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想請教曲博是否能介紹一下RRAM呢？謝謝。
先參考這裡吧！www.ansforce.com/knowledge/memory
曲博能介紹一下SOTMRAM的工作原理嗎？他跟p-STTMRAM有什麼直上的區別？又有哪些優劣勢？
好問題，或許下回直播可以來談談。
這技術很久了。。但一直商用不起來。不太期待了 我記得叫 MRDRAM 。。太久了記不太起來了
MRAM的確很久了，但是最近有進展了唷！量產是確定的，只是容量還不大。
@@Ansforce 杭州要進去做了 HFC
re ram 呢?
博哥 感謝用心講解 可是為什麼畫質都有點低QQ
抱歉呀，這是去年在Facebook直播的影片，轉過來畫質就變差了！
NAND的部分講錯了，三星92層已經量產，現在討論的是128層。
不是96嗎?
是的，三星92層已經量產，現在討論的是128層，我可能口誤了！
40後轉職真的是人生難題.........
是呀！如果沒有找到好機會，的確會被卡住。
淺顯易懂，謝謝！我要訂知識力了！
謝囉～
深入淺出~ 讚!
请问老师能讲一下不同代MRAM的寿命问题吗，谢谢！
MRAM（磁阻随机存取记忆体）自从被发明以来，经历了几代技术的发展，每一代都在尝试解决前一代的限制，并提升性能和可靠性。以下是MRAM技术发展的几个主要阶段，以及每一代的特点和壽命情况：第一代：Toggle MRAM技术特点：使用两个磁性层（固定层和自由层）和一个叠加的位线和字线来产生磁场，通过磁场切换自由层的磁化方向来存储数据。壽命：Toggle MRAM通常提供非常高的写入耐用性，达到了10亿次写入循环。数据保持时间可以长达十年以上。第二代：Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)技术特点：使用自旋转移力矩效应来切换自由层的磁化方向。这种方法更加高效，因为它直接利用电流而不是外部磁场来改变磁化状态。壽命：STT-MRAM在耐用性上进一步提升，写入次数可以超过10亿次，且具有长达数十年的数据保持能力。STT-MRAM也显示出比Toggle MRAM更好的扩展性和更低的功耗。第三代：Spin-Orbit Torque MRAM (SOT-MRAM)技术特点：利用自旋轨道力矩来改变磁性材料中的磁矩。这种方法在理论上可以提供比STT-MRAM更快的写入速度和更高的密度。壽命：SOT-MRAM预期将提供与STT-MRAM相当甚至更好的耐用性。由于它是较新的技术，其具体寿命特性还在研究和测试阶段。在MRAM的每一代技术中，写入耐用性和数据保持时间都是设计的重点，目的是确保它们适用于需要高可靠性和长期数据保持的应用。尽管每代技术的具体数值可能有所不同，但通常MRAM被认为是一种非常耐用的存储技术，具有比传统闪存更高的写入耐用性。需要注意的是，MRAM的具体寿命也受到使用环境（如温度）和工作负载（写入强度）的影响。因此，对于特定应用，建议参考制造商提供的详细规格和耐用性测试结果。随着技术的发展，MRAM的性能和耐用性有望在未来继续提高。
感谢
男怕入錯行女怕嫁錯郞
好奇是不是讀電機系畢業都可以懂這麼多？抑或是這還得看電機系的分組而定呢？假設有分組別，各組別畢業後的出路將會對應到哪些終端應用呢？
我大學讀化工，碩士讀材料，博士讀電機，算是比較特例，電機系分很多組，IC設計組做積體電路設計、CAD組做電子設計自動化工具(IC設計用的軟體)、固態組做製程、通訊組做通訊協定軟體、光電組做顯示器與光通訊、控制組做自動控制主要是寫軟體和韌體、電力電子組做電源相關的產品，大概就這些。
電機系升到研究所，傳統分成八大類組，每組裡面專精的都不同
与其说那是人工智慧，不如说那是综合与分类的反应机械。。人工智慧的接口 应该不比人类大脑少，就搞不懂怎么还在用pcie接口。。
PCIE是標準介面嘛！方便和其他系統串接。
@@Ansforce Usb都加到24 pins了，Pcie 都还靠那16条线平行运算互流的的能力就局限在那里了。。
Volatile 英文發音不對。
好的，下回我改進。
@@Ansforce 不好意思，剛好幹FPGA這行，習慣老美發音，有點職業病。:)
bit 1一般是小电阻。你说反了
對啦！我沒有去查目前業界是那一個代表0，那一個代表1，不過理論上都可以，觀念對就好了！謝謝你提供的資訊。
這不是重點
== 曲博........可以不要用這麼自以為的稱呼嗎
不懂，這麼自以為的稱呼是指什麼？
人家是博士，本來就會冠姓+博。尊重別人一下好嗎....
是沒讀過研究所? 研究所不都這樣叫博班的
就跟大家都叫柯P彭P是一樣意思而已 要不 人家是P什麼?
MRAM是個過渡產品，用了沒好下場。
想請教曲博是否能介紹一下RRAM呢？謝謝。
先參考這裡吧！www.ansforce.com/knowledge/memory
曲博能介紹一下SOTMRAM的工作原理嗎？他跟p-STTMRAM有什麼直上的區別？又有哪些優劣勢？
好問題，或許下回直播可以來談談。
這技術很久了。。但一直商用不起來。
不太期待了 我記得叫 MRDRAM 。。太久了記不太起來了
MRAM的確很久了，但是最近有進展了唷！量產是確定的，只是容量還不大。
@@Ansforce 杭州要進去做了 HFC
re ram 呢?
博哥 感謝用心講解 可是為什麼畫質都有點低QQ
抱歉呀，這是去年在Facebook直播的影片，轉過來畫質就變差了！
NAND的部分講錯了，三星92層已經量產，現在討論的是128層。
不是96嗎?
是的，三星92層已經量產，現在討論的是128層，我可能口誤了！
40後轉職真的是人生難題.........
是呀！如果沒有找到好機會，的確會被卡住。
淺顯易懂，謝謝！我要訂知識力了！
謝囉～
深入淺出~ 讚!
请问老师能讲一下不同代MRAM的寿命问题吗，谢谢！
MRAM（磁阻随机存取记忆体）自从被发明以来，经历了几代技术的发展，每一代都在尝试解决前一代的限制，并提升性能和可靠性。以下是MRAM技术发展的几个主要阶段，以及每一代的特点和壽命情况：
第一代：Toggle MRAM
技术特点：使用两个磁性层（固定层和自由层）和一个叠加的位线和字线来产生磁场，通过磁场切换自由层的磁化方向来存储数据。
壽命：Toggle MRAM通常提供非常高的写入耐用性，达到了10亿次写入循环。数据保持时间可以长达十年以上。
第二代：Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)
技术特点：使用自旋转移力矩效应来切换自由层的磁化方向。这种方法更加高效，因为它直接利用电流而不是外部磁场来改变磁化状态。
壽命：STT-MRAM在耐用性上进一步提升，写入次数可以超过10亿次，且具有长达数十年的数据保持能力。STT-MRAM也显示出比Toggle MRAM更好的扩展性和更低的功耗。
第三代：Spin-Orbit Torque MRAM (SOT-MRAM)
技术特点：利用自旋轨道力矩来改变磁性材料中的磁矩。这种方法在理论上可以提供比STT-MRAM更快的写入速度和更高的密度。
壽命：SOT-MRAM预期将提供与STT-MRAM相当甚至更好的耐用性。由于它是较新的技术，其具体寿命特性还在研究和测试阶段。
在MRAM的每一代技术中，写入耐用性和数据保持时间都是设计的重点，目的是确保它们适用于需要高可靠性和长期数据保持的应用。尽管每代技术的具体数值可能有所不同，但通常MRAM被认为是一种非常耐用的存储技术，具有比传统闪存更高的写入耐用性。
需要注意的是，MRAM的具体寿命也受到使用环境（如温度）和工作负载（写入强度）的影响。因此，对于特定应用，建议参考制造商提供的详细规格和耐用性测试结果。随着技术的发展，MRAM的性能和耐用性有望在未来继续提高。
感谢
男怕入錯行
女怕嫁錯郞
好奇是不是讀電機系畢業都可以懂這麼多？
抑或是這還得看電機系的分組而定呢？
假設有分組別，各組別畢業後的出路將會對應到哪些終端應用呢？
我大學讀化工，碩士讀材料，博士讀電機，算是比較特例，電機系分很多組，IC設計組做積體電路設計、CAD組做電子設計自動化工具(IC設計用的軟體)、固態組做製程、通訊組做通訊協定軟體、光電組做顯示器與光通訊、控制組做自動控制主要是寫軟體和韌體、電力電子組做電源相關的產品，大概就這些。
電機系升到研究所，傳統分成八大類組，每組裡面專精的都不同
与其说那是人工智慧，不如说那是综合与分类的反应机械。。
人工智慧的接口 应该不比人类大脑少，
就搞不懂怎么还在用pcie接口。。
PCIE是標準介面嘛！方便和其他系統串接。
@@Ansforce
Usb都加到24 pins了，
Pcie 都还靠那16条线
平行运算互流的的能力就局限在那里了。。
Volatile 英文發音不對。
好的，下回我改進。
@@Ansforce 不好意思，剛好幹FPGA這行，習慣老美發音，有點職業病。:)
bit 1一般是小电阻。你说反了
對啦！我沒有去查目前業界是那一個代表0，那一個代表1，不過理論上都可以，觀念對就好了！謝謝你提供的資訊。
這不是重點
== 曲博........
可以不要用這麼自以為的稱呼嗎
不懂，這麼自以為的稱呼是指什麼？
人家是博士，本來就會冠姓+博。
尊重別人一下好嗎....
是沒讀過研究所? 研究所不都這樣叫博班的
就跟大家都叫柯P彭P是一樣意思而已
要不 人家是P什麼?
MRAM是個過渡產品，用了沒好下場。