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知識含金量真高，你們的圖解真的是做得超棒
就是為了youtube收入拉長來說 重點都沒有說出 比如壽命
@@leowong2618 寿命应该比你短，不用谢~
@@leowong2618 人家视频的主题是固态硬盘缓存
@@kennle8520 大多數ssd qlc沒有緩存速度200MB以下 你沒有這方面知識當然認為視頻很好
@@leowong2618 我并没有说有没有缓存的速度问题，而是说你提出的“寿命”问题，另外你并不知道我有没有这方面的知识
這動畫做得真好...........而且講得很清楚!!!!太優質了吧這頻道
這頻道動畫做的很科技風 講解又字字到位 該頂該頂
幾乎是我見過最高級的業配，最優秀的技術科技解釋頻道。
另外，还有一点，具有DRAM缓存的SSD会有很多贴片电容在SSD电路板的背面或者正面，这是因为DRAM中的FTL需要定时将更新后的FTL表保存回NAND中，一旦外部供电意外停止，主控芯片会立刻终止所有操作，将DRAM里的FTL表保存回NAND中，这叫Power Failure Management，或PFM。如果电容损坏失效，储电量下降，日常使用可能不会出什么问题，但是一旦异常断电，可能会导致FTL表损坏，导致（部分或全部）数据无法读取。
很多贴片电容发热量应该也比较高
@@Floyd-eu1dd 電容正常工作不會發熱，除非方向接反....
正在想意外断电的情况，就看到这条评论了，真棒
@@璃織十月香 电容在静态下当然不会发热，但电容存在ESR（等效串联电阻），充电或者放电过程中还是会发热的。如果电容非常频繁地充放电，热量就会很可观。这就是开关电源滤波电容发热的原因，同理，高速数字电路旁边的滤波电容也会发热。
@@carlzeiss2309 了解，可能是我做的東西來不夠高頻所以她沒發熱。。。
硬件茶谈总能将高深的知识讲这样通俗易懂！每一个视频都是一次知识的享受 👍
说实话，制作这么精良讲解得如此通透的视频，就算是恰饭也不能说UP主的不是了，毕竟业内也不是谁都有这么好的耐心又是建模又是渲染地自己制作素材了。
不讓人討厭的恰飯。
真不錯，這塊硬碟降價了，我打算入手一塊，看完這個視頻就更加肯定了，謝謝硬件茶談團隊的製作！
真的很想給100個讚，真的是系統限制了肯定的上限...
这……这是我不花钱就能看的？
沒事，看了不能用，沒啥屁用😂
三星幫你付錢了
@@bon_come各大固態硬碟廠商都說讚😂
就算了解了這些你也倣造不出來😂
UP主真的很用心 講得真好 ! 請繼續加油 感謝 ^^
這介紹比乾爹本人還詳細太多了吧🤗
這集終於讓我瞭解 SLC MLC TLC這3種顆粒的差別，以及許多知道但不清楚的工作原理，尤其動畫真的漂亮好看又讓人清晰明瞭👍👍
以前老看到模擬SLC到底是啥技術，經過圖解才知道是這樣來的😅
真的很佩服这些发明家。究竟是怎样的天才才能发明这些科技产品
深入浅出，清楚明了，尤其是动画，太赞了！
看過最好的SSD原理介紹!
太晚發現這頻道，這動畫配合講解做得真的超好
這動畫是真的下工夫在做，這至少值得百萬等級的訂閱，期待你們早日達成
人家在b站已经有近200万的订阅了，youtube只是副业而已
视频干货满满，虽然对于专业人士没什么帮助，但是对于小白来说有很大的参考意义，给一个大大的赞
知识很硬，剪辑太强大了，辛苦了。没有这图解和细节 我怎么样都理解不了。视频质量超赞！！
😱看起来密度很惊人，谢谢你做了这么精彩的视频讲解😊
讲ftl的时候其实有瑕疵，之所以需要ftl来记录是因为write 后不经过erase 没办法再write，所以同一地址重复写的时候，就要重新挑一个地方写，然后假装这是原来的地方。ftl就是记住这个mapping,读的时候得去新的地方读。
感謝補充
那之前那个page会在空闲时erase吧，这样做应该是为了更快的写入
更精確地說，erase的單位是block，寫入的單位是page為了不讓擦寫次數過高，也為了效能，不可能只為了更新一個page的數據，就擦除整個block重寫所以當資料更新時，會繼續往下寫，並把原本的data標記無效再用FTL表去紀錄原本的位置更新到哪 等到無效數據收集到一定量 再去做整理(磨損均衡)就是這個這個原因 SSD才需要FTL
動畫圖解做得好精緻。讚讚的
這真是簡而精，完全一氣呵成！正！
你們的視頻，動畫質量非常棒！解說專業！謝謝！
U質給推 還特地到B站去三連了，謝謝你們做這麼優質的影片讓我能學習到很多硬體知識！加油～
太神了這製作水準.....
好強的解說與圖解!!
太強拉 能讓有點基礎知識的人簡單易懂
这视频的质量太惊人了! 全网最高
看了將近十部講解記憶體的, 就你最優秀
讲技术不算什么，能把技术讲出来让人容易理解才难，这个频道太用心了！
很厲害，謝謝你們的解說👍🏼
好愛這頻道的深度知識探索
做的真好，如果用这种方式做任何知识介绍估计都是让人很好接受啊
可以多講解一下4k隨機讀寫嗎?
您老这个饭也恰得太有姿势了，我不得不按了下赞
為什麼你的動畫跟知識能這麼專業啊，可以出成參考書了
5:12 DRAM內部讀取的運作原理5:48 DRAM的緩存寫放大。寫入機制。7:21外置緩存=(內存RAM)也是類似原理衍生的8:08 暫緩掉速源因? SLC固態緩存，SLC寫入快，但空間密度低，空間價格上升10:03 暫緩掉速源因2? 策略不同。衍生出SLC Cache，只影響寫入，不影響讀取。11:47 SLC模擬策略的總結: 只要不超出緩存容量，則不影響體驗。並提高壽命。但一旦超過容量，壽命傷害更大。TBW代表壽命單位*最近好像有Host Memory Buffer的緩存技術
這實在....太屌了 內容與質量爆表阿
光从视频演示的精度和细节必须点赞
作者讲得不错，只是一点，三星没用过floating gate，它做replacing gate/charge trap
SSD儲存資料的原理是電子，一般充飽電為1.2V，有的為了省電做到0.8，為了能存3bit資料，所以切成8等份，看電壓落在哪就是什麼資料。半導体會有漏電問題，就像電池不用也會掉電，掉超過0.1伏就被判成另一個數字，俗稱data lose。如果貪便宜買到長江存儲的顆粒，不但保存時間更短，而且對溫度更敏感，一不對就掉資料，所以包裝紙上會註明保證不掉資料只有兩年。因此重要資料建議還是放機械硬盤，可以放的更久
你們的影片水準也太高了獲益良多，謝謝
身為NAND工作產業的一員，這部影片實在太讚了，以後不怕親戚朋友問東問西了
必须给赞，这解释得仔细👍
2TB 970evo+ 有真實的SLC區域？ 包裝和說明書也沒有提及🤔
讲解的很详细！动画也做的很好很直观！很容易理解！超棒啊！
很棒的內容講解 聽得真滿足 等著下一集
下次能介紹intel 的optane嗎?
它是相变存储器，不存在坏块，也没有写入放大问题，寿命和随机读写能力远超基于Flash的SSD，唯一的缺点就是有点贵。
极速完美讲解说明专业知识稳固扎实
超詳細又易懂！
這真是知識滿滿，很棒的解說，搭配圖文，非常清楚，謝謝分享
动画做的是真的好，介绍原理很清晰
最近在看组成原理💪，讲的真好
很实用的一期知识视频，先评后看
非常生动和详细，赞！
每个视频都很用心，太棒了
讲的实在太好了，解了我多年的疑惑
動畫實在是太精緻，吸收這種知識配上動畫根本是享受
非常棒的一个科普视频，解释的很清晰。
這個影片做了多久....超高質量解說
虽然是三星广告视频但还是长了知识，喜欢这类的视频
再次為人類智慧的結晶讚嘆
动画做的真棒，非常直观！
非常直白，通俗易懂，感谢UP！
補充一下 現在的NAND通常不用Floating gate Floating gate左右導通沒辦法做到MLC或TLC現在使用的是SONOS結構就是把Floating gate換成SiN 使用SiN中的trap去儲存電子Tarp彼此間不容易導通所以在同一個元件透過電子的數量來實現MLC TLC
🤔Micron好像只有最新的176Layers 才开始用SONOS吧。据说SONOS寿命好。
@@rzlnie 沒有喔 SONOS 1980年代有做NVM的公司都有在弄了 所以Micron肯定早就有了
@@ivjjfd hmmm
这期的动画质量真高🎉
好頂，就連我這個寫FTL演算法的工程師都覺得講得很清楚，把很難的東西講得很簡單XD
为了恰这个饭花了多少成本做的这么精致的动画，并且讲解也通俗到我也能听懂
動畫太精細了 ！ 感謝！
很高质量的科普视频!
太牛了！解答了我心中好多疑惑
so far the best one I have seen. Thank you!!
这动画要都是自己做的 那我是真心佩服了。
太厉害了，讲解的清楚明白。
看了1/4段落.忍不住先暫停.先來點個讚
這篇看到我決定訂閱了 非常專業的講解
1.控制存入電子難度跟寫入時間correlation有些不直觀，想知道細節2.如果SLC和TLC只差在控制，那為甚麼SLC可寫入次數更多呢?3.看起來DRAM也可取代SLC cache的功能，那同時有DRAM和SLC的SSD，是成本考量嗎
因為SLC的資料判讀比較好判斷 寫入多次即使有誤差了仍然可以判讀 但TLC可能會讀錯就好比範圍是0~7 TLC只要從0變1就會錯誤 但SLC要從0變到4以上才會出錯
1. 放入電子是調整電壓實現的，bit 越多，分布的交界隨著時間一長就越容易模糊2. 並非只差在控制，SLC 本身壽命就比 TLC 高，因為控制電壓不用太精確，單純二分法3. 注意 NAND 本身是非揮發記憶體，DRAM 斷電資料就掰了，會用 DRAM 就是拿來運作時加速存取 (跟電腦 DRAM 邏輯差不多)，而且 DRAM 大小不能跟 NAND 比
1、SLC的写入过程只需开关即可，而其它类型需要分档位控制电压，分得越细，耗时越多。2、浮栅晶体管只是个电容器，存储电子而已，对应的电压范围就是电源电压（其实略低）到0。对主控来说，电压范围总共就这么大，将同一个浮栅晶体管中读出的电压划分成2档就是SLC，划分成4档就是MLC，8档就是TLC，16档就是QLC。Flash在写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解，导致芯片老化，并逐渐出现坏块。电压划分的越细，对老化就越敏感，同一个老化的浮栅晶体管，当作QLC用它就是坏的，但当作TLC它就是好的，再过一阵，当TLC用它是坏的，当MLC用就是好的……宏观表现就是，电压划分越细，单位存储容量越大，寿命也就越短。所以SLC寿命最长。3、放DRAM是为了查表不占用NAND Flash的带宽，SLC Cache是为了在基于TLC和QLC的SSD中提高写入数据的体验，和查表是两回事。
@@carlzeiss2309 既然这样的话，tlc模拟slc不应该会加速损耗啊，因为控制电子的精度也同时下降了，按理来讲应该和常规slc一样高寿命啊。
@@xaoxaocom 上面有人讲了，slc读取精度要求低，TLC读取精度要求高，就是磨损之后TLC模式读不出来或错误那就等于这个盘GG了
未來最後方案，磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM)，這是動態和靜態記憶體的合體記憶體，除了兼具非揮發性、省電、處理速度快，以及高度可重複讀寫特性之外，記憶密度也非常高。
动画效果太赞了 专业！
硬核up主👍
3:00。 “横着的一行被称为页Page。 一整面被称之为行Row” 这两个是不是说反了？
有你这样的广告商真不错
你们3d做得真棒！
講得真的太詳細了!!!!不收藏不行
也不错呀！现在都很厉害了
默默看完了,但記不住,跟看書一樣看過心理滿意就好,詳細聊解等知道再說
哈哈哈，1080p 60幀，我來咯！（bilibili沒會員，笑死（（
1200tbw不是都是普通版本嗎？有很強大嗎？
真详细啊❤
電腦的發明符合進化的可能嗎? 還是奇異點的躍進?
講的專業 又簡單明瞭 謝謝你
超详细，免费的视频，付费的质量
终于明白一些了，这是看过最好的说明。
很详细，非常的干货
5:45 我理解 FTL 表是将磁盘的扇区的逻辑地址映射到物理地址用的，跟文件没关系。
最感兴趣的是这种动画一般用什么软件制作？
影片質量很高
深入淺出，也有實際硬件配置解說，馬上學懂了
纯干货视频，点赞了
知識含金量真高，你們的圖解真的是做得超棒
就是為了youtube收入拉長來說 重點都沒有說出 比如壽命
@@leowong2618 寿命应该比你短，不用谢~
@@leowong2618 人家视频的主题是固态硬盘缓存
@@kennle8520 大多數ssd qlc沒有緩存速度200MB以下 你沒有這方面知識當然認為視頻很好
@@leowong2618 我并没有说有没有缓存的速度问题，而是说你提出的“寿命”问题，另外你并不知道我有没有这方面的知识
這動畫做得真好...........
而且講得很清楚!!!!
太優質了吧這頻道
這頻道動畫做的很科技風 講解又字字到位 該頂該頂
幾乎是我見過最高級的業配，最優秀的技術科技解釋頻道。
另外，还有一点，具有DRAM缓存的SSD会有很多贴片电容在SSD电路板的背面或者正面，这是因为DRAM中的FTL需要定时将更新后的FTL表保存回NAND中，一旦外部供电意外停止，主控芯片会立刻终止所有操作，将DRAM里的FTL表保存回NAND中，这叫Power Failure Management，或PFM。
如果电容损坏失效，储电量下降，日常使用可能不会出什么问题，但是一旦异常断电，可能会导致FTL表损坏，导致（部分或全部）数据无法读取。
很多贴片电容发热量应该也比较高
@@Floyd-eu1dd 電容正常工作不會發熱，除非方向接反....
正在想意外断电的情况，就看到这条评论了，真棒
@@璃織十月香 电容在静态下当然不会发热，但电容存在ESR（等效串联电阻），充电或者放电过程中还是会发热的。如果电容非常频繁地充放电，热量就会很可观。
这就是开关电源滤波电容发热的原因，同理，高速数字电路旁边的滤波电容也会发热。
@@carlzeiss2309 了解，可能是我做的東西來不夠高頻所以她沒發熱。。。
硬件茶谈总能将高深的知识讲这样通俗易懂！每一个视频都是一次知识的享受 👍
说实话，制作这么精良讲解得如此通透的视频，就算是恰饭也不能说UP主的不是了，毕竟业内也不是谁都有这么好的耐心又是建模又是渲染地自己制作素材了。
不讓人討厭的恰飯。
真不錯，這塊硬碟降價了，我打算入手一塊，看完這個視頻就更加肯定了，謝謝硬件茶談團隊的製作！
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这……这是我不花钱就能看的？
沒事，看了不能用，沒啥屁用😂
三星幫你付錢了
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就算了解了這些你也倣造不出來😂
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這介紹比乾爹本人還詳細太多了吧🤗
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感謝補充
那之前那个page会在空闲时erase吧，这样做应该是为了更快的写入
更精確地說，erase的單位是block，寫入的單位是page
為了不讓擦寫次數過高，也為了效能，不可能只為了更新一個page的數據，就擦除整個block重寫
所以當資料更新時，會繼續往下寫，並把原本的data標記無效
再用FTL表去紀錄原本的位置更新到哪 等到無效數據收集到一定量 再去做整理(磨損均衡)
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動畫圖解做得好精緻。讚讚的
這真是簡而精，完全一氣呵成！正！
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太神了這製作水準.....
好強的解說與圖解!!
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您老这个饭也恰得太有姿势了，我不得不按了下赞
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5:12 DRAM內部讀取的運作原理
5:48 DRAM的緩存寫放大。寫入機制。
7:21外置緩存=(內存RAM)也是類似原理衍生的
8:08 暫緩掉速源因? SLC固態緩存，SLC寫入快，但空間密度低，空間價格上升
10:03 暫緩掉速源因2? 策略不同。衍生出SLC Cache，只影響寫入，不影響讀取。
11:47 SLC模擬策略的總結: 只要不超出緩存容量，則不影響體驗。並提高壽命。但一旦超過容量，壽命傷害更大。TBW代表壽命單位
*最近好像有Host Memory Buffer的緩存技術
這實在....太屌了 內容與質量爆表阿
光从视频演示的精度和细节必须点赞
作者讲得不错，只是一点，三星没用过floating gate，它做replacing gate/charge trap
SSD儲存資料的原理是電子，一般充飽電為1.2V，有的為了省電做到0.8，為了能存3bit資料，所以切成8等份，看電壓落在哪就是什麼資料。半導体會有漏電問題，就像電池不用也會掉電，掉超過0.1伏就被判成另一個數字，俗稱data lose。如果貪便宜買到長江存儲的顆粒，不但保存時間更短，而且對溫度更敏感，一不對就掉資料，所以包裝紙上會註明保證不掉資料只有兩年。因此重要資料建議還是放機械硬盤，可以放的更久
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獲益良多，謝謝
身為NAND工作產業的一員，這部影片實在太讚了，以後不怕親戚朋友問東問西了
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它是相变存储器，不存在坏块，也没有写入放大问题，寿命和随机读写能力远超基于Flash的SSD，唯一的缺点就是有点贵。
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動畫實在是太精緻，吸收這種知識配上動畫根本是享受
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非常直白，通俗易懂，感谢UP！
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Floating gate左右導通沒辦法做到MLC或TLC
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所以在同一個元件透過電子的數量來實現MLC TLC
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好頂，就連我這個寫FTL演算法的工程師都覺得講得很清楚，把很難的東西講得很簡單XD
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因為SLC的資料判讀比較好判斷 寫入多次即使有誤差了仍然可以判讀 但TLC可能會讀錯
就好比範圍是0~7 TLC只要從0變1就會錯誤 但SLC要從0變到4以上才會出錯
1. 放入電子是調整電壓實現的，bit 越多，分布的交界隨著時間一長就越容易模糊
2. 並非只差在控制，SLC 本身壽命就比 TLC 高，因為控制電壓不用太精確，單純二分法
3. 注意 NAND 本身是非揮發記憶體，DRAM 斷電資料就掰了，會用 DRAM 就是拿來運作時加速存取 (跟電腦 DRAM 邏輯差不多)，而且 DRAM 大小不能跟 NAND 比
1、SLC的写入过程只需开关即可，而其它类型需要分档位控制电压，分得越细，耗时越多。
2、浮栅晶体管只是个电容器，存储电子而已，对应的电压范围就是电源电压（其实略低）到0。对主控来说，电压范围总共就这么大，将同一个浮栅晶体管中读出的电压划分成2档就是SLC，划分成4档就是MLC，8档就是TLC，16档就是QLC。
Flash在写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解，导致芯片老化，并逐渐出现坏块。电压划分的越细，对老化就越敏感，同一个老化的浮栅晶体管，当作QLC用它就是坏的，但当作TLC它就是好的，再过一阵，当TLC用它是坏的，当MLC用就是好的……宏观表现就是，电压划分越细，单位存储容量越大，寿命也就越短。所以SLC寿命最长。
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@@carlzeiss2309 既然这样的话，tlc模拟slc不应该会加速损耗啊，因为控制电子的精度也同时下降了，按理来讲应该和常规slc一样高寿命啊。
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