1. 게이트 직렬저항(R1)을 키우면 시간지연 현상이 생긴다고 하셨는데, 그러면 R2(방전저항)도 시간지연 현상이 똑같이 생기는 거 아닌가요? 2. 게이트 직렬저항(R1)을 고정하고 스위칭주파수도 고정하고 R2를 변화시키면서 Vgs 파형을 측정 시에는 Vgs가 어떤 식으로 나오나요? 실험적으로 보고 싶습니다.
정말 좋은 질문입니다. ^^ 1. 방전 저항을 사용하는 목적은 FET를 껐을 때 Ciss에 남아있는 전하를 방전하기 위함으로 저항 값이 너무 크면 역시 문제가 될 수 있습니다. 2. 그렇다고 방전 저항 값을 너무 작게 하면 FET가 안 켜집니다. FET의 입력 임피던스는 매우 높은데 여기에 병렬로 아주 낮은 값의 저항이 병렬로 연결된 상황을 생각해보세요. 전압이 안걸립니다. 방전 저항 값을 작게 하면 FET를 빠르게 OFF 시킬 수 있으나 너무 작게 하면 아예 FET를 켤 수 없습니다. 그렇다면 R2를 변화시키면 VGS 파형은 어떻게 변화할까요? 머리 속에 감이오시죠?
1. 회로구성시에 함수발생기와 FET 사이에 연결한 IC소자가 뭔지 궁금합니다. 혹시 OP AMP 인가요? 4:16 2. 함수발생기 신호가 워낙 약해서 증폭용으로 사용한건가 싶어서요. -> 이제보니 OP AMP가 아니라 TC4420EPA라는 IC였네요. 이게 전류를 높게 공급해주는 소자네요. 보니까. -> 그러니까 함수발생기의 낮은 전류신호를 높은 전류신호로 증폭시켜서 바꿔주는거네요. -> 그러면 결국 이것도 모스펫이 되는게 아닌가요? 그런 궁금즘이 생기네요. 그나저나 이 소자공부를 좀더 해봐야겠습니다. 3. 만약 그렇다면 OP AMP로 신호 증폭하는 것도 영상 만들어 주시면 좋겠습니다. 4. 저도 함수발생기 이용해서 모스펫이나 기타 소자 실험할때 써먹게요. -> TC4420EPA 라는 걸 알았으니 함수발생기와 이 소자를 결합해서 유용하게 써먹으면 되겠네요. 5. 스위칭 주파수를 높이면 온오프신호에 지연이 생겨서 게이트 직렬저항을 낮춰야 하는데 드라이버 IC가 무리한 전류부담으로 인해 고장이 날수도 있다. 트레이드 오프관계란거다. 10:10 6. 그리고 FET는 용량이 증가할수록 커패시터 성분이 증가해서 요구되는 PWM 신호 드라이버 사양도 함께 증가해야 된다. 10:20 7. 모스펫 회로구성시에 게이트 연결저항의 역할로 인한 신호지연 이해에 많은 도움됐습니다. 감사합니다. 23.05.23(화) 8. 그리고 방전저항이란게 있다는 걸 처음 알았네요. 10KΩ 병렬연결한 저게 방전저항이었군요. 방전저항공부도 좀더 해봐야 겠습니다. 감사합니다. 23.05.23(화) 9. 그런데 tc4420epa를 찾아보니까 tc4420epa 보다tc4420cpa를 더 많이 찾는것 같던데 이유가 있나요? 제가 볼땐 tc4420epa가 더 특성이 좋은걸로 보이는데요. 특별히 tc4420epa를 쓰신 이유가 있으신가요? 10. 그리고 아래에 어떤분이 좋은 질문해주시고 좋은 답글 달아주셨던데. 11. 방전저항 전압이 낮으면 왜 모스펫이 안켜지나요? 전혀 감이 안오네요. 커패시터의 전하를 받아낸다는 건 이해가 가겠는데 그게 왜 모스펫이 켜지는 것과 관계가 있는것지 감이 도무지 않오네요!
3. opamp 는 전압은 증폭할 수 있으나 높은 전류 출력이 목적이 아니기 때문에 주의가 필요합니다. (높은 전류 출력이 가능한 opamp 도 물론 있습니다.) 9. 음.. 제가 보유 중인 부품을 활용한 것 외에 큰 이유는 없습니다 ㅎㅎ 11. 방전 저항을 극단으로 작게 할 경우 mosfet 의 게이트에 전압에 걸리지 않기 때문입니다. 일반적인 경우에 이렇게 쓸 일은 거의 없으므로 염려하실 일은 아니긴 합니다 ^^
![YoungBoy Never Broke Again - Missing Everything [Official Video]](http://i.ytimg.com/vi/dTYeMZGzOzw/mqdefault.jpg)
Mosfet으로 회로를 설계하는 과정에 많은 도움이 되었습니다. 감사합니다.
감사합니다 ^^ 행복한 주말 보내세요.
스위칭 주파수에 따른 VGS 지연 현상을 시각적으로 볼 수 있어서 인상깊게 배웠습니다. 감사합니다. ^^
^^ FET에 대한 모든걸 전반적으로 다뤄주셔서 감사합니다. 앞으로도 기대하겠습니다.
감사합니다. 좋은 내용 많이 소개해드리겠습니다. ^^
좋은 영상입니다.
데이터시트에서 Ciss가 뭔지 알게 되었습니다^^
단순 ON/OFF가 아닌 스위칭 시에는 꼭 고려해야 하는 항목입니다. 감사합니다^^
넘
잘듣고 도움이 되었씀다
좋은 강의 감사합니다!
감사합니다. 궁금하신 점은 편하게 알려주세요 ^^
1. 게이트 직렬저항(R1)을 키우면 시간지연 현상이 생긴다고 하셨는데, 그러면 R2(방전저항)도 시간지연 현상이 똑같이 생기는 거 아닌가요?
2. 게이트 직렬저항(R1)을 고정하고 스위칭주파수도 고정하고 R2를 변화시키면서 Vgs 파형을 측정 시에는 Vgs가 어떤 식으로 나오나요? 실험적으로 보고 싶습니다.
정말 좋은 질문입니다. ^^
1. 방전 저항을 사용하는 목적은 FET를 껐을 때 Ciss에 남아있는 전하를 방전하기 위함으로 저항 값이 너무 크면 역시 문제가 될 수 있습니다.
2. 그렇다고 방전 저항 값을 너무 작게 하면 FET가 안 켜집니다. FET의 입력 임피던스는 매우 높은데 여기에 병렬로 아주 낮은 값의 저항이 병렬로 연결된 상황을 생각해보세요. 전압이 안걸립니다. 방전 저항 값을 작게 하면 FET를 빠르게 OFF 시킬 수 있으나 너무 작게 하면 아예 FET를 켤 수 없습니다. 그렇다면 R2를 변화시키면 VGS 파형은 어떻게 변화할까요? 머리 속에 감이오시죠?
안녕하세요 혹시 pulse generator의 ground와 gate driver의 ground와 모스펫의 ground를 같은 ground로 사용해야 하는지 여쭈어봅니다
Gate driver의 ground는 gate driver를 구동시키는 입력 전원의 ground를 의미하는 것 입니다!
안녕하세요. 네 물론입니다. gnd 는 회로의 기준점이기 때문에 gnd 를 연결하지 않은 상태로 신호선만 연결하면 제대로 작동하지 않습니다. 말씀하신 것처럼 모두 gnd 를 연결해주어야 합니다 ^^
안녕하세요.
4pin 듀얼게이트 fet가 있는데 왜 게이트를 두개를 쓰는 이유가 있나요? 예를 들어 3sk73 같은...
선생님 컴푸터 메인보드 (d-pak) ( p-pak)은 어떤건가요?불량측정방법과양품측정방법영상좀 부탁합니다 .
안녕하세요. 보드 사진을 한 번 봐야 명확하게 말씀을 드릴 수 있을 것 같습니다. 부품 확대 사진 1장과 부품 주변 회로가 보이도록 사진 1장ㅈ을 찍어 보내주시면 확인해드리겠습니다.
@@LUDVIKPOWER p-pak 누군가 예기하기에 저도 어덯게 생긴지 모루겟습니다.다만 저가형 ecs컴퓨터 b75h2 m3메인보드 검색하시면 d-pak많이 보여요
fet 가 죽는 경우는 드라이버 ic 가 가장 큰 역활을 한다고 볼수 있나요?
그런 경우도 있겠지만 FET 자체가 죽는 경우도 많고, FET가 죽으면 드라이버가 같이 죽을 수도 있습니다
1. 회로구성시에 함수발생기와 FET 사이에 연결한 IC소자가 뭔지 궁금합니다. 혹시 OP AMP 인가요? 4:16
2. 함수발생기 신호가 워낙 약해서 증폭용으로 사용한건가 싶어서요.
-> 이제보니 OP AMP가 아니라 TC4420EPA라는 IC였네요. 이게 전류를 높게 공급해주는 소자네요. 보니까.
-> 그러니까 함수발생기의 낮은 전류신호를 높은 전류신호로 증폭시켜서 바꿔주는거네요.
-> 그러면 결국 이것도 모스펫이 되는게 아닌가요? 그런 궁금즘이 생기네요. 그나저나 이 소자공부를 좀더 해봐야겠습니다.
3. 만약 그렇다면 OP AMP로 신호 증폭하는 것도 영상 만들어 주시면 좋겠습니다.
4. 저도 함수발생기 이용해서 모스펫이나 기타 소자 실험할때 써먹게요.
-> TC4420EPA 라는 걸 알았으니 함수발생기와 이 소자를 결합해서 유용하게 써먹으면 되겠네요.
5. 스위칭 주파수를 높이면 온오프신호에 지연이 생겨서 게이트 직렬저항을 낮춰야 하는데
드라이버 IC가 무리한 전류부담으로 인해 고장이 날수도 있다. 트레이드 오프관계란거다. 10:10
6. 그리고 FET는 용량이 증가할수록 커패시터 성분이 증가해서 요구되는 PWM 신호 드라이버 사양도 함께 증가해야 된다. 10:20
7. 모스펫 회로구성시에 게이트 연결저항의 역할로 인한 신호지연 이해에 많은 도움됐습니다. 감사합니다. 23.05.23(화)
8. 그리고 방전저항이란게 있다는 걸 처음 알았네요. 10KΩ 병렬연결한 저게 방전저항이었군요.
방전저항공부도 좀더 해봐야 겠습니다. 감사합니다. 23.05.23(화)
9. 그런데 tc4420epa를 찾아보니까 tc4420epa 보다tc4420cpa를 더 많이 찾는것 같던데 이유가 있나요? 제가 볼땐 tc4420epa가
더 특성이 좋은걸로 보이는데요. 특별히 tc4420epa를 쓰신 이유가 있으신가요?
10. 그리고 아래에 어떤분이 좋은 질문해주시고 좋은 답글 달아주셨던데.
11. 방전저항 전압이 낮으면 왜 모스펫이 안켜지나요? 전혀 감이 안오네요. 커패시터의 전하를 받아낸다는 건 이해가 가겠는데
그게 왜 모스펫이 켜지는 것과 관계가 있는것지 감이 도무지 않오네요!
3. opamp 는 전압은 증폭할 수 있으나 높은 전류 출력이 목적이 아니기 때문에 주의가 필요합니다. (높은 전류 출력이 가능한 opamp 도 물론 있습니다.)
9. 음.. 제가 보유 중인 부품을 활용한 것 외에 큰 이유는 없습니다 ㅎㅎ
11. 방전 저항을 극단으로 작게 할 경우 mosfet 의 게이트에 전압에 걸리지 않기 때문입니다. 일반적인 경우에 이렇게 쓸 일은 거의 없으므로 염려하실 일은 아니긴 합니다 ^^
10k저항 을 1k로 낮추면 fet 캐패시터 영향 에서 훨씬 줄어들나요????
on 시의 FET 의 Ciss 는 미충전 상태로 임피던스가 낮으므로 1k 에 의한 영향은 적습니다.