정말 유익한 정보입니다. 감사드립니다. 소장님 그렇다면 Gate 저항이 낮은경우 Gate driver 가 잘 버틴다면 FET에게는 스위칭 손실이 없으니 무조건 좋은것인가요? Gate 저항이 낮아 FET가 빨리 스위칭 되면 Turn on이나 Turn off시에 FET에 스파이크가 튄다거나 하여 소손될 확률도 있을까요? 인버터 모터를 구동할때 FET가 간헐적으로 소손되는 경우가 이런 상황과 비슷한건지 궁금합니다.
안녕하세요 유투브 영상 잘보고 있습니다. 궁금한게 있어 질문 남깁니다. 게이트 차징 중에 Ciss가 게이트 저항을 통해 충전되고 방전되면서 On Off가 되는데 Coss는언제 쓰이나여? 처음엔 Ciss가 충전 시에 Coss가 방전시에 쓰이는건 줄 알았습니다. 또 한가지는 게이트 전류는 게이트전압/게이트저항 으로 알고있는데.. Ciss에 따라서 게이트 전류가 달라질 것 같은데 여기에는 Ciss가 변수에 포함이 안되어있습니다. 계산식이 따로 있나요? 감사합니다!!!
안녕하세요. 질문주신 내용에 답변드립니다. 1. Coss 가 크게 영향을 주는 부분은 주로 노이즈와 연관되어 있습니다. Coss 와 기생 인덕턴스로 인해 링잉이 생길 수 있습니다. 2. 네 Ciss 는 게이트 전류에 영향을 줍니다. 주파수에 따라 임피던스가 달라지기 때문에 이 점을 같이 고려해야 합니다. 계산 편의 상 영상에서는 고려하지 않았습니다. mosfet gate drive 와 같은 키워드로 검색해보시면 인피니언이나 도시바와 같은 회사의 자료를 찾아보실 수 있습니다 ^^
안녕하세요. 좋은영상 항상 감사합니다. 질문 있습니다. 1. 게이트저항 밑에 10k는 어떤 역할을 하나요?? 2. 저렇게 7번 6번 출력을 묶어버리면 Vg는 두 파형(6번, 7 번)이 합쳐진 값으로 나오나요? 예를들어 6,7번이 10V 0V 10V 0V이면 합쳐져서 20 0 20 0으로 나오나요??
1. 게이트에 연결된 10K 저항은 방전용 저항입니다. FET의 게이트는 C 성분이 있는데, 전원을 인가한 후 전원을 제거해도 이 C 성분에 전하가 남아 있으면 FET가 제대로 OFF되지 않게 됩니다. 이를 방지하기 위해 C 성분에 대한 방전을 위해 저항을 달아줍니다. 2. 6번과 7번을 묶은 것은 병렬 효과를 보기 위함으로, 전압이 2배가 되는 것이 아니며 전류를 2배로 줄 수 있게 됩니다. ^^
직렬저항과 지연시간이 비례하는 것을 직관적으로 배울 수 있었습니다. 감사합니다. ^^
감사합니다 ^^ 추후에 뵐 수 있으면 좋겠습니다. 행복한 밤 보내세요.
좋은 자료 감사합니다. 모스펫 종류별로 차이가 있겠지만 SIC소자들도 큰틀은 차이가 없을까요?
정말 유익한 정보입니다. 감사드립니다. 소장님 그렇다면 Gate 저항이 낮은경우 Gate driver 가 잘 버틴다면 FET에게는 스위칭 손실이 없으니 무조건 좋은것인가요?
Gate 저항이 낮아 FET가 빨리 스위칭 되면 Turn on이나 Turn off시에 FET에 스파이크가 튄다거나 하여 소손될 확률도 있을까요?
인버터 모터를 구동할때 FET가 간헐적으로 소손되는 경우가 이런 상황과 비슷한건지 궁금합니다.
좋은 자료 감사합니다
너무 유익하네요.. 소중한 지식공유 감사합니다!
감사합니다 ^^ 좋은 정보 많이 공유해드리겠습니다.
양질의 정보 정말 감사합니다!!!
안녕하세요 유투브 영상 잘보고 있습니다. 궁금한게 있어 질문 남깁니다. 게이트 차징 중에 Ciss가 게이트 저항을 통해 충전되고 방전되면서 On Off가 되는데 Coss는언제 쓰이나여? 처음엔 Ciss가 충전 시에 Coss가 방전시에 쓰이는건 줄 알았습니다. 또 한가지는 게이트 전류는 게이트전압/게이트저항 으로 알고있는데.. Ciss에 따라서 게이트 전류가 달라질 것 같은데 여기에는 Ciss가 변수에 포함이 안되어있습니다. 계산식이 따로 있나요? 감사합니다!!!
안녕하세요. 질문주신 내용에 답변드립니다.
1. Coss 가 크게 영향을 주는 부분은 주로 노이즈와 연관되어 있습니다. Coss 와 기생 인덕턴스로 인해 링잉이 생길 수 있습니다.
2. 네 Ciss 는 게이트 전류에 영향을 줍니다. 주파수에 따라 임피던스가 달라지기 때문에 이 점을 같이 고려해야 합니다. 계산 편의 상 영상에서는 고려하지 않았습니다. mosfet gate drive 와 같은 키워드로 검색해보시면 인피니언이나 도시바와 같은 회사의 자료를 찾아보실 수 있습니다 ^^
Vgs의 충분히 높은 전압을 줄 수없는 이유는 그만큼 저항을 높은걸로 써야하고 이에 따른 지연시간이 생기게 되서 그런건가요??
안녕하세요, 영상 감사합니다. 게이트의 경우 입력전류가 매우 작은 것으로 알고 있고, 따라서 W가 작은 저항을 사용해도 되는 것 아닌가요? 아래 문의된 Ciss 때문에 큰 W의 저항을 사용해야 하는지 알고 싶습니다.
단순 ON OFF 면 큰 상관이 없으나, 고속으로 반복해 스위칭을 할 경우에는 0.5~2W 의 저항을 사용해야 할 수 있습니다.
소장님~ 게이트 저항의 용량(watt) 선정은 어떻게 하는지 궁금합니다. Ciss의 용량과도 관계가 있을것 같기도 한데요... 실무적으로 정확한 용량 선정 방법을 알고 싶습니다^^
네. Ciss 와 물론 연관이 있습니다.
정격에 관한 부분은 영상으로 다루기에는 어려운 부분이 있어 자료를 소개해드리는 편이 좋을 것 같아 카페에 업로드했습니다. 읽어보시면 도움이 되실 듯 합니다. ^^
안녕하세요. 좋은영상 항상 감사합니다. 질문 있습니다. 1. 게이트저항 밑에 10k는 어떤 역할을 하나요?? 2. 저렇게 7번 6번 출력을 묶어버리면 Vg는 두 파형(6번, 7 번)이 합쳐진 값으로 나오나요? 예를들어 6,7번이 10V 0V 10V 0V이면 합쳐져서 20 0 20 0으로 나오나요??
1. 게이트에 연결된 10K 저항은 방전용 저항입니다. FET의 게이트는 C 성분이 있는데, 전원을 인가한 후 전원을 제거해도 이 C 성분에 전하가 남아 있으면 FET가 제대로 OFF되지 않게 됩니다. 이를 방지하기 위해 C 성분에 대한 방전을 위해 저항을 달아줍니다.
2. 6번과 7번을 묶은 것은 병렬 효과를 보기 위함으로, 전압이 2배가 되는 것이 아니며 전류를 2배로 줄 수 있게 됩니다. ^^
@@LUDVIKPOWER자세한답변감사합니다. 혹시 카페에 driver관련 회로 올렸는데요 조금봐주실수있나요?
카페에 답글 달았습니다 ^^
제가 이영상을 빨리봤어야했습니다.
회로에 게이트 저항없이 풀다운 저항 10k만 추가되버려서... 으아
게이트 드라이버나 fet가 폭죽이 되니 주의하세요 ㅎㅎ
@@LUDVIKPOWER 답글 감사합니다. 질문이 또있는데 그래서 10k풀다운을 떼어내고 드라이버 출력과 게이트사이에 10k를 넣었습니다. 17khz저속 pwm을 쓰는데 아직까진 이상이 없어보입니다. 완전한 고출력은 테스트를 안해봤지만 저항을 교체해야할까요?
@@박성재-z7r 10k 저항 양단 전압을 한번 측정해보세요. FET 와 드라이버에 따라 차이가 있지만, 딜레이가 있는 것이 보이실거에요. 100옴 정도로 낮추더라도 아무런 문제 없고, 더 낮추어도 됩니다.
@@LUDVIKPOWER 다시 질문드려서 죄송하지만 방금 고부하 테스트를 진행했습니다. Mosfet에 24V공급하고 게이트로 12V를 공급했습니다. 그런데
부하 양단에 12V밖에 안걸립니다. 이건 어떤현상일까요? 게이트 저항은 10k 그대로입니다. 딱히 파형이 무너지는것 같진 않아서요..
@@박성재-z7r 회로를 봐야 알 것 같습니다. ^^ 유튜브가 댓글이 최초에는 알림이 나오는데 거기에 답글을 달아주시면 알림이 안 나옵니다. 카페에 회로 이미지와 함께 올려주시면 보기 편할 것 같습니다.