교수님 항상 좋은 강의 감사합니다. 항상 이해하기 쉽게 설명해주시려는 교수님의 노고에 다시 한 번 감사드립니다. 혹시 강의 내에서 사용하시는 자료와 설명 일부를 발표에 인용을 하고 싶은데 혹시 가능할까요? 영리적 목적없는, 배포 않는 단순 동아리 세미나 일회성 주제발표입니다.
네 맞습니다. 이온들이 주입되면서 charge 들이 웨이퍼에 쌓이는 문제가 발생합니다. 이온들이 쌓이게 되면, 먼저 쌓인 이온들이 나중에 주입되는 이온들을 밀어내기 때문에, 원하는대로 implantation 공정이 진행되지 못하게 됩니다. 이러한 이온들을 중성화 시키는 다양한 방법들이 있습니다. 웨이퍼 뒷쪽에 전극을 연결하여 전자를 주입해주거나, 이온들이 주입되는 경로에 전자빔 or 플라즈마를 쏴주는 등의 방식을 통해 중성화를 시키게 됩니다. 조금 더 자세한 내용을 원하면, ion implantation charge neutralization system 이란 키워드로 검색해보면 자료들을 찾을 수 있을 것입니다.
@@user-fr4xl5uu2j 이온들이 주입되면서 charge 들이 웨이퍼에 쌓이면, 먼저 쌓인 이온들이 나중에 주입되는 이온들을 밀어내는 문제가 발생합니다. 따라서 이러한 이온들을 중성화 시키는 다양한 공정을 추가로 진행합니다. 웨이퍼 뒷쪽에 전극을 연결하여 전자를 주입해주거나, 이온들이 주입되는 경로에 전자빔 or 플라즈마를 쏴주는 등의 방식을 통해 중성화를 시키게 됩니다. 조금 더 자세한 내용을 원하면, ion implantation charge neutralization system 이란 키워드로 검색해보면 자료들을 찾을 수 있을 것입니다.
이온 주입에 대해 공부중인데, 좋은 강의 감사드립니다! 조금 혼동되는 개념에 대해 질문 남기고 갑니다. 무겁고 느린 이온은 깊숙히 들어가지 못해 projected range가 낮다고 알고 있는데, 왜 back scattering은 적게 일어나는지 궁금합니다. back scattering이 surface에서의 Si 원자와의 충돌이라고 알고 있는데, 무거운 이온이 back scattering이 많이 일어나야 projected range가 작아지는 것 아닌가요??
안녕하세요 교수님. 항상 좋은강의 감사드립니다. 다름이 아니라 백스케터링의 경우는 가벼운 이온에서 두드러지는데, 채널링이 잘 일어나는 경우는 이온의 무게와는 관련이 없나요? 채널링은 크기가 큰 무거운 이온은 일어나기 힘들것 같은데, 이 생각이 맞는지 궁금합니다. 감사합니다
1. 먼저 dopant 가 격자 내에 존재하는 방식은, substitutional / interstitial 방식이 있습니다 (검색해보면 쉽게 이해할 수 있을 것입니다). 2. 처음 implantation 을 하고 나면, 대부분의 dopant 는 interstital (Si 격자 사이에 끼어 있음) 방식으로 존재하게 됩니다. 3. implantation 이후에 annealing 을 통해 손상된 Si 격자구조를 회복해 주어야 합니다. 이러한 annealing 과정중에, dopant 가 Si 자리를 치환(subsitutional) 하기도 합니다. 즉, dopant 들은 두 방식 (substitutional / interstitial) 모두의 형태로 존재합니다. 4. 그리고 annealing temperature 는 dopant 가 이온화하여 전자나 홀을 추가로 생성하는 (activate) 하는 역할을 합니다. 단, activation 에 필요한 에너지는 그다지 크지 않습니다. 따라서 activation 만이 목적이라면 사실 높은 온도가 필요하지 않습니다. 즉, implantation 이후에 하는 annealing 의 주된 목적은 damage 를 회복시키려는 것이며, activation 은 그에 따라 자연스럽게 같이 이루어지는 과정입니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다. 정말 잘 이해됐어요! 추가적으로 답변해주신 내용과 검색해본 내용에서 activation이란게 결국 온도를 높여 impurity가 Si원자를 밀어낼 수 있도록(Substitutional) 돕는 과정이라고 이해했는데 맞는지 궁금합니다. 또한 Substitutional은 결국 dopant로써 전자나 홀을 생성하는 역할을 하게 되고, interstitial은 별다른 역할이 없다고 이해하여서 activation이 많이 될수록 Substitutional이 많아져 좋지 않을까 생각하였는데 낮은 온도로도 충분한 이유가 궁금합니다. 낮은 온도에서도 원하는 전류를 흘릴 정도의 activation은 충분히 이뤄지기 때문일까요? 마지막으로 일반적으로는 도핑량이나 농도를 사용하고 있지만 실제로는 Substitutional의 양이 중요한 것이다라고도 생각하였는데 맞는지 궁금합니다. 질문이 점점 산으로 가는 것 같아 죄송합니다.
@@YujunLee-k4k 1. substitutional 이나 interstitial 똑같이 dopant 로서 역할을 합니다. 다만 interstitial 인 경우 열에 의해 확산이 더 많이 발생하는 차이만 있습니다. 2. activation 은 substitutional 을 만들기 위한 과정이 아니라 dopant 를 이온화 시키는 과정입니다. 이것은 [물리전자공학]에서 자세히 배웠으니 복습해보길 바랍니다.
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교수님 강의 영상 보면서 반도체공정 공부한 타 학교 학생입니다 어느덧 졸업해서 저는 취업해 직장인이 됐습니다 수업 영상 올려주셔서 감사했습니다!!
교수님, 오늘도 감동하고 갑니다. 좋은 주말 보내십시오!!
교수님 좋은 강의 항상 감사합니다!
교수님 항상 좋은 강의 감사합니다. 항상 이해하기 쉽게 설명해주시려는 교수님의 노고에 다시 한 번 감사드립니다.
혹시 강의 내에서 사용하시는 자료와 설명 일부를 발표에 인용을 하고 싶은데 혹시 가능할까요?
영리적 목적없는, 배포 않는 단순 동아리 세미나 일회성 주제발표입니다.
네 괜찮습니다.
교수님 영상 감사히 잘 보고 있습니다! Ion Implantation에서 이온들이 웨이퍼에 주입되면 웨이퍼에서 charge neutrality가 깨질 것이라고 생각되는데 이로 인한 문제점은 없는지 궁금합니다!
네 맞습니다. 이온들이 주입되면서 charge 들이 웨이퍼에 쌓이는 문제가 발생합니다.
이온들이 쌓이게 되면, 먼저 쌓인 이온들이 나중에 주입되는 이온들을 밀어내기 때문에, 원하는대로 implantation 공정이 진행되지 못하게 됩니다.
이러한 이온들을 중성화 시키는 다양한 방법들이 있습니다.
웨이퍼 뒷쪽에 전극을 연결하여 전자를 주입해주거나, 이온들이 주입되는 경로에 전자빔 or 플라즈마를 쏴주는 등의 방식을 통해 중성화를 시키게 됩니다.
조금 더 자세한 내용을 원하면, ion implantation charge neutralization system 이란 키워드로 검색해보면 자료들을 찾을 수 있을 것입니다.
교수님 항상 좋은 강의 감사합니다. 혹시 이온주입 공정에서 이온을 도핑하였는데 추후 이온의 전하를 제거하여 중성으로 만들어주는 공정이 따로 진행되나요? 아니면 annealing 과정에서 중성 전하로 바뀌게 되는걸까요? 감사합니다
@@user-fr4xl5uu2j 이온들이 주입되면서 charge 들이 웨이퍼에 쌓이면, 먼저 쌓인 이온들이 나중에 주입되는 이온들을 밀어내는 문제가 발생합니다.
따라서 이러한 이온들을 중성화 시키는 다양한 공정을 추가로 진행합니다. 웨이퍼 뒷쪽에 전극을 연결하여 전자를 주입해주거나, 이온들이 주입되는 경로에 전자빔 or 플라즈마를 쏴주는 등의 방식을 통해 중성화를 시키게 됩니다.
조금 더 자세한 내용을 원하면, ion implantation charge neutralization system 이란 키워드로 검색해보면 자료들을 찾을 수 있을 것입니다.
@@DevicePhysics 감사합니다 교수님!
이온 주입에 대해 공부중인데, 좋은 강의 감사드립니다! 조금 혼동되는 개념에 대해 질문 남기고 갑니다.
무겁고 느린 이온은 깊숙히 들어가지 못해 projected range가 낮다고 알고 있는데, 왜 back scattering은 적게 일어나는지 궁금합니다.
back scattering이 surface에서의 Si 원자와의 충돌이라고 알고 있는데, 무거운 이온이 back scattering이 많이 일어나야 projected range가 작아지는 것 아닌가요??
제 강의에서 그렇게 설명한 부분이 있나요?
그리고 projected range 가 온전히 back scattering 만으로 결정되는 것이 아닌데, 원인과 결과를 혼동하는것 같습니다.
안녕하세요 교수님. 항상 좋은강의 감사드립니다.
다름이 아니라 백스케터링의 경우는 가벼운 이온에서 두드러지는데, 채널링이 잘 일어나는 경우는 이온의 무게와는 관련이 없나요? 채널링은 크기가 큰 무거운 이온은 일어나기 힘들것 같은데, 이 생각이 맞는지 궁금합니다.
감사합니다
그 부분은 잘 모르겠습니다. 논문들을 찾아봐야 될 것 같습니다.
안녕하세요 교수님 항상 잘 참고하며 감사히 배우고 있습니다.
Anneal을 통한 dopants의 activation이란게 단결정 격자구조를 회복하며 제자리를 찾아가는 것과 같은 것인지 아니면 단순히 dopants로써 작용하기 위한 열처리가 필요하다는 것인지 궁금합니다.
1. 먼저 dopant 가 격자 내에 존재하는 방식은, substitutional / interstitial 방식이 있습니다 (검색해보면 쉽게 이해할 수 있을 것입니다).
2. 처음 implantation 을 하고 나면, 대부분의 dopant 는 interstital (Si 격자 사이에 끼어 있음) 방식으로 존재하게 됩니다.
3. implantation 이후에 annealing 을 통해 손상된 Si 격자구조를 회복해 주어야 합니다.
이러한 annealing 과정중에, dopant 가 Si 자리를 치환(subsitutional) 하기도 합니다.
즉, dopant 들은 두 방식 (substitutional / interstitial) 모두의 형태로 존재합니다.
4. 그리고 annealing temperature 는 dopant 가 이온화하여 전자나 홀을 추가로 생성하는 (activate) 하는 역할을 합니다.
단, activation 에 필요한 에너지는 그다지 크지 않습니다. 따라서 activation 만이 목적이라면 사실 높은 온도가 필요하지 않습니다.
즉, implantation 이후에 하는 annealing 의 주된 목적은 damage 를 회복시키려는 것이며, activation 은 그에 따라 자연스럽게 같이 이루어지는 과정입니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다. 정말 잘 이해됐어요!
추가적으로 답변해주신 내용과 검색해본 내용에서 activation이란게 결국 온도를 높여 impurity가 Si원자를 밀어낼 수 있도록(Substitutional) 돕는 과정이라고 이해했는데 맞는지 궁금합니다.
또한 Substitutional은 결국 dopant로써 전자나 홀을 생성하는 역할을 하게 되고, interstitial은 별다른 역할이 없다고 이해하여서 activation이 많이 될수록 Substitutional이 많아져 좋지 않을까 생각하였는데 낮은 온도로도 충분한 이유가 궁금합니다. 낮은 온도에서도 원하는 전류를 흘릴 정도의 activation은 충분히 이뤄지기 때문일까요?
마지막으로 일반적으로는 도핑량이나 농도를 사용하고 있지만 실제로는 Substitutional의 양이 중요한 것이다라고도 생각하였는데 맞는지 궁금합니다.
질문이 점점 산으로 가는 것 같아 죄송합니다.
@@YujunLee-k4k 1. substitutional 이나 interstitial 똑같이 dopant 로서 역할을 합니다. 다만 interstitial 인 경우 열에 의해 확산이 더 많이 발생하는 차이만 있습니다.
2. activation 은 substitutional 을 만들기 위한 과정이 아니라 dopant 를 이온화 시키는 과정입니다. 이것은 [물리전자공학]에서 자세히 배웠으니 복습해보길 바랍니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다.
안녕하세요 교수님 여쭤볼게 있습니다 (111)면에서 7도 기울인 채로 붕소(B)와 인(P)을 주입했을때 인의 그래프만 꼬리가 생기는데 이게 무거운 원소의 관점에서 어떤 특징 때문인지 궁금합니다 감사합니다
제 강의에 그런 내용이 있나요?
교수님 강의에는 없는 내용이라 무례하면 죄송합니다 이온주입공정에 대해 공부하다가 이 강의를 보게되었는데 그래도 개인적인 의문이 해결이 안되어서 여쭤보게되었습니다 혹시 답변해주실 수 있다면 정말 감사합니다
@@skuzz-r8n 원소의 질량과 관계가 있는지 없는지 모르겠습니다. 논문을 찾아봐야 할 것 같습니다.
교수님 혹시 Diffusion profile에 관한 강의도 있나요?
없습니다.
ion implantation에서 energy가 클수록 큰 Rp값을 가지는데, 무게와 원소 크기에 따라서는 어떤 Rp값을 가지는지 궁금합니다
쉽게 생각하면 됩니다. 같은 힘을 전기장으로부터 받아 가속하기 때문에, 무거운 원소일수록 속도가 느려지고, 따라서 적은 운동에너지를 가지게 됩니다. 결과적으로 무거운 원소일수록 Rp값이 작아집니다.