Das war der Bildungsstandard der DDR. Hatte später meinen Beruf, über eine AG Elektronik an der Schule durch einen genauso tollen AG Leiter wie diesen Herrn hier im Video, ergriffen. Einfach tolle Zeit und tolle Menschen die verstanden junge Menschen zu motivieren. Besonderer Dank an diesen Kanal mit den vielen vertrauten Sachen , Bauelemente, Bastelobjekte und Literatur und das fundierte und glasklare Wissen. Übrigens das war die echte Elite in der DDR , die geachtet und geehrt wurde.
Und trotzdem weitaus weniger technische und wissenschaftliche Errungenschaften als der Westen. Also irgendetwas scheint ja dann an dieser "Elite" trotzdem nicht funktioniert zu haben.
Sehr übersichtlich und klar erklärt. Da können sich Profi Schul-Sendungen noch eine Scheibe abschneiden. Vielen Dank das Du das mit so viel Liebe zum Detail erklärst. Für mich ideal zum aufrischen und vertiefen meiner Elektronik Kenntnisse.
So wie Sie das vortragen macht das sicher viel Arbeit. Meinen Respekt haben Sie. Eine bessere Erklärung habe ich auf YT bisher nicht finden können. Bitte mehr davon...Ihr Kanal verdient auf jeden Fall mehr Aufmerksamkeit!
Einfach unglaublich gut erklärt. Bin selbst Lehrer Sek II und I, kann das also (hoffentlich) beurteilen. Die Einf. hätte ich weiter hinten platziert (stattdessen, Motivation, Neugier hervorrufen). Ist aber Geschmackssache. 1+ deutlich übertroffen. Tipp: die Kids stehen heute auf Basecap mit Jacket, warum auch immer. Wo ich schon dabei bin: Intonierter und etwas langsamer erklären, die Pausen sind gut und immer richtig gesetzt. - Nochmal: Für mich ist dies das Beste was ich in diesem Bereich je gesehen habe!
Ich wollte mich bei Ihnen bedanken, dass Sie mir (als ehem. Wirtschaftsschüler der sich rein Hobbymäßig mit Elektronik befasst) endlich anschaulich erklären konnten, was mit Gate etc. Gemeint ist. Zuvor waren es immer nur Begriffe, die nur an bestimmte Elemente von Bauteilen vergeben wurden. Frage mich gerade selbst wie ich in der Lage war einen Circlotron zusammen zu schustern (zwar nach Anleitung aber immerhin...) Danke!
Vielen Dank für diese strukturierte und klare Erklärung. Ich schaue Ihre Videos sehr gerne, da Sie die Materie einfach klasse rüberbringen. Wirklich großartig.
Wow wow wow! Ich habe erst kürzlich Ihre Videos entdeckt und die sind echt super erklärt! Vor allem die Bilder und so sind super als Hilfe. Vielen lieben Dank!!
Ich habe das Thema im Physik Lk vor ein paar Jahren null verstanden und dank deiner beiden Videos habe ich die ersten beiden von dir vorgestellten Transistoren endlich kapiert. Jetzt kann ich damit endlich abschließen. Vielen dank.
Klasse Grundlagen Videos! Sie helfen mir momentan sehr bei der Klausurvorbereitung im E-Technik Studium! Scheinbar ist Elektronik doch nicht so öde wie ich dachte!:)
Sehr gutes Video, interessiert hätte mich noch etwa ein Vergleich der Typen bzgl Verwendung/bevorzugte Anwendungsgebiete (Frequenz, Leistung oder sowas)
Feldeffekttransisitor kann man vielleicht vergleichen mit einer Straße auf der während eines Straßenfestes eine Bühne steht. Treten auf dieser Bühne Künstler auf, so bleiben davor die Zuschauer stehen und behindern damit die übrigen Passanten auf dieser Straße. Ist die Bühne leer, so bleibt davor niemand stehen und die Passanten können vorbeilaufen...
Beim IGFET (MOSFET): Ist da der einzige Unterschied zwischen Source und Drain, welcher von beiden mit dem Bulk verbunden ist? Oder legt die Aufschaltung einer Spannung fest, was Source und was Drain ist?
Prinzipiell sind bei einem FET Source und Drain vertauschbar, wenn der echte Chip auch symmetrisch aufgebaut ist. Die Geometrie kann von der Prinzipskizze im Video schon abweichen. Beim MOSFET funktioniert das natürlich nicht mehr, wenn Bulk und Source intern verbunden sind.
Der "gute alte" KU 602 ist dabei abgekackt ... der SU 169 (Zeilenendtransistor) hatte es gepackt ... beide Zündspulen des Trabbis wurden befriedigt ... angesteuert mit SF 126 als Treibertransistor und IC A 301 ... lief perfekt mit Gabellichtschranke aus DDR-Produktion ... war etwas offtopic, jedoch mag ich diese hier praktizierte Erklärweise ... 👍
Danke für das Video, hat mir sehr geholfen! Eine Frage ist geblieben: Warum können Elektronen über die Diode zwischen Basis-Kollektor fließen, wenn sie an beiden Seiten mit einem Pluspol verbunden ist?
Die Kollektorspannung ist immer höher. An der Basis liegt die Flussspannung der B-E-Diode (0,7V bei Si). Die Spannung am Kollektor kann bis zur vollen Betriebsspannung gehen.
Die Basisschicht muss sehr schmal sein und der Emitter muss sehr viele Ladungsträger liefern. Diese werden dann in die Sperrschicht der B-C-Diode geschwemmt und machen sie leitfähig. Der Kollektor sammelt sie dann nur noch ein. Darum funktioniert es nicht, einen Transistor einfach mit zwei Dioden nachzubilden.
Das Video ist excellent erklärt. Ich habe jedoch eine Frage. In dem Schaubild des npn bipolartransistor Fließen ja Elektronen vom Emitter zum Kollektor hin zum PLUSPOL der Spannungsquelle. Ich dachte aber immer negative Ladungen fließen vom Pluspol zum Minuspol und nicht umgekehrt. Kann mir das bitte jemand erklären?
Es ist genau umgekehrt. Ungleiche Ladungen ziehen sich an, gleiche Ladungen stoßen sich ab. Darum fließen die Elektronen vom Minuspol zum Pluspol. Nicht zu verwechseln mit der technischen Stromrichtung. Die wurde definiert, als man über die Vorgänge noch nicht so genau Bescheid wusste. Dummerweise legte man die von plus nach minus fest.
Ich hab jetzt noch nicht jedes YT Video der Reihe gesehen, deshalb zur Ergänzung (weiß also nicht, ob es eine ist): beim Bipolartransistor fließen 2 Ladungsträger (Löcher(+) und Elektronen(-) ) in unterschiedliche Richtungen. Dies zusammen ergibt den Gesamtstrom.
Vielen Dank für Ihr sehr aufschlussreiches Video! Jedoch stellen sich mir die zwei folgenden Fragen: Warum können die überschüssigen Elektronen die Sperrschicht, die sich zwischen Basis und Kollektor zu Beginn (also vor dem Stromkreis zwischen Emitter und Basis) nach dem Anschluss des Stromkreises zwischen Emitter und Basis einfach so passieren, mit der Begründung, sie werden vom Pluspol des Kollektors angezogen? Dies wäre doch zuerst auch schon der Fall? Also ohne extra Stromkreis zwischen Emitter und Basis kommen die Elektronen vom Emitter auch schon bis in die Basis, nur dann nicht mehr weiter, weil zwischen Basis und Kollektor eine Sperrschicht herrscht. Warum werden jetzt diese Elektronen nicht auch einfach vom positiven Pol des Kollektors angezogen? Das passiert bei der Funktionsweise des Transistors mit Steuerstromkreis zwischen Emitter und Basis doch auch? MfG
Die Elektronen aus dem Emitter kommen nicht so ohne weiteres in das Basisgebiet, da auch die Basis-Emitter-Diode eine Sperrschicht hat. Die kann erst überwunden werden, wenn zwischen Basis und Emitter mindestens die Flußspannung in Durchlassrichtung anliegt (Bei Si 0,6-0,7V). Vorher fließt kein Strom in das Basisgebiet hinein.
Jein! Die Funktion von Bauelementen kann man eigentlich nur vernünftig mit der Ladungsträgerbewegung erklären. Von außen betrachtet nimmt man dann normalerweise wieder die technische Stromrichtung. Die findet man ja auch im Schaltzeichen wieder. Zu dem Thema habe ich übrigens vor einiger Zeit mal ein eigenes Video gemacht. ruclips.net/video/KOZSHtKUC2c/видео.html
Das ist natürlich nicht vergleichbar mit einem 10min. RUclips-Video. Um wirklich darauf antworten zu können, müsste ich erst mal mehr darüber erfahren.
Was ich beim MOSFET nicht ganz verstehe: Wieso bildet sich um die "Inseln" keine Sperrschicht? Wir haben doch einen p/n-Übergang, an dem sich eine nicht leitfähige Sperrschicht ausbreiten müsste.
Natürlich gibt es die Sperrschichten, auch wenn ich die nicht eingezeichnet habe. Deshalb ist der Anreicherungstyp ohne Gatespannung auch nicht leitfähig. Wenn dann allerdings die Ladungsträger unter dem Gate angereichert werden, entsteht ein Kanal mit einem einheitlichen, durchgehenden Leitungstyp. Eine Sperrschicht gibt es dann nur noch zwischen dem Kanal und dem Substrat.
Habe ich es richtig verstanden?: Der Colector ist weniger stark dotiert als der Emiter? Und die Basis ist ebenso weniger dotiert - Also weniger Fremdatome? Das gilt für npn und pnp? Liebe Grüße Sven Windpassinger
Ja. Der Emitter ist am stärksten dotiert, da er möglichst viele Ladungsträger liefern soll, die vom Kollektor eingefangen werden können. Das erhöht die Stromverstärkung, verringert aber die zulässige Sperrspannung der BE-Diode auf nur noch 5-10 Volt. Die Basis ist eher schwach dotiert. Hier sollen möglichst wenig Ladungsträger rekombinieren. Der Kollektor ist normal dotiert, da die BC-Diode eine etwas höhere Sperrspannung haben soll.
Gemessene Flussspannung E-B etwas größer als B-C... daran lässt sich E und C an einem unbekannten Typ ermitteln... gilt für npn- und pnp-Typ. Gemessen mit Diodenmessbereich eines Multimeters...
Haben Sie auch ein Video über Röhren? Da Röhren nicht mehr in miener Generation von Bedeutung wahren, habe ich überhaupt keine Idee über die Funktionsweise einer Röhre.
Der Pfeil ist einfach das Zeichen für den Emitter. Damit die Basis-Emitter-Diode beim pnp leitend wird, muss der Emitter positiv sein. In Schaltplänen zeichnet man normalerweise die Masse unten und die Betriebsspannung oben. Bei positiver Betriebsspannung kommt der Emitter von oben (meist in Mischschaltungen aus npn und pnp). Bei Schaltungen, die nur aus pnp-Transistoren aufgebaut sind, kommt der Pluspol an Masse und die Versorgungsspannung ist negativ. Damit ist der Emitter wieder unten. Man kann in vielen Schaltungen pnp gegen npn und umgekeht tauschen. Man muss dann nur die Betriebsspannung umpolen.
Ich finde auch dass Sie ausgezeichnet erklären können...man merkt dass Sie viel Erfahrung in dem Gebiet haben. 👍
Sie glauben gar nicht wie gut Ihre Art zu erklären ist. Vielen Dank 😊
Niemand erklärt die Zusammenhänge so gut wie sie, das hilft einen unglaublich weiter, vielen vielen Dank
Mit Abstand die beste, übersichtlichste und einfachste Erklärung in kürzester Zeit
Das war der Bildungsstandard der DDR. Hatte später meinen Beruf, über eine AG Elektronik an der Schule durch einen genauso tollen AG Leiter wie diesen Herrn hier im Video, ergriffen. Einfach tolle Zeit und tolle Menschen die verstanden junge Menschen zu motivieren. Besonderer Dank an diesen Kanal mit den vielen vertrauten Sachen , Bauelemente, Bastelobjekte und Literatur und das fundierte und glasklare Wissen. Übrigens das war die echte Elite in der DDR , die geachtet und geehrt wurde.
Und trotzdem weitaus weniger technische und wissenschaftliche Errungenschaften als der Westen. Also irgendetwas scheint ja dann an dieser "Elite" trotzdem nicht funktioniert zu haben.
Das beste Video, was ich auf RUclips zu Transistoren finden konnte. Wirklich hervorragend erklärt!
Solche Lehrer braucht das Land.
Einfach toll erklärt. Ich bin seit kurzem Rentner und habe jetzt durch Ihren Kanal ein neues Hobby gefunden. Vielen Dank dafür!
Wirklich tolles Video! Präzise und direkt zum Punkt. Keine Zeit verschwendet. Mehr kann man sich nicht wünschen :) Vielen Dank!
Einfach ruhig und vorbereitet erklärt. Genau das braucht es.
Sehr übersichtlich und klar erklärt. Da können sich Profi Schul-Sendungen noch eine Scheibe abschneiden.
Vielen Dank das Du das mit so viel Liebe zum Detail erklärst. Für mich ideal zum aufrischen und vertiefen meiner Elektronik Kenntnisse.
So wie Sie das vortragen macht das sicher viel Arbeit. Meinen Respekt haben Sie. Eine bessere Erklärung habe ich auf YT bisher nicht finden können. Bitte mehr davon...Ihr Kanal verdient auf jeden Fall mehr Aufmerksamkeit!
Die beste Erklärung zur Funktion eines Transistors, die ich je gesehen habe. 👍👍👍👍
Sofort abonniert.
Super - eine Auffrischung nach 35 Jahren - und noch RFT Bauelemente zu sehen -top!
Einfach unglaublich gut erklärt. Bin selbst Lehrer Sek II und I, kann das also (hoffentlich) beurteilen.
Die Einf. hätte ich weiter hinten platziert (stattdessen, Motivation, Neugier hervorrufen). Ist aber Geschmackssache. 1+ deutlich übertroffen. Tipp: die Kids stehen heute auf Basecap mit Jacket, warum auch immer. Wo ich schon dabei bin: Intonierter und etwas langsamer erklären, die Pausen sind gut und immer richtig gesetzt. - Nochmal: Für mich ist dies das Beste was ich in diesem Bereich je gesehen habe!
Statt Einf. meinte ich natürlich die "Übersicht" (zweiter Teil des Videos)! Und: ja, auch ich lasse gerne Kommata mal weg. Nicht nachmachen🙃
Richtig tolles Video - vielen herzlichen Dank! Ich wünschte meine Uni-Profs würde das so gut erklären :D
Ich wollte mich bei Ihnen bedanken, dass Sie mir (als ehem. Wirtschaftsschüler der sich rein Hobbymäßig mit Elektronik befasst) endlich anschaulich erklären konnten, was mit Gate etc. Gemeint ist. Zuvor waren es immer nur Begriffe, die nur an bestimmte Elemente von Bauteilen vergeben wurden. Frage mich gerade selbst wie ich in der Lage war einen Circlotron zusammen zu schustern (zwar nach Anleitung aber immerhin...)
Danke!
Vielen Dank für diese strukturierte und klare Erklärung. Ich schaue Ihre Videos sehr gerne, da Sie die Materie einfach klasse rüberbringen. Wirklich großartig.
Vielen Dank
Sie haben das sehr verständlich
Das beste Video zu diesem Thema im deutschsprachigen Raum
Vielen Dank. Als Maschinenbauer der im Studium das erste mal mit Elektrotechnik konfrontiert wurde sehr hilfreich
@@maxschmidt8944 wir leiden das gleiche schicksal :P
Perfekt, kurz und nützlich. Ich hoffe, dass Sie über die Berechnung der Grundschaltungen der Transistoren weitere Videos veröffentlichen. 😍😊
Wow wow wow! Ich habe erst kürzlich Ihre Videos entdeckt und die sind echt super erklärt! Vor allem die Bilder und so sind super als Hilfe. Vielen lieben Dank!!
Der Tenor ist hier wohl von überall derselbe: Überragend!
Sehr gut bzw. Deutlich erklärt. War nicht schnell oder langsam. Es hat mir sehr sehr geholfen. Bitte immer so vortragen
Danke für das großarige Erklärvideo. Gut visualisiert und mit Ruhe dargestellt. Sehr verständlich, wie ich finde.
super, vollständige Erklärung, jetzt habe ich's verstanden!!
Die beiden Videos über die Grundlagen der Halbleitertechnik haben mich extrem weitergebracht! Sehr, sehr hilfreich! Vielen Dank
Sehr tolles Video! Wenn man sich konzentriert das Video anschaut fällt es einem viel einfacher, die ganze Thematik mehr zu verstehen. Vielen Dank!
Bitte immer so vortragen. Dieses hat mir sehr sehr geholfen.
Vielen Dank für eure mühe. Sehr gelungen. Schön wäre es wenn ein Kaufteil als Beispiel genommen wird und die Fachbegriffe erläutert werden.
Ich habe das Thema im Physik Lk vor ein paar Jahren null verstanden und dank deiner beiden Videos habe ich die ersten beiden von dir vorgestellten Transistoren endlich kapiert. Jetzt kann ich damit endlich abschließen. Vielen dank.
Vielen dank . Gut und vernünftig erklärt. Also war sehr deutlich erklärt
Sehr gut erklärt. Vielen Dank
Danke für das sehr anschauliche und gut beschriebene Video!
Super erklärt. Daumen hoch.👍
Genial!
Danke! lerne gerade für die Amateurfunkprüfung - Dein Video hat mir sehr geholfen....
Sie sind 10 mal besser als mein Bauelemente Prof.
Sehr Sehr Gute Erklärung. Vielen Dank : )
Sehr nützlich und wirklich sehr gut erklärt! Vielen Dank!
Sehr geil und übersichtlich erklärt! Vielen Dank
Einer der besten Erklärungen :) ! Vielen Dank
Kommt nur mir das so vor oder redet er wirklich wie Olaf Scholz?
Richtig gut erklärt. Danke dafür!
Scholz kann nicht erklären, wie auch, er kann sich meist an nichts erinnern.
Scholz sitzt am anderen Ende der Kompetenzskala.... also bei "0"......
Vielen Dank für die Erklärungen, das Video hat mir wirklich geholfen! Darf ich ihre Skizzierungen für meine Physik-Präsentation verwenden?
Eine kleine Quellenangabe wäre bei sowas schon ganz nett.
Klasse Grundlagen Videos! Sie helfen mir momentan sehr bei der Klausurvorbereitung im E-Technik Studium! Scheinbar ist Elektronik doch nicht so öde wie ich dachte!:)
Sehr gut erklärt
super Ausführlich erklärt, vielen dank!
Tolles Video, vielen Dank!
positives feedback!
Klasse Video !!! Sehr gut erklärt !!!
Großartig!!!!! Danke, danke!!!
Vielen dank
Super Erklährt
wie immer super erklärt
sehr gut erkl΄a΄rt, alles verstanden
PERFECT !!! dankesehr.
Super erklärt!
👌Sehr hilfreich!
Sehr gutes Video, interessiert hätte mich noch etwa ein Vergleich der Typen bzgl Verwendung/bevorzugte Anwendungsgebiete (Frequenz, Leistung oder sowas)
Feldeffekttransisitor
kann man vielleicht vergleichen mit einer Straße auf der während eines Straßenfestes eine Bühne steht. Treten auf dieser Bühne Künstler auf, so bleiben davor die Zuschauer stehen und behindern damit die übrigen Passanten auf dieser Straße. Ist die Bühne leer, so bleibt davor niemand stehen und die Passanten können vorbeilaufen...
Beim IGFET (MOSFET): Ist da der einzige Unterschied zwischen Source und Drain, welcher von beiden mit dem Bulk verbunden ist? Oder legt die Aufschaltung einer Spannung fest, was Source und was Drain ist?
Prinzipiell sind bei einem FET Source und Drain vertauschbar, wenn der echte Chip auch symmetrisch aufgebaut ist. Die Geometrie kann von der Prinzipskizze im Video schon abweichen. Beim MOSFET funktioniert das natürlich nicht mehr, wenn Bulk und Source intern verbunden sind.
Der "gute alte" KU 602 ist dabei abgekackt ... der SU 169 (Zeilenendtransistor) hatte es gepackt ... beide Zündspulen des Trabbis wurden befriedigt ... angesteuert mit SF 126 als Treibertransistor und IC A 301 ... lief perfekt mit Gabellichtschranke aus DDR-Produktion ... war etwas offtopic, jedoch mag ich diese hier praktizierte Erklärweise ... 👍
Ja alles super. Leider fehlen ein paar elektrische Schaltungen mit Größenangeben der Teile für die praktische Anwendung.😀
perfekt!
🙏 danke
Danke für das Video, hat mir sehr geholfen! Eine Frage ist geblieben: Warum können Elektronen über die Diode zwischen Basis-Kollektor fließen, wenn sie an beiden Seiten mit einem Pluspol verbunden ist?
Die Kollektorspannung ist immer höher. An der Basis liegt die Flussspannung der B-E-Diode (0,7V bei Si). Die Spannung am Kollektor kann bis zur vollen Betriebsspannung gehen.
@@technikselbsterlebt Sperrt die Diode dann nicht den Elektronenfluss zwischen Basis und Kollektor?
Die Basisschicht muss sehr schmal sein und der Emitter muss sehr viele Ladungsträger liefern.
Diese werden dann in die Sperrschicht der B-C-Diode geschwemmt und machen sie leitfähig.
Der Kollektor sammelt sie dann nur noch ein.
Darum funktioniert es nicht, einen Transistor einfach mit zwei Dioden nachzubilden.
@@technikselbsterlebt ok super! danke für die Antworten :)
Das Video ist excellent erklärt. Ich habe jedoch eine Frage. In dem Schaubild des npn bipolartransistor Fließen ja Elektronen vom Emitter zum Kollektor hin zum PLUSPOL der Spannungsquelle.
Ich dachte aber immer negative Ladungen fließen vom Pluspol zum Minuspol und nicht umgekehrt.
Kann mir das bitte jemand erklären?
Es ist genau umgekehrt. Ungleiche Ladungen ziehen sich an, gleiche Ladungen stoßen sich ab. Darum fließen die Elektronen vom Minuspol zum Pluspol.
Nicht zu verwechseln mit der technischen Stromrichtung. Die wurde definiert, als man über die Vorgänge noch nicht so genau Bescheid wusste. Dummerweise legte man die von plus nach minus fest.
@@technikselbsterlebt vielen Dank
Ich hab jetzt noch nicht jedes YT Video der Reihe gesehen, deshalb zur Ergänzung (weiß also nicht, ob es eine ist): beim Bipolartransistor fließen 2 Ladungsträger (Löcher(+) und Elektronen(-) ) in unterschiedliche Richtungen. Dies zusammen ergibt den Gesamtstrom.
❤
Vielen Dank für Ihr sehr aufschlussreiches Video! Jedoch stellen sich mir die zwei folgenden Fragen: Warum können die überschüssigen Elektronen die Sperrschicht, die sich zwischen Basis und Kollektor zu Beginn (also vor dem Stromkreis zwischen Emitter und Basis) nach dem Anschluss des Stromkreises zwischen Emitter und Basis einfach so passieren, mit der Begründung, sie werden vom Pluspol des Kollektors angezogen? Dies wäre doch zuerst auch schon der Fall? Also ohne extra Stromkreis zwischen Emitter und Basis kommen die Elektronen vom Emitter auch schon bis in die Basis, nur dann nicht mehr weiter, weil zwischen Basis und Kollektor eine Sperrschicht herrscht. Warum werden jetzt diese Elektronen nicht auch einfach vom positiven Pol des Kollektors angezogen? Das passiert bei der Funktionsweise des Transistors mit Steuerstromkreis zwischen Emitter und Basis doch auch? MfG
Die Elektronen aus dem Emitter kommen nicht so ohne weiteres in das Basisgebiet, da auch die Basis-Emitter-Diode eine Sperrschicht hat. Die kann erst überwunden werden, wenn zwischen Basis und Emitter mindestens die Flußspannung in Durchlassrichtung anliegt (Bei Si 0,6-0,7V). Vorher fließt kein Strom in das Basisgebiet hinein.
Kann man beim SFET Source- und Drain-Anschluss vertauschen? Ich hab da in der Grafik keinen Unterschied zwischen den beiden gesehen
Sehe ich das richtig, dass hier die (richtige) physikalische Stromrichtung angenommen wird? Top Video
Jein! Die Funktion von Bauelementen kann man eigentlich nur vernünftig mit der Ladungsträgerbewegung erklären. Von außen betrachtet nimmt man dann normalerweise wieder die technische Stromrichtung. Die findet man ja auch im Schaltzeichen wieder.
Zu dem Thema habe ich übrigens vor einiger Zeit mal ein eigenes Video gemacht.
ruclips.net/video/KOZSHtKUC2c/видео.html
Vielen Dank für die brillante und leicht verständliche Erklärung. Hast du nicht Lust im Campe Bildungszentrum in Hannover als Dozent anzuheuern?
Das ist natürlich nicht vergleichbar mit einem 10min. RUclips-Video. Um wirklich darauf antworten zu können, müsste ich erst mal mehr darüber erfahren.
Was ich beim MOSFET nicht ganz verstehe: Wieso bildet sich um die "Inseln" keine Sperrschicht? Wir haben doch einen p/n-Übergang, an dem sich eine nicht leitfähige Sperrschicht ausbreiten müsste.
Natürlich gibt es die Sperrschichten, auch wenn ich die nicht eingezeichnet habe. Deshalb ist der Anreicherungstyp ohne Gatespannung auch nicht leitfähig.
Wenn dann allerdings die Ladungsträger unter dem Gate angereichert werden, entsteht ein Kanal mit einem einheitlichen, durchgehenden Leitungstyp. Eine Sperrschicht gibt es dann nur noch zwischen dem Kanal und dem Substrat.
Habe ich es richtig verstanden?:
Der Colector ist weniger stark dotiert als der Emiter?
Und die Basis ist ebenso weniger dotiert - Also weniger Fremdatome?
Das gilt für npn und pnp?
Liebe Grüße
Sven Windpassinger
Ja. Der Emitter ist am stärksten dotiert, da er möglichst viele Ladungsträger liefern soll, die vom Kollektor eingefangen werden können. Das erhöht die Stromverstärkung, verringert aber die zulässige Sperrspannung der BE-Diode auf nur noch 5-10 Volt. Die Basis ist eher schwach dotiert. Hier sollen möglichst wenig Ladungsträger rekombinieren.
Der Kollektor ist normal dotiert, da die BC-Diode eine etwas höhere Sperrspannung haben soll.
@@technikselbsterlebt
Danke
Gemessene Flussspannung E-B etwas größer als B-C... daran lässt sich E und C an einem unbekannten Typ ermitteln... gilt für npn- und pnp-Typ. Gemessen mit Diodenmessbereich eines Multimeters...
Haben Sie auch ein Video über Röhren?
Da Röhren nicht mehr in miener Generation von Bedeutung wahren, habe ich überhaupt keine Idee über die Funktionsweise einer Röhre.
Hab's schon gefunden!
wird das schaltzeichen des pnp-transistors nicht der pfeil von oben gezeichnet ?
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Der Pfeil ist einfach das Zeichen für den Emitter. Damit die Basis-Emitter-Diode beim pnp leitend wird, muss der Emitter positiv sein.
In Schaltplänen zeichnet man normalerweise die Masse unten und die Betriebsspannung oben. Bei positiver Betriebsspannung kommt der Emitter von oben (meist in Mischschaltungen aus npn und pnp). Bei Schaltungen, die nur aus pnp-Transistoren aufgebaut sind, kommt der Pluspol an Masse und die Versorgungsspannung ist negativ. Damit ist der Emitter wieder unten.
Man kann in vielen Schaltungen pnp gegen npn und umgekeht tauschen. Man muss dann nur die Betriebsspannung umpolen.
@@technikselbsterlebt
danke ! habs verstanden ( nach drei mal durchlesen :-)
sehr gut erklart leider hatte ich diesen Lehrer nicht wahrend meie Studienzeit
Ist der letzte Teil nicht Mosfet.¿
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Mit X hat man im Mittelalter unterschrieben. Trotzdem, niX gegen Küsse, kommt drauf an von wem🙃
Voll unverständlich
Sehr gut erklärt! Danke!