先進製程成本將大幅降低！？挑戰ASML極紫外光！Canon奈米壓印微影(NIL)技術，不用極紫外光(EUV)也能量產2奈米如何做到？
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- Опубликовано: 7 июн 2024
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🏮【科技新未來 EP91】佳能(Canon)奈米壓印微影(NIL)技術不用極紫外光(EUV)也能量產2奈米如何做到？🏮
00:00 開場大綱 | Intro, Summary
00:30 Arm Tech Symposia 2023 - Arm
03:09 奈米壓印微影(NIL)技術成功量產
10:05 奈米壓印微影：終極微加工技術
11:57 佳能奈米壓印微影(NIL)技術的工作原理
14:25 壓印光阻劑的噴射控制技術
17:33 奈米壓印微影(NIL)的最佳光阻劑材料
19:33 用於壓印的奈米級對準技術
23:11 實現清潔半導體的微粒控制技術
32:51 奈米壓印微影(NIL)的優缺點與使用限制
36:35 結論 | Conclusion
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【參考資料】
佳能公司網站
global.canon/en/news/2023/202...
global.canon/en/technology/fr...
科技部奈米博物館
nano.nstm.gov.tw/nanomuseum/E...
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30:31
有lithography的時候大家需要用k1=0.8一定要0.8就表示你同樣的你只能夠付很大的future 不能夠縮短它
有lithography的時候大家需要用k1=0.8一定要0.8就表示你同樣的你只能夠付很大的feature不能夠縮短它
02:20曲博
這是我再去年10月就已經提出的NIL問題看法
有關UV-NIL奈米轉壓印技術已經發展一段時間了，就在曝光機被ASML打敗後，日本更是在這技術上投入心力，希望能藉此技術另闢途徑東山再起，包括這次美日2nm合作計畫中，日本這項技術參與的機會也非常之大。這項技術本身就具有許多難以克服的問題，自己初步歸納如下:
1. 產能追不上曝光機，不管你是用滾輪式或是單片壓都一樣
2. 平壓時的壓力分佈不均，晶圓與母模兩者水平面平行性，以及晶圓表面平坦度問題
3. 母模製作對高縱深比(Aspec Ratio)微細溝槽蝕刻時，兩邊垂直面易產生貝殼扇面紋路，導致與光阻沾黏，同時槽頂與槽底的寬度差難控制到相同，不要忘記他是用石英材質，不是一般的半導體用的矽材質。
4. 拔模及曝光時會減損母模抗沾黏薄層壽命，你還沒法當場檢查出來，只能固定片數後換母模，浪費母模增加成本。
5. 母模有瑕疵很難檢查出來，一上線或是使用一段時間，後面印出來就會印出是一大堆廢品，而且是重複發生相同的瑕疵。
6. 曝光後拔模極易產生Teeth Edge瑕疵。
7. 每一層曝光都要換成母模壓印，那麼5nm就需要20個以上不同母模，且每個母模使用壽命又遠低於光罩，成本會拉到極高。
8. 每次經過沉積，CMP後，晶圓的平坦與厚度會變化，母模壓上去就會出問題，越往後層數越多，問題也會跟著增多。
9. 抗光組沾黏層材料使用壽命有限，你是印沒多少片就要換下來的，結果就是，以5nm製程舉例，你就需要至少超過50個母模再備著使用，甚至更多，真是有錢沒地方花嗎?
11. 針對第8項，你是要如何控制Overlay精度? 機台本身抓了一個母模壓在晶圓上，這機台的Overlay精度控制要比曝光機難上加難，現在新一代曝光機的Overlay精度是只要找出晶圓及Die位置後再作曝光位置精度補償，就已經被要求做到2nm。 你還多出來一個抓在天上的母模位置誤差，能作到2nm以內的Overlay Error?
12. 在晶圓片上四週會有Primary Mark，在每個Die之間會有不同圖型的Street Mark，作為曝光位置與機台間的補償對位，要UV-NIL是每次一片Die來印，就沒問題，但是要一次同時印多個Die就絕對完蛋，所以產能會輸曝光機。
13. 任何UV光阻劑在曝光後都會有Photo Resist Contrast現象，光阻劑會急速收縮體積，這就會產生向側邊牆的應力出現，後面導致Line的邊緣變的不平整。
以上問題都解決了嗎?
專業. 謝謝
當尺寸來到奈米等級時，滾壓技術造成的誤差將大到無法接受。
好專業
結論就是這只能用在簡單重複的pattern 層搭配昂貴的極紫製程看看能降多少成本
請問把母模的溝槽做成倒梯字會不會比較好? 然後你的第10點消失了。
感謝曲博這集介紹的 NIL技術，讓吃瓜群眾除傳統曝光技術，又再開了一扇窗。先不論NIL是否已經成功，但是也帶來了一個新的科技與方法。
印象中，佳能的噴墨印刷是熱泡式噴墨，可能難以用在電子材料上。而壓電噴墨印刷，就我所知，對於液體的黏度，表面張力，無腐蝕性等等的製程窗口很窄，加上穩定性（塞頭問題，衛星點問題等），要在半導體量產製程中運用的難度應該非常高。
多谢您了 讲解 谢谢
我記得沒錯的話目前這招還只能用在記憶體類的device上，toshiba的demo也是在記憶體，沒看邏輯電路的樣子
用光罩可用透鏡縮小增加精密度，但壓印是1比1，模板制作是納米級，可能設備便宜，但模板制作成本很高，而且還是消耗性的
母模是用石英製作成的，質地堅硬耐用，實務上是可以重複使用的，但是問題是上線一段時 間後，再拿下來的清潔工作可就不簡單，然後還要塗上抗沾黏薄層，都是要求很高的工程。
石英质地硬，清洁问题应该好解决，况且硅基清理光刻胶都没问题😂@@samtsou
感謝老師
sram 也能用吧
dram 還是會卡在電容大小
記憶體也蠻需要 先進製程 加堆層加大容量的
這適用 LED 面板，應該可以大量轉印電路
每次看留言都有專業大神出現...
可以猜想結構簡單的NAND FLASH案DRAM未來價格可能會越來越便宜
压印模 必须压穿 晶圆体表面的涂层，才能为下一步的刻灼 做好准备。这里涉及到 两个有关磨损问题：首先，每次压印时，晶圆体表面是否与压模 有极高精度的平行（这对晶圆，压模和压印过程中机械运动 提出了超乎想象的极高精度要求），否则压印失败；其次，由于必须压穿涂层，这就存在着 不可避免 压模和晶圆体的物理接触，即发生不可避免的磨损。 本人的观点是：对于纳米级制造而言，只要上述两种情况出现之一，这类磨损几乎是不可接受。
同意，纳米压印对模版要求极高，还有磨损的问题。 TPT估计也不会太高，overlay alignment是巨大挑战。
現在的光刻機也是要對準的,
壓印機是壓印在液體的光阻劑上而不是固體。
專業
@@FreedomOfSpeech1234但是分離的時候已經是固體了
NIL是二三十年前的技術，當年投入巨額資金研發，當年可達十奈米製程，令人期待，但卻一直難以量產.
數年前的開發技術，particle contamination 是無法解決的特別是advanced nodes,既然無法賣中國，只能尋求低階CIS活其它optical application, 但何需5nm 技術！ 與ASML 無競爭力。
😮😮😮能節省成本，变相的减少排碳量也不錯😊😊😊
謝謝！
謝謝你的支持！
別道製程的defect pa會不會污染到壓印的設備才是重點，一旦污染到了只能報廢？
Thanks!
謝謝你的支持！
公司是修數位印表機的好難想像怎麼噴印這樣小的東西
這期沒有字幕
這又是日本材料科技技術的展現。
請教 曲博 ：
EUV 使用的光阻劑與 NIL的光阻劑應該是不一樣的光阻劑吧？？？
想請問的是兩種不同的化學成份為何 ？？？
成份應該不一樣，一個是要用紫外光硬化，一個是要讓它變形，成份就不知道了，那可是廠商的機密，必須弄一點回來做化學分析。
压印LED显示器精度，难度容易的多。
先搞成压印LED显示器，才能有可信度。如果佳能有nm级压印芯片的能力的话。不是先易后难吗？
大部分都很淺顯易懂！但經由雷射讓晶圓熱變形，就能實現對準。聽完了還是不懂為什麼～🤔
me too
模版有点像OLED里面的蒸镀膜版都有精密的凹凸面，这里材料是石英而OLED是薄钢，可能都是用光一点点刻出来的吧！胶体材料➕胶体喷涂精确控制让凹凸模板有完美分离的可能。感觉第一层清洗完成后再次喷涂胶体前是否需要特别测量表面后再结合分析数据做胶体喷涂？用DMD控制laser灯到硅片上用局部温度变化控制进行上下层的对位再快速做UV照射，而UV照射完后硅片热冷收缩是否影响胶体脱胶性，可能到下道工序的时候发现局部脱胶了😂
對呀！我也是看完技術細節後覺得真的是不簡單，不是隨便蓋一下就好。
佳能2019年就搞出来相对成熟制程的压印设备了，但各大晶圆厂没一个买的，就算存储器三星海力士都没买过一台啊，还是有致命缺点
它是跟Kaixai合作，但是到今天Kaixai對其NIL也沒再度捧場，所以業界其他各個都在大眼瞪小眼，沒人跟進。
用來製作DRAM我猜應該屬於: 可行但是挑戰大
製作Micro LED不知道會不會有助於這個行業降低成本 (雖然成本不是卡在製作；但感覺相關技術應該用得上....還沒仔細思考😅)
做显示面板还是一个不错的方向
use maskless is easier @@chiao2408
EV group(欧洲奥地利公司)比日本更早就在研究这一个技术，也更早做出来了
聽起來就像在暗房洗照片跟用雷射印表機印照片的差異😅
假設上面有提到的都完美解決，沒提到的都不會發生。
我手上最多die的mapfile，在十二吋晶圓上就快四十萬顆，這樣一顆一顆壓，做完一foup我兒子都上小學了
it can do wafer to wafer imprint upto 450mm, not just die to wafer ... and it can have 5in size imprint stamps...
技術上大家關心的點都沒錯，不過，最後還是看cost. EUV 實在太貴了。Immersion 最初也被當成笑話。
雖然說貴，但是依其產能與每片晶圓的代工價格，長時間整個攤下來的利潤就會是EUV機台成本的不知多少倍。 ASML不是傻子，它的EUV機台定價除了是要參考機台及營運成本外，更是精的要算入買家由此機台所帶來的營收，就是所謂的行銷利潤，ASML這也要吃買家一口，所以加起來的機台價格就很貴。 但是買家也會精算，把這些都費用攤在每片晶圓的 代工費上，只要產能利用率高，所以最終還是不虧反賺。
舉個實例，Nvidia H100晶片尺寸不不小，每片晶圓如以80%良率來算，每顆裸晶片的代工費用才400多美金，加上30% CoWoS的封測費用後剛好是 600美金或稍高一點，而他XD的 Nvidia後面只要再加上幾顆週邊記憶體及基板組裝後，卻賣你到3萬美金，夠狠的吧! 但站在台積電立場來看，一顆600多美金的晶片其直接成本不過150美金左右，也是大賺一筆。 而ASML也是大賺，那麼虧的會是誰? 是我啊，因為老子有錢要買最新的AI卡!
去比較一下台積電與ASML的毛利率你就知道，兩家毛利率基本上都差不多，都是50%以上起跳。
還是有條件上的限制
喊了那麼久，結果是日本成功彎道超車。感謝曲博的介紹。
這技術也就製造記憶體有優勢，邏輯晶片那項還是沒有
这个主要用在面板，用在芯片只能做比较低阶的，大陆也开发了类似技术叫纳米列印，早几年就推出来，可一直没法正式商用
離成功還早!
曲博好，你出的書目前缺貨，請問哪個管道可以取材
www.sanmin.com.tw/product/index/012467743
請問博士， 這種壓印式的曝光方式是一次曝一個shot，還是一次曝一整片晶圓（wafer)?
如果是一個shot/次，而非一整片wafer，那麼就跟以往直曝式的Stepper與掃描式的Scanner差異不大了。再則，若是一次曝一整片wafer，那麼每一片光罩勢必得跟晶圓的尺寸一樣大（不論是200mm或300mm)，這樣光罩成本將巨幅上升，其實總體而言並沒有省下多少成本。若是在產線上搭配DUV/EUV光刻設備使用，這樣就合理多了。
一次一個晶片，重點是它不需要光罩曝光顯影蝕刻，所以成本比較低。
曲博士提到逻辑芯片中的某些层是无法通过光阻剂的方式蚀刻的？具体是什么样的层呢？这些层不用光阻剂的话又是如何生成的呢？
不是這個意思，我的意思是NIL它成型的材料必須是樹脂(光阻)，但是邏輯晶片裡許多材料不是樹脂，這裡有些會讓人誤解，一般的製程是用光阻做圖形轉移，圖形轉移後光阻會去除，所以光阻不會留下來，但是NIL是要用光阻做結構，所以不應該叫光阻，但是原文用Resist又是用紫外光固化，我才用了光阻這個字。
@@Ansforce 理解了，多谢解答 😃
精彩！理化白癡的我就聽得懂最後應用的部分。曲博老師能否增加點這部分的解說與比較，譬如對哪些廠商的影響，尤其是對台灣與大陸廠商。另外張忠謀說台灣半導體優勢僅有20年，會不會太樂觀了？
台灣半導體優勢僅有20年，我認為如果只考量技術可能不到20年，如果考量技術與成本，那20年應該是沒問題的。
但是晶圓越大壓刻過程產生脫模真空就會越明顯。難道不是整塊晶圓一起做，是先切割之後，一片一片晶片做嗎？
是晶圓切前一顆一顆做。
能做非接觸的，誰要做接觸式的呢？ 瘋了嗎？
請問這篇詳細文章能在哪裡看呢?
影片下面有文章連結。
曲博士～
不好意思～請教一下，光學微影的光照是透過光及透鏡，將電路板微縮到晶圓上，那這種壓印微影技術，看起來是要把光照直接微縮，這樣對嗎？但是目前有辦法把光照上的電路微縮這麼細小嗎？
奈米壓印微影是直接把結構壓到晶圓上的光阻劑，佳能是說可以做到10奈米以下，不過實際上到底是不是實用，還是要觀察未來導入的晶圓廠使用後的反應。
三星完蛋了
但1:1的石英模 應該超難做的吧
請問那種語言？
👍🏻
這種壓印設備與技術複雜且精準度要求高 而且利用的樹酯噴墨技術有一個很大的隱憂與缺點 就是噴嘴必須經常清洗保持乾淨以防止樹酯在噴嘴內固化 一旦樹酯堵塞了噴嘴就會造成線路缺陷何晶圓報廢 這種技術前途無亮
你說的是有道理，但是我聽朋友說晶圓廠已經導入應用在少數幾層特別的材料上，不太確定是用在哪裏？
這種壓印式的方法太複雜 才料工具與精度都必須毫無偏差 比AMSL 的光學影像轉移設備複雜許多 估計不會有市場價值
大 A 股 688079 美迪凯，唯一拥有日本佳能纳米压印技术，已经量产
真不愧是把印章文化研究到極致的日本...太厲害了
日本对印的技术非常感兴趣
中國芒刻藝術也是傳統---
Canon 很厲害，曲博很厲害，我也很厲害，沒想到我竟然看完了，而且似懂非懂好像也懂了！想到幾十年前拜訪 Canon 東京近郊總部所發生的糗事 ... 😊
讚唷！
模具
在機械上, 就有磨損壽命的問題.
就是一個模具,可印幾次? 這涉及成本.
壓印- 光阻劑的計量控制也很重要, 太少太多都會使壓印失敗.
有個問題, 用光學可以進行縮放, 例如:光罩是100奈米, 用光學照射可將成像縮到10奈米.
壓印就沒有縮放功能, 也就是光罩和成像=1:1.
光罩怎麼做到5奈米? 2奈米? 是否要先用光學光刻機做出光罩模具?
如果光罩壽命太短, 就需要頻繁使用光學機來做光罩模具, 似乎有點"多此一舉".
順便一提:
光學鏡片, 用於鏡頭的鏡片.
"非球面"鏡片, 可以減少鏡片數量, 一片抵多片.
鏡片材料有玻璃和塑膠2種,
玻璃一般需要用研磨, 只能做成"球面".
塑膠一般用射出, 成本低, 可以做成"非球面".
玻璃,折射率高,透光率高,但研麼成本高, 無法做成"非球面".
塑膠, 折射率低, 透光率低, 但射出成本低, 且可做成"非球面".
日本就開發出用壓印技術, 用模具擠壓玻璃珠, 形成玻璃非球面鏡片.
但是模具只能壓幾萬次,形狀就跑掉了,
且玻璃珠尺寸要做到很精準, 公差很小.
压印模 必须压穿 晶圆体表面的涂层，才能为下一步的刻灼 做好准备。这里涉及两个有关磨损问题：首先，每次压印时，晶圆体表面是否与压模 有极高精度的平行（这对晶圆，压模和压印过程中机械运动 提出了极高精度）；其次，由于必须压穿涂层，这就存在着不可避免 压模和晶圆体的物理接触，即发生不可避免的磨损。 本人的观点是：对于纳米级制造而言，只要上述两种情况出现之一，这类磨损几乎是不可接受。
光罩一般都是電子束微影製造
令外玻璃造的反射鏡都是可以研磨成改種圓錐曲線形狀
@@aewrhsdeawf8666
嗯, 光學鏡片上所謂"球面"是含圓錐曲線.
在壓印的過程如何減少氣泡，氣泡應該會造成defect，感覺是個很難解的defect問題，而且WPH也要考慮到，光還是比較快速，挺難的
是的，我也有在想氣泡問題。
@@Ansforce正性光阻在反應中會產生氣體造成氣泡，這裡用負光阻有機會改善氣泡問題。
@@user-jc5qs4iy5v 製程盡到奈米級已經不用負光阻了，pattern 解析度問題
NIL製程中氣泡是一個問題，但是過去的許多論文中對此問題的結論是不甚嚴重，而真正的大問題是顆粒汙染才是更嚴重的。這是因為顆粒汙染在傳統曝光製程是隨機的，顆粒數量會有一個範圍，雖然是隨機分佈，但是每片的Fail Rate會是在固定的範圍。 現在可好，你是用NIL方式，那麼每印一次後的顆粒，都會殘留在母模上，所以對母模而言，它的顆粒數量會是累加的上去，母模變成了一個顆粒收集器，後面要是印個幾千片下來，你的母模累加的顆粒汙染程度將會到達痲花臉的程度，也就越到後面整個Fail Rate將會急速上升，甚至是每個Die都會死掉，這要怎麼搞定? 定時清潔是惟一手段，所以我才說你的備用母模數量會及其龐大，Yield Rate也會不佳。
it controls the stamp release and adhesion pressure and orientations to eliminate the bubbles. basically the resist and stamp can attach gradually to release bubbles and the resist can fill into the trenches/vias in stamps by capillary force. @@Ansforce
是PPT还是已经造出来了？
已經量產了呀！
可能幾年後，很多國家都可以生產5nm的晶片了
應該還是不會超過10個
所以，遲早對岸也能突破艾斯摩爾障礙？
首先，你要先做個母模就需要EUV.
Lithography 機台的定位誤差要低於 0.5 nm
產能很低。
總之是不可能😂
the reticle is generated and fabricated by ebeam writer not EUV ...
哈哈.....
現在世界需要高端晶圓設備...生產階段
中台韓日歐
日本研發新技術
只有 中韓台 有這需求
沒有生產端扶植
這技術 能飛天也無用
那個模具整個耗材的感覺，壓成功就是看模具設計壽命更換，壓失敗恐怕模具就報廢了。
然後更換模具的停工時間也是成本啊。
如果把它當成光照的話就感覺還好了，都一樣有壽命要定期清理和更換
@@chenenjoytheluxury2668
光罩是現在主流技術，因為不需直接接觸，我猜應該會比這個耐用
@@hanskaleido533 難說，因為雖然光罩不直接接觸但壽命也沒說很長，常常有一堆光阻或光源噴濺物在上面，就不知道這種壓印法對defect的容忍度有沒有高很多，有的話其實壽命搞不好會更高
@@chenenjoytheluxury2668
這直接接觸的容忍度肯定很低啊，比如剝離時殘渣黏在縫隙，或particles在壓的時候崩壞模具。
光罩只需清洗，而且還沒那麼多凹凸。
@@chenenjoytheluxury2668 在EUV機台你講的問題都沒發生，因為光罩距離離你講的太遠了，且有光罩盒保護著，但是清理第一級光源收集器，確實需要定期清潔掉噴沾到的微細錫粒。 一個EUV光罩至少可以用到40000多次，夠本了!
經過你頌經一般的業配讓遙遙領先又可以彎道超車, 2330可以下市了.
這種設備台積電、三星、英特爾都有機會導入來降低成本，先進製程的成本下降對三家公司都有利，對消費者也有利，這和2330下市有什麼關係？
看我的節目這麼久了，連這麼簡單的道理都想不通唷！
光是看標題就興奮了....
???
啥时候开个b 站啊😂😂😂
已經開了呀！但是經營不起來現在沒有在更新了！有什麼建議嗎？好像大陸的網友比較喜歡看動畫的那種影片，不喜歡我用畫面說明的這種影片？
www.ixigua.com/home/1692868176519908/
space.bilibili.com/616662541
@@Ansforce 主要是你的会员我买不了😂😂😂 很多想看的看不到 同步发到b站就可以了呀😅😅😅
這樣就解釋了之前為什麼日本半導體國家隊能對達到2奈米製程有信心
canon and toshiba have tried and worked together 10yrs ago since 2014... and it was still not in fully productions released until 2024.
光刻机行业很有趣，厂商多几家，就会出现大家都不挣钱的情况。
20年前，尼康是行业老大，结果不挣钱，所以舍不得投入30亿美元研发极紫外光，所以AMSL才有机会成长。
现在AMSL挣钱了，大家又加大投入，估计又要经历一轮都不挣钱，然后淘汰到两家的情况，东方一家，西方一家。
路不是只一條，不可能所有技術都投入，大都從既有基礎技術上去研發拓展，再者難道沒專利權的限制嗎??
@@wahoocool 要考慮物理的極限! 19 世紀的人認為, 登陸月球可以用大砲發射做到
以后没有以后了，中国人搞出euv，全全白菜价了
@@user-tg9sw6wf6m😂👍
當時尼康的主力商業產品剛好碰到經濟蕭條，營收大幅降低，沒錢再來資助泥盆各界已經花75億美金的泥盆EUV計畫，而Canon則是更早時間退居第二位，也是因為其他產品營業極差所致。 相反的，此時的ASML剛好拿到Intel 30億美金的資助而一發衝天。
當時 泥盆的EUV曝光機台已經完成，除了光源功率有點不行外，其他的已全部完成，並架設好原型機，結果就停下了，真是時也，命也!
是不是很多人都沒看完
光聽起來就很難，受限於實體物理世界其變因太多，良率很難提高。
不work...
臺灣半導體有二十年優勢 美國消耗掉其中十五年
距離商轉還有三十年
上週五已經量產了呀！
@@Ansforce 開賣和實際使用是兩回事，上微也號稱支援到 7nm；其實股價說明了一切，真的能挑戰 ASML，股價已經漲到會列為警示股了。
聯電要倒大楣了
劃漫畫是沒有任何高深科技
可言，然而，日本能夠仰賴對於世間上問題，來創作一發行即大賣的「蒼鷺與少年」電影！
同樣的道理，日本企業能使用，極為傳統的NIF印刷技術，來攻克最頂尖的2耐米（接近於極限）的晶元製造能力！直接大超車，甩開一堆廠商，直逼，一舉超越....愛斯摩爾！
如果，沒去日本投資設廠，尤其是研發領域，台積電早晚要後悔的！而且，並不需要....很久時間
壓印技術我預言不會成功！😢
若是可行，台積電也會第一時間採用，相信想超車也是難，不過，中國受美國科技制裁得看日本的風向了
這跟台積現在的製程沒太大關係，另外KIOXIA是主要投資方，所以設備有優先採購權，就像新一代EＵＶ因為INTEL是主要出資方，所以他們也比台積三星更早拿到下一代EＵＶ設備，其他廠只能去排隊
多谢这频道，证实台猪电只能造出高密度低速度芯片，低速芯片没有市场价值只能转成记忆体，两者都是低速芯片！
别处说目前只能做 14奈米。
官網上是說15奈米，相當於5奈米製程節點。
@@Ansforce 曲博，那個我有打聽過，目前還只是實驗室的成果。
压印一定是歧途，老老实实的去洗照片才是正道！
屈于美国的压力不能卖去最大的市场中国，难有作为。
用點腦子....如何攻克關鍵的技術門檻，又怎麼可能會公開呢！？哈哈哈哈哈
還有一點，沒被人注意到
日本機構發現....
許多的日本學者的研發成果，並沒有轉成英文在世界期刊文獻上普便發行，或者被注意到！所以，世界上少有人關注！很多次，甚至是，導致....科學性的
諾貝爾獎，並沒有落在他們日本學者家裡
我觉得这个工艺要求太高，不乐观
危言聳聽 壓印微影的精微度與量產良率差 永遠無法取代裩學微影技術
幾年內應該還撼動不了台積電吧？
台積電會導入這個設備吧！
@@Ansforce TSMC 已經買很多Canon KRF 248波長的Sacnner
GG應該是會買來試試能耐
做的東西跟台積電根本不一樣 怎麼撼動😅
@@Ansforce
想說台積的優勢就是良率
怕日本用自家的設備
調出來的良率會比台積電高
先前說曲博的內容八成可以，兩成錯，還被懟回。
看到這篇，更是如此。
想想 整個內容幾乎都是公司的公關稿，只說好的，限制因素完全不談，這難到不是偏頗？
再說一次 台大的電機博士，不會只有念公稿的能力，應該要有評論的能力
同樣的題目，對岸有個大劉，內容還更好
曲博可以多參考別人的優點
確定我沒念大家看的懂公稿寫什麼嗎？這個技術是佳能的，當然只能根據他的介紹內容來說明，他沒說的是商業機密，我就算知道也不能隨便說吧！限制因素我最後面都有講了，你可以再看一下。
博士論文有一段是文獻回顧 就是要以別人的文章做基底 以自己的意見為評論，所以你沒有懂我的意思，就急著反駁，是否看完不是重點，我有看懂與通了多家有關佳能這項技術的評論，所以才會請你參考別人，如果您今天是"曲先生 說科技" 我會給你一百分，但是 您是"曲 博士" 這樣的內容與表達方式，只能讓我搖頭。@@Ansforce
@leejerry2776 我現在是在教書，不是在寫博士論文，教書原本就是引用別人的教材，把學生教會是重點，學校老師每個人都自己寫教科書嗎？沒有吧？
30萬人訂閱怎麼來的？那是因為大家能在我這裡學到更多，聽懂更多，而不是做一堆動畫看起來很酷，但是聽了似懂非懂，如果肯花時間把後面看完，會發現所有RUclipsr介紹這個技術，只有我的影片原汁原味，把佳能關鍵的技術都講解清楚了！
我看過別人的影片了！所以更確定我的做法是對的，而他們可能怎麼也想不通，為什麼做了這麼漂亮的動畫，訂閱卻比我少，而我照著畫面讀文字，為什麼會有30萬人訂閱？我說過了，最後面我有自己的意見評論，耐心的把影片看完吧！
我再舉一個例子，這部影片是在講解北京清華大學唐傳祥教授的穩態微聚束(SSMB)，第一次上傳的影片不小心漏掉了一段，所以又上傳了更正版，總共的點閱率是35萬。
中國穩態微聚束SSMB超越ASML極紫外光EUV！？是真的？還是別道聽塗說！？
ruclips.net/video/R5SrdgZU7gc/видео.html
【更正版】中國穩態微聚束SSMB超越ASML極紫外光EUV！？是真的？還是別道聽塗說！？
ruclips.net/video/3w6G7vErjHw/видео.html
你再看看別人相同題目的影片點閱率有沒有我的尾數？為什麼大家看我的影片，因為我是唯一可以完整的把唐傳祥教授發表的論文從頭到尾講清楚的，最後才給自己的意見，這個就是台大電機博士的功力，我是看懂了才講的，不像其他人只能讀幾個專有名詞，再用動畫帶過。
不要因為看到前面我在讀文字稿，就不想看下去，把它看完會發現可以扎實的學到很多，如果覺得佳能那個技術太簡單，可以挑戰一下穩態微聚束(SSMB)這一部，記得要看【更正版】的才完整，用心把它從頭看到尾，再比較一下其他人的影片，就會恍然大悟囉！
我在大學讀書的時候，最怕遇到一種老師，就是上課照著課本讀的，照常理思考，照本宣科一定教的很差，沒想到大三那年有位老師，名字和科目名稱我忘了，他是把課本一頁頁直接印成投影片，放大投影到前面照著課本讀，我以為他教的很差，沒想到第一堂課就讓我震驚到了！他教的很好，我都有聽懂了！後來我思索原因，因為他不只是讀文字，而且在讀到我們不懂的專有名詞，他都會另外詳細解說，所以才會教的好，這一招就是我現在用的方法。
但是用這一招有個關鍵，必須是真的懂了才能講清楚，如果自己似懂非懂，那就不能用這一招不然會穿幫，只能用漂亮的動畫帶過去囉！
一眼假
光學技術絕對比機械技術來的細微精準快速, 不要老是用聳動標題來吸粉, 跟大陸標題黨沒兩樣!
跟你同想法,但還在可忍受範圍,畢竟是內容有料的
我感覺還好啊! 曲博許多的報導都是整理有序且是有料的!
@@waterspoutgogo 留言區有專業人士說出來了: 對位, 磨損, 換版, 調整尺寸, 都遠輸光學技術
噁
二個字:放屁,問題在於如何製做出那塊模版?!5奈米和2奈米的?!
Ebeam啊
謝謝！
謝謝你的支持！