mosfet에서 어떻게 전자가 흐르는가를 생각을 해보시면 크게 두가지 요소 때문에 흐를 수 있게 되는 것인데요, 1. drain에서 끌고가는 bias 2. 전자다리 우선, drain에서 이끌어내는 힘인 bias 때문에 source에 있는 전자들은(n형 mosfet의 경우) drain으로 가고자 할 것입니다 그러나 만약에 전자다리가 형성되어 있지 않다면 source의 전자들이 drain의 bias를 따라 이동하려고 할 때 source와 drain 사이의 영역에서 p형 반도체의 정공들과 결합되어 사라지는 EHP 재결합 현상이 발생하구요, 이렇게 된다면 아무리 drain에 bias가 걸려있다고 해도 마치 가는 길에 피할 수 없는 구멍이 있는 상태이므로 전자들은 전부 그곳으로 빠지게 되겠죠? 그래서 전자다리가 없다면 무조건 전자가 흐르는 것이 아닌 그냥 가다가 빠져버리는, 재결합해버리게 되므로 전류가 흐를 수 없습니다 그러다가 전자다리가 생기게 되면 물론 같은 극이므로 밀어내는 힘이 존재하기는 하지만, 그것보다 훨씬 더 우세한 힘들이 존재하므로 그 힘에 의해서 drain으로 끌려가게 되는 것이죠, 또한 이 과정에서 이전과는 달리 빠질 구멍이 더이상 없는 상태이므로 정직하게 drain의 bias에 의해 잘 끌려가게 되고, 그래서 전자가 이동할 수 있으므로 결과적으로 전류가 흐르게 되는 것입니다 도움이 되셨으면 좋겠네요 :) 영상 봐주셔서 감사합니다!
Drain에 (gate voltage)-(threshold voltage) 값보다 큰 drain-to-source voltage를 인가하면 channel Pinch-off가 발생합니다. 다만, 전류가 흐르지 않게 되는 것은 아니고, 전압을 더 올려도 동일한 saturation current가 흐르게 됩니다.
위에분이 잘 설명해주셨네요! 맞습니다 mosfet은 drain하고 source가 대칭이므로 만약 동일한 초기 조건(이전에 바이어스 인가등의 동작을 아무것도 시키지 않았을 때)이라면 drain에 바이어스를 걸었을때나 source에 바이어스를 걸었을때나 동작은 사실사 동일합니다 :)
![[개념 잡기] MOSFET, FinFET, GAA 비교 (feat. 반도체 취업/반도체 강의)](http://i.ytimg.com/vi/liJVL8k5BWc/mqdefault.jpg)
절대 영상 내리지 말아주세요. 최고의 영상입니다아
좋은 설명 감사합니다. 꾹하고 갑니다.
이해하기 쉬운 설명 감사합니다 ^^
UJT의 동작원리도 MOSFET과 동일한가요?
설명잘하네
전자다리가 만들어지면 n type에 있던 전자들이 같은 극이기 때문에 전자다리에서 멀어지지 않나요??
어떻게 흐를 수 있는거죠??
mosfet에서 어떻게 전자가 흐르는가를 생각을 해보시면 크게 두가지 요소 때문에 흐를 수 있게 되는 것인데요,
1. drain에서 끌고가는 bias
2. 전자다리
우선, drain에서 이끌어내는 힘인 bias 때문에 source에 있는 전자들은(n형 mosfet의 경우) drain으로 가고자 할 것입니다
그러나 만약에 전자다리가 형성되어 있지 않다면 source의 전자들이 drain의 bias를 따라 이동하려고 할 때 source와 drain 사이의 영역에서 p형 반도체의 정공들과 결합되어 사라지는 EHP 재결합 현상이 발생하구요, 이렇게 된다면 아무리 drain에 bias가 걸려있다고 해도 마치 가는 길에 피할 수 없는 구멍이 있는 상태이므로 전자들은 전부 그곳으로 빠지게 되겠죠?
그래서 전자다리가 없다면 무조건 전자가 흐르는 것이 아닌 그냥 가다가 빠져버리는, 재결합해버리게 되므로 전류가 흐를 수 없습니다
그러다가 전자다리가 생기게 되면 물론 같은 극이므로 밀어내는 힘이 존재하기는 하지만, 그것보다 훨씬 더 우세한 힘들이 존재하므로 그 힘에 의해서 drain으로 끌려가게 되는 것이죠,
또한 이 과정에서 이전과는 달리 빠질 구멍이 더이상 없는 상태이므로 정직하게 drain의 bias에 의해 잘 끌려가게 되고, 그래서 전자가 이동할 수 있으므로 결과적으로 전류가 흐르게 되는 것입니다
도움이 되셨으면 좋겠네요 :) 영상 봐주셔서 감사합니다!
와 진짜감사합니다 완벽한설명이네요
감사합니다
전자다리가 형성된거면 s에서 d로 전류가 아니라 전자가 흐르는게 맞지 않나요?
전자가 흐름으로써 전류가 만들어지므로 동일한 것을 의미합니다! 도움되셨으면 좋겠네요 :)
그럼 혹시 드레인에 전압을 인가하면 채널을 밀어냄으로 off 상태가 되나요?
혹시 이전에 어떤 상태였다가 드레인에 전압을 걸었다는 말씀일까요?
Drain에 (gate voltage)-(threshold voltage) 값보다 큰 drain-to-source voltage를 인가하면 channel Pinch-off가 발생합니다. 다만, 전류가 흐르지 않게 되는 것은 아니고, 전압을 더 올려도 동일한 saturation current가 흐르게
됩니다.
위에분이 잘 설명해주셨네요! 맞습니다 mosfet은 drain하고 source가 대칭이므로 만약 동일한 초기 조건(이전에 바이어스 인가등의 동작을 아무것도 시키지 않았을 때)이라면 drain에 바이어스를 걸었을때나 source에 바이어스를 걸었을때나 동작은 사실사 동일합니다 :)
🤍타임라인🤍
동작원리 설명 0:25
정리 03:35
쇼롱🌿