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SAQP不是什麼太先進的技術，很多NAND flash 廠商在2012~2013年就已經在使用。2D NAND 進入到15/16nm 世代就全都是SAQP。三星的DRAM也是在這樣的技術前提下，用SAQP快速地推進了DRAM的微縮。只是SAQP不如一次曝光了EUV，不管是成本控制上或是良率表現上都是如此。簡單的說，採用SAQP能做出5nm 邏輯產品，這個無庸置疑，但是要在成本以及品質上付出代價在這個被美國掐得死死的現況，這可能是個沒有辦法的辦法但這絕對不是個什麼黑科技，以上補充說明。
你就是个傻逼，还装专家。你咋不说人人都吃饭，咋干出的活差别很大？
@@user-urwedfvftgfr228 從你的用詞可以明白一些事情
台積電在本土賺錢 是不發工資的嗎外商佔資64% 台灣也還有3X%左右呀 怎沒分到本土頭上說假話 也別說的那麼假 就不像真話了。台灣人被騙到柬埔寨的 400多人 多數已經被救回大陸被騙柬埔寨的有10餘萬人....
没有泛林和应用材料的耗材，华为连屎都生产不出来。那么问题就来了，他们怎么能向华为出口耗材？
@@مظفرجنگsorry 作为大陆人 我为有这样的“同胞”而感到羞耻。 请相信不是所有的大陆人都是这么无知和无耻的 请见谅 😂
太強了，能將這麼複雜的東西解釋清楚，感謝講解！
你又懂了？
一看就知道你沒聽懂。
沒錯，快給幾百萬億人民幣的補助，就能量產，也不會被卡脖子了，讚啦！
诚阅 ，@garyhuang3868, 中國政府現在需要的是學習別人的優點，而不是始终用偷骗抢的方法和對手競爭，這是不道德的行為，AAPL 認赢 ! 執行長: 孤立中國已重创大陆半导体业， 华为要哉了！未经允许偷用美国制程版权，美国安部让为可以进一步打残中共，以前已让华为涮失几千亿
積極向上，總會有追上的一天，恭喜華為。
良率才是大問題？
期限是一万年😂
理論上，用 DUV 不斷曝光，是可以達到 3nm 甚至3nm 節點的，只是良率和成本不達標而已。
能賣出一部高端手機，甚麼都賺回來了。
@@DurcDurc 如果DUV多重曝光5nm，良率往高了说5%的话，一部MATE旗舰手机大约要比现在贵20倍，也就是14万人民币左右。要有点利润至少卖18万左右吧，靠你了。
@@vincenttodd8950 讓你計算的話，做手機的都賠光了，現在賣的都是鬼。白人的狗都靠你來撐了。
@@vincenttodd8950 七八年前的台积电的第一代DUV7nm技术良率就已经70多了 现在一般在90左右 产个5nm良率为什么变成“往高说5%”了？脑补完张嘴就来😅还有手机处理器芯片成本只有几百块 成本翻三倍也不会占售价的一半 按华为现在这个定价策略和销量根本亏不了 你如果想发泄情绪完全可以去reddit抱团 别来污染数码爱好者可以吗？
@@vincenttodd8950你这账咋算的？高通一个芯片200美元，但是这是最终售价，去除高通和台积电毛利，成本50美元好了，良率10%好了，芯片成本500美元，如果做到30%那么成本只剩150。
谢谢🙏普及
製程的長度與良率負相關，而且不是等差級數的降低，而是等比級數的降低。此外低良率挑出來的產品也不代表能用，因為隨著良率的降低，漏檢率也會提高。這算是全球工廠管理的常識了，至於想要人定勝天的傢伙就另當別論了。
等比级数是乘以什么比例呢？0.9的四次方还是0.6.最后一道工序通电了能用就没啥不能用的。良品率更多的不是为了找到问题提高利润吗？
@mr2s2001 你不覺得繁體字很美嗎?
說實在是看到有人為此感到振奮覺得有希望，覺得非常好笑所以留言的，要說急還真算不上。品保人會更知道我在說什麼，其他人要吵就隨你們去吧附帶一提，如果通電測過了就能用，那三星好幾年前就不會有大規模的火龍災情了。測試只是檢測的一個面向，就像切下蛋糕也只能看到一個切面一樣。中國的人多所以高手多傻子更多，我認識的真正的中國的能力強的人對此最多就是不予置評，沒有人會想跟我吵這一塊的。唉
@@akeychen888 一个工具如果只是美，而没有使用效率，那它肯定不是个好工具。懂吗？我们中国并没有抛弃繁体字，而只是把它放在了艺术范畴里罢了，你们杂的是真的不懂。
那些遥遥领先的简体字，先不要翻墙了，等5纳米成熟后在用手机电脑嘛..................
可以實現 只是商業化成本 大量生產問題努力不懈精神值得讚揚
现在是争取时间等EUV，现在AI芯片有没有对国家影响更大所以，
NA靠增大鏡片組的綜效口徑可以提升，但是為了增加綜效口徑必須加大或增加鏡片，這會造成後端成像的畸變問題，這時候又要再加入矯正用的鏡片，這會造成曝光能量衰減以及投影鏡片組的體積大幅增加，如此一來又會影響無塵室的量體建設，導致廠房必須越蓋越大以應付身軀龐大的high NA機種
华为用计算光学，投射的图像，不是直接用实际的图像，而是计算过的畸变图像，但衍射之后，得到精确的图像。
@@johngood4419 那個叫做optical proximity effect correction,請不要說是華為的，這個方法已經不知道使用了多久了，發現中國人真的腦被洗的很徹底，明明很多技術早就已經使用了，華為換了個名字給你們安麗一下，你們就說成是華為的，真的太搞笑了，中國現在就跟大清一樣自負，本人是這行業的專家，你根本就不知道自己在說什麼
@@dhh523 傻，你根本不知道自己在说什么。同一个结果，但算法不一样。如同同是手机作业系统，美国出了安卓IOS，华为就不能出鸿蒙？
@@johngood4419 韭菜跟專家叫板，也只有文革中國能辦到了，畝產萬斤是吧？
@@dhh523 砖家，华为Mate 60都出货一年了多了，你这绿蛙只看到水井大的天空。
不吹不黑 客觀公正 給大劉點個讚
解释的很清楚
导线也用多层堆叠技术，同样是5纳米的制程，但带来的效果会更好，毕竟导线的实际距离加宽了，同样的运行频率下，损耗会更低。
上天不会亏待勤奋努力的人，华为是与众不同的企业，有任正非在，华为会继续创造奇迹，任正非健康是华为最核心战斗力！
Mr Question 是这方面的专家，他解释得更清楚，更多的图像来辅助说明，不用太劳累想象力。在RUclips找看看，他有联系几级的说明，有字幕的广东话，顺便学习广东话😂😂
DUVI波長較EUV長很多導致pattern邊緣繞射模糊的問題. 猜測有沒有可能開發類似EUV超薄光阻適合給DUV用, 有效光阻越薄曝光邊緣修正就更一致, 如此就有可能透過演算法再縮小一點pattern間距讓5nm良率較可控. 只是猜想.
有類似技術，利用雙光束減少衍射現象，提升精度。最近超級光碟就是類似技術，但是半導體目前????我沒情報。。。。。。
华为用了计算光学，投射的图像是经过计算得来的畸变图像，投到晶圆后，得到精确的图像，消除了畸变问题，提高了精度。
@johngood4419 計算光學製造光罩(大陸叫掩膜版?)已經行之有年, 即使DUVI 135nm波長要曝28nm pattern 也是需要繞射補償的. 這裏想的是面對極端情況要讓曝光固化光阻膜邊緣繞射的的效應可靠度提高, 或許更薄的光阻膜有幫助但材質研發應該是很複雜的.
@@vincentlin9350 结果是：mate 60大卖。
@@johngood4419所以mate 60 有提供翻牆？
台積電最初的7奈米就是DUV重複曝光做的.後來覺得不經濟改採EUV製造 . 台積林本堅說DUV極限是5奈米 ..華為-中芯用DUV製造7奈米 . 外界評估良率不佳約做1片賠1片 .很可能是中國政府補足差額使華為中芯帳面上沒有虧損 .. 再用DUV製造5奈米很可能會是做1片賠3片 . 那麼中國政府又得再付3倍的補貼金額才有可能讓中芯華為繼續下去 .. 就看中國的錢還能再燒多久了 .
立论基础是很可能，那我也可以说，你很可能就是1450 职业抹黑的 呵呵 不足信
小地方的人眼界也就这么大了
蠢，你以为是台湾猪鼻蔡政府买美国佬高价过时武器啊？
技术也是可以进步的
@@JD-jl4kd大地方的人吹的牛B确实大
個人還是覺得自己以前的看法是對的，所謂的5nm華為應該是會用3D堆疊來實現，就如內文所述良率才是最大的障礙，但3D封裝比較容易突破~!
SAQP
一點都不對，3D封裝是3D封裝，5nm是5nm3D封裝可以把好幾個晶片封裝在一起，但是沒辦法讓nm提升
@@lalonies7166 物理層面是沒錯，但效率層面可以，講白了就是用堆疊方式在同個面積內有更多晶體管，強調一下是面積喔不是體積，相關討論其實以前就講到爛了應該也不用多解釋~!
3D封裝以前網路上的討論有很多了，應該不用多解釋~!
@@lalonies7166 縮少間距是為增加空間來增加原子粒數量, 原子粒數量才是決定運算的主因. 華為的確只能用7納米技術制作. 除了3D封裝, 華為另一項專利是直立式原子粒, 佔用的面積比傳統平放的少1/3 (高度是增加了), 所以放更多的原子粒. 華為是等效5納米, 而非間距5納米. (即晶片內裝載有5納米間距同等數量的原子粒). 華為的Mate 60手機在更新系統後, 原空白的晶片資料已更新為5納米. 如果沒有5納米等效, 華為早已被指責騙客戶. (Techinsight的技術報告是行內公認的可信的, 客戶包括美國政府) 搜一下Techinsight Huawei, 完整的報告在Techinsight的官網免費閱讀, 專家的報告不是更可用嗎? 有關晶片運算比較的一欄. (註: 在設計14納米芯片時期, 行內技術部門已轉用等效來定位, EUV的波長是13.5納米, 所以用EUV制作7納米時亦需要多次曝光)
成本看怎么考虑，没有EUV光刻机的采购费用，用现有设备就能制造
值得鼓勵...加油...繼續捲吧!!!!環境純度問題 要先解決的確光刻機 靠堆疊能做到 7奈米 但良率3成 也可以做到五奈米 但良率算百分比的不到 意思是你花人家百倍的金錢才做出一個 這還沒算半導體所需的環境純度問題 無菌純度 化學品純度 光罩純度 氣體純度等....近兩千道程序 的純度...慢慢搞吧
大刘讲的这期，听不懂但下意识听了两遍😅。
大刘自己也是外行，在此瞎瓣，做糊弄人的网上科普
其實用DUV做的成本不見得比EUV高,因為EUV本身生產良率就不是很高,再加EUV的各項耗費,應該是原來DUV的好幾倍高,所以只要DUV能生產出來,不見得沒有競爭力!!只是怕其沒辦法生產出來.
這種曝光工藝只能用於不在乎成本的晶片上，如實驗室或國防等身上，若用於民間，若無補貼措施，肯定是做越多虧越多。
好笑， 别人不担心你个八子 担心啥
有沒有考濾使用分層模式生產,例如第一層做上N型,第二層做出P型,第三層做出N型,這樣不就是一個垂直的MOS管,如能做出來,那7奈米的馬上變3.5奈米!!而mos管的厚度可以大一些,例如做100奈米,這樣就可減少量子躍遷產生的漏電!!
在初期來說，成本絕對不是考量的重點，向全世界宣傳即便沒有euv，甚至沒有歐日美大廠的光刻膠等高階材料及設備依然能做出5nm甚至3nm的工藝才是重點。至於是否盈利？記得經濟學還是誰說過個名言：永遠不要幫資本家想是否賠錢，除非是股東，不然賺了他們也不會分你，賠了甚至倒了也不會牽扯到你。
成本不是考量的重點？？？？？？？？？看看三星的製造成本。良率之低能有競爭力？？？？？成本不是重點？？？因為那是百姓的納稅錢！！！！
笑死開廠不賺錢，當錢是颳風颳來的嘛？
你是火星来的
@@chase161 人家偽大的中國有廣大的人礦與韭菜啊～
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土
用重複曝光的方式來縮小, 線就會越來越模糊 , 後面的製程再做下去, 良率一定不好, 有良率都是運氣好, 如果華為可以接受良率可能是0.1%這樣的結果, 那就請繼續!叫你你拿一隻毛筆畫鈔票, 畫得出來才有鬼
你做不到罷了。
狗屁。重复曝光曝光的部件和图案都是不一样的。主要考验的的对准精度。你们要黑好歹也做点功课，看不懂就大方承认啊。
是真的有鬼，去年八月底上市的一系列華為手機晶片一定是鬼做的，幾千萬台呢。事實上techinsight拿顯微鏡去算麒麟9000S的電晶體密度，密度本來就已經介於台積電的7nm和5nm之間了，說是6nm也可以。
良率低，国家补贴啊, 以时间换空间
蠢，知道什么叫计算光学吗？
Mr Question 近几个月有关芯片，特别是Kirin9000, 9010的视频有非常多详细解说。
华为净利暴增169% 经营利润在逐渐增大
骁龙680卖两千，利润不大才是新闻。
然後中芯暴跌~
@@user-urwedfvftgfr228別在這裡假裝自己是台灣人 啥屌
@@SOJL 華為把中芯坑慘了, 一個舉個民族大旗的要求國內最先進的工廠為他便宜代工, 難怪中芯製程進步了, 毛利卻暴跌!
伍強老師的課,有上過,不錯的
在過去的幾年, 華為在半導體方面取得的專利應該超過300項. 這些已取得的專利突破包括自對焦, 有堆疊技術, 有3D制作, 有原子粒體積, 原子粒擺放(直立), chiplet(介面), 每一項都是為增加原子粒數量, 或為減低不良率為目的. 華為今天的成就已經是集各項專利所成. 在未有EUV機前, 要使用5納米技術是不可能. 因為良率太低, 所以只能以"等效5納米"來出招. 相信有進步的空間但不會是大爆炸式. 期望中國能早日突破EUV光刻機, 當然X光光刻機更佳. )
突破了，然后墙更高！
10nm以下都是等效，台积电、三星也是等效。
@@shawnwang9832 痾 32nm以下都是等效。
现在AI芯片的需求非常急迫，给的价格也很高， 只要能做出来，成本高也比买不到好太多。
厲害 ~ 山不轉路轉 . 1次作不到就多作幾次 ... 跑不快就把路截了一樣快 .有這招數 將來打通二脈(有極紫光刻機後) ... 立馬變成令狐沖 ! ! 💪💪💪
支持点赞解说 ！
DUV光刻機+多重曝光技術不是萬能的,硬要用這種作法去製作5奈米製程晶片 ,良率將大幅降低, 成本將大幅增加;如果要繼續用這種方法去製作3奈米製程晶片,那基本上就是沒有任何商業價值的製作方法,如果在用這種技術往下做,那基本上中芯就差不多可以宣告倒閉了
沒那麼絕對，我也支持EUV路線，但是台積電也用DUV+多重曝光走好多年，財報也證實可以賺錢，重要是過去自動化還沒現在高。所以，如果工藝非常穩定，機台又是本土的，在加自動化，那有可能仍有利潤。(畢竟本土機台成本遠低於美歐日。。。)
@@許明陽 台積電/三星/英特爾都不是笨蛋,他們當然知道光刻機+多重曝光技術的路子,可是他們都沒有堅持繼續使用這種製作方式,就代表這種製作技術有其無法跨越的極限
@@許明陽 DUV光刻機+多重曝光技術真的有其極限 ,除非中國願意接受以良率1%甚至更低的良率去製作晶片
華為+中芯的7奈米就已經沒有商業價值了 . 一支價值三千人民幣的P60賣六千 . 其中三千是中國政府的補貼及中國買家繳的愛國稅 .. 其他手機商用台積電的3奈米芯片效能比華為的高40%價格一樣 ..
就现在的需求来说 手机的SOC性能对于消费者其实已经没那么关键了 除非3nm制程相较于其他芯片具有无法忽视的绝对优势 否则部分消费者也会基于其他因素去选择5nm甚至7nm制程的产品 我猜目前是暂时用这种技术填补国内市场 然后用利润去进行下一代技术的投资
感觉，也没有必要太追求太细了。。intel的cpu还是10nm的呢。。。还有，感觉目前的芯片体系也快到极限了，再怎么追也不会有太大发展了。换个赛道提前跑吧。。。
衍射的极限公式指的是人眼可分辨的最小宽度，描述的是光子的活动轨迹概率分布，但是科学家是可以通过对光子的概率分布的裁剪，以达到更小的分辨率目标的，这就是多重曝光的原理。自动对焦就是解决了多重曝光的位置误差问题。当然，这会付出代价，世界上没有完美的结果。但是这种代价并不是体现在半导体生产的良率上，而是整体生产效率略有降低。如果用新的这种方法，1nm曝光理论上也是可以做到的，实际上就要看自动对焦可以做到的精度，还有曝光机的功率输出。半导体生产并不是只有一条技术路线，台湾是人类智商的洼地，所以总是以为自己是宇宙的中心。台积电现在的FinFet技术路线很可能是错的，今年如果还不能解决芯片过热问题，那后面的麻烦就来了。
台积电下一代3nm不是换成GAA了吗
@@淡若轻风-s8k 看·问题先生的视频，依然是FinFet，所以才有了火龙果产品
人类智商的洼地造出了人类最高制程的芯片，你让智商高地的Intel、三星、中芯国际情何以堪。
見到不少替華為芯片擔心良率不足的網友. EUV的波長是13.5納米, 所以不論用EUV, 或DUV生產5納米芯片, 都需要多重曝光. 在制作5納米芯片時(包括台積電), EUV及DUV光刻機都有使用到. 主因是光刻對象不同, 對光刻的要求就會不同, 如光刻基材同Fin的間距就不一樣. 更重要的改變是, 裝載原子粒數量比光刻的間距更重要. 因為原子粒的數量直接決定運算能力. 台積電的原子粒體積是最小, 所以同樣是5納米芯片卻比三星優勝 (當然還有其它次要的原因, 在此略過). 華為除了在多次曝光的技術上有突破外, 在微晶片(chiplet)上亦有突破, 利用疊加技術將多塊晶片拼成. 微晶片的良率較高, 所以整体的良率得以提升. 至於原子粒體積的問題, 傳統的原子粒是平放的, 華為已改進成直立, 所以在裝放原子粒數量上, 已大幅提升. (這兩項技術已分別取得多項專利). 所以華為是用7納米的間距, 裝上5納米晶片數量的原子粒. 即納米等效. (華為的Mate 60手機在更新系統後, 原空白的晶片資料已更新為5納米. 如果沒有5納米等效, 華為早已被指責騙客戶. (Techinsight的技術報告是行內公認的可信的, 客戶包括美國政府) 搜一下Techinsight Huawei, 完整的報告在Techinsight的官網免費閱讀, 專家的報告不是更可用嗎?
这个频道是面向普通用户的大众化科普，过于专业性的文章对于非此行业的人来说难以读懂。就像是你难以读懂风水学的文章一样
呃，你半桶水還是不要出來響叮噹，看了幾則內容農場的文章就自以為是大師了。😅誰跟你在那分平放的立體封裝還是直上的立體封裝，半導體業界的3D Packaging一直都是在探討縱向的Multi-chip stacking，從上世紀的80年代就有概念雛形了，華為在那時候還在抄襲CISCO的交換機呢。PS.1）我剛去翻TechInsights的文章，他們認為Kirin 9000s的Tech node很大的機率是等效於TSMC的N7（DUV SADP），其晶體密度不到TSMC N5的60%。2）我在半導體封測領域十年多了，歡迎你提出資料打我臉唷。
这也是一个根本不懂的，现在还直接拿紫外线波长来和工艺比较。告诉你一个冷知识：从1997年180nm以下的芯片制程开始就已经和实际的物理加工线宽没有任何直接关系了，所谓的7nm、5nm、3nm芯片都并不是表示其工艺线宽，而是一个纯“商品名”，一般是用来表示其晶体管密度相当于用之前的密度外推出的7nm、5nm、3nm工艺密度。而现在因为晶体管的设计发生了重大变化，同样的物理线宽的加工工艺可以塞进更多的晶体管，虽然还是需要工艺不断提高但根本不是线性关系， 所以根本不需要5nm的实际物理线宽就能生产现在所说的5nm芯片，实际上现在的5nm工艺中晶体管的pitch是50nm左右，对于波长只有13.5nm的EUV来说非常轻松就可以达到，但是用波长193nm的DUV来做成本就会高到基本没有市场价值。另外操作系统中芯片的工艺是可以随便写的，根本不存在消费者告的问题，如果真要告的话这二十几年来全世界所有的百nm以下工艺的芯片都是骗人的，到目前3nm芯片已经量产的时代也没有任何一个厂商生产的一款芯片的最小结构尺寸达到了20nm以下，如果能告的话半导体工厂早被告破产了。这就像到法院去告“老婆饼”里没有老婆一样。
建议你看看问题先生的视频，比你水平高太多了。
一台飞机能飞多快，当然和空气动力学有关，但是每一代的升级都是和马力有关。华为研究这些，就像是不断去研究空气动力学优化了动力学，但是马力还是四代战机的动力，就算能飞到五代机的速度，那能算是五代机吗？未来的科技走向都是大力出奇迹，只要引擎继续进步，你再怎么优化空气动力学又怎么追到别人呢？
华为估计也是权宜之计
看一下評論全是腦殘兒，去查一下4重曝光多難，而且毛邊比euv少功耗少40%，華為的3d堆疊技術更牛逼，3d堆疊技術intel都沒做到
三星-台積電-英特爾不用的東西，一定有原因的，不要做夢了
智商不够用，所以只会冷嘲热讽😂
宇宙蛙最屌@@lalonies7166
看到一堆想要吹中國的白癡拼命想要爭辯護航什麼就覺得超級可悲，井底之蛙就是這個德性。
@@lalonies7166 因為傳統的堆疊存有不少問題, 瓶頸是耗電. 但華為已突破有關的瓶頸, 單解決耗電一項, 華為已取得十多項專利發明.
多重曝光成本很高，做得出來跟會賺錢是兩回事
不必要太执着于7纳米5纳米，还是应该聚焦于性能、体积、功耗等这些应用参数上。比如，电动汽车上用的AI芯片，就没必要用5纳米制程，用28纳米能达到同样的性能，就可以了。因为车上有的是电能和空间，没必要考虑体积和功耗的问题。另外，还可以从集成电路的设计上下功夫，使得用更少的晶体管，可以实现相同的功能。
🎉
加油 自强！
中國華為加油👏
只有华为的芯片技术发展了，才能把华为手机窃听到的每个人的数据进行大数据分析，及时把对政府不满的人抓起来关进监狱，从而保证国家的长治久安
謝謝大劉的分析，我相信我們距離5nm更接近了。
mate60的手机系统参数里显示的制程为麒麟9000S是5nm。你相信大刘的，还是相信华为公司的官宣。
华为内部评估本来就是希望花5年攻克无法使用EUV造成的这道坎，换句话说大概在台积电微缩到1.4纳米左右时华为可达到台积电经EUV重新优化后的6纳米左右
@@shawnwang9832 冷知识：手机的操作系统没有电子扫描显微镜，它所报的任何关于芯片的参数都是程序员编程的时候里一个表格里写的，你写0.0001nm都只需要改一个变量。
@@jackie800311 即使一切如华为的计划那样，实现这个的前提也是那些ASML到那时候还能用。但是这次习近平跟吕克显然没谈成。
@@jackie800311 就这么说吧，国内三年以内量产3nm, 今年秋天mate 70 绝对是 5 nm. 2023年哈工大的国家科学技术一等奖都已经把EUV光刻机都爆出来了，然而第二天消息就被删除了。国家太低调了。
有人一直在说良率跟成本，确实没错，良率低了成本就很高，但是华为的手机SoC不需要考虑盈利问题，就好像只有苹果才用得起台积电最新制程一样，华为手机芯片跟苹果的手机芯片都是自研并且用于自家产品，相对高通跟MTK来说，成本贵1倍都是可接受的，华为跟苹果可以透过提高整机的利润来维持芯片的开销。所以，就算华为用的5nm良率只要不是太低就是可以接受的。
电子束直写还能做线宽5nm的光栅呢，那又怎样？用这些非主流技术把芯片刻出来，成本1M USD，有人买吗？
政府出钱，纳税人买单
DUV+多重曝光，台積電都走5年以上，財報也證明有利潤，何來非主流??而且當年台積電自動化還不高。。。過去論文還提過電子束陣列概念，用數百台電子束機台克服效率問題。。。。
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土🤣
用繁体的串子装nm台巴子呢
一开始是荷兰集电，后来米国粑粑说要，不能不给，就成了米集电。
社會總有可悲的人發洩一下也是好事，不敢發洩的按讚也可以
好喔～人礦你說的都對
笑死，不要以假亂真😅
根据最近的AI IC发展，大尺寸IC似乎具有明显的计算优势。但如果晶圆制造的良率很低，那么生产那些大尺寸的IC就很难了，对吗?
对，所以即使以全世界最好的台积电工艺做的NVIDIA最新的B200 GPU也是分成几个die（硅片）再用宏观的导线连接在一起，而不是用一块大的硅片，除了有面积越大良率越低的原因之外还有光刻机有效成像范围的限制。
TSMC工程師這時間才不會有空上來打嘴砲，人家年薪幾百萬在這跟宅宅浪費時間?都是宅宅靠GOOGLE拼湊上來打嘴砲的
@@橘子与茴香豆 10年後？ 只怕那畤的你拿著紙箱在思考要去睡哪個公園了。🤭
我剛辭職算不算你口中的TSMC工程師
台積的日廠美廠，還是台積，核心技術和製造，還是在台灣😊
DUV 機 也是 asml 建造的。68鈉米才有日本的NIKKO,CANNON
DUV刚开始的时候Nikon、Canon是主流厂商，ASML是个小厂，但是后来在100nm以下工艺日本人选错了方向，他们的方案是用更短波长的DUV光源，而ASML采用了台积电提出的用水做光介质的浸没式方案，水的折射率是1.33，放在水里原来的DUV光源的波长就一下子缩短了30%，等于几乎零成本就提高了一个级别，比日本人用的新DUV光源的波长还要短，ASML就迅速占领了市场。Nikon和Canon也想用浸没式方案，但是他们很快发现他们的新短波长DUV光源的紫外线波长太短，会被水水吸收掉，所以这个天才的捷径他们没法走，然后就被挤出市场了。后来Nikon换回原来的DUV光源重新搞出了浸没式DUV光刻机，但是此时ASML已经垄断的全部市场，没人再会去买Nikon了。EUV的故事更好玩，最关键的是EUV紫外光源，这个只有美国能做出来，他们不想让技术外泄，所以找了ASML和Nikon谈，要求第一美国要控制公司的股份，第二整机必须使用超过50%的美国部件，日本人当然不能接受，但是ASML接受了，所以EUV的游戏里就只剩下ASML一个玩家，100%垄断市场。
良率和成本不考虑吗？
政府补贴
没人知道，但是我知道华为和中国政府不差钱。补课费始终是要交的
你知道良品率？
你不知道你是其实是次品吧
DUV+多重曝光是台積電玩5年多，證明可以賺錢的路線
ASML的总裁说过，2050i是能做5纳米的，只是经济不经济的问题。
成品良率低又不好賣，生產出虧本賣還沒人買的東西，有沒有意義而已。
中國被美國科技制裁；不斷騎在臉上輸出，中國反擊美西方最好的施力點就是制裁台灣半導體產業，兼具多種效果，能打擊美國科技發展速度也同時打擊美國科技公司與美國股市，制裁台灣等於打小孩給美西方看，大陸一定要想清楚，這非常重要，現在不是大陸這邊莫名自信的時候，能做的都要抓緊去做
放心吧！台灣半導體必然重複其液晶面板廠的歷程
敢打能打，早就打了！問題是中國行嗎？敢做嗎？最後最後，醉了以後，只剩下打嘴炮😅
duv再坚持3-5年为euv研发争取时间。
中國70年前也要拿下台灣，已經過了70年了
你这类比不成立，中文没学好别来耍嘴皮子，开政治玩笑，多赚些钱，过好自己小日子比啥都强@@lalonies7166
@@lalonies7166 台湾省70年前就要反攻大陆，已经过了70年了
掉隊了！只会越掉越远！
@@江永富-h5m 你是智障吗？
永遠不要低估中國人的聰明才智和勤勞毅力，突破歐美的種種封鎖對中國對中國人來說只是時間的事，有智慧的人都可以看見世界的未來在中國，而不是那些到處0元購芬太尼無家可歸者，犯罪率居高不下的“美麗”國家們
等到你所謂的"突破"時你確定這技術還有人要用嗎...?
中國一定強
對台積電而已 已經不是優先追求幾奈米的問題 更多在追求成本 良率 能耗 效能
正解
這需要的光罩數目和加工次數都翻了好倍，成本想起來就很可怕。
去年华为盈利8000亿，今年会更高，怎么没破产呢？
@@ditml6796 這跟盈利甚麼關係? 多重曝光的成本高就是事實，這跟一間公司賺多少錢沒有關係
@@ditml6796 因為5nm還沒大量生產
@@ditml6796 賺這8000億前,政府補貼了多少?
@@ditml6796 可能比8000億還多, 中國政府重點事項都會盡可能地讓數字好看, 但整體是騙不了人的.看看今年經濟的慘狀
10nm以下制程，标准就不再是鳍宽、半节距了，有三大类判别参考标准，其一，鳍宽，金属轨的数目，闸门间距和金属间距；其二，晶体管密度；其三，性能表现和功耗。台积电的制程它自己不叫5nm，而叫N5，其实，N5制程的鳍宽绝不止5nm，就是这个意思。另外，不仅仅是LELE、SADP、SAQP这些技术，还有掩膜图形预修正技术，以及Forksheet FET技术，都能仅用DUV光刻机将制程延伸到5nm和3nm等效制程水平上。主要以晶体管密度和性能和功耗表现来衡量。
對從業人事而言，您在鬼扯….良率會低到，一整片晶圓，可能都挑不出幾枚好的，甚至完全沒有。
而且就算挑出來所謂好的，人家也不敢用。看到有人說只要測過就能用，真的傻眼。中國品保人才多，工程人才多，但是出來外面現眼的人更多.......
沒事，反正用在武器，能撐幾分鐘就比大多數中國人久了
专利都出来了，说明这个已经弄了一两年了，现在肯定已经有不少库存给mate70了，一片挑不出一个有点扯了
抱歉，是林本堅說可以辦到。。。
你是专业人士？可笑
看了好多流言，真的好笑，非行業內的人就別來評論了，非專業的人看看熱鬧就行，業內的人都懶的評論，那啥2021的專利，並且沒被採用，被國內高薪抓回去騙錢，還不如把蔣尚義供好更有用，你以為好用且有用的專利為啥人家不用？最簡單的一個例子問你：現在流行的曲面屏技術是啥時發明的？而且當時的發明還是有成品的！從理論到量產不是一件簡單的事，你以為研發到量產3NM花了多久？真的是無知者無畏
流言是好多，但華為的手機都賣了千萬部了，美國專家都証實華為7nm是成功了，這可不是用流言兩字能跳過去。7nm都成功了，進攻5nm，那就是流言，你怎麼不說台積電的2nm是流言？一味貶啊黑啊，拒絕面對現實，就是台灣人的生活態度？
你这不就是何不食肉糜？如果没有美国全方位的封锁，我们何必去搞这种落后的技术专利？这里讨论的是突破封锁，而不是最好、最优的讨论。
腦子里裝的啥？為啥封鎖你心里沒B數嗎？@@macing2010
就你的腦子別出來了吧@@user-urwedfvftgfr228
如果今年能做出5nm，就代表他的對準機的精準度相當驚人。DUV跟EUV製程的差異，主要在材料跟光刻方式，5nm如果做成，那華為已經解決材料問題，只剩EUV光刻機。那麼高的精準度，一旦攻克EUV，就直攻3nm了！但3nm以上又是一個不同結構，很多環節要重新來過，加油了！至少你有機會打趴三星跟intel。
幾奈米這些不重要，只要能搞出產品就好，5奈米搞不出產品還不如14奈米。像汽車上要用的產品重點是要耐震，耐熱，耐髒，耐潮濕，要非常便宜，保證使用30年不會壞。
那中國汽車廠怎麼不用中芯14nm，硬要用高通的晶片呢？難道中國車廠不愛國嗎？😂😂😂
高通的成本确实比国产低的，别人技术更成熟而且有量产优势，中国的芯片只是能用，但论经济效益还远不是欧美台企，韩国的对手@@johnchen6783
基本上換湯不換藥，與外界幾年前對中國半導體發展的預測一致，中國確定是無法完成5nm甚至7nm工藝的商業化量產，基本上止步於14nm無論是7nm的麒麟9000s，還是現在號稱突破5nm的SAQP技術都一樣是在多重曝光以及更多光罩堆料，除了更高的成本以及更低的良率，更多光罩也會讓曝光的圖形失真模糊，無可避免的限制電路圖型不能精細，這個缺點其實在麒麟9000s的電子切片圖上就非常明顯了
去看看华为财报吧。还舔着脸说与外界几年前的预测一样😂。真会给自己找台阶下。你的意思是说当初美国全球制裁华为就是预测到了今天的突破？我都替你脸红😂。雷蒙多告诉你的吗？
人家都能賣幾千萬台了，而且利潤還頂好的，一直覺得人家不行，但人家一直行給你看，長此以往，小心精神分裂。建議少看台媒，少接觸騙你的東西。
@@aronyang 中芯國際的財報你自己看吧，如果沒有中共大力補貼會更難看，麒麟9000s實際上就是砸鍋賣鐵造出一個性能差強人意的不合格產品，賣的超貴效能還不行，也只有中國人會買單，不具備市場競爭力
@@onthekingify 既然不具备市场竞争力，那为什么不敢开放北美市场？另外，为什么要看中芯国际的财报？是谁告诉你是中芯代工的？白宫到现在都不敢确定是中芯代工的，你就又知道了？雷蒙多怎么没请你去白宫当顾问呢？明晃晃的华为财报摆在那，非得七拐八绕的看别人家的财报来满足自己的推断，幼不幼稚？按照你的逻辑，要是看前两年华为手机市场份额下降的趋势，华为早就应该倒闭了才对吧？你们这群反华的有自己的立场可以理解，但能不能有点脑子？一天到晚的拿评论区当许愿池了？你就直接说，今年9月份华为还能不能发布mate70吧。被那么多废话了。
@@笔名路明 首先華為至今沒有公布mate60pro支援的波段頻譜，沒有海外任何一家電信商能夠支援，其二mate60pro不在海外發行是華為內部的決定，實際上也是良率過低連國內市場都無法正常交貨的原因導致，至於中芯Q4的財報你隨便上網查都有，至於是不是中芯做的根本不用猜，目前中國半導體技術力最高的就是中芯，就算是用華為子公司名義生產也一定只會是用中芯的設備、技術、人力，半導體產業不存在突然冒出頭的技術引領者，實際上麒麟9000s的突破一直也只有只中國人在一頭熱，牆外大都是一開始看熱鬧，麒麟9000s西洋鏡被拆穿後一副果然如此的看笑話，沒有任何國際公司包含中國科技業者對中國突破7nm感到興趣，一直都是專屬於華為
良率根本不是问题，即使成本比台积电相同制程翻几倍也问题不大。因为在消费领域，华为有高溢价能力。在算力领域，有美国制裁的神助攻，再贵也买不到英伟达芯片。现下最重要是把产能提上去，把芯片做出来。
5nm芯片在手机成本上有10%吗， 良品率差一半也就加价10%。 一个手机成本增加10%少赚点就行😜
多了4次曝光，成本涨了4倍，加上良率降低，成本变成八倍。原来 10% 成本的晶片，手机要涨价 80%。
@@laserdrill2023 美积电毛利超过100%，1变成2；高通采购美积电生产的芯片加价100%卖给手机厂，2变成4。华为自己生产成本直接就是4，还不是和从高通采购价格一样？
@@laserdrill2023 芯片所有成本都在曝光上？
@@frank-gz1xo 曝光是第一步，每次曝光后，后续也要做所有的化学制程一次，才能制出线路。而且曝光是每晶片一格一格做，而化学操作是整片硅片一同做。
@@laserdrill2023 你封装也要四次？
理论上来说，愚公移山也是可行的。问题是你即使发明一种新的专利方法，由理论到验证，到初步流片，到试产再到改良优化良品率，最后较大规模量产，要几年？3年？还是5年？到时黄花菜都凉了。就比如现在华为+中芯duv偷偷摸摸的7nm不惜工本搓出来的9000s，不客气的就那性能和功耗，7gen2都可以打的它满地找牙，和主流旗舰soc至少已经是3年以上代差。理论上可行的，理论到商用是一条漫漫长路。
网络上一堆台湾人真奇怪，中芯国际公佈的上市公司的财报中说的很清楚华为并不是他的客户。华为公布的供应链里面也没有中芯国际。偏偏就有人视而不见，硬是把中芯国际跟华为扯在一起。
重磅，實錘，央視直出。華為已手搓搞定一奈米。普天同慶薄海歡騰點讚。
留言區繁體字留言一片酸。。在井底呱呱咕咕。。
不笑你們要笑誰，井底之蛙說別人井底呱呱
也就等1年，mate70卖不卖，之前可是说没euv做不了5nm，现在改口能做5nm，不赚钱；这要是等1年5nm芯片大量出货，又如何说😂
@@luckycat3131Intel 10nm就是用DUV做的
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土🤣,
繁體的台灣有技術和市場，你們只能留口水😊想又嘴抖！世界各國紛紛和台灣連繫要合作，所以是世界的台灣🎉
曾经搞定亩产10万斤的国家，搞5纳米芯片还是事吗？从来就不可能是事，呵呵。
你这种loser 这样认为，不奇怪
你过得一定很辛苦吧？
@@utobesuckslol6687 就是吃亩产10万斤粮食长大的那一代人，你想想能辛苦吗？
已经搞定7nm了，而且性能是5nm的性能， 嗯， 从来都不可能是个事儿，对的。
@@kakaxifx4913 一纳米都不事，只要你能想到的事，从来就没有成为事的。59那年，亩产10万斤，饿死3千万，三面红旗胜利，帝修反完蛋，同时发生了这么多宏伟的事，这几纳米的事还能算事？
给墙外的人科普一下，什么叫宇宙无敌的吹牛B！
你就是那头B😅
哈哈哈
给傻逼科普牛逼？你这不是强人所难吗😂。
不难懂，说白了就是，因为粗放型生产，污染了土地，在盐碱地中挑一块净土，细心照顾，军队管理，专属服务，种出来的大米，只做特供，草民有钱也不能染指。如果正常耕耘，环境生态正常，科学管理种植，引入市场机制，大面积种出来的，经济作物，粮食作物，可供全国人分享，甚至销往海外。
All my heart goes to Huawei
自嗨就好。。加油。可以用陣法取代唷
听说年底出来， =到时候别嘴硬哦。
可以用八卦陣來取代，我們都有八掛可聊😊
@@kakaxifx4913 照你們這邏輯 三星都可以吹到天上去了
@@林雄大-z8m 三星吹上天？？ 我们不管你标什么数字， 只看最后体验的。 比如实际的流畅度，打开速度， 游戏帧率，能耗表现什么的。 三星么。。。。反正不如台积电，是第二梯队。
评论区的人很多嘲讽华为做法，不过换位思考一下华为还有更好的选择吗？是华为不想用台积电的产能还是不想买5纳米芯片？华为不知道造不如买的便宜吗？华为不是一个营利性的公司吗？难道真的让任正非去美国把牢底坐穿来换取制裁松绑？我当然可以随便说不懂经济不懂技术规律，因为我就简单吃瓜。
任正非最后悔应该是不该冒那么大的风险去赚伊朗那点小钱，当然他很可能是身不由己的。从这个角度说，华为根本不是一个普通的营利性公司。
請問可否談談VGAA技術？🙏🙏
希望華為越來越好在我用過所有手機華為是最好的,如果余承東說遥遥領先,我並不否認,不論照相 系統 定位及耐用度😊都較其他品牌好
既要保持信心 又不要高兴太早
一直重复下去，是不是3纳米和1纳米都可以搞定？
理論可行，但成本過高，因為本來一次週期可以做完一層電路，現在要四五個週期。。。。
华为是设计芯片，跟制程有个毛关系，他就算设计了1奈米的芯片没有代工厂做有个屁用啊
因为中芯国际刚好开除了一部分工程师和淘汰了一部分落后设备。恰好又被华为接受了。
中國加油支持華為👍👍👍👍👍👏👏👏👏👏
良率低其壽命也會低，因為電子會更容易擊穿
你说的对，你是专家 😂😂😂
@@行动的巨人 應該是說低良率的批次哪怕是合格品堪用壽命也會降低若以顯微設備觀察則會出現過細的線路電子因此更容易擊穿整體佈線亦較不規則此乃 DUV 光源因分辨率較低所難以避免的先天物理限制也就是說良率不只代表良品率也反映所謂合格品的可靠度所以 DUV 先進製程的特點不但高成本低良率晶片用途也相對受限除了一般消費電子外用於有安全考量的產品便有疑慮比方難以通過車規 (主要用於 AI 自駕) 認證遑論軍用 (AI 智能軍武)然而中國國產先進製程的晶片恐怕另有用途轉向 AI 是 "黨" 的意志甚至是 "總加速師" 親自拍板尤其看到 SORA 後連中宣部都坐不住了"造假" 逼真程度簡直是其夢寐以求還內部發文指示全力追趕外媒確實也曾報導 P70 的某些機型因 9010 產能不足還是會用上 9000S不過其實蘋果也是類似作法
They need 5nm for 5G baseband and large MIMO. Without EUV, it is difficult.
做可以做,良率和成本問題
DUV可以多次曝，EUV也可吧，到時EUV可以0.5納米或更小嗎？
越小越容易漏電😂 量子隧穿 導致發熱性能下降
不能，已经逼近物理极限了
只要硅基材料能承载，就可以
好消息是，EUV上限也就那样，看看暖手的iphone15Promax就知道，我在死胡同里追你不怕追不上，慢慢来~抗战还打了14年呢这才几年？
@@guagua8909 离物理极限还差得远。28nm以后那个nm数已经和工艺的线宽没有直接关系，只是用来表示等效的晶体管密度而已。实际上现在5nm芯片的晶体管结构尺寸是30多nm，离硅原子的大小还有非常远的距离。
也有可能是保护性专利
超耗光罩相當做了細分機械模具好幾個才成一個產品
做出來能夠高良率量產才能賣錢，否則虧損成本高；不是有能力做到就可以生產！
搞不搞的出來一回事因為遲早會有，但良率競爭下爛不爛尾才是重點
这个不是什么新技术，还可以申请专利？
中国专利，反正就是偷抢骗
嗯嗯
成本不是问题，华为的手机卖10万，甚至一百万人民币一台，很多中国人仍然愿意购买，能够制造出来就行了，不愁没有销路。
SAQP也會用在EUV光刻機上，不要以為這技術只是"硬幹"...
Intel 10nm也是DUV多重曝光的，應該比TSMC更難吧
現在是7nm++++++++++++
該推出中子光刻機了，用石墨當掩膜
华为有什么突破的消息吗。比如下一代手机的性能能追平5纳米的手机。华为也许在尝试五纳米的制程。但华为用堆叠等其它办法更有可能。
下次手機，直接通話外猩人
能够被中国做到证明芯片制成从来都没有被认真优化过。其实成本也未必就一定高许多，因为DUV运行的成本本身就比EUV运行的成本低，加光刻机价格，甚至连不同光刻机的光刻胶也有成本差异，这些成本七折八扣下来，两者可能相差没有那些“人”说的那么大。
你买手机打开盒子里面只有一个芯片啊？其他的东西研发不花钱？
大刘一年前关于苹果造车的预判牛🍺，特地来膜拜！
中心国际帮忙制造的，中芯国际有梁孟松。
還說华为有可能搞定5nm?! 你自已買部 Mate60Pro 來看看系統上標明的納米制程!不是已說給你聽是5nm嗎?! 現在已是用DUV造等效3nm了！至於怎造,良率等問題大刘你也科普一下吧。ruclips.net/video/8jwm8dC_Li8/видео.html
冷知识：操作系统上并没有电子扫描显微镜，它给出的纳米制程是可以随便写的。这竟然也成了证据了？？？？DUV造1nm的都没有问题，只要你能接受良率和成本，实验室里能做到的东西多了去了。
怎麽感覺和AMD的CPU的3D堆叠技術有點類似呢……
现在的光刻技术有一个根本性的缺点，能源利用效率太低了。
給華為DUV就能做出五奈米給他台EUV不就把一奈米做出來了果然牛
对啊，本来就是啊，大陆台湾一个人种你说比吃苦勤奋聪明大陆人比台巴子差吗而且人口基数比你们多好多😂😂😂，台湾我必须要早说50到90年代你们培养的大学生竞争力是强国大陆的，现在嘛我就不好说啦😂😂😂😂
SAQP不是什麼太先進的技術，很多NAND flash 廠商在2012~2013年就已經在使用。2D NAND 進入到15/16nm 世代就全都是SAQP。三星的DRAM也是在這樣的技術前提下，用SAQP快速地推進了DRAM的微縮。只是SAQP不如一次曝光了EUV，不管是成本控制上或是良率表現上都是如此。
簡單的說，採用SAQP能做出5nm 邏輯產品，這個無庸置疑，但是要在成本以及品質上付出代價
在這個被美國掐得死死的現況，這可能是個沒有辦法的辦法
但這絕對不是個什麼黑科技，以上補充說明。
你就是个傻逼，还装专家。你咋不说人人都吃饭，咋干出的活差别很大？
@@user-urwedfvftgfr228 從你的用詞可以明白一些事情
台積電在本土賺錢 是不發工資的嗎
外商佔資64% 台灣也還有3X%左右呀 怎沒分到本土頭上
說假話 也別說的那麼假 就不像真話了。
台灣人被騙到柬埔寨的 400多人 多數已經被救回
大陸被騙柬埔寨的有10餘萬人....
没有泛林和应用材料的耗材，华为连屎都生产不出来。那么问题就来了，他们怎么能向华为出口耗材？
@@مظفرجنگsorry 作为大陆人 我为有这样的“同胞”而感到羞耻。 请相信不是所有的大陆人都是这么无知和无耻的 请见谅 😂
太強了，能將這麼複雜的東西解釋清楚，感謝講解！
你又懂了？
一看就知道你沒聽懂。
沒錯，快給幾百萬億人民幣的補助，就能量產，也不會被卡脖子了，讚啦！
诚阅 ，@garyhuang3868, 中國政府現在需要的是學習別人的優點，而不是始终用偷骗抢的方法和對手競爭，這是不道德的行為，AAPL 認赢 ! 執行長: 孤立中國已重创大陆半导体业， 华为要哉了！未经允许偷用美国制程版权，美国安部让为可以进一步打残中共，以前已让华为涮失几千亿
積極向上，總會有追上的一天，恭喜華為。
良率才是大問題？
期限是一万年😂
理論上，用 DUV 不斷曝光，是可以達到 3nm 甚至3nm 節點的，只是良率和成本不達標而已。
能賣出一部高端手機，甚麼都賺回來了。
@@DurcDurc 如果DUV多重曝光5nm，良率往高了说5%的话，一部MATE旗舰手机大约要比现在贵20倍，也就是14万人民币左右。要有点利润至少卖18万左右吧，靠你了。
@@vincenttodd8950 讓你計算的話，做手機的都賠光了，現在賣的都是鬼。白人的狗都靠你來撐了。
@@vincenttodd8950 七八年前的台积电的第一代DUV7nm技术良率就已经70多了 现在一般在90左右 产个5nm良率为什么变成“往高说5%”了？脑补完张嘴就来😅还有手机处理器芯片成本只有几百块 成本翻三倍也不会占售价的一半 按华为现在这个定价策略和销量根本亏不了 你如果想发泄情绪完全可以去reddit抱团 别来污染数码爱好者可以吗？
@@vincenttodd8950你这账咋算的？高通一个芯片200美元，但是这是最终售价，去除高通和台积电毛利，成本50美元好了，良率10%好了，芯片成本500美元，如果做到30%那么成本只剩150。
谢谢🙏普及
製程的長度與良率負相關，而且不是等差級數的降低，而是等比級數的降低。
此外低良率挑出來的產品也不代表能用，因為隨著良率的降低，漏檢率也會提高。
這算是全球工廠管理的常識了，至於想要人定勝天的傢伙就另當別論了。
等比级数是乘以什么比例呢？0.9的四次方还是0.6.最后一道工序通电了能用就没啥不能用的。良品率更多的不是为了找到问题提高利润吗？
@mr2s2001 你不覺得繁體字很美嗎?
說實在是看到有人為此感到振奮覺得有希望，覺得非常好笑所以留言的，要說急還真算不上。
品保人會更知道我在說什麼，其他人要吵就隨你們去吧
附帶一提，如果通電測過了就能用，那三星好幾年前就不會有大規模的火龍災情了。
測試只是檢測的一個面向，就像切下蛋糕也只能看到一個切面一樣。
中國的人多所以高手多傻子更多，我認識的真正的中國的能力強的人對此最多就是不予置評，沒有人會想跟我吵這一塊的。
唉
@@akeychen888 一个工具如果只是美，而没有使用效率，那它肯定不是个好工具。懂吗？我们中国并没有抛弃繁体字，而只是把它放在了艺术范畴里罢了，你们杂的是真的不懂。
那些遥遥领先的简体字，先不要翻墙了，等5纳米成熟后在用手机电脑嘛..................
可以實現 只是
商業化成本
大量生產問題
努力不懈精神值得讚揚
现在是争取时间等EUV，现在AI芯片有没有对国家影响更大所以，
NA靠增大鏡片組的綜效口徑可以提升，但是為了增加綜效口徑必須加大或增加鏡片，這會造成後端成像的畸變問題，這時候又要再加入矯正用的鏡片，這會造成曝光能量衰減以及投影鏡片組的體積大幅增加，如此一來又會影響無塵室的量體建設，導致廠房必須越蓋越大以應付身軀龐大的high NA機種
华为用计算光学，投射的图像，不是直接用实际的图像，而是计算过的畸变图像，但衍射之后，得到精确的图像。
@@johngood4419 那個叫做optical proximity effect correction,請不要說是華為的，這個方法已經不知道使用了多久了，發現中國人真的腦被洗的很徹底，明明很多技術早就已經使用了，華為換了個名字給你們安麗一下，你們就說成是華為的，真的太搞笑了，中國現在就跟大清一樣自負，本人是這行業的專家，你根本就不知道自己在說什麼
@@dhh523 傻，你根本不知道自己在说什么。同一个结果，但算法不一样。如同同是手机作业系统，美国出了安卓IOS，华为就不能出鸿蒙？
@@johngood4419 韭菜跟專家叫板，也只有文革中國能辦到了，畝產萬斤是吧？
@@dhh523 砖家，华为Mate 60都出货一年了多了，你这绿蛙只看到水井大的天空。
不吹不黑 客觀公正 給大劉點個讚
解释的很清楚
导线也用多层堆叠技术，同样是5纳米的制程，但带来的效果会更好，毕竟导线的实际距离加宽了，同样的运行频率下，损耗会更低。
上天不会亏待勤奋努力的人，华为是与众不同的企业，有任正非在，华为会继续创造奇迹，任正非健康是华为最核心战斗力！
Mr Question 是这方面的专家，他解释得更清楚，更多的图像来辅助说明，不用太劳累想象力。在RUclips找看看，他有联系几级的说明，有字幕的广东话，顺便学习广东话😂😂
DUVI波長較EUV長很多導致pattern邊緣繞射模糊的問題. 猜測有沒有可能開發類似EUV超薄光阻適合給DUV用, 有效光阻越薄曝光邊緣修正就更一致, 如此就有可能透過演算法再縮小一點pattern間距讓5nm良率較可控. 只是猜想.
有類似技術，利用雙光束減少衍射現象，提升精度。最近超級光碟就是類似技術，但是半導體目前????我沒情報。。。。。。
华为用了计算光学，投射的图像是经过计算得来的畸变图像，投到晶圆后，得到精确的图像，消除了畸变问题，提高了精度。
@johngood4419 計算光學製造光罩(大陸叫掩膜版?)已經行之有年, 即使DUVI 135nm波長要曝28nm pattern 也是需要繞射補償的. 這裏想的是面對極端情況要讓曝光固化光阻膜邊緣繞射的的效應可靠度提高, 或許更薄的光阻膜有幫助但材質研發應該是很複雜的.
@@vincentlin9350 结果是：mate 60大卖。
@@johngood4419所以mate 60 有提供翻牆？
台積電最初的7奈米就是DUV重複曝光做的.後來覺得不經濟改採EUV製造 . 台積林本堅說DUV極限是5奈米 ..
華為-中芯用DUV製造7奈米 . 外界評估良率不佳約做1片賠1片 .很可能是中國政府補足差額使華為中芯帳面上沒有虧損 .. 再用DUV製造5奈米很可能會是做1片賠3片 . 那麼中國政府又得再付3倍的補貼金額才有可能讓中芯華為繼續下去 .. 就看中國的錢還能再燒多久了 .
立论基础是很可能，那我也可以说，你很可能就是1450 职业抹黑的 呵呵 不足信
小地方的人眼界也就这么大了
蠢，你以为是台湾猪鼻蔡政府买美国佬高价过时武器啊？
技术也是可以进步的
@@JD-jl4kd
大地方的人吹的牛B确实大
個人還是覺得自己以前的看法是對的，所謂的5nm華為應該是會用3D堆疊來實現，就如內文所述良率才是最大的障礙，但3D封裝比較容易突破~!
SAQP
一點都不對，3D封裝是3D封裝，5nm是5nm
3D封裝可以把好幾個晶片封裝在一起，但是沒辦法讓nm提升
@@lalonies7166 物理層面是沒錯，但效率層面可以，講白了就是用堆疊方式在同個面積內有更多晶體管，強調一下是面積喔不是體積，相關討論其實以前就講到爛了應該也不用多解釋~!
3D封裝以前網路上的討論有很多了，應該不用多解釋~!
@@lalonies7166 縮少間距是為增加空間來增加原子粒數量, 原子粒數量才是決定運算的主因. 華為的確只能用7納米技術制作. 除了3D封裝, 華為另一項專利是直立式原子粒, 佔用的面積比傳統平放的少1/3 (高度是增加了), 所以放更多的原子粒. 華為是等效5納米, 而非間距5納米. (即晶片內裝載有5納米間距同等數量的原子粒). 華為的Mate 60手機在更新系統後, 原空白的晶片資料已更新為5納米. 如果沒有5納米等效, 華為早已被指責騙客戶. (Techinsight的技術報告是行內公認的可信的, 客戶包括美國政府) 搜一下Techinsight Huawei, 完整的報告在Techinsight的官網免費閱讀, 專家的報告不是更可用嗎? 有關晶片運算比較的一欄. (註: 在設計14納米芯片時期, 行內技術部門已轉用等效來定位, EUV的波長是13.5納米, 所以用EUV制作7納米時亦需要多次曝光)
成本看怎么考虑，没有EUV光刻机的采购费用，用现有设备就能制造
值得鼓勵...加油...繼續捲吧!!!!
環境純度問題 要先解決
的確光刻機 靠堆疊能做到 7奈米 但良率3成 也可以做到五奈米 但良率算百分比的不到 意思是你花人家百倍的金錢才做出一個 這還沒算半導體所需的環境純度問題 無菌純度 化學品純度 光罩純度 氣體純度等....近兩千道程序 的純度...慢慢搞吧
大刘讲的这期，听不懂但下意识听了两遍😅。
大刘自己也是外行，在此瞎瓣，做糊弄人的网上科普
其實用DUV做的成本不見得比EUV高,因為EUV本身生產良率就不是很高,再加EUV的各項耗費,應該是原來DUV的好幾倍高,所以只要DUV能生產出來,不見得沒有競爭力!!只是怕其沒辦法生產出來.
這種曝光工藝只能用於不在乎成本的晶片上，如實驗室或國防等身上，若用於民間，若無補貼措施，肯定是做越多虧越多。
好笑， 别人不担心你个八子 担心啥
有沒有考濾使用分層模式生產,例如第一層做上N型,第二層做出P型,第三層做出N型,這樣不就是一個垂直的MOS管,如能做出來,那7奈米的馬上變3.5奈米!!而mos管的厚度可以大一些,例如做100奈米,這樣就可減少量子躍遷產生的漏電!!
在初期來說，成本絕對不是考量的重點，向全世界宣傳即便沒有euv，甚至沒有歐日美大廠的光刻膠等高階材料及設備依然能做出5nm甚至3nm的工藝才是重點。
至於是否盈利？記得經濟學還是誰說過個名言：永遠不要幫資本家想是否賠錢，除非是股東，不然賺了他們也不會分你，賠了甚至倒了也不會牽扯到你。
成本不是考量的重點？？？？？？？？？
看看三星的製造成本。良率之低能有競爭力？？？？？
成本不是重點？？？因為那是百姓的納稅錢！！！！
笑死
開廠不賺錢，當錢是颳風颳來的嘛？
你是火星来的
@@chase161 人家偽大的中國有廣大的人礦與韭菜啊～
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土
用重複曝光的方式來縮小, 線就會越來越模糊 , 後面的製程再做下去, 良率一定不好, 有良率都是運氣好, 如果華為可以接受良率可能是0.1%這樣的結果, 那就請繼續!
叫你你拿一隻毛筆畫鈔票, 畫得出來才有鬼
你做不到罷了。
狗屁。重复曝光曝光的部件和图案都是不一样的。主要考验的的对准精度。你们要黑好歹也做点功课，看不懂就大方承认啊。
是真的有鬼，去年八月底上市的一系列華為手機晶片一定是鬼做的，幾千萬台呢。事實上techinsight拿顯微鏡去算麒麟9000S的電晶體密度，密度本來就已經介於台積電的7nm和5nm之間了，說是6nm也可以。
良率低，国家补贴啊, 以时间换空间
蠢，知道什么叫计算光学吗？
Mr Question 近几个月有关芯片，特别是Kirin9000, 9010的视频有非常多详细解说。
华为净利暴增169% 经营利润在逐渐增大
骁龙680卖两千，利润不大才是新闻。
然後中芯暴跌~
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土
@@user-urwedfvftgfr228別在這裡假裝自己是台灣人 啥屌
@@SOJL 華為把中芯坑慘了, 一個舉個民族大旗的要求國內最先進的工廠為他便宜代工, 難怪中芯製程進步了, 毛利卻暴跌!
伍強老師的課,有上過,不錯的
在過去的幾年, 華為在半導體方面取得的專利應該超過300項. 這些已取得的專利突破包括自對焦, 有堆疊技術, 有3D制作, 有原子粒體積, 原子粒擺放(直立), chiplet(介面), 每一項都是為增加原子粒數量, 或為減低不良率為目的. 華為今天的成就已經是集各項專利所成. 在未有EUV機前, 要使用5納米技術是不可能. 因為良率太低, 所以只能以"等效5納米"來出招. 相信有進步的空間但不會是大爆炸式. 期望中國能早日突破EUV光刻機, 當然X光光刻機更佳. )
突破了，然后墙更高！
10nm以下都是等效，台积电、三星也是等效。
@@shawnwang9832 痾 32nm以下都是等效。
现在AI芯片的需求非常急迫，给的价格也很高， 只要能做出来，成本高也比买不到好太多。
诚阅 ，@garyhuang3868, 中國政府現在需要的是學習別人的優點，而不是始终用偷骗抢的方法和對手競爭，這是不道德的行為，AAPL 認赢 ! 執行長: 孤立中國已重创大陆半导体业， 华为要哉了！未经允许偷用美国制程版权，美国安部让为可以进一步打残中共，以前已让华为涮失几千亿
厲害 ~ 山不轉路轉 . 1次作不到就多作幾次 ... 跑不快就把路截了一樣快 .
有這招數 將來打通二脈(有極紫光刻機後) ... 立馬變成令狐沖 ! ! 💪💪💪
支持点赞解说 ！
DUV光刻機+多重曝光技術不是萬能的,硬要用這種作法去製作5奈米製程晶片 ,良率將大幅降低, 成本將大幅增加;如果要繼續用這種方法去製作3奈米製程晶片,那基本上就是沒有任何商業價值的製作方法,如果在用這種技術往下做,那基本上中芯就差不多可以宣告倒閉了
沒那麼絕對，我也支持EUV路線，但是台積電也用DUV+多重曝光走好多年，財報也證實可以賺錢，重要是過去自動化還沒現在高。所以，如果工藝非常穩定，機台又是本土的，在加自動化，那有可能仍有利潤。(畢竟本土機台成本遠低於美歐日。。。)
@@許明陽 台積電/三星/英特爾都不是笨蛋,他們當然知道光刻機+多重曝光技術的路子,可是他們都沒有堅持繼續使用這種製作方式,就代表這種製作技術有其無法跨越的極限
@@許明陽 DUV光刻機+多重曝光技術真的有其極限 ,除非中國願意接受以良率1%甚至更低的良率去製作晶片
華為+中芯的7奈米就已經沒有商業價值了 . 一支價值三千人民幣的P60賣六千 . 其中三千是中國政府的補貼及中國買家繳的愛國稅 .. 其他手機商用台積電的3奈米芯片效能比華為的高40%價格一樣 ..
就现在的需求来说 手机的SOC性能对于消费者其实已经没那么关键了 除非3nm制程相较于其他芯片具有无法忽视的绝对优势 否则部分消费者也会基于其他因素去选择5nm甚至7nm制程的产品 我猜目前是暂时用这种技术填补国内市场 然后用利润去进行下一代技术的投资
感觉，也没有必要太追求太细了。。intel的cpu还是10nm的呢。。。
还有，感觉目前的芯片体系也快到极限了，再怎么追也不会有太大发展了。换个赛道提前跑吧。。。
衍射的极限公式指的是人眼可分辨的最小宽度，描述的是光子的活动轨迹概率分布，但是科学家是可以通过对光子的概率分布的裁剪，以达到更小的分辨率目标的，这就是多重曝光的原理。自动对焦就是解决了多重曝光的位置误差问题。当然，这会付出代价，世界上没有完美的结果。但是这种代价并不是体现在半导体生产的良率上，而是整体生产效率略有降低。如果用新的这种方法，1nm曝光理论上也是可以做到的，实际上就要看自动对焦可以做到的精度，还有曝光机的功率输出。半导体生产并不是只有一条技术路线，台湾是人类智商的洼地，所以总是以为自己是宇宙的中心。台积电现在的FinFet技术路线很可能是错的，今年如果还不能解决芯片过热问题，那后面的麻烦就来了。
台积电下一代3nm不是换成GAA了吗
@@淡若轻风-s8k 看·问题先生的视频，依然是FinFet，所以才有了火龙果产品
人类智商的洼地造出了人类最高制程的芯片，你让智商高地的Intel、三星、中芯国际情何以堪。
見到不少替華為芯片擔心良率不足的網友. EUV的波長是13.5納米, 所以不論用EUV, 或DUV生產5納米芯片, 都需要多重曝光. 在制作5納米芯片時(包括台積電), EUV及DUV光刻機都有使用到. 主因是光刻對象不同, 對光刻的要求就會不同, 如光刻基材同Fin的間距就不一樣. 更重要的改變是, 裝載原子粒數量比光刻的間距更重要. 因為原子粒的數量直接決定運算能力. 台積電的原子粒體積是最小, 所以同樣是5納米芯片卻比三星優勝 (當然還有其它次要的原因, 在此略過). 華為除了在多次曝光的技術上有突破外, 在微晶片(chiplet)上亦有突破, 利用疊加技術將多塊晶片拼成. 微晶片的良率較高, 所以整体的良率得以提升. 至於原子粒體積的問題, 傳統的原子粒是平放的, 華為已改進成直立, 所以在裝放原子粒數量上, 已大幅提升. (這兩項技術已分別取得多項專利). 所以華為是用7納米的間距, 裝上5納米晶片數量的原子粒. 即納米等效. (華為的Mate 60手機在更新系統後, 原空白的晶片資料已更新為5納米. 如果沒有5納米等效, 華為早已被指責騙客戶. (Techinsight的技術報告是行內公認的可信的, 客戶包括美國政府) 搜一下Techinsight Huawei, 完整的報告在Techinsight的官網免費閱讀, 專家的報告不是更可用嗎?
这个频道是面向普通用户的大众化科普，过于专业性的文章对于非此行业的人来说难以读懂。就像是你难以读懂风水学的文章一样
呃，你半桶水還是不要出來響叮噹，看了幾則內容農場的文章就自以為是大師了。😅誰跟你在那分平放的立體封裝還是直上的立體封裝，半導體業界的3D Packaging一直都是在探討縱向的Multi-chip stacking，從上世紀的80年代就有概念雛形了，華為在那時候還在抄襲CISCO的交換機呢。
PS.
1）我剛去翻TechInsights的文章，他們認為Kirin 9000s的Tech node很大的機率是等效於TSMC的N7（DUV SADP），其晶體密度不到TSMC N5的60%。
2）我在半導體封測領域十年多了，歡迎你提出資料打我臉唷。
这也是一个根本不懂的，现在还直接拿紫外线波长来和工艺比较。告诉你一个冷知识：从1997年180nm以下的芯片制程开始就已经和实际的物理加工线宽没有任何直接关系了，所谓的7nm、5nm、3nm芯片都并不是表示其工艺线宽，而是一个纯“商品名”，一般是用来表示其晶体管密度相当于用之前的密度外推出的7nm、5nm、3nm工艺密度。而现在因为晶体管的设计发生了重大变化，同样的物理线宽的加工工艺可以塞进更多的晶体管，虽然还是需要工艺不断提高但根本不是线性关系， 所以根本不需要5nm的实际物理线宽就能生产现在所说的5nm芯片，实际上现在的5nm工艺中晶体管的pitch是50nm左右，对于波长只有13.5nm的EUV来说非常轻松就可以达到，但是用波长193nm的DUV来做成本就会高到基本没有市场价值。
另外操作系统中芯片的工艺是可以随便写的，根本不存在消费者告的问题，如果真要告的话这二十几年来全世界所有的百nm以下工艺的芯片都是骗人的，到目前3nm芯片已经量产的时代也没有任何一个厂商生产的一款芯片的最小结构尺寸达到了20nm以下，如果能告的话半导体工厂早被告破产了。这就像到法院去告“老婆饼”里没有老婆一样。
建议你看看问题先生的视频，比你水平高太多了。
诚阅 ，@garyhuang3868, 中國政府現在需要的是學習別人的優點，而不是始终用偷骗抢的方法和對手競爭，這是不道德的行為，AAPL 認赢 ! 執行長: 孤立中國已重创大陆半导体业， 华为要哉了！未经允许偷用美国制程版权，美国安部让为可以进一步打残中共，以前已让华为涮失几千亿
一台飞机能飞多快，当然和空气动力学有关，但是每一代的升级都是和马力有关。华为研究这些，就像是不断去研究空气动力学优化了动力学，但是马力还是四代战机的动力，就算能飞到五代机的速度，那能算是五代机吗？未来的科技走向都是大力出奇迹，只要引擎继续进步，你再怎么优化空气动力学又怎么追到别人呢？
华为估计也是权宜之计
看一下評論全是腦殘兒，去查一下4重曝光多難，而且毛邊比euv少功耗少40%，華為的3d堆疊技術更牛逼，3d堆疊技術intel都沒做到
三星-台積電-英特爾不用的東西，一定有原因的，不要做夢了
智商不够用，所以只会冷嘲热讽😂
宇宙蛙最屌@@lalonies7166
看到一堆想要吹中國的白癡拼命想要爭辯護航什麼就覺得超級可悲，井底之蛙就是這個德性。
@@lalonies7166 因為傳統的堆疊存有不少問題, 瓶頸是耗電. 但華為已突破有關的瓶頸, 單解決耗電一項, 華為已取得十多項專利發明.
多重曝光成本很高，做得出來跟會賺錢是兩回事
不必要太执着于7纳米5纳米，还是应该聚焦于性能、体积、功耗等这些应用参数上。比如，电动汽车上用的AI芯片，就没必要用5纳米制程，用28纳米能达到同样的性能，就可以了。因为车上有的是电能和空间，没必要考虑体积和功耗的问题。另外，还可以从集成电路的设计上下功夫，使得用更少的晶体管，可以实现相同的功能。
🎉
加油 自强！
中國華為加油👏
只有华为的芯片技术发展了，才能把华为手机窃听到的每个人的数据进行大数据分析，及时把对政府不满的人抓起来关进监狱，从而保证国家的长治久安
謝謝大劉的分析，我相信我們距離5nm更接近了。
mate60的手机系统参数里显示的制程为麒麟9000S是5nm。你相信大刘的，还是相信华为公司的官宣。
华为内部评估本来就是希望花5年攻克无法使用EUV造成的这道坎，换句话说大概在台积电微缩到1.4纳米左右时华为可达到台积电经EUV重新优化后的6纳米左右
@@shawnwang9832 冷知识：手机的操作系统没有电子扫描显微镜，它所报的任何关于芯片的参数都是程序员编程的时候里一个表格里写的，你写0.0001nm都只需要改一个变量。
@@jackie800311 即使一切如华为的计划那样，实现这个的前提也是那些ASML到那时候还能用。但是这次习近平跟吕克显然没谈成。
@@jackie800311 就这么说吧，国内三年以内量产3nm, 今年秋天mate 70 绝对是 5 nm. 2023年哈工大的国家科学技术一等奖都已经把EUV光刻机都爆出来了，然而第二天消息就被删除了。国家太低调了。
有人一直在说良率跟成本，确实没错，良率低了成本就很高，但是华为的手机SoC不需要考虑盈利问题，就好像只有苹果才用得起台积电最新制程一样，华为手机芯片跟苹果的手机芯片都是自研并且用于自家产品，相对高通跟MTK来说，成本贵1倍都是可接受的，华为跟苹果可以透过提高整机的利润来维持芯片的开销。所以，就算华为用的5nm良率只要不是太低就是可以接受的。
电子束直写还能做线宽5nm的光栅呢，那又怎样？用这些非主流技术把芯片刻出来，成本1M USD，有人买吗？
政府出钱，纳税人买单
DUV+多重曝光，台積電都走5年以上，財報也證明有利潤，何來非主流??而且當年台積電自動化還不高。。。過去論文還提過電子束陣列概念，用數百台電子束機台克服效率問題。。。。
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土🤣
用繁体的串子装nm台巴子呢
一开始是荷兰集电，后来米国粑粑说要，不能不给，就成了米集电。
社會總有可悲的人發洩一下也是好事，不敢發洩的按讚也可以
好喔～人礦你說的都對
笑死，不要以假亂真😅
根据最近的AI IC发展，大尺寸IC似乎具有明显的计算优势。但如果晶圆制造的良率很低，那么生产那些大尺寸的IC就很难了，对吗?
对，所以即使以全世界最好的台积电工艺做的NVIDIA最新的B200 GPU也是分成几个die（硅片）再用宏观的导线连接在一起，而不是用一块大的硅片，除了有面积越大良率越低的原因之外还有光刻机有效成像范围的限制。
TSMC工程師這時間才不會有空上來打嘴砲，人家年薪幾百萬在這跟宅宅浪費時間?都是宅宅
靠GOOGLE拼湊上來打嘴砲的
@@橘子与茴香豆 10年後？ 只怕那畤的你拿著紙箱在思考要去睡哪個公園了。🤭
我剛辭職算不算你口中的TSMC工程師
台積的日廠美廠，還是台積，核心技術和製造，還是在台灣😊
诚阅 ，@garyhuang3868, 中國政府現在需要的是學習別人的優點，而不是始终用偷骗抢的方法和對手競爭，這是不道德的行為，AAPL 認赢 ! 執行長: 孤立中國已重创大陆半导体业， 华为要哉了！未经允许偷用美国制程版权，美国安部让为可以进一步打残中共，以前已让华为涮失几千亿
DUV 機 也是 asml 建造的。68鈉米才有日本的NIKKO,CANNON
DUV刚开始的时候Nikon、Canon是主流厂商，ASML是个小厂，但是后来在100nm以下工艺日本人选错了方向，他们的方案是用更短波长的DUV光源，而ASML采用了台积电提出的用水做光介质的浸没式方案，水的折射率是1.33，放在水里原来的DUV光源的波长就一下子缩短了30%，等于几乎零成本就提高了一个级别，比日本人用的新DUV光源的波长还要短，ASML就迅速占领了市场。Nikon和Canon也想用浸没式方案，但是他们很快发现他们的新短波长DUV光源的紫外线波长太短，会被水水吸收掉，所以这个天才的捷径他们没法走，然后就被挤出市场了。后来Nikon换回原来的DUV光源重新搞出了浸没式DUV光刻机，但是此时ASML已经垄断的全部市场，没人再会去买Nikon了。
EUV的故事更好玩，最关键的是EUV紫外光源，这个只有美国能做出来，他们不想让技术外泄，所以找了ASML和Nikon谈，要求第一美国要控制公司的股份，第二整机必须使用超过50%的美国部件，日本人当然不能接受，但是ASML接受了，所以EUV的游戏里就只剩下ASML一个玩家，100%垄断市场。
良率和成本不考虑吗？
政府补贴
没人知道，但是我知道华为和中国政府不差钱。补课费始终是要交的
你知道良品率？
你不知道你是其实是次品吧
DUV+多重曝光是台積電玩5年多，證明可以賺錢的路線
ASML的总裁说过，2050i是能做5纳米的，只是经济不经济的问题。
成品良率低又不好賣，生產出虧本賣還沒人買的東西，有沒有意義而已。
中國被美國科技制裁；不斷騎在臉上輸出，中國反擊美西方最好的施力點就是制裁台灣半導體產業，兼具多種效果，能打擊美國科技發展速度也同時打擊美國科技公司與美國股市，制裁台灣等於打小孩給美西方看，大陸一定要想清楚，這非常重要，現在不是大陸這邊莫名自信的時候，能做的都要抓緊去做
放心吧！台灣半導體必然重複其液晶面板廠的歷程
敢打能打，早就打了！問題是中國行嗎？敢做嗎？最後最後，醉了以後，只剩下打嘴炮😅
duv再坚持3-5年为euv研发争取时间。
中國70年前也要拿下台灣，已經過了70年了
你这类比不成立，中文没学好别来耍嘴皮子，开政治玩笑，多赚些钱，过好自己小日子比啥都强@@lalonies7166
@@lalonies7166 台湾省70年前就要反攻大陆，已经过了70年了
掉隊了！只会越掉越远！
@@江永富-h5m 你是智障吗？
永遠不要低估中國人的聰明才智和勤勞毅力，突破歐美的種種封鎖對中國對中國人來說只是時間的事，有智慧的人都可以看見世界的未來在中國，而不是那些到處0元購芬太尼無家可歸者，犯罪率居高不下的“美麗”國家們
等到你所謂的"突破"時你確定這技術還有人要用嗎...?
中國一定強
對台積電而已 已經不是優先追求幾奈米的問題 更多在追求成本 良率 能耗 效能
正解
這需要的光罩數目和加工次數都翻了好倍，成本想起來就很可怕。
去年华为盈利8000亿，今年会更高，怎么没破产呢？
@@ditml6796 這跟盈利甚麼關係? 多重曝光的成本高就是事實，這跟一間公司賺多少錢沒有關係
@@ditml6796 因為5nm還沒大量生產
@@ditml6796 賺這8000億前,政府補貼了多少?
@@ditml6796 可能比8000億還多, 中國政府重點事項都會盡可能地讓數字好看, 但整體是騙不了人的.看看今年經濟的慘狀
10nm以下制程，标准就不再是鳍宽、半节距了，有三大类判别参考标准，其一，鳍宽，金属轨的数目，闸门间距和金属间距；其二，晶体管密度；其三，性能表现和功耗。台积电的制程它自己不叫5nm，而叫N5，其实，N5制程的鳍宽绝不止5nm，就是这个意思。另外，不仅仅是LELE、SADP、SAQP这些技术，还有掩膜图形预修正技术，以及Forksheet FET技术，都能仅用DUV光刻机将制程延伸到5nm和3nm等效制程水平上。主要以晶体管密度和性能和功耗表现来衡量。
對從業人事而言，您在鬼扯….
良率會低到，一整片晶圓，可能都挑不出幾枚好的，甚至完全沒有。
而且就算挑出來所謂好的，人家也不敢用。
看到有人說只要測過就能用，真的傻眼。
中國品保人才多，工程人才多，但是出來外面現眼的人更多.......
沒事，反正用在武器，能撐幾分鐘就比大多數中國人久了
专利都出来了，说明这个已经弄了一两年了，现在肯定已经有不少库存给mate70了，一片挑不出一个有点扯了
抱歉，是林本堅說可以辦到。。。
你是专业人士？可笑
看了好多流言，真的好笑，非行業內的人就別來評論了，非專業的人看看熱鬧就行，業內的人都懶的評論，那啥2021的專利，並且沒被採用，被國內高薪抓回去騙錢，還不如把蔣尚義供好更有用，你以為好用且有用的專利為啥人家不用？最簡單的一個例子問你：現在流行的曲面屏技術是啥時發明的？而且當時的發明還是有成品的！從理論到量產不是一件簡單的事，你以為研發到量產3NM花了多久？真的是無知者無畏
流言是好多，但華為的手機都賣了千萬部了，美國專家都証實華為7nm是成功了，這可不是用流言兩字能跳過去。
7nm都成功了，進攻5nm，那就是流言，你怎麼不說台積電的2nm是流言？
一味貶啊黑啊，拒絕面對現實，就是台灣人的生活態度？
你这不就是何不食肉糜？如果没有美国全方位的封锁，我们何必去搞这种落后的技术专利？这里讨论的是突破封锁，而不是最好、最优的讨论。
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土
腦子里裝的啥？為啥封鎖你心里沒B數嗎？@@macing2010
就你的腦子別出來了吧@@user-urwedfvftgfr228
如果今年能做出5nm，就代表他的對準機的精準度相當驚人。DUV跟EUV製程的差異，主要在材料跟光刻方式，5nm如果做成，那華為已經解決材料問題，只剩EUV光刻機。那麼高的精準度，一旦攻克EUV，就直攻3nm了！但3nm以上又是一個不同結構，很多環節要重新來過，加油了！至少你有機會打趴三星跟intel。
幾奈米這些不重要，只要能搞出產品就好，5奈米搞不出產品還不如14奈米。像汽車上要用的產品重點是要耐震，耐熱，耐髒，耐潮濕，要非常便宜，保證使用30年不會壞。
那中國汽車廠怎麼不用中芯14nm，硬要用高通的晶片呢？
難道中國車廠不愛國嗎？😂😂😂
高通的成本确实比国产低的，别人技术更成熟而且有量产优势，中国的芯片只是能用，但论经济效益还远不是欧美台企，韩国的对手@@johnchen6783
基本上換湯不換藥，與外界幾年前對中國半導體發展的預測一致，中國確定是無法完成5nm甚至7nm工藝的商業化量產，基本上止步於14nm
無論是7nm的麒麟9000s，還是現在號稱突破5nm的SAQP技術都一樣是在多重曝光以及更多光罩堆料，除了更高的成本以及更低的良率，更多光罩也會讓曝光的圖形失真模糊，無可避免的限制電路圖型不能精細，這個缺點其實在麒麟9000s的電子切片圖上就非常明顯了
去看看华为财报吧。还舔着脸说与外界几年前的预测一样😂。真会给自己找台阶下。你的意思是说当初美国全球制裁华为就是预测到了今天的突破？我都替你脸红😂。雷蒙多告诉你的吗？
人家都能賣幾千萬台了，而且利潤還頂好的，一直覺得人家不行，但人家一直行給你看，長此以往，小心精神分裂。建議少看台媒，少接觸騙你的東西。
@@aronyang 中芯國際的財報你自己看吧，如果沒有中共大力補貼會更難看，麒麟9000s實際上就是砸鍋賣鐵造出一個性能差強人意的不合格產品，賣的超貴效能還不行，也只有中國人會買單，不具備市場競爭力
@@onthekingify 既然不具备市场竞争力，那为什么不敢开放北美市场？另外，为什么要看中芯国际的财报？是谁告诉你是中芯代工的？白宫到现在都不敢确定是中芯代工的，你就又知道了？雷蒙多怎么没请你去白宫当顾问呢？明晃晃的华为财报摆在那，非得七拐八绕的看别人家的财报来满足自己的推断，幼不幼稚？按照你的逻辑，要是看前两年华为手机市场份额下降的趋势，华为早就应该倒闭了才对吧？你们这群反华的有自己的立场可以理解，但能不能有点脑子？一天到晚的拿评论区当许愿池了？你就直接说，今年9月份华为还能不能发布mate70吧。被那么多废话了。
@@笔名路明 首先華為至今沒有公布mate60pro支援的波段頻譜，沒有海外任何一家電信商能夠支援，其二mate60pro不在海外發行是華為內部的決定，實際上也是良率過低連國內市場都無法正常交貨的原因導致，至於中芯Q4的財報你隨便上網查都有，至於是不是中芯做的根本不用猜，目前中國半導體技術力最高的就是中芯，就算是用華為子公司名義生產也一定只會是用中芯的設備、技術、人力，半導體產業不存在突然冒出頭的技術引領者，實際上麒麟9000s的突破一直也只有只中國人在一頭熱，牆外大都是一開始看熱鬧，麒麟9000s西洋鏡被拆穿後一副果然如此的看笑話，沒有任何國際公司包含中國科技業者對中國突破7nm感到興趣，一直都是專屬於華為
良率根本不是问题，即使成本比台积电相同制程翻几倍也问题不大。因为在消费领域，华为有高溢价能力。在算力领域，有美国制裁的神助攻，再贵也买不到英伟达芯片。现下最重要是把产能提上去，把芯片做出来。
5nm芯片在手机成本上有10%吗， 良品率差一半也就加价10%。 一个手机成本增加10%少赚点就行😜
多了4次曝光，成本涨了4倍，加上良率降低，成本变成八倍。
原来 10% 成本的晶片，手机要涨价 80%。
@@laserdrill2023 美积电毛利超过100%，1变成2；高通采购美积电生产的芯片加价100%卖给手机厂，2变成4。华为自己生产成本直接就是4，还不是和从高通采购价格一样？
@@laserdrill2023 芯片所有成本都在曝光上？
@@frank-gz1xo 曝光是第一步，每次曝光后，后续也要做所有的化学制程一次，才能制出线路。
而且曝光是每晶片一格一格做，而化学操作是整片硅片一同做。
@@laserdrill2023 你封装也要四次？
理论上来说，愚公移山也是可行的。问题是你即使发明一种新的专利方法，由理论到验证，到初步流片，到试产再到改良优化良品率，最后较大规模量产，要几年？3年？还是5年？到时黄花菜都凉了。就比如现在华为+中芯duv偷偷摸摸的7nm不惜工本搓出来的9000s，不客气的就那性能和功耗，7gen2都可以打的它满地找牙，和主流旗舰soc至少已经是3年以上代差。理论上可行的，理论到商用是一条漫漫长路。
网络上一堆台湾人真奇怪，中芯国际公佈的上市公司的财报中说的很清楚华为并不是他的客户。华为公布的供应链里面也没有中芯国际。偏偏就有人视而不见，硬是把中芯国际跟华为扯在一起。
重磅，實錘，央視直出。
華為已手搓搞定一奈米。
普天同慶薄海歡騰點讚。
留言區繁體字留言一片酸。。
在井底呱呱咕咕。。
不笑你們要笑誰，井底之蛙說別人井底呱呱
也就等1年，mate70卖不卖，之前可是说没euv做不了5nm，现在改口能做5nm，不赚钱；这要是等1年5nm芯片大量出货，又如何说😂
@@luckycat3131Intel 10nm就是用DUV做的
冷知識,抬把子吹得天花亂墜的美積電根本就不是台企,而是像上汽大眾類似的合資企業,都是外資占大半,賺到的錢不會分到本土頭上,這就解釋到為什麼台灣大學生寧願潤去柬埔寨打工也不願意留在本土🤣,
繁體的台灣有技術和市場，你們只能留口水😊想又嘴抖！世界各國紛紛和台灣連繫要合作，所以是世界的台灣🎉
曾经搞定亩产10万斤的国家，搞5纳米芯片还是事吗？从来就不可能是事，呵呵。
你这种loser 这样认为，不奇怪
你过得一定很辛苦吧？
@@utobesuckslol6687 就是吃亩产10万斤粮食长大的那一代人，你想想能辛苦吗？
已经搞定7nm了，而且性能是5nm的性能， 嗯， 从来都不可能是个事儿，对的。
@@kakaxifx4913 一纳米都不事，只要你能想到的事，从来就没有成为事的。59那年，亩产10万斤，饿死3千万，三面红旗胜利，帝修反完蛋，同时发生了这么多宏伟的事，这几纳米的事还能算事？
给墙外的人科普一下，什么叫宇宙无敌的吹牛B！
你就是那头B😅
哈哈哈
给傻逼科普牛逼？你这不是强人所难吗😂。
不难懂，说白了就是，因为粗放型生产，污染了土地，在盐碱地中挑一块净土，细心照顾，军队管理，专属服务，种出来的大米，只做特供，草民有钱也不能染指。如果正常耕耘，环境生态正常，科学管理种植，引入市场机制，大面积种出来的，经济作物，粮食作物，可供全国人分享，甚至销往海外。
All my heart goes to Huawei
自嗨就好。。加油。可以用陣法取代唷
听说年底出来， =到时候别嘴硬哦。
可以用八卦陣來取代，我們都有八掛可聊😊
@@kakaxifx4913 照你們這邏輯 三星都可以吹到天上去了
@@林雄大-z8m 三星吹上天？？ 我们不管你标什么数字， 只看最后体验的。 比如实际的流畅度，打开速度， 游戏帧率，能耗表现什么的。 三星么。。。。反正不如台积电，是第二梯队。
评论区的人很多嘲讽华为做法，不过换位思考一下华为还有更好的选择吗？是华为不想用台积电的产能还是不想买5纳米芯片？华为不知道造不如买的便宜吗？华为不是一个营利性的公司吗？难道真的让任正非去美国把牢底坐穿来换取制裁松绑？我当然可以随便说不懂经济不懂技术规律，因为我就简单吃瓜。
任正非最后悔应该是不该冒那么大的风险去赚伊朗那点小钱，当然他很可能是身不由己的。从这个角度说，华为根本不是一个普通的营利性公司。
請問可否談談VGAA技術？🙏🙏
希望華為越來越好
在我用過所有手機華為是最好的,如果余承東說遥遥領先,我並不否認,不論照相 系統 定位及耐用度😊都較其他品牌好
既要保持信心 又不要高兴太早
一直重复下去，是不是3纳米和1纳米都可以搞定？
理論可行，但成本過高，因為本來一次週期可以做完一層電路，現在要四五個週期。。。。
华为是设计芯片，跟制程有个毛关系，他就算设计了1奈米的芯片没有代工厂做有个屁用啊
因为中芯国际刚好开除了一部分工程师和淘汰了一部分落后设备。恰好又被华为接受了。
中國加油支持華為👍👍👍👍👍👏👏👏👏👏
良率低其壽命也會低，因為電子會更容易擊穿
你说的对，你是专家 😂😂😂
@@行动的巨人 應該是說低良率的批次
哪怕是合格品
堪用壽命也會降低
若以顯微設備觀察
則會出現過細的線路
電子因此更容易擊穿
整體佈線亦較不規則
此乃 DUV 光源因分辨率較低
所難以避免的先天物理限制
也就是說
良率不只代表良品率
也反映所謂合格品的可靠度
所以 DUV 先進製程的特點
不但高成本低良率
晶片用途也相對受限
除了一般消費電子外
用於有安全考量的產品便有疑慮
比方難以通過車規 (主要用於 AI 自駕) 認證
遑論軍用 (AI 智能軍武)
然而
中國國產先進製程的晶片
恐怕另有用途
轉向 AI 是 "黨" 的意志
甚至是 "總加速師" 親自拍板
尤其看到 SORA 後連中宣部都坐不住了
"造假" 逼真程度簡直是其夢寐以求
還內部發文指示全力追趕
外媒確實也曾報導 P70 的某些機型
因 9010 產能不足
還是會用上 9000S
不過其實蘋果也是類似作法
They need 5nm for 5G baseband and large MIMO. Without EUV, it is difficult.
做可以做,良率和成本問題
DUV可以多次曝，EUV也可吧，到時EUV可以0.5納米或更小嗎？
越小越容易漏電😂 量子隧穿 導致發熱性能下降
不能，已经逼近物理极限了
只要硅基材料能承载，就可以
好消息是，EUV上限也就那样，看看暖手的iphone15Promax就知道，我在死胡同里追你不怕追不上，慢慢来~抗战还打了14年呢这才几年？
@@guagua8909 离物理极限还差得远。28nm以后那个nm数已经和工艺的线宽没有直接关系，只是用来表示等效的晶体管密度而已。实际上现在5nm芯片的晶体管结构尺寸是30多nm，离硅原子的大小还有非常远的距离。
也有可能是保护性专利
超耗光罩相當做了細分機械模具好幾個才成一個產品
做出來能夠高良率量產才能賣錢，否則虧損成本高；不是有能力做到就可以生產！
搞不搞的出來一回事因為遲早會有，但良率競爭下爛不爛尾才是重點
这个不是什么新技术，还可以申请专利？
中国专利，反正就是偷抢骗
嗯嗯
成本不是问题，华为的手机卖10万，甚至一百万人民币一台，很多中国人仍然愿意购买，能够制造出来就行了，不愁没有销路。
SAQP也會用在EUV光刻機上，不要以為這技術只是"硬幹"...
Intel 10nm也是DUV多重曝光的，應該比TSMC更難吧
現在是7nm++++++++++++
該推出中子光刻機了，用石墨當掩膜
华为有什么突破的消息吗。比如下一代手机的性能能追平5纳米的手机。
华为也许在尝试五纳米的制程。但华为用堆叠等其它办法更有可能。
下次手機，直接通話外猩人
能够被中国做到证明芯片制成从来都没有被认真优化过。其实成本也未必就一定高许多，因为DUV运行的成本本身就比EUV运行的成本低，加光刻机价格，甚至连不同光刻机的光刻胶也有成本差异，这些成本七折八扣下来，两者可能相差没有那些“人”说的那么大。
你买手机打开盒子里面只有一个芯片啊？其他的东西研发不花钱？
大刘一年前关于苹果造车的预判牛🍺，特地来膜拜！
中心国际帮忙制造的，中芯国际有梁孟松。
還說华为有可能搞定5nm?! 你自已買部 Mate60Pro 來看看系統上標明的納米制程!不是已說給你聽是5nm嗎?! 現在已是用DUV造等效3nm了！至於怎造,良率等問題大刘你也科普一下吧。ruclips.net/video/8jwm8dC_Li8/видео.html
冷知识：操作系统上并没有电子扫描显微镜，它给出的纳米制程是可以随便写的。这竟然也成了证据了？？？？
DUV造1nm的都没有问题，只要你能接受良率和成本，实验室里能做到的东西多了去了。
怎麽感覺和AMD的CPU的3D堆叠技術有點類似呢……
现在的光刻技术有一个根本性的缺点，能源利用效率太低了。
給華為DUV就能做出五奈米
給他台EUV不就把一奈米做出來了
果然牛
对啊，本来就是啊，大陆台湾一个人种你说比吃苦勤奋聪明大陆人比台巴子差吗而且人口基数比你们多好多😂😂😂，台湾我必须要早说50到90年代你们培养的大学生竞争力是强国大陆的，现在嘛我就不好说啦😂😂😂😂