接再厉，天耀中华
近日網上有人提到，華為因將在高、低頻段表現突出的”BAW濾波器”技術（非傳統的僅在高頻段表現突出的SAW濾波器）用於Mate 60 Pro手機內，致使其能衛星通訊、在電梯地下室內接收訊號強、通訊時輻射強度低等等，遠優於其他高端手機，不知是否合理或正確？ 另該手機亦是全球第一款應用超線程（Hyper-Threading）技術的手機。
SAW濾波器是在低頻段表現突出，BAW濾波器才是在高頻段表現突出。
@@Ansforce 了解 感謝
Mate 60有超线程是因为芯片原始设计是服务器芯片。目前意义不大，因为手机软件还没有利用超线程设计的。
和苹果最先用64位软体一样，有了硬体，软体以后会跟上
asml euv 体积也很大 ，还有不时更换反射 镜片 ， 总体造价相当昂贵
相比ssmb 价格 不算高
貨櫃大小集成包含光源所有光刻機元件，一個廠區可以擺多少台，一個加速器需要的是幾個廠區的大小，這只是光源，符合這個加速器光源的標準更難的反射鏡，光阻劑，塗佈蝕刻清掃設備又還沒沒包含進去，雖然這個是台灣清華很早發表的理論，由大陸清華跟德國合作驗證理論，但你們還是聽聽大陸的唐傳祥教授最後對這用在光刻的評價，本人說的比其他人解說要權威的多
SSMB功率更大，所有耗材的更換速度會更快。
@@流踢両ASML EUV是因为发光材料对反射镜有污染才需要频繁更换，不是激光对反射镜造成破坏。不同技术发光的功率大可不一定就需要更频繁的更换反射镜。
光源問題是小的，最大的困難是應用光源的掃瞄器
任重而道遠，但已不遠💪，光罩與反射鏡相對不難，接下來是一年的磨合及參數調整。
光罩與反射鏡不難? 你真的有去了解光罩與反射鏡組嗎? 聽你這麼說百年蔡司乾脆去跳河吧! 12片反射鏡有平面，有的有曲度，表面凹凸及曲度，都是用奈米等級規格。 整個鏡面的凹凸精度比韋伯望遠鏡片還要精密與嚴格。 底層用超精密加工刻出型狀及表面平整處理，再鍍上至少50層5nm的鉬矽分層，加上背後複雜的散熱系統，最後兩片競片都是弧面設計，形成一個Cassegraine鏡頭組，你能搞得出來? 這世界上也只有泥盆能搞出來第二個，但是不包括現在的Hi-NA EUV鏡片組，其他的? 就先去洗洗睡吧!
@@samtsou你怎麼可以對以後宇宙霸主中國有質疑！人家大國工匠銼刀就能達到0.00068mm的精度！手摸就能檢測3u的誤差！更何況是中國製的精密儀器
整個看完有2個感想。
第1是大概有8成左右的人會滑走，能看完是少數。
第2是又是個先破產還不一定會成功的項目。
快建好了，已经论证了
@@111sibiter7 快建好了？？？你知道建好的時間嗎？？🐸🐸
臉還未打夠嗎？一年前多場台灣人說中國要突破7nm晶片沒有幾十年不會成事，現在呢？mate系機已在瘋賣了。
我就是做光路研發的,我很清楚那是什麼不!! 知道多少人可以聽懂那句....我們應該害怕的,是說半導體不存在彎道超車的那個人
我在產業三十多年,真的很難看到願意講實話的, 極極極少數, 還好這裡是言論自由的,也是這裡真正唯一的優勢
你确定你那边言论自由？少吃鸡蛋就病成这样了啊
電子束應可利用導入高介質系數介質縮短波長
成功都是建立在一个一个技术的突破上面，路一步一步走，慢慢来😂
講咗當做咗，真牛逼。又赢嘛了。
謝謝曲博詳解，現在科技一日千里，很多今日的質疑，卻在明日成為普眾事實。看看多少日子前才因蓄電問題拒絕電動車，如今充一次電跑的里程數不輸加滿油箱的油車，甚至已要投入電動飛機的開發了，EUV設備應該也會在新材料新思維中被簡化、經濟化。
逻辑问题，技术不同无法类比。电动车技术突飞猛进但核融合技术就停滞不前，同样是技术为啥前者就能拿来证明光刻机技术会继续大幅发展？
感覺有種殺雞用牛刀
這是教授級的解說、謝謝您
無心機看和聽!
作为外行，基本了解了原理。感谢作者！有个小疑问，文中没有介绍镭射共振腔的原理。为什么电子储存环要用这个装置？它是怎么起到微聚束的？
我的理解就是，电子通过波荡器时，产生了轻微的横向位移（震动），这些电子的横向位移就会被激光光波影响，使得电子集中到光波的顶峰，于是乎就形成了一簇簇微小的电子团，每个电子团之间的距离就是光波的波长（1064纳米）。这些微小的电子团本身就大大小于光波的波长，因为它们只聚集在波顶，然后再经过几次重复调制，就会达到10纳米级大小，在加速环吸收了足够的能量后，就会产生高频的相干辐射波。
@@Thephilpw99 感謝你專業的說明。
只要原理验证可行，剩下来的工作就是产业化落地各环节拼突破。跟原子弹一样，首先原理论证通过，剩下来就是海森堡与奥本海默两个团队pk谁能更快真的造出来原子弹了
沒錯 這就是實踐的過程 從燈絲到燃氣機 那些實踐不是經過層層的難關呢
中国目前是多路线并进，传统EUV路线光源是长春光机所和哈工大负责，也已经通过验收了！国力强大就是好，各种路线都有实力玩！不像公司基本上人力物力只能赌一条技术路线
非常中肯，这种科学态度让人非常舒服，学习了，感谢你！
ASML的EUV光源，不仅功率小（低于250瓦），而且波长较长（仍属于紫外线范围），因此，加工3纳米晶片勉强可以，但3纳米以下晶片的加工会很困难。稳态微聚束（SSMB）设备，虽然占地面积大，但可以同时产生数个或十数个远超EUV光源的光源（波长更短，功率更大，更稳定），也就是同时支持多个或十多个性能远超EUV的光刻机，亦即超级“光刻机群“，如果再积聚先进封装设备，那整体占地面积和各类成本，都比同样数量的台积电EUV半导体代工厂要小很多！大陆面积大，要建设这样的半导体工厂集群，不是问题。😄
我们现在离实现生产极深紫外光刻机还有十万八千里，千万别上头。首先，清华的官网上说，2021 年，唐传祥教授就已经向国家发改委申报把 SSMB 实验装置列为十四五国家重大科技基础设施。但是，我没有查到任何立项的新闻。注意，这种民用科研项目不是军事项目，不需要保密，立项都是需要公示的。也就是说，至少到目前为止，这个项目连立项都没有立项。
就算乐观一点，明年立项。这种级别的科研装置，没有个 5 年是很难建成的。然后建成了以后再乐观点，搞个 3 年测试成功，然后再花 5 年建成可以商用的光源。这就 13 年过去了。但是，光刻机的另外两个关键部分能不能在这 13 年中搞成呢？现在连个影子也还没有。
而且，不知道再过 13 年，美国人、荷兰人是不是又搞出了更先进的下一代光刻机，我们还得继续追。
想说一句不中听的观点：
在 20 年之内，这个世界上不可能有任何一个国家可以完全独立自主的造出一台代表国际最先进水平的光刻机，美国也不例外。
当然，这只代表个人的一点浅见，希望被打脸。
为什么要把这个观点说出来，是因为真的不希望过去大跃进的悲剧重演，中国人是很聪明，但并不意味着中国人就是特殊材料的人，全世界所有的种族都是人科、人属、智人种，中国人和外国人的基因几乎没有差异，不比外国人笨，但也并不比外国人聪明很多。
实事求是才是发展科学技术的正道，光刻机这样超级精密复杂的机器，寻求最大范围的国际合作才是最佳解决方案。
但不是現在，可能需要數年至數十年。這個時間夠讓共產黨垮台。而且光台積電一家的研發資源就超過了中共提供的資源，這幾年還會有更新的技術不斷出現。
以前的芯片大厂负责的是整个芯片设计和加工的过程，后来台积电带头把芯片的加工脱离了出来，那么以后EUV光源的产生也可以从芯片代工厂脱离出来，专门一家公司提供EUV光源服务，然后让芯片代工厂为其光源投标。
你進過半導體過嗎? 吹什麼吹? 這SSMB不是什麼新技術，日本，美國，ASML也早已進行研發，到現在為止也只有日本的才到一點邊，ASML早在上個10年就已看出其不可行性孻以克服。
聽你說起來是如此輕鬆，試問你光組劑何來? 專用的TRACK機台何來? 沒這些週邊配合，光有個曝光機也只是做出一堆渣來，懂嗎?
@@samtsou 你的话有依据吗？SSMB不是新技术能在Nature上发论文吗？你至少先把曲博的影片看完，才会有一些基本知识。至于光刻机的其他部件，难度比光源小多了。ASML至今还没有完全解决EUV光源功率偏低（低于250瓦）、波长过长、以及稳定性问题。这些问题，严重影响台积电5纳米和3纳米的良率。
自媒體更需要公正 不偏頗的報導,才能吸引更多的讀者
他自己不也是自媒体？😂
可能正好相反。。。
你在搞笑吗，自媒体就一个人，混的就是流量，哪有办法监督，媒体都不公正你还指望自媒体
簡體字自媒體，靠說謊造謠
吸引讀者騙流量...居多
這是蠻早以前的技術，通常是要透視較厚的物品而使用，當然還有其他應用
SSMB原理是清华教授几年前提出来的，是非常新的技术。
@@隔壁王爷 雞同鴨講 ，你可以看看，實驗場址是什麼時後建造的，同理世界各個國什麼時後建造的，此一現象應該幾十年前就已經發現，只不過要用此效率極差的方式做應用貴區應該是第一個！
SSMB是稳态微聚束同步辐射光源，是这个领域最新的技术
其實我更想了解的是碳基芯片。還有光量子芯片！現在是在變革的前沿！
碳基芯片和量子芯片目前還在研究階段，距離實用還很遙遠，大量應用等十年以上怕是必須的吧！
簡單的一些好像已經有應用了，複雜的邏輯芯片之類估計如老師所說至少10年@@Ansforce
甚麼光不重要，講了那麼多，究竟華為手機裏的高功能晶片是哪裡來的?
就是華為的晶圓廠配合中芯的技術呀！
連一個鏡頭都磨不好，還想集束光刻，那可以想像那機台有多大台
或許中國已經另闢蹊徑。 為了保護相關廠商及人員，當然絕對保密，不公開方法
或許國軍可以直射北京上海反攻大陸，只是為了保護臺灣跟世界和平，當然絕對保密，不公開發佈。
你以為外國的技術人員是傻的嗎？ 人家拆解手機之後就看到了
@@AlMan-pm9sz 然後？ 看到什麼？
@@AlMan-pm9sz 到現在都還沒確定真相不是嗎？不懂你沒頭沒腦的在說什麼東西
@@帕希狼 麒麟9000s的晶片比SMIC的14奈米工業先進，但是以CDs(關鍵尺寸)來看的話又比目前觀測到的5奈米工藝大。並對其它關鍵尺寸包括 logic gate pitch(邏輯門間距)、fin pitch(衡量鰭形晶體管密度間距)、lower back-end-of-line (BEOL) metallization pitches(後端金屬化間距)進行測量，TechInsights分析團隊認為麒麟9000s的晶片具有7奈米的特徵。
自行研發才珍貴!
如果一个SSMB系统相当于几十个AMSL光刻机，算下来应该要比买ASML划来
那你買一台20年前的286電腦就等於有2000萬台最新i15手機了。
因為其中晶片大2000萬倍。
小朋友，沒常識也要看電視，若電視都是洗腦教育，那反正你都違法翻牆了，應該多看看世界知識。
微觀世界的技術比常觀世界高太多，這種科技技術力不是用大小等比比量的。
做大很容易，除非大到超越物質量級。
做小很難，而且很容易觸碰到微小量級被卡住。
因此做小的科技技術相對做大，是不能比的難。
搞一台ssmb就以為可以取代十幾台euv，這是會被笑死的。
就如搞個近視眼鏡就當1000台電子顯微鏡去用一樣愚蠢。
看似體積一樣大，看的範圍一樣大，但在微觀功能上，完全沒有效果。
@@davidlee-bd5kv 老先生，您看三立電視並不能增長智慧😁
@@davidlee-bd5kv连你的主子美日都很紧张，你何德何能的表现出如此无知的轻松？
这是未来技术储备，此外突破的有中科院的高精度弧形反射镜系统（21.7），华卓精科的干式双工件台与浸液系统（22年底），哈工大的激光干涉仪（22.12.3），长春光机所的EUV光源工程样机（23.4.13）
大大您是內行的專家啊👍👍👍！這個不點讚我會被雷劈啊😭😭😭
决定光刻机能不能造出来的不是已经搞定了多少分系统，而是还有多少搞不定的。
@zihanrong6694 2018年，中芯国际刚刚会制造28nm的制程，台积电已经是5nm，那个时候台湾一群人说中国还差台湾30年时间。
2023年，XX公司给华为代工7nm芯片（中芯国际已经否认帮华为代工，想想也对，中芯国际里面都是美日韩的专家，不代工才是正常），台湾人说中国还差台湾5年。
@@thomashawaii 25年左右吧
@zihanrong6694 啊对对对，全是我编的
中國建這個新的SSMB可能都還不是為了要造極紫外光刻機，應該只是學術研究的需求~!個人看法老共應該不會把資源浪費在別人成熟的領域(極紫外光)，擴大成熟製程的產能及自主化跟趕超第三代半導體材料應該才是主軸~!
三代半導體無法做成先進邏輯閘
@@adlevi5944 是的，不過別小看功率半導體，如果邏輯晶片是肉，那功率半導體就像飯一樣重要，只要是任何用電的設備都離不開它，而且確實可以大大減少功率損耗~!凡舉綠能，輸電網，電火車，電車，電瓶車，3C家電..... 都用得到，算是基礎建設的必需品~!
直道追不上当然只能想弯道超车了，但是弯道要是能超车那人人都在弯道加速了，风险在那，翻车的可能性在那。别的不说，就说这个ssmb，原理也是和德国在一个很小的机器上做的，先不说跟实际应用需要的功率还有多大差距，可控核聚变原理早实现了但离应用远了去了。既然你自己连验证实验都要到德国做，难道德国这方面会比你差？要是这个方案可行难道德国就不会也做一个？
@@thomashawaii 而且德國人天生已經有配套的蔡司鏡片。
@@swallowjones 消費性電子產品絕對是邏輯IC重要。
2021年的实验，大陆还有什么技术未被曝光？
讲解很好，我觉得进步是一点一点来的，一步一步来的今年突破光源问题，明年别的研究小组也会推出成果的，就像华为不仅在EDA设计软件上，在芯片设备上，在芯片原料上，在7纳米制造工艺上，在卫星通信等都突破了！一步一步的来。我觉得稳步发展一定可以.
ASML 又驚呆了！
很好很专业。
如果成功而建立EUV光刻廠,這會改變半導體的產業鏈~~~
惯性思维，光源现在已经走出了与asml不同的路线，那微影系统以及各种反光镜为什么要跟asml一样？所有人都明白，以现阶段大陆的技术跟在asml的技术路线后边是不可能走通的，那有没有可能用别的办法，比如这套光学系统可以很大很笨重，无法移动，无法出口到别的地方，但是它管用，为什么我们要达到asml又小有精密的那种水平呢？asml总裁说过，中国人可能想到我们以前从来没想过的技术方案
是不同的思維，但是光學系統需要的東西還是不能少。
説什麽也好，2023年華為已做出了7納米非多重曝光的芯片，這不是未被禁售的DUV光刻機能做到的，ssmb也未出來，現在華為底牌是什麽也不知道，未來兩三年很可能還可以更進一步。而且很重要一點是，之前人們以為9000s是不能大規模量產的估計看來也落空了
曲博真的是非常難得的科技博主，其專業一般人無法望其項背。
但希望曲博能把艱澀難懂的科技知識，以生動有趣的方式表達最好還能有一些生活中有的例子或狀態解說。
不然我每次都會忍不住睡著，不好意思ㄚ，曲博。😂😂😂
生動有趣很難用在SSMB上啦！這一部是我有史以來拍過最長的，一般我拍20分鐘的影片大約只要1小時就夠了！這一部我拍了2小時，不停重講因為想要講清楚。
@@Ansforce推！好影片
@@Ansforce 我解決這個問題的方法很簡單，如果聽了想睡，那就真的去睡一下，等睡飽回來看第二次。如果覺得艱澀難懂，就多看幾次影片，中間不懂的名詞就暫停，然後上網搜尋，查讀資料，等弄懂了再回來繼續看，很輕鬆有趣的。
專家科普知識非常難以通俗化，因為科學主義本就須要數據與實證。可以讓自己分段分次看完視頻。（敝人=一位理科白痴的經驗）
@@Ansforce 建议博主去看一下长春光机所和上海光机所的论文，然后再出一期关于DPP（LPP） EUV光源、EUV高精度弧形反射镜系统和曝光系统的节目，会有新的发现哦。
希望可以弯道超车
講得這麼專業，鴨子聽雷，減短明白就好。
感謝增補
第一 中國開發7n電子很不簡單但是更可怕的是中國的第四代半導體的技術它是以量取勝
台灣是只有兩家是以質取勝更可怕的是第五代半導體鉍領先的台灣沒有
第二 台積電先進製程2n還要前進到極限是0.2E就可以解開夸克理論可以製造粒子發電機
這是在開玩笑的吧
突破1奈米製程超越矽極限！台大攜台積電、MIT 研發二維材料＋鉍
我認為中國要做個穩定的光刻設備也沒有那麼複雜。也不需要做一個光刻廠。就是正正常常做大一點的設備就好。不需要ASML光刻機的小和複雜，也不需要光刻廠那麼大的投資。反正就是一個固定的設備。怎麼容易怎麼來。就是一個光源。很多時候可能也不過是中美雙方演戲而已。
哇。超棒的分享
综合网上的信源，总结了一下： 这整 个的方案据说是杨振宁提出来的，然后去德国利用他们的设备进行了验证，中国可是一直在进行高能物理和电子对撞机研究的国家，本来还想上更大的对撞机，被杨振宁拦下了，说中国还没富裕到有那个闲钱的时候，不值当，所以做这么小型的加速器真的是小菜一谍，合肥的那个核聚变约束环，比这个也高好几个档次，做这个真的是没什么难度，今年三月已经在雄安正式签约开建，这说明技术上已经 没有障碍，开始正式的工程建设了，这没什么须要质疑和讨论的了，这个装置解决了光源问题，但是是比阿斯麦更牛的光源，功率、光的“纯度”、波长都全面碾压，据称，光学系统可以更简洁高效，阿斯麦的光源，是用激光照射锡雾产生的，其产生的光是杂乱的，要“提纯”，损失很大，所以最后的功率受限，波长也就到极紫为止，但我们的这个装置可以同时产生多种波长而有序的光，从不同部位引出不同波长的，最短波长的比阿斯麦的更短，这种专业的东西，似是而非的最容易糊弄人，比如这位，就象前阵子将7NM吹得神乎其神，中国要一步一个脚印，没个十年都 不可能的论调一样。
光源解决了，还有透镜组、双工件工作台、光栅测量对准等，大多也都有了着落，剩下的就是系统集成的事了，这些肯定是在同频推进的，以中国人遇到这种事会拿出拼命的精神来做的一贯作风，个人以为，不超过三年，必定会全线贯通运行！
2018年，中芯国际刚刚会制造28nm的制程，台积电已经是5nm，那个时候台湾一群人说中国还差台湾30年时间。
2023年，XX公司给华为代工7nm芯片（中芯国际已经否认帮华为代工，想想也对，中芯国际里面都是美日韩的专家，不代工才是正常），台湾人说中国还差台湾5年。
其實領先者要再向前往往更困難，原本後進者追的就會比較快，因此中芯和台積電的差距不斷縮小是合理的。
@@猪必胜听说华为芯片是自产的，利用自研的光源系统，改造了duv，大大的提高了良率，达到八、九成左右！😂
@@猪必胜不可能是中芯代工的，中芯duv源自阿斯麦，都有远程网络监控
@@Ansforce一个走的是未知道路，一个只是走前人探明的道路，虽然会在已经探明的道路上设置障碍和陷阱，但速度也会非常快，加上大陆人智慧和勤奋都不是享受惯安逸生活的欧美人可比的，速度我觉得会比预期的更快
謝謝曲博
艾司摩爾的EUV是一個廠房的大小，這個穩態微聚束的極紫外光產生就需要一個廠區的大小。
Asml的相当于一个小型集装箱大小
不要忘记，这不是对应一台设备光源。沿切线方向可以接无数设备。请问台积电一个厂区才有几台？而且接的越多，分摊成本越小，肯定比ASM l的一台上亿的便宜多了。其他设备也就不用考虑Euv光源部件了。
@@分析思考与阔论 那請問你可以接幾組鏡片組呢？ 你有看過一台醫院CT同時照射好幾個病患的嗎，你有看過傳統陰極射線三槍管CRT電視的一支三槍管接好幾個螢幕的嗎？
中國有錢有地，要砸下成本去做很簡單，但砸下去的錢會不會被騙經費的公司坑就不知道了
@@gnaixx 知道什么是光矩阵吗？？？知道什么是分光镜吗？？？产生的激光有不同波长的激光，通过光矩阵把不同波长分到不同区域（比如 1nm,2nm,5nm波长的激光），要生产1nm芯片的就去1nm的激光区域，要生产2nm芯片的就去2nm激光区域。由于产生的激光功率够大，可以用分光镜把1nm的激光分成几束的1nm激光。你举的CT和CRT只是光源的功率够不够，还有有没有要分光的必要。
感謝中國科研對人類的貢獻，期待有抄中國技術的一天
曲博士 前幾天網傳中國EUV光源被製造出來了，感覺是他們在拱趴。今天我在大陸的長春光機所官網看到一則公示，EUV光源的研究團隊被提請了大陸國家科技進步一等獎的申請。據我所知這個獎項是大陸在科技方面的最高獎項哦。如果是這樣的信息相繼曝出你判斷大陸是否大概率會在2-3年內搞定EUV光刻機。
我看了相關報導，那個應該是光源樣機，其實做出光源不困難，重點是如何達到足夠穩定的功率來量產，另外還有光罩、光阻、光學系統、檢測系統，總之要做到能夠真正量產5奈米的製程，大陸可以在十年內做出來，我都認為很厲害了！有大陸的網友留言和我打賭說二年可以做出來，那我們就等2025年底的時候再來看看結果吧！
加油💪！
我的淺見是, 這個技術一做出來, 就會改變整個CHIP的生態... 這個建築基本上就是一個小型的Large Hadron Collider, 要能收支平衡, 每次一定要做大量的CHIP... 就是說萬一量產, 中國就會把全世界的CHIP生產都打到地, 因為小小的ASML EUV機無論如何都不能做到這麼平宜... 到時候你要28nm都好, 中國照做個4nm給你, 因為他要量, 而每片CHIP造價實在太平宜了.... 至於什麼時候能量產, 我小小一個土豆當然不知道, 但要知道現在整個中國, 上由共產黨, 下到每家CHIP工廠, 都把突破CHIP科技定性為生死存亡的大事, 在人力物力全身投入之下, 很難說要多長時間.... 上年聽曲老師說中國能用DUV做出7nm, 我已知道華為會回歸, 但我絶猜不到今年中國已經能量產7nm.... Intel今年才能量產7nm好不好, 這個真是進步神速!
RUclips的很多自媒体的自嗨和标题党真的没人管，感觉真是到了自由的西方了，看着就让人恶心加糟心，话说回来有些东西确实只能被逼出来，但愿自强的同时也能有进步。最后希望曲博这样的UP主让更多人知道
您是內行人。一般人所接觸到的中國人，特別是在台灣東南亞活動的中國人，很多都是非科技界人材，一般人很難理解中國隊先進技術投入狀況！（如：油管娛樂媒體的明星，或是三陪與各種詐騙集團=那些都是針對海外底層華人），
ASML 光刻機的價值就在於它小小的，一個佔地幾千坪的光源，只能生產1000W，那你要多大的地方才能搞出幾百台EUV 光刻機？台積電現在就有上百台了，你想把EUV生產的晶片搞到白菜價，你不得要有上千台？我知道大陸地很大，但你成本那麼高要怎麼白菜價？而且這還只是光源，不還得要光罩，各種化學藥品？這些東西你要有地方放。每台光刻機旁邊都要建一套設備，造價立刻沒競爭力了，還白菜價呢？想太多了。
@@ericchang4792 生產有一個基本慨念, 就是初始投資永遠是天文數字, 但量一上來就完全不是一個數... 中國把突破晶片技術封鎖視為國家興亡之決戰, 根本不需要賺錢, 但一做出來後, 單價就會打得全世界都無法競爭, 之前的太陽能已經是活生生的實例, 這二年也就可以看到中國EUV會把日本德國都打掉, 美國車廠(包括Tesla)也只是靠貿易保護可以多活幾年... 台積電在重重困難下, 能打勝INTEL, 我是欣賞又高興的, 但以晶片競爭之殘酷快速, 台積電如果再把人力物力浪費在美國設廠的話, 真是說不定會發生什麼變化... 我做的是超低端生產, 對於科技頂尖的晶片也就是看所有tangible products的product life cycle而己, 多嘴談下, 請多多包涵!
這年頭有太多令人咋舌的事了！如是大外宣我們等著看老共丟臉，但如果成真呢？樓上質疑的可衷心信服？我期待老蔣時代課本說的 ： 21世紀是中國人的世界！揚眉吐氣的年代！
如果是基於已有的路線去研發，中共國是絕對辦的到的。但是要開創新的道路，重新建立一個新體系，我不認為一個黨永遠正確的體制能辦得到，因為自然規律可不會聽黨的話。
你的思想很冥顽僵化！单从疫情就可看出中共领导人是以科学理论实践和专家意见来指导抗疫的！这和维护党的利益不冲突！
问题是中国共产党比美国的两个党都更相信自然规律。中共更相信气候变化，更相信需要绿化改造世界，而美国永远不想摆脱对石油的依赖。
看看光伏产业，原本是美国领先的，但出了点问题就不支持了，而中共则是在光伏被制裁后大力扶植，现在已经取得了独大的地位。
看看电动车行业，原本也是美国领先，但在中共的支持下中国的电动车出货量已经拿第一。而特斯拉从一开头就被美国的一些地方政府穿小鞋，横加限制。
如果真的按照自然规律，那么更信奉自然规律的国家必定胜利，对不？
政治不稳定不可能科学进步
笑死了，鬼岛才是自由民主永远正确的无脑体制吧。
我就问你一个问题，这世界上会不会有好的独裁和恶的民主？
蒋经国就是老子传给儿子的独裁者吧。
怎么你们那边都是这种脑子吗？教育出问题了？
台積電出身的梁孟松帶走一批工程師投靠中芯，並協助華為，只是比較辛苦，他們這群根基深厚的底子，總是有辦法可以想及試煉，會成功也是可預見的，作出來的晶片，也只適用於其國內。
只是提出个技术路线，距离实用早的很，指望这个不如指望清华的碳基半导体突破。。。
欸！老師忘了大陸手工打磨師是奈米製程的。
就等 中華人民共和國的相關產品， 如Hawai 的新手機 及此光刻機於國際市場上來上市， 拿來實測 就知道....
你的网络延迟了一个月啊？换个运营商吧不然你会与世界脱钩的
光刻机的研究早就分解成几个部分同时研究，不可能是一样的来。芯片应该是取得了重大突破，不然华为的5g芯片从何而来，肯定不是台积电和中芯国际代工。
5G芯片不是什麼高階製程 應該先搞懂底層邏輯吧
@@z.e.n186 他说的是带有5G基带的SOC芯片，不是独立的5G芯片。
@@z.e.n186 你問問頻果為啥造不出來要跟高通買?😂😂🤣
超條毛呀❤❤❤😂😂😂🎉🎉🎉
科学技术是不以人的好恶而进步或者倒退的。而人的好恶却会影响对于新的科技的解读。与君共勉。
最近传大陆的光芯片遥遥领先 快量产了 有机会能说一下光芯片的原理 跟中美差距吗？
euv有三条路线并行研发
大家好像誤會了一件事，雖然清華大學教授發表了新的光源「可行性」實驗報告，但並不表示未來只有中國大陸可以使用這種光源吧？
既然論文公開發表了，世界各國應該都會跟進研究評估，不是嗎？如果各國認為可行，大家都可以朝向這個方向發展，未來誰先弄出一個商品化的光源廠，還很難說。
目前来说这个方案其他国家不会用，想用的没钱搞，有钱的不用搞。中国是因为被制裁了不然直接买更省钱更方便。
论技术产业化执行效率, 中国认第二, 没人敢认第一。
問題的重點你都沒搞明白，大陸不是怕別人也有相同的技術，而是怕自己沒有跟別人相同的技術，怕卡脖子。
SSMB是另一條賽道，具有更高的功率與短波長光源上限，所以這不是彎道超車，而是換道超車。事實上中國大陸這方面的研究是多路齊發，LPP已經立項接近20年，樣機也完成了，包含聚焦光路(反射鏡套件)，這是人才規模優勢。
是嗎? 請拿出實際曝光的證明。 這條路用在晶片曝光到現在為止還沒一個影，日本在這方面的投入更超前，但是結果還是一樣。
@@samtsou 综合各方消息（科研论文，官方新闻），EUV光刻机各分系统已经基本开发完成，就等组装调试了，等调试完成才会有实际曝光结果。
@@leiwu9305 研究論文? 不要因為有論文就三級跳道能生產，這是兩回事。 光一個技術專利群你就跳不 過，再吹啊! 不要忘記，每年每帝BIS都會來強國個廠理檢查是否有違反專利，這事你不知道吧!
小問題，衹要能夠實現，我相信大陸什麼技術都可以去研發，各種技術流都會去發展，畢竟祇有小國才做選擇題，大國全都要
光刻機原本是日系廠商的天下
後來台積電聯合ASML以浸潤式光刻機 一舉突破日商壟斷局面
在他們成功之前,是不是也能說彎道超車不可能 ?
這個並沒有彎道超車呀！浸潤式光刻機只是在透鏡和晶圓之間加上水，那是個不錯的點子，用的還是深紫外光(DUV)，整台機器和之前長的幾乎一樣，怎麼叫做彎道超車？
@@Ansforce 台湾人非常担心中国大陆获得技术突破，我可以很明确的告诉你，3到5年中国大陆可以解决EUV的量产，国产DUV已经建立了至少5条独立产线在跑28纳米，华为的产线已经跑通14纳米，
這不叫灣道超車，而是直球對決! 當時日本也已進步到了170nm就一直過不去。 浸沒式當時不是沒找過泥盆廠商，只是泥盆前面頭已經洗下去了，就像Intel作14nm時的情景一模一樣地棄之可惜， 而ASML恰是想反情況，結果泥盆就被ASML給GG了。
這是否真與假，看你是在什麼人的立場，如果是台灣人，那肯定是假的。
你現在說的事情，是7年前的事，現況是怎樣？你也不知道，只會猜說 “還有很遠的路
@user-qt7yh5hr1y那要走的路就更远了，euv也是花了二十多年才商用的呀。
东莞的第4代同步辐射是2010年左右开建的。
對岸厚積薄發：埋頭研究的你看不到！你看到的都是很薄的很薄的發表！最頂尖最先進的科技落後的其實已經不多了！大部分都追上！而且有不少部分都領先！光、量子、人造氨基酸、先進燃料、碳材料…
AI有机化！很新的課題入神識！
是的，量子通讯特别牛。可以从卫星发射纠缠光子到地面站，以实现加密通讯，实在厉害。
閃電俠也是因爲這個環嗎
理論寫在紙上，要怎麼寫都行，做不做得出一回事，就跟有人發明不用火箭去月球的技術，就是做一個長達月球的梯子，爬著就能到月球，理論上是絕對可行的，理論上。
@Doraemon-6666 問題是他的實驗已經做出來還發表到自然期刊了呀！
理论上没有已知材料可以做成这样的梯子，所以你的类比是完全不成立的，想反驳就得好好下点功夫
SSMB覺得類似LHC，應該需要消耗很大的電能。
看其他YT說法，那SSMB 可能需要一座核電廠來供應電力XDDD
大陆水电成本费非常便宜，不超过0.5元
上面是瘋了嗎？ 你的電費可以cover過你的產品嗎？ 這樣的產品價格鬼才接受。不對，可能就你們牆內會接受😂
有人不卖你粮食 想让你饿死 这个时候你是不是应该自己开荒 自己种粮 即使自己种粮很累 但至少不会棉铃别人不卖你粮食酒饿死的情况了 而且已经开辟的土地 后续可以持续的种粮 对种子 种植技术的持续优化 会让种粮变得越来越轻松 类比下 一样的道理@@BHYang-tr9nl
@@BHYang-tr9nl 煞笔，工作原理都搞不清楚在这里秀智商吗？简单说这个是光源发生器，他可以分离出1到90nm所有光源，不同制程芯片生产线可以围绕不同光源建设就可以了，这个光源功率大原理上可以减少反射次数，功率远远大于asml，单位功耗只会会更低！euv目前光源转换只有5％，其损耗基本都在反射镜部分
儲存環可以有很多出口的話, 不是等於可以同時供給很多曝光設備使用? 這樣下來, 成本會高到離譜嗎?
同時供給曝光設備的數量應該是有限制的，它的圖下方有個能量補充裝置，代表取出能量會消耗掉。
@@Ansforce 理解, 數量當然是有限, 但是以環狀跑道加速後功率之大, 分攤之後似乎跟 ASML 還是很有得比, 一環100公尺以上, 可以分攤的設備數量應該也不少
@jshw-ys9ex 7-9個似乎是很合理的數字, 大功率的曝光, 時間應該也會縮短, 單位時間內的產量也會跟著增加, 所以最後來是看成本多少, 不過集中式系統的最大缺點就是一旦停擺, 損失也會很大
還是有人再說什麼7m的? 說完了沒有?
先要分清楚的是在半導體用的曝光機波長可以分成
1. KrF 248nm
2. ArF 193nm， 是指一般型的DUV
3. ArFi 即所謂的浸沒式 (Immersive) DUVi曝光機，是在原有的DUV 193nm透過液體改變波長193nm到135nm，目前僅有ASML與Kanon有機台，而相關關鍵專利也是在這兩家手中。歷年美國商務部都有到大陸相關廠商檢查是否有違反專利，或是侵犯美國技術。
4. EUV 13.5nm w/ 0.33NA
5. 2025年量產的 EUV 13.5nm w/0.55NA
想要做出7nm製程僅用一般型的DUC 193nm是做不出來的，那怕是你買了ASML，Canon幾萬台一般型DUV 193nm，你也只能做出一堆渣出來，所以不懂行，亂打雞血的說大陸事先已經買了N台一般型DUV，就是要準備在7nm大幹一場的，你XD可以去睡了，夢理什麼都有! 印為近的就是DUVi曝光機，而不是u一般型的DUV 193nm。一個價格是7000萬歐元，另一個只有3000萬歐元，能等同嗎 ?
接著我們再來查看台積電在2018年製作7nm N7時的曝光使用情況，因為左岸都說是抄台積電的N7，所以用台積電當年獨步業界的N7製程，對照中芯7nm應該是有相對客觀性的，也不會有人會認為我有先入為主看扁中芯的意圖吧!
首先在台積電N7製程中總共用到的曝光光罩，可分成
1. 42層 等效135nm的浸沒式DUVi 曝光機
2. 30層 一般型DUV與ArF曝光機
其中最重要，精密度要求最高的電晶體本體與Mx層導線部分，都是採用DUVi，透過自對準雙重成形SADP (Self-aligh-Double-Patterning)與雙重曝光(DP)技術完成。而在每一層曝光完成後，後面接著還要做蝕刻，沉積，CMP等一大串重要的主程序，不要以為就只有曝光機的事，懂嗎?
那為什麼台積電在隔年卻選用EUV取代部分原先用DUVi做的最精密曝光程序? 為甚麼? 下面我就做進一步的說明。 台積電在2018年是採用了SADP與DP技術，而在2019年改用了5層EUV曝光取代的原先10層DUVi曝光，並將整個光罩數量縮減到67層，看起來縮減的不算多，但是你只要往下看下去你就知道差異是有多麼巨大!
台積電N7 SADP+MP有關的主製程可大略分成:
1. 沉積Photo Mask。
2. 曝光顯影。
3. 削薄(Trim,還記得侃爺以前報導過的應材削薄機，被Intel吹到天上去的那台)，and/or 二次曝光顯影，增加特徵密度。
4. 蝕刻Hard Mask 形成導心軸(Mandrel)，此導心軸的尺寸與底部位置就會決定最終半導體製程所需要求的位置精度，此處作不好就絕對是死路一條。
5. 沉積Spacer
6. 蝕刻部分Spacer，在導心軸兩邊形成所需尺寸Spacer。
7. 蝕刻掉Hard Mask 導心軸。
8. 沉積Block Mask。
9. 蝕刻出底層所需的特徵溝條形狀。
10. 蝕刻掉Block Mask與Spacer，
台積電用EUV則僅需下面兩個步驟，且精度更是比用DUVi高出一個等級。
1. 曝光，顯影
2. 蝕刻底層最終特徵溝條。
台積電用5層EUV的N7+製程取代原先N7的10層DUVi，整個算下來，可以省下超過100道以上的主製程，這對節省成本，增加產能與良率，影響至關重大。主製程數量越多，良率就越差，這在半導體製程業界是不變的常理。
對照EUV與DUVi SADP+DP製程後，以中芯那種抄個半調子的能做出什麼水準的良率? 更不要忘記良率的高低是與品質可靠性成正相關的關係，良率越低則品質可靠性也越差勁，成本就更不用提，早已高到天上去了。不懂的SX你就繼續吹吧!
在對比華為手機裏的散熱片尺寸，內行的一眼就能判斷出，華為不是用高頻就是中芯晶片的漏電量有問題，這又牽涉到進入7nm時的另一道技術關卡，即Ids vs. Vgs圖。 在各家半導體代工廠都一定都會公布其各製程相關的PDK，而在PDK中必然也會公布各製程的PMOS與NMOS的至少4個Vt及其斜率。中芯有公佈嗎? 還是藏拙不敢公布?
這次被禁的就是DUVi曝光機，再說一次，你就是買再多的一般型DUV用在做7nm，也只會做出一堆渣來! 現在只能用有限台數的DUVi，再加上SADP+DP製程，你的產能就會被當場牢牢地給限死，而良率與品質可靠性也會變的極差，用政府補貼撐住成本終究會有一個限度，因為3000億RMB有超過上千家晶片相關公司要分，那夠?
更重要的是你現在勉強用上7nm，而其他競爭者都已經開始要用3nm AP晶片，現在連別人的車尾燈都看不到，你是要怎麼追? 目前用72層DUVi光罩做7nm已經用盡了吃奶的勁，下一代5nm先不論精度根本就達不到外，假設光只使用DUVi曝光，那個光罩數就要超過90層以上，比別人用EUV會多出200道以上的主製程，那成本不就是飛上天，而良率則會下到地獄去!
所以这次华为的芯片正好就是打破了你所说的限制，具体怎么样打破的我不知道，但肯定的是如果真按照你说的来制作根本就没戏，因此不会是中芯的N+2代工。
散热片大，其实就是华为一向的设计思维，尽量要做得比别人好，其它的机型都有散热不均的问题，而这次华为新机的测试，不但性能稳定功耗低，散热也很平均，根本就没有你说的什么高频、漏电的问题。你就慢慢吹吧！
@samtsou 你說的很詳細，我也知道中芯應該是拿不到DUVi的，ASML的DUV有很多型號，有些是可以買的但是有些不行，DUVi是不行的，但是中芯硬是把7奈米做出來了也是事實，TechInside的報告分析的很清楚，所以你覺得他是怎麼做到的？
@@Ansforce 京郭泥盆級每地的專家拆分子細檢驗後，並向美國商務部BIS報告稱華為這顆晶片發現技術僅有12~14nm，而且已向美帝商務部BIS報告，後面商務部長才會對外說此晶片僅達14nm水準。 我相心商務部長的說法，因為它如果說謊則必然會被媒體及元老院給轟死掉。
至今那個說華為晶片是7nm的，是誰? 咬誰計德? 它是用了什麼檢驗方法，來証明這顆晶片是7nm的? 檢驗了那些線路規格? 不就是跟以前的三星座出來強國的3nm挖礦晶片一樣的老套路。有人先帶頭，後面在一哄而上，卻忘了去追查帝一個爆導者? 完全就是老套的 宣傳路術!
科技的競爭每天都在發生，落地應用才是真的，大外宣大內宣都是搏眼球
那你們沒必要在乎啦！😑
Up主应该没看到沈阳光学所的有关论文及报道。大陆的优势是分工合作，集全国之力去达成共同的目标。再者，up如何解释华为 5mm的芯片量产的情况！
華為手機晶片是7奈米製程做的，TechInside的報告是直接分析晶片內的電晶體結構屬於N+2，和中芯上一代N+1類似，這個是很確定的。
深度解析華為Mate60 pro！真的能用衛星通話！？TechInsights拆解華為手機中芯7奈米(N+2)晶片製程大公開！
ruclips.net/video/n5LLPTgyalk/видео.html
就問SSMB一座等於幾台ASML EUV光刻機
EUV只是个副产品，重要的是科学研究。西方不打压中国大陆，买几台ASML的EUV没有啥问题，你不卖，我就只有顺便自己搞咯
那是hepc科研裝置，不是商業生產裝置
这个东西看起来一点都不难造。
只要修的高能粒子加速器占地面积足够大, 量产效率想提多高都行, 出片的话单片成本将低的可怕。
asml的极紫外光是通过激光轰击锡原子，电子跃迁后跃回而放出的光子，集中于极紫外光谱，经过反复滤波，获得13.5nm极紫外光，再经过反复聚焦得到可以进入加工2nm的光源。这几乎是现代工业最高集成。但是ssmb的路径不同。理论上它通过加速器可以获得从光到x射线的所有光谱，并通过稳态微聚束技术，分离出所有需要光谱区域。稳态微聚束是通过电磁控制来完成的，这要比滤波，聚焦的技术要求简单多了，效率也高多了。仅就加工晶片来说，理论上ssmb超越asml的EUV是理所当然的！仅就ssmb能直接调出x线的1nm波长，就不是asml的euv可比的。
理论上我自己也能造核弹👌
佩服！你自己能代表一个体系。@@dodomakudo1783
這板上民科真多。X光射線有啥困難？你去醫院沒照過X光嗎？知道為什麼作晶片不能X光嗎？去讀書吧。。。。
据我所知，现在最先进的光刻机当然是asml的EUV光刻机。在研de有x射线光刻机，电子束光刻机，以及离子束光刻机，后三者波长短于极紫外光，是更微观的发展方向。恕我孤陋寡闻，不知是哪个大神作哪本大著，说x光不能作晶片？你还当座右铭了。@@ericchang4792
@@ericchang4792 能制造出X射线不难，把它收集起来难，用作光刻机光源的话还要有高能量，高重频，窄带宽这些特性，不是只要是X光就有这些特性的，SSMB之所以有作EUV光源的潜力就因为能制造出这样的光源。
這個所謂的SSMB並不是什麼新技術，也不是最近才出現的，ASML早在10多年前就持續研究過SSMB用在曝光的可行性，結果就是行不通，不要以為ASML是傻子般不懂這個SSMB。 在2018年日本，中國清華大學，歐洲，美國都有相關SSMB用在半導體EUV曝光應用研究，結果都是不可行，其優缺點總結如下:
1.同步輻射源的EUV能量強且穩定
2. 一部同步輻射可以同時開多個EUV光源射出
3. EUV能階可以穩定改變
但是SSMB的缺點卻是更多，且有些事根本無解的問題，進而導致其應用在EUV曝光上變的不可行:
1. 同步輻射設備體積超級龐大，就是最新直線加速器起碼也超過公尺，更大型的環型同步加速器則直徑更是超過百公尺，所以你是要把半導體廠設在同步輻射中心，還是要把同步輻射中心設在半導體廠內?
2. 同步輻射的輻射危險性非同小可，安全性防範非一般工程可以做到，建造成本超高。
3. 超級耗電
4. FOV太大，會大大影響曝光的品質，不要忘記ASML EUV的光源可是打微小錫滴的點光源。
5. 不只是光源，重點是光源到光罩，再反射到晶片上，一路有10個反射鏡及最終Cassegrain反射鏡組，這些要如何設置? 沒有這些反射鏡組，你就是有在多的光源也是沒用，而這些鏡組全世界也只有蔡司能做出來。
果然是个粘贴的高手
1. 直径百公尺很大吗？你去看看大陆的工厂，看看平均都有多大。
2. 同步辐射主要发生在切线的位置，不是任何地方都有的，重点防护一下就好，不用你操心
3. 好像台积电的EUV就不耗电一样，而且大陆的电力非常丰富，同样不用你操心
4. FOV？你说的是Field of View吗？这可是相机的术语，和同步光源根本不相干。而且辐射主要发生在切线的地方，因此完全可以聚焦起来，更不需要担心。
5. 你说的是ASML光刻机用的反射镜，这和SSMB的情况完全不同，SSMB发射的光本身就比较纯净和强度高，无需要像ASML那样弄这么多滤波器和反射镜，也无需用到蔡司级别的反射镜。
1 体积超级大, 是ASML的难题, 因为它只需要卖光刻机出去, 面临运输空间限制问题, 但这个对土地大的没边的芯片生产地来说, 是优势而不是问题。
2 辐射危险性。。。。。兄弟, 这根本不是问题, 又不是裂变反应堆, 一拉电闸就变零辐射。
3 耗电? 那是台湾的难题, 大陆只愁发的电用不完, 属于大陆的优势。
4 FOV?你真的看懂了稳态微聚束么？
5 各种反射镜组的功能不就是为了达到微聚纯净光效果么？SSMB直接就跳过这个环节了亲。
你继续在梦里自慰吧, ASML自己的总裁都急出翔了, 你倒是替他放心, 笑死我了。
@@Thephilpw99 看大陸的工廠有多大? 半導體廠的技術是用工廠面積大小決定的嗎? 我請問你有進過半導體廠嗎? 有降過EUV曝光的黃光區嗎? 有知道整個工廠的 晶圓片在各製程區間的 動線安排嗎? 張口就來工廠要多大就有多大，基本上就是一個鬧笑話黃?
@@startitan0023 AML總裁急翔了? ASML在上個20年裏就已經一路研究過SSBM，對SSBM基本無法克服的問題知之已詳，ASMI不急啊，自從EUV被禁後，倒是你們才真的急出翔來了。清大在2019年就曾做過曝光，而泥盆，美帝也都有做過，甚至是在20前做過比EUV波長更短的X-Ray高縱深比曝光，但是能量產嗎? 直接跳過鏡片組? 利害，那麼請你說明一下，你的EUV是如何由光源窗口引到光罩，再把圖像引到晶圓片上的? 光源窗口尺寸是多少? 散出來的光源要如何集中?
不要以為只有清華在做SSBM，泥盆及美帝都有在做，且不落後。 大家面臨的問題都是 一樣的，只是它們沒像你們這樣鬧的歡的。
我不會自慰，是你在自慰吧，我已經等你這個SSBM已經超過4年了。我就再給你3年時間在家裏自慰吧! 反正已經等了你4年了。這個SSBM每年照慣例都會拿出來炒一炒，你XD煩不煩啊? 是沒其他的項目了?
這本來就是另外一條路。不是只有極紫光而已。
找到新的高能電子束來產生高能量EUV, 確實是有效的方法, 很高興有基礎科學家勇於嘗試, 也希望能儘快與製程工程專家合作, 設計出適合商業製產的整體流程於結構, 讓研究與技術加速進展。 我是中國台灣居民, 知道, 雖然中國台灣的製程技術(台積電)很棒, 但台灣是沒有能力研發半導體生產機器的(不管是傳統或是新的光刻機) 兩岸同胞各有專長, 合作必定有力量
台湾芯片太憋屈了，美国霸道指手画脚要求台积电只能卖谁谁。假以时日，两岸内外接应合作，台湾芯片制造技术+大陆芯片制造设备+原材料，将一举打破美欧日设备原材料的垄断，在这个星球芯片产业上我们两岸中国人将所向披靡！
中國加油🎉
呷賽啦
@@dean6908 為！中國和華為一起加油，台灣人敬上。
我是台灣人～替中國倒車加速加油
使用電子束, 一個不錯的技術途徑, 從研究成果來看確實有機會成功, 祝福經過努力終能掙脫現有技術, 讓科技可以造福更多人 欣賞華為以堅強的心智與實力--力爭上游, 我是在中國台灣的支持者
@@Stevel0982 華為加油，台灣高雄人敬上。
不知道用這個技術的成本高還是直接用電子束做曝光的成本高?
解决0和1的问题，成本根本就不是问题了，何况EUV只不过是SSMB的副产品，SSMB本身就不是为了赚钱，EUV反而给这个装置带来了收入。另外消费类电子产品无非就是为了赚钱，一旦形成能力就是国家战略的实力了，雷蒙多们早晚会被气死
曲博士辛苦了！話說曲姓山東人居多
你怎麼知道？厲害唷！
@@Ansforce 我們家人也是從膠東來台後又移民美國的，我祖父的同窗好友曲姓亦不少，以膠東曲姓為多
看来稳态微聚束是可行的。😀如果中国不能用ASML的技术，那么中国一定会不惜代价开发新光源。这不是商业行为。这是国家战略不惜一切代价也会做。
那就是商業行為，恰脖子對國防是沒有影響的
@@華簡-x3h 国家战略不代表是国防啊。中国一年几千亿颗芯片进口，这些钱凭啥让美国赚。中国即使研发出光刻机，美国鬼子能消停让你出口在国外卖吗。😊
以一国之力突破不可能👍
空穴來風
我台灣人,在科技商業經濟發展上為中國加油,
人類的各項活動科技發展不該受的限制壟斷,影響人類的各項可能......
就如比喻.....
電玩如果只有從以前到現在只有任天堂獨大壟斷市場的話....
那電玩界豈不是沒有其他樂趣與可能.....
不分輕重
@@郭嘉-e5s 哪轻哪重。
你的中國若等於中共，我就不支持你的看法。
我台灣人 不認同你的說法
但我尊重你的觀點帶有著這麼一點求生的關係
@@george_hui 那你说说看他发的这段文字和求生之间有什么关系?
社会主义的集中资源办大事是战无不胜的。因此，中国必定能造出更好的光刻机替代仪器与设备！
哥们，你忘了一件事，中国也有很多团队在研究透镜的
很多地方都有很多團隊在研究透鏡，為什麼只有蔡司做出ASML EUV的透鏡？需要時間啊！
@@Ansforce 大概十年前曾经有个圆珠笔芯的故事。说中国生产不出高品质的笔芯，结果中国的一家工厂只开了一炉把瑞士的好几家企业搞破产了，为何不生产？因为量太小，如果是自由贸易，只需要瑞士几个小公司就够了！搞限制那别人也会搞的，大家都有一个头一双手，谁也不比谁笨。再比如相控阵雷达，15年前美国的宙斯盾驱逐舰傲视群雄!那限制可比光刻机严格多了，可现在中国大的小的军舰全部相控阵了。如果欧美限制没那么紧，没准进步还没那么快。
我比較想問曲博一個問題...所謂很長的路要走大概是多長時間...
就正常市場研發來看要十到四十年，但是就這種外行指導內行的蘇聯式暴力研發法不用五年十年。至於效能，缺陷，產能，偵錯，等等，看看蘇聯光刻機歷史就知道，問題太多直接報廢，用真空管還比較省事。中國可能會好些，但是他們都跟蘇聯一樣大搞黑箱作業，你覺得有辦法靠市場調研來搞可行性研究嗎？😂
@@GBR9794就你们要啥没啥的 好意思看不起中国的科研 笑死人 一年前 你们可是说我们生产不出来芯片的
@@sslc296 你也回不出啥，因為都是黑箱，只能精神勝利法（哈欠
@@GBR9794 短视的独派！台湾芯片为啥被美国指定卖谁谁？还不是因为制造设备和原材料都是美国大哥极其小弟的？你手艺再好不卖你照样死翘翘！大陆制造设备和原材料取得突破，对你台湾也是有好处啊，起码破除垄断，多一个设备和原材料供应商啊！
@@GBR9794外行指導內行是那種科技部長讓文科生當的臺灣省嗎？