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我以前曾經多次討論過Samsung各製程節點的發展路線狀況，依照Samsung過去的規畫與企圖都是採跳躍式激進方式進行，主因就是台積電製程技術領先所帶來的壓力所致。 Samsung 前年及去年先後打算在5年內超越台積電的未來整個技術節點前進路線規畫如下:2022~2023年 SF3E (原3nm製程初始版3 GAE)2024~2025年 SF3 (原3nm製程量產版 3GAP)2025~2026年 SF3P(原3nm製程版 3GAP增強版)，SF22026~2027年 SF2P2027~2028年 SF1.4 可是到今天2024年快要走完，Samsung 依然無法達到高良率量產的3nm製程節點SF3，那麼以此技術節點作基礎的後續SF3P也就跟著黃了，這跟台積電早已經量產的3nm能比個毛去?再者，先不管兩家的量產能力與良率，不要以為Samaung的3nm GAA技術是與台積電的FIN FET 3nm都是叫3nm製程，就以為都是一樣的? 比比看兩家3nm 製程節點的 晶片PPA (Performance，Power，電晶體密度)就知道誰的3nm技術更強了。 Samsung的2nm GAA製成基本上就是其3nm GAA的延伸，如果3nm GAA都做不好，那麼就別指望Samsung的2nm GAA就能作好。而更恐怖的是未來的1nm CFET製程，也就是把GAA n-FET放在p-FET上面的 3D CFET 1nm技術，它也是以基本的GAA作基礎，所以Samsung能看好其未來的技術嗎? 當Samsung自今年以來在技術上卡在了3nm GAA而無法往前推進時，Samsung就停住了它在美國廠的進度，並且縮減了其在平澤的那個世界超級大廠的擴廠計畫，反而開始裁員。 Samaung何時啟動這兩個廠與研發為主的華成廠擴建，你才能知道Samsung 3nm與2nm技術問題是否已經解決，否則就不要被任何帶風向的給偏了方向。Samsung先後有兩個方向來追台積電，一是在2022年早先台積電用GAA製作3nm晶片，而談機電則式依然使用FIN FET生產3nm晶片時，講白了Samsung這就是想彎道超車台積電 我在2022時就說過，依照當時的GAA技術依然面臨著許多的理論，技術，設備與材料等問題，想做好GAA幾乎是不可能的任務，包括IMEC，Intel也都面臨著同樣的難題，也只有Samsung敢一頭栽進去，結果一點也不意外就是翻車。Samsung另一個方向就是想利用各家同時能拿到Hi-NA EUV時，藉此設備能讓Samsung在2nm，乃至未來的1nm製程能與台積電有個同時起步競爭的機會，包括Intel也是做同樣的想法，結果卻是台積電不用到Hi-NA EUV在2nm製程上，而是採用MP技術搭配一般的EUV就能量產2nm與A16晶片，到此Samsung與Intel也只能認輸台積電的實力了。
@samtsou 謝謝你分享的資訊。
你是拿FIN的良率对比GAA，这样是不公平的。FIN再好，可惜尽头只在3nm。3nm之后，就是比gaa。台积电会重新走一趟samsung在gaa研发的老路，samsung却己经先走了两年。
死在沙灘上的先行者，比比皆是。 最後的性價比為 市場之王
@@ngovincent495 先走但失敗也枉然 😂
@@ngovincent495 只是纖產品化不代表先走兩年。台積其實GAA幾年前就一直在研究GAA，起碼那時候就已經看到N2的lot了
目前，台積電佔 GAA 相關專利申請的 31.4%，其次是三星電子（20.6%）、IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。
感謝曲博的詳細解說!!
謝謝你的支持！
謝謝！
感謝曲博的科普!!
感謝曲博把如此深奧的科技解釋的淺顯易懂，如果還能看出三星的高能耗問題是什麼原因造成的就更好了，GAA的水看來還很深阿
我覺得英特爾的結局也會和三星差不多, 如果英特爾最先進的18A製程進度良好,英特爾董事會也不會逼季辛格下台了,用常理就可以直接判斷英特爾最先進的18A製程進度的大致情況;英特爾晶圓代工製造暨供應鏈主管錢德拉塞卡蘭（Naga Chandrasekaran）說:儘管面臨困難和技術問題，英特爾在18A先進製程上的進展一如預期，已達成好幾個里程碑；現在這個製程沒有重大難題，剩下的問題是須克服"良率及缺陷密度（defect density）"等挑戰;我覺得這位 Naga Chandrasekaran根本就廢話連篇,在晶片製造中 良率本來就是最核心關鍵的關卡
@yuio823 你說的對，英特爾跳過20A直接做18A和三星跳過3奈米直接做2奈米是類似的，就是做不出來，季辛格把幾千萬丟進先進製程，而不是晶片設計，根本就是錯誤的方向，我之前就拍片講過了！Intel拆分晶圓代工與IC設計，是好是壞？ruclips.net/user/shortsQLQ-KKt2FBw
好烧脑，来来回回 反复地看，好在曲博讲得超详细，看懂了大部分
@kennyy321 讚唷！我其實重講了好幾次再剪接起來的，真的不容易解釋。
超清晰的GAA剖面！感謝曲博
曲博把这节目做的非常生动有趣，可以看出要真正解决问题很辛苦
1.這一集的切片分析非常有趣，比較好奇的是閘極周圍顯示的不均勻是否是切片過程造成？2.切片樣品的對準度很驚人，截面積差異不知道是設計為之還是光罩差異？又或者是製程先後的差異？三星的切片樣品真的讓人感到大開眼界，非常感謝曲博的介紹。
@python4541 這裡的截面積差異是指NMOS和PMOS的電子通道截面積大小不同嗎？
@Ansforce 是的，請問這個差異是如何造成的呢？
@@python4541 光罩上面的布局影響的是水平面, 磊晶與蝕刻影響的是垂直面, 看你講的截面積差異是在水平方向還是垂直方向
感谢您的解释！ 只是一个简单的题外话问题： 我的OKX钱包里有USDT，并且我有恢复短语. (alarm fetch churn bridge exercise tape speak race clerk couch crater letter). 我该如何将它们转移到Binance？
有TSMC 的GAA 進度嗎? 我記得也研發成功了 但良率未知
三星很難很難追上喔！ 因為台積電有 Cowos 才不會發熱 。
2奈米才會用，三星3奈gaa還不行
@@超級塞郎-p8bcowos 只是推叠更有效率.要不發熱要用GAA.台積電還沒有量產.但華為mate 70 巳推出市塲了。
終於看到 GAA 切片了 😄
只知道in wafer良率沒用，還要考慮spec怎麼卡，如果卡太鬆performance不好也沒用
謝謝老師，受益良多.....
給汎詮鼓掌，超清晰報告證實通道 5nm
謝謝曲博精彩的說明👍
請問曲博提到的FINFET/GAA相較平面結構擁有更強對gate加電減小漏電流的能力，是否意味著MOSFET是always on的，即gate不加電的時候SD之間通道打開，加電時才會關閉？
一般的狀況是不加電壓不導道代表0，外加電壓才導通代表1。
所以說常講的FINFET/GAA透過增大接觸面積加強對溝道的控制能力也還是對1的增益。那對0時漏電流的減小是透過FIN/NW/NS來耗盡bulk表面的載流子（類似SOI？）還是說可以利用立體結構在某些pitch沒有減小的情況下scale down？
@@yiyangQWERTY 短通道效應不是只有漏電而已，我一般只講漏電是因為大家比較容易理解，短通道效應會造成的問題主要包括閾值電壓隨著溝道長度降低而降低、漏致勢壘降低、載流子表面散射、速度飽和、離子化和熱電子效應等，總之增加接觸面積可以改善這些問題。zh.wikipedia.org/zh-tw/%E7%9F%AD%E6%B2%9F%E9%81%93%E6%95%88%E5%BA%94
瞭解，感謝曲博
想請教PMOS截面不比NMOS大 同樣三層通道要如何做到電流匹配
我認為截面積不同是因為電子和電洞在通道的載子遷移率不同，移動快的截面積小，移動慢的截面積大，所以那個尺寸是刻意設計的，才能做到電流匹配。
@@Ansforce 不好意思問一下,對NMOS而言，多數載流子是電子；對PMOS而言，多數載流子是電洞,電子的載子遷移率比電洞大所以為何PMOS截面會比NMOS大? 是我哪個觀念沒搞對?
目前來看 3 奈米好像是 台積電 囊括 100% 訂單 ， 低於 3 奈米的 ， 好像也是 台積電 接單 ， 目前要被追上至少要 5 年起跳了吧？ 想超越更是困難 。
@超級塞郎-p8b 差不多是這樣了！
台積電三奈米沒有用GAA.未來AI 晶片極需要GAA
通道寬度 5nm 不是 3nm 材料用上鋁-鈦-鉿.. 我還是不相信，電子會乖乖鑽入GAA 窗口，肯定穿隧效應，漏電氾濫，照樣 火龍 8 發燙 45 度。
鋁比銅更抗化學腐蝕三星也是不得已,穿隧是可能鋁缺點也很明顯熔點較低~應該是為了先生產出成品選擇
實驗室產品消費者目前並沒有有感GAA的優勢當年INTEL吹的10G頻率的風冷在那？
請問3nm以下GAA製程要配合背面供電技術嗎?台積電的2nm是不是已經用GAA試產中?背面供電良率高嗎?感覺比原本的後段製程難度高很多
要不要用背面供電是廠商自己決定的，台積電2奈米製程沒有用，要到A16才有用，台積電2奈米聽說良率還不錯。
(1) 三星GAA量产进展：三星在3纳米制程节点率先采用GAA（环绕闸极场效电晶体）架构，早在2022年就开始量产，并在2024年首次将GAA技术应用于消费电子产品，例如Galaxy S7的处理器。(2) GAA技术优势：GAA通过全方位包覆电子通道，大幅减少漏电现象，相较传统FinFET架构提升了效能与能耗表现。这种技术解决了短通道效应，推动了晶体管架构的革命性演进。(3) 技术挑战与优化：尽管GAA技术具有先进性，但其制程复杂且面临技术良率的挑战。三星通过扫描式电子显微镜（SEM）和穿透式电子显微镜（TEM）等高精尖技术进行优化和验证。(4) 竞争态势：台积电目前在先进制程领域占据领导地位，但三星的GAA量产时间较长，展现出强劲的技术能力。双方在下一代制程节点上竞争激烈。(5) 应用与成果：三星的GAA技术应用于加密货
謝謝你的補充。
三星吹牛習慣了，太多例子，現在3奈米完全翻車，一堆主管欺騙良率被究責，要追到有錢有干的台積電,很難
三星再執迷不悟的話，恐怕命不久矣。 目前看是有醒了
12/4 有外媒報導 "三星代工解散開發部門 可能放棄2奈米生產"標題: Samsung Foundry disbands development division, possibly giving up on 2 nm production
可以請曲博分析google的量子晶片，未來的影響和對台灣的影響，謝謝🙏
@arielliu3849 那篇Nature的論文我找到了，不過要花時間研究一下。
@ 感謝🙏
學術理論 與量產有很大落差
目前看起來，短期還沒有公司追的上台積電
別說製程~ 連先進封裝都是台積電一枝獨秀~ 其他的技術應該是太貴了~ 貴到沒人要用
刚才看了一个播主拆解华为Mate70的视频，那个布局和产品总体设计真的到了别的厂家不及的水平，播主察看了9020的大小和厚度，也对比了9020、9010、9000s和苹果及高通的芯片的启动反应速度，播主说9020的平面和厚度都比9000s有变化，说明9020的封装结构比9000s复杂，9020的启动速度比对比的芯片要快至少1秒以上，说明电源供电有创新。
@richardliu4939 能不能把連結給我參考一下？
系统设计牵扯到的方面很多，不只是芯片工艺，要讲需要很多视频。而且因为政治原因，华为不会放出多少资源让你分析
@@Ansforce ruclips.net/video/LGaSLxaxAls/видео.html ruclips.net/video/URbZd7bkWes/видео.html
@@Ansforce 抖音小米k80的骁龙8gen4,玩个妄想山海都稳不住60帧，mate70居然能在90帧我想知道这是为什么呢？
@@Ansforce 臺灣媒體人呂國禎到深圳探訪過華為自建的三個晶圓廠，華為手機芯片是不是自己生產的？
台積電是不可能被超越的😎
太积电未来的对手是大陆，什么美国韩国都不够看😊😊😊
曲博你好 台積電曾經說過從5奈米製程開始,很多設備的參數設定都必須要使用AI去訓練學習才能得到可以迅速提高生產良率的設定參數,所以我認為如果英特爾缺乏20A製程的晶片高良率量產資料去讓AI去進行訓練學習,那麼18A製程的晶片量產良率將會很難有效提升,這也是為什麼我也認為日本的Rapidus 所謂2027年量產2奈米製程晶片基本上就是在吹牛的原因
@yuio823 這個有可能呀！
5nm 才用 AI 是保守的說法. 在所謂的成熟製程大家就開始用 AI 相關的技術了, AOI 量出來數據丟給 AI 去抓缺陷比人快又準確, 製程累積的數據直接丟給 AI, 取代一直靠 SPC 去計算精確度與標準差來回饋製程調整, 已經變成一般的製造廠的基本要求, AI不是只有半導體才需要, 只要是自動化的工廠就通通都需要
鰭片形狀如果由長方形改成多邊形接觸面積不就更多了嗎?雖然可能是蠢問題,但我還是想知道是可行還是不可行?
做不出來，若你去看TM會發現其實鰭片都是橢圓形接近菱形的感覺
@@chenenjoytheluxury2668 了解!感謝!
製作會非常困難
@tzu-wenwang7779 由長方形改成多邊形，你的想像力很豐富代表很有創意，這是稱讚，不過@chenenjoytheluxury2668說的對，製程上做不出來，看一下GAAFET下方的鰭片其實不是長方形，蝕刻後形狀沒有很正。
如果切分成多個圓柱體？
@曲博科技教室 有人説三星不可能會東山再起了 死透了 你個人怎麼想呢？
是死定了~ 台積電整桌端走~ 本來就是三星吃過河~ 三星是強在記憶體~ 台積電是強在代工~ 是後來智慧型手機崛起後代工市場高成長~ 三星才開始要進來吃這塊餅~
完全沒有解析PPAC，更不用說解析為何三星良率不好可能的瓶頸，只是切切TEM 打打EDS ，這分析也太沒深度，基本上就是外行看熱鬧的分析....泛銓的分析能力也就這樣而已...！
PPAP?
他的程度只能唬唬外行人，用標題騙騙點閱率而已
@詹醬油-k2y 他指的應該是Power、Performance、Area、Cost，汎銓是做材料分析(MA)的廠商，這篇文章本來就是在介紹MA，如果汎銓有做PPAC也不一定會公開，這沒有什麼奇怪的。
@@gululin5183我也是這樣覺得
欸！奇怪，不用錢的，曲博用心整理出來的資料教社會大眾科普是讓你們這些酸民酸的嗎？有本事就幫忙增加補充資料讓大家多了解.
曲博可以分析一下華為11月22日的GAA專利嗎？有分析師說華為最新9020晶片也是用GAA技術量產？
好像才剛上市，等幾週說不定會有國外的科技媒體拆解晶片的報告。
No，下一代
是下一代要用的
三星技術14 NM就是上限沒有自己的量產良率技術
好像良率有六成左右
曲博，怎麼看華為最新GAA專利。
@c-f9o-u4l 有專利也要有設備才能做出來，其實GAA可以尺寸大一點所以華為去申請專利並不意外，三星GAA的關鍵尺寸其實不小唷！
@@Ansforce 有人拆封mate 70 pro,發現其芯片尺寸大了還厚了。有人測其性能，開了十個遊戲，很流暢，溫度也不高，華為是怎麼做到的
@@c-f9o-u4l 华为芯片变大是集成太多功能模块了，现在把卫星通讯模块都集成在一块芯片上
@@c-f9o-u4l针对应用的优化和针对跑分的优化之间的区别
@c-f9o-u4l 華為的手機功能其實很多，應該是整合很多功能，晶片尺寸變厚那應該是用先進封裝去堆疊晶片，如果你們有看到華為比較詳細的規格和介紹可以把網址分享給我研究看看，謝囉！
前兩年有看到大陸在吹，"立起來"的電晶體架構，說這樣製作的難度可以降低，不知道真假?
垂直結構比平面還難，不然GAA早就做了，幹嘛拖到3nm還用FinFET (垂直結構較GAA簡單)。
@@歸虛 這就是CFET，台積已經在研究了
@歸虛 我猜也是指CFET，台積已經在開發了，可以參考這個影片：深度解析台積電2023北美技術論壇！台積電即將面臨哪些挑戰？ruclips.net/video/1pvZnd_tLq8/видео.html
@@Ansforce 感謝~~
@@chenenjoytheluxury2668 感謝回應~~
曲博就是個說書人 去年還說比特幣是泡沫 現在再創歷史新高 身為科技人工程師 還是建議曲博回去教書吧 資本市場完全不在行
@jy1047 我從頭到尾都只說比特幣是龐氏騙局，我什麼時候說比特幣是泡沫了呀？我的影片都在這裡，你只要找到任何一部說比特幣是泡沫我立刻道歉更正唷！ruclips.net/p/PLLFCC3QJecRPt2gTdhwDiQoQ9jYafL0tf&si=jAMNgOVTo8mWhEY6恰好相反，我早就預測比特幣會成功，理由在這裡，看起來你太少看我的影片了！以後要看的更用心唷！比特幣會成功！曲博認為的三大理由？ruclips.net/user/shortsWXXRpJO1dmA川普終於覺醒，錢用圈的比較快！ruclips.net/user/shortsgibzvMSnkVY
已經生產了兩年，良率提升了多少？
mate60系列销售了1700台，pura70系列销售了650万台。这样的销售量，良率就是信息误导的产物。而且从公司财报，也能分析出华为芯片制造的良率，不输台积电。
@jshw-zx9sm 那麼說好的「三折疊機銷量600萬台」呢？
@jshw-zx9sm mate60用的，是華為自己製造的晶片嗎？
@jshw-zx9sm pura70系列，4月推出，7月就調降500~1000元，為什麼？不就是用政府補貼搞價格戰嗎！
@@qwerty841120国补购机，苹果，小米，vivo等所有手机品牌，都可以享受的优惠购机补贴。不限品牌。
良率這麼可笑那不叫量產實驗室做出來算數那台灣也早就做出來了啦
好高深
請教 曲博 ；突然想到至今三星電子沒有說明自家的 “晶背供電技術” ，是因為技術能力不足造成的關係嗎？？？
@@武至偉 8成是
沒錢燒下去了，玩不了
三星？算了吧，良率低下，完全就是自產自銷，不是對手
良率低還有翻身的機會~ 他的問題在於良率低還漏電嚴重~ 尤其是製程進入5奈米以後~ 漏電嚴重導致耗電又發熱~ 高通因此不得不轉單給台積電~ 三星手機市佔率全球第一~ 高通跟三星策略聯盟~ 高通給三星代工~ 三星海外的旗艦級手機用高通的SOC~ 本來是雙方得力的結盟~ 良率低三星可以吸收~ 把客人穩住再盡快改善良率~ 漏電發熱可是致命性問題~ 尤其是對行動裝置~ 三星會搶先用GAA技術不是他們厲害~ 台積電的GAA專利比三星多不少~ 沒有用是還有問題未能克服~ 三星不得不用~ GAA的技術理論上可以減少漏電發熱
炸雞
三星有手機早靈先台積電了，台積電敢作手機嗎可悲啊？😅
台積電連珍珠奶茶都不敢做~ 即便下去做也賺不到錢~ 這行業已經競爭過度激烈~ 台積電嘛~ 貪婪的只做毛利高的晶片代工~ 很貪心~
感覺都是物理和化學
@woodfire7744 哈！是呀！半導體製程本來就是物理和化學。
先不說汎銓和曲博的介紹有沒有用，這篇影片出來三星大概會森77吧，汎銓和曲博的影片說不定都會被三星要求下架，且看且珍惜吧
為什麼三星要生氣，這篇文章證明了三星的GAA順利量是產了呀！
留言出現過泛銓，汎詮，還有你寫的汎銓。害我去重看了一下影片，只有你打對名字😂
生氣甚麼??? 又不是寫小說的~ 是做半導體~ 產品出來就一翻兩瞪眼~ 真的好~ 高通~輝達~蘋果~AMD..早都3奈米的訂單給三星了~ 別說高通等都不識半導體~ 或者高通等都認台積電為爺爺~ 必須孝順~
感謝🙏曲博士的介紹讓大家都知道清楚分析原來三星製程的精度只有5nm水準
@sarsdpp9569 其實所謂的3奈米只是商品名稱，不是實際的尺寸。
整天唱衰台積電，之前說英特爾多強，打敗台積電出來道歉
@叫小賀-b1w 介紹三星的GAAFET哪裡唱衰台積電了？你夢到的是不是呀？
是炸雞
如果简化来说，这几年台积电能胜出，关键只有两个，(1)比对手先用EUV和(2)用对了finfet在3nm。并不是因为它比较适合代工，台湾人比较能吃苦加班，或技术领先。2nm之后，是新战场，比的是gaafet和封装技术。其实，我在等blackwell，现在大家知道它delay因为台积电的cowos L做不到，如果它改封装方法或让其它公司封装，就证明cowos L不行，到时候股价可能会崩。Note: cowos L对比intel EMIB
台积电是台湾人的精神支柱，是绿媒大内宣的原点，是台股的支撑。没了台积电台湾人怎么活？😂😂
大家知道是哪來的消息，問題一直都是過熱，晶片過熱機櫃過熱，但目前都算解決了，gb200 樣機都出不少了吧，馬斯克也要搶。
分析的超爛到底在講什麼一點都不專業
@Rwey-yc7bc 說的太有道理了！能不能再指出來哪裡一點都不專業呢？如果能指出來就代表你很專業唷！
真不好
台積電有GAA專利而巳.並沒有量產.華為mate 70 用GAA技術巳推出市塲了.另外.台灣人越吹高台積電.trump 越積極要食了它.這又是令吃瓜群衆覺得這戲太好看了。
華為mate 70用GAA有相關的資料可以參考嗎？我認為不可能，華為現在做7奈米製程需要的是提高良率降低成本，怎麼可能去用那種成本高又不成熟的GAA製程？
@Ansforce 你知道用了GAA手機會有什麼特別的表現.特別適合用在AI 晶片嗎？這是很重要的技術.不然美國不會特別挑出來阻止中國發展。建議你去了解一下這是什麼技術.
@@bphau9313 輝達不是做AI晶片的??? 怎給下單給台積電用FINFET??? GAA是為了減低穿隧效應防止漏電發熱~ 尤其是製程越細時電路的穿隧效應會越嚴重~ AI是靠電路設計和軟體設計~ 與GAA無關
@hschen-p3r Finfet 不是不能用.Ai晶片也能用.只是漏電而巳.越厲害的AI.發熱就越厲害.所以未來晶片一定走向gaa.這是走向未來的科技.不然六月美國為何點名中國大陸不能發展gaa 尖端晶片科技,說要提高大陸發展AI的困難？
@@bphau9313 你電路多細??? 要用到GAA~ 路邊電線一堆~ 沒一個用GAA~ 電壓再高也不會漏電
有點騙流量 講了半天沒什麼重點，一直講這個是什麼那個是什麼還有AABBCC, 然後呢？沒解密什麼良率差的原因？結論是三星有GAA, 台積電不能放鬆？ 阿不就屁話....誰不知道先進半導體沒人在躺平的？幫大家省流：GAA跟FinFet不一樣，三星先用GAA,台積電也要用，沒了. 沒什麼真正重點還以為有啥獨到見解，居然講了快半小時，超浪費我時間如果是給外行看熱鬧，3-5分鐘就該講完
@waffenss1234567 你讀書都是這種態度唷？只想聽小道消息，都不想好好把原理學起來嗎？
三星的問題在於良率低還漏電嚴重~ 尤其是製程進入5奈米以後~ 漏電嚴重導致耗電又發熱~ 高通因此不得不轉單給台積電~ 三星手機市佔率全球第一~ 高通跟三星策略聯盟~ 高通給三星代工~ 三星海外的旗艦級手機用高通的SOC~ 本來是雙方得利的結盟~ 良率低三星可以吸收~ 把客人穩住再盡快改善良率~ 漏電發熱可是致命性問題~ 尤其是對行動裝置~ 谁用誰死~ 高通不想死~ 三星會搶先用GAA技術不是他們厲害~ 台積電的GAA專利比三星多不少~ 沒有用是還有問題未能克服~ 三星不得不用~ GAA的技術理論上可以減少漏電發熱
說實話~ 台積電的研發都比別人早~ 投入多~ 且人才濟濟~ 三星那麼窮~ 窮就可憐了~
@@Ansforce其實我也看不太懂‘但是還是要給個讚’因為有看得懂的人‘應該獲益良多。
沒有良率資訊等於沒說……..唉
這是不能說的秘密
抄泥馬驅蟲
你在上課ㄇ
是呀！
晚上物理上的領先了
你的晶體可以炸雞？別鬧笑話，打字幕的小編找專業理工吧！自己看看鬧多少笑話。
@jerrylee3783 別鬧了啦！那是AI生成的字幕，就是要看看大家有沒有認真聽呀！不錯哦！你有認真。
@@Ansforce 你那是那個破AI軟體~ 無法識別上下文的涵義~ 只會從字庫找到與語音相符的常用名詞"炸雞"~ 字庫裡沒"炸機"
台機電未來最大的對手不是華爲也不是三星。而是日本。
美國。
@林振隆-z4n 是的，你是內行的。
日本和德国是一个路子，和台积电不是一个赛道的。他们手握特级一级硅料，只要台积电想在先进制程上进步就要被他们收割
當企業看似無敵時.自大自滿就是最大的敵人.希望TSMC能以英特爾,柯達為戒.
@@Ansforce 日本不行的~ 別說代工~ 連早年日本的強項記憶體都被韓國打死~ 也不知道你那隻火眼金睛看出日本行? 半導體設備和材料確實強~ 但製造不行了
標題黨+說廢話
笑死你行NISSAN
你不是一直說唱旺中國會跟上來？唱衰台積電？結果咧？你那麼喜歡看好中國幹嘛待在台灣，去對岸發揮你的專長阿
@luciouschen 天天在那裡唱旺來唱衰去的，你是有被迫害妄想症唷？了解競爭對手本來就是每間公司都要做的事，不然汎銓幹嘛去分析三星的晶片？
你這反間能力太差，曲博高智能人士不會上你當。😂
@ 一個沒什麼工廠實務經驗光講理論的外省姓單一領域陽春博士，智能有沒比張忠謀高我是不知道，可以確定他一定搞不出台積電這種公司，就算他再專業，一個書袋子而已
@karaciao6896 我在外商公司14年跑過多少工廠，你要不要查一下我的背景在來嗆聲？快笑死了現在都民國幾年了什麼叫外省姓？台灣有誰不是外省姓？在台灣只有原住名不是外省姓，你是原住民嗎？
怎麼有刷條碼的跑來亂，笑死
只知道目前南韓戒嚴XD
良率只有兩成，居然叫能量產，連三星自家手機晶片都找台機代工了，區博無知到如此地步...
@雨行者 我有說三星的良率很高嗎？人家手錶都量產了就算量產了呀！
你有看完影片嗎?
你有事嗎？還是有聆聽的障礙？
@@sopu11s 自戀的無知者
就是有呆子影片不看完亂噴，被啪啪打臉了吼？😂
危言聳聽
哪一句？
如果是常看曲博的人，前面七分鐘其實可以直接略過
整天唱衰台積電
你也發現了
居安思危警惕每一個對手 務實
你这种人没有危机感
@@歸虛 從五百唱衰到現在一千了
曲博又沒唱衰台積電，人家只是講三星環繞閘極的技術進度如何而已🤣🤣🤣🤣🤣🤣🤣🤣
三星早就死了，，這兩年必倒。
笑死，我跟你賭1萬台幣敢不敢？三星兩年內不會倒閉
我以前曾經多次討論過Samsung各製程節點的發展路線狀況，依照Samsung過去的規畫與企圖都是採跳躍式激進方式進行，主因就是台積電製程技術領先所帶來的壓力所致。 Samsung 前年及去年先後打算在5年內超越台積電的未來整個技術節點前進路線規畫如下:
2022~2023年 SF3E (原3nm製程初始版3 GAE)
2024~2025年 SF3 (原3nm製程量產版 3GAP)
2025~2026年 SF3P(原3nm製程版 3GAP增強版)，SF2
2026~2027年 SF2P
2027~2028年 SF1.4
可是到今天2024年快要走完，Samsung 依然無法達到高良率量產的3nm製程節點SF3，那麼以此技術節點作基礎的後續SF3P也就跟著黃了，這跟台積電早已經量產的3nm能比個毛去?
再者，先不管兩家的量產能力與良率，不要以為Samaung的3nm GAA技術是與台積電的FIN FET 3nm都是叫3nm製程，就以為都是一樣的? 比比看兩家3nm 製程節點的 晶片PPA (Performance，Power，電晶體密度)就知道誰的3nm技術更強了。
Samsung的2nm GAA製成基本上就是其3nm GAA的延伸，如果3nm GAA都做不好，那麼就別指望Samsung的2nm GAA就能作好。而更恐怖的是未來的1nm CFET製程，也就是把GAA n-FET放在p-FET上面的 3D CFET 1nm技術，它也是以基本的GAA作基礎，所以Samsung能看好其未來的技術嗎?
當Samsung自今年以來在技術上卡在了3nm GAA而無法往前推進時，Samsung就停住了它在美國廠的進度，並且縮減了其在平澤的那個世界超級大廠的擴廠計畫，反而開始裁員。 Samaung何時啟動這兩個廠與研發為主的華成廠擴建，你才能知道Samsung 3nm與2nm技術問題是否已經解決，否則就不要被任何帶風向的給偏了方向。
Samsung先後有兩個方向來追台積電，一是在2022年早先台積電用GAA製作3nm晶片，而談機電則式依然使用FIN FET生產3nm晶片時，講白了Samsung這就是想彎道超車台積電 我在2022時就說過，依照當時的GAA技術依然面臨著許多的理論，技術，設備與材料等問題，想做好GAA幾乎是不可能的任務，包括IMEC，Intel也都面臨著同樣的難題，也只有Samsung敢一頭栽進去，結果一點也不意外就是翻車。
Samsung另一個方向就是想利用各家同時能拿到Hi-NA EUV時，藉此設備能讓Samsung在2nm，乃至未來的1nm製程能與台積電有個同時起步競爭的機會，包括Intel也是做同樣的想法，結果卻是台積電不用到Hi-NA EUV在2nm製程上，而是採用MP技術搭配一般的EUV就能量產2nm與A16晶片，到此Samsung與Intel也只能認輸台積電的實力了。
@samtsou 謝謝你分享的資訊。
你是拿FIN的良率对比GAA，这样是不公平的。FIN再好，可惜尽头只在3nm。3nm之后，就是比gaa。台积电会重新走一趟samsung在gaa研发的老路，samsung却己经先走了两年。
死在沙灘上的先行者，比比皆是。 最後的性價比為 市場之王
@@ngovincent495 先走但失敗也枉然 😂
@@ngovincent495 只是纖產品化不代表先走兩年。台積其實GAA幾年前就一直在研究GAA，起碼那時候就已經看到N2的lot了
目前，台積電佔 GAA 相關專利申請的 31.4%，其次是三星電子（20.6%）、IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。
感謝曲博的詳細解說!!
謝謝你的支持！
謝謝！
謝謝你的支持！
感謝曲博的科普!!
感謝曲博把如此深奧的科技解釋的淺顯易懂，如果還能看出三星的高能耗問題是什麼原因造成的就更好了，GAA的水看來還很深阿
我覺得英特爾的結局也會和三星差不多, 如果英特爾最先進的18A製程進度良好,英特爾董事會也不會逼季辛格下台了,用常理就可以直接判斷英特爾最先進的18A製程進度的大致情況;英特爾晶圓代工製造暨供應鏈主管錢德拉塞卡蘭（Naga Chandrasekaran）說:儘管面臨困難和技術問題，英特爾在18A先進製程上的進展一如預期，已達成好幾個里程碑；現在這個製程沒有重大難題，剩下的問題是須克服"良率及缺陷密度（defect density）"等挑戰;我覺得這位 Naga Chandrasekaran根本就廢話連篇,在晶片製造中 良率本來就是最核心關鍵的關卡
@yuio823 你說的對，英特爾跳過20A直接做18A和三星跳過3奈米直接做2奈米是類似的，就是做不出來，季辛格把幾千萬丟進先進製程，而不是晶片設計，根本就是錯誤的方向，我之前就拍片講過了！
Intel拆分晶圓代工與IC設計，是好是壞？
ruclips.net/user/shortsQLQ-KKt2FBw
好烧脑，来来回回 反复地看，好在曲博讲得超详细，看懂了大部分
@kennyy321 讚唷！我其實重講了好幾次再剪接起來的，真的不容易解釋。
超清晰的GAA剖面！感謝曲博
曲博把这节目做的非常生动有趣，可以看出要真正解决问题很辛苦
1.這一集的切片分析非常有趣，比較好奇的是閘極周圍顯示的不均勻是否是切片過程造成？
2.切片樣品的對準度很驚人，截面積差異不知道是設計為之還是光罩差異？又或者是製程先後的差異？
三星的切片樣品真的讓人感到大開眼界，非常感謝曲博的介紹。
@python4541 這裡的截面積差異是指NMOS和PMOS的電子通道截面積大小不同嗎？
@Ansforce
是的，請問這個差異是如何造成的呢？
@@python4541 光罩上面的布局影響的是水平面, 磊晶與蝕刻影響的是垂直面, 看你講的截面積差異是在水平方向還是垂直方向
感谢您的解释！ 只是一个简单的题外话问题： 我的OKX钱包里有USDT，并且我有恢复短语. (alarm fetch churn bridge exercise tape speak race clerk couch crater letter). 我该如何将它们转移到Binance？
有TSMC 的GAA 進度嗎? 我記得也研發成功了 但良率未知
三星很難很難追上喔！ 因為台積電有 Cowos 才不會發熱 。
2奈米才會用，三星3奈gaa還不行
@@超級塞郎-p8bcowos 只是推叠更有效率.要不發熱要用GAA.台積電還沒有量產.但華為mate 70 巳推出市塲了。
終於看到 GAA 切片了 😄
只知道in wafer良率沒用，還要考慮spec怎麼卡，如果卡太鬆performance不好也沒用
謝謝老師，受益良多.....
給汎詮鼓掌，超清晰報告證實通道 5nm
謝謝曲博精彩的說明👍
請問曲博提到的FINFET/GAA相較平面結構擁有更強對gate加電減小漏電流的能力，是否意味著MOSFET是always on的，即gate不加電的時候SD之間通道打開，加電時才會關閉？
一般的狀況是不加電壓不導道代表0，外加電壓才導通代表1。
所以說常講的FINFET/GAA透過增大接觸面積加強對溝道的控制能力也還是對1的增益。那對0時漏電流的減小是透過FIN/NW/NS來耗盡bulk表面的載流子（類似SOI？）還是說可以利用立體結構在某些pitch沒有減小的情況下scale down？
@@yiyangQWERTY 短通道效應不是只有漏電而已，我一般只講漏電是因為大家比較容易理解，短通道效應會造成的問題主要包括閾值電壓隨著溝道長度降低而降低、漏致勢壘降低、載流子表面散射、速度飽和、離子化和熱電子效應等，總之增加接觸面積可以改善這些問題。
zh.wikipedia.org/zh-tw/%E7%9F%AD%E6%B2%9F%E9%81%93%E6%95%88%E5%BA%94
瞭解，感謝曲博
想請教PMOS截面不比NMOS大 同樣三層通道要如何做到電流匹配
我認為截面積不同是因為電子和電洞在通道的載子遷移率不同，移動快的截面積小，移動慢的截面積大，所以那個尺寸是刻意設計的，才能做到電流匹配。
@@Ansforce 不好意思問一下,對NMOS而言，多數載流子是電子；對PMOS而言，多數載流子是電洞,電子的載子遷移率比電洞大所以為何PMOS截面會比NMOS大? 是我哪個觀念沒搞對?
目前來看 3 奈米好像是 台積電 囊括 100% 訂單 ， 低於 3 奈米的 ， 好像也是 台積電 接單 ， 目前要被追上至少要 5 年起跳了吧？ 想超越更是困難 。
@超級塞郎-p8b 差不多是這樣了！
台積電三奈米沒有用GAA.未來AI 晶片極需要GAA
通道寬度 5nm 不是 3nm 材料用上鋁-
鈦-鉿.. 我還是不相信，電子會乖乖鑽入
GAA 窗口，肯定穿隧效應，漏電氾濫，
照樣 火龍 8 發燙 45 度。
鋁比銅更抗化學腐蝕三星也是不得已,穿隧是可能鋁缺點也很明顯熔點較低~應該是為了先生產出成品選擇
實驗室產品
消費者目前並沒有有感GAA的優勢
當年INTEL吹的10G頻率的風冷在那？
請問3nm以下GAA製程要配合背面供電技術嗎?
台積電的2nm是不是已經用GAA試產中?
背面供電良率高嗎?感覺比原本的後段製程難度高很多
要不要用背面供電是廠商自己決定的，台積電2奈米製程沒有用，要到A16才有用，台積電2奈米聽說良率還不錯。
(1) 三星GAA量产进展：三星在3纳米制程节点率先采用GAA（环绕闸极场效电晶体）架构，早在2022年就开始量产，并在2024年首次将GAA技术应用于消费电子产品，例如Galaxy S7的处理器。
(2) GAA技术优势：GAA通过全方位包覆电子通道，大幅减少漏电现象，相较传统FinFET架构提升了效能与能耗表现。这种技术解决了短通道效应，推动了晶体管架构的革命性演进。
(3) 技术挑战与优化：尽管GAA技术具有先进性，但其制程复杂且面临技术良率的挑战。三星通过扫描式电子显微镜（SEM）和穿透式电子显微镜（TEM）等高精尖技术进行优化和验证。
(4) 竞争态势：台积电目前在先进制程领域占据领导地位，但三星的GAA量产时间较长，展现出强劲的技术能力。双方在下一代制程节点上竞争激烈。
(5) 应用与成果：三星的GAA技术应用于加密货
謝謝你的補充。
三星吹牛習慣了，太多例子，現在3奈米完全翻車，一堆主管欺騙良率被究責，要追到有錢有干的台積電,很難
三星再執迷不悟的話，恐怕命不久矣。 目前看是有醒了
12/4 有外媒報導 "三星代工解散開發部門 可能放棄2奈米生產"
標題: Samsung Foundry disbands development division, possibly giving up on 2 nm production
可以請曲博分析google的量子晶片，未來的影響和對台灣的影響，謝謝🙏
@arielliu3849 那篇Nature的論文我找到了，不過要花時間研究一下。
@ 感謝🙏
學術理論 與量產有很大落差
目前看起來，短期還沒有公司追的上台積電
別說製程~ 連先進封裝都是台積電一枝獨秀~ 其他的技術應該是太貴了~ 貴到沒人要用
刚才看了一个播主拆解华为Mate70的视频，那个布局和产品总体设计真的到了别的厂家不及的水平，播主察看了9020的大小和厚度，也对比了9020、9010、9000s和苹果及高通的芯片的启动反应速度，播主说9020的平面和厚度都比9000s有变化，说明9020的封装结构比9000s复杂，9020的启动速度比对比的芯片要快至少1秒以上，说明电源供电有创新。
@richardliu4939 能不能把連結給我參考一下？
系统设计牵扯到的方面很多，不只是芯片工艺，要讲需要很多视频。而且因为政治原因，华为不会放出多少资源让你分析
@@Ansforce ruclips.net/video/LGaSLxaxAls/видео.html
ruclips.net/video/URbZd7bkWes/видео.html
@@Ansforce 抖音小米k80的骁龙8gen4,玩个妄想山海都稳不住60帧，mate70居然能在90帧我想知道这是为什么呢？
@@Ansforce 臺灣媒體人呂國禎到深圳探訪過華為自建的三個晶圓廠，華為手機芯片是不是自己生產的？
台積電是不可能被超越的😎
太积电未来的对手是大陆，什么美国韩国都不够看😊😊😊
曲博你好 台積電曾經說過從5奈米製程開始,很多設備的參數設定都必須要使用AI去訓練學習才能得到可以迅速提高生產良率的設定參數,所以我認為如果英特爾缺乏20A製程的晶片高良率量產資料去讓AI去進行訓練學習,那麼18A製程的晶片量產良率將會很難有效提升,這也是為什麼我也認為日本的Rapidus 所謂2027年量產2奈米製程晶片基本上就是在吹牛的原因
@yuio823 這個有可能呀！
5nm 才用 AI 是保守的說法. 在所謂的成熟製程大家就開始用 AI 相關的技術了, AOI 量出來數據丟給 AI 去抓缺陷比人快又準確, 製程累積的數據直接丟給 AI, 取代一直靠 SPC 去計算精確度與標準差來回饋製程調整, 已經變成一般的製造廠的基本要求, AI不是只有半導體才需要, 只要是自動化的工廠就通通都需要
鰭片形狀如果由長方形改成多邊形接觸面積不就更多了嗎?雖然可能是蠢問題,但我還是想知道是可行還是不可行?
做不出來，若你去看TM會發現其實鰭片都是橢圓形接近菱形的感覺
@@chenenjoytheluxury2668 了解!感謝!
製作會非常困難
@tzu-wenwang7779 由長方形改成多邊形，你的想像力很豐富代表很有創意，這是稱讚，不過@chenenjoytheluxury2668說的對，製程上做不出來，看一下GAAFET下方的鰭片其實不是長方形，蝕刻後形狀沒有很正。
如果切分成多個圓柱體？
@曲博科技教室 有人説三星不可能會東山再起了 死透了 你個人怎麼想呢？
是死定了~ 台積電整桌端走~ 本來就是三星吃過河~ 三星是強在記憶體~ 台積電是強在代工~ 是後來智慧型手機崛起後代工市場高成長~ 三星才開始要進來吃這塊餅~
完全沒有解析PPAC，更不用說解析為何三星良率不好可能的瓶頸，只是切切TEM 打打EDS ，這分析也太沒深度，基本上就是外行看熱鬧的分析....泛銓的分析能力也就這樣而已...！
PPAP?
他的程度只能唬唬外行人，用標題騙騙點閱率而已
@詹醬油-k2y 他指的應該是Power、Performance、Area、Cost，汎銓是做材料分析(MA)的廠商，這篇文章本來就是在介紹MA，如果汎銓有做PPAC也不一定會公開，這沒有什麼奇怪的。
@@gululin5183我也是這樣覺得
欸！奇怪，不用錢的，曲博用心整理出來的資料教社會大眾科普是讓你們這些酸民酸的嗎？有本事就幫忙增加補充資料讓大家多了解.
曲博可以分析一下華為11月22日的GAA專利嗎？有分析師說華為最新9020晶片也是用GAA技術量產？
好像才剛上市，等幾週說不定會有國外的科技媒體拆解晶片的報告。
No，下一代
是下一代要用的
三星技術14 NM就是上限
沒有自己的量產良率技術
好像良率有六成左右
曲博，怎麼看華為最新GAA專利。
@c-f9o-u4l 有專利也要有設備才能做出來，其實GAA可以尺寸大一點所以華為去申請專利並不意外，三星GAA的關鍵尺寸其實不小唷！
@@Ansforce 有人拆封mate 70 pro,發現其芯片尺寸大了還厚了。有人測其性能，開了十個遊戲，很流暢，溫度也不高，華為是怎麼做到的
@@c-f9o-u4l 华为芯片变大是集成太多功能模块了，现在把卫星通讯模块都集成在一块芯片上
@@c-f9o-u4l针对应用的优化和针对跑分的优化之间的区别
@c-f9o-u4l 華為的手機功能其實很多，應該是整合很多功能，晶片尺寸變厚那應該是用先進封裝去堆疊晶片，如果你們有看到華為比較詳細的規格和介紹可以把網址分享給我研究看看，謝囉！
前兩年有看到大陸在吹，"立起來"的電晶體架構，說這樣製作的難度可以降低，不知道真假?
垂直結構比平面還難，
不然GAA早就做了，幹嘛拖到3nm還用FinFET (垂直結構較GAA簡單)。
@@歸虛 這就是CFET，台積已經在研究了
@歸虛 我猜也是指CFET，台積已經在開發了，可以參考這個影片：深度解析台積電2023北美技術論壇！台積電即將面臨哪些挑戰？
ruclips.net/video/1pvZnd_tLq8/видео.html
@@Ansforce 感謝~~
@@chenenjoytheluxury2668 感謝回應~~
曲博就是個說書人 去年還說比特幣是泡沫 現在再創歷史新高 身為科技人工程師 還是建議曲博回去教書吧 資本市場完全不在行
@jy1047 我從頭到尾都只說比特幣是龐氏騙局，我什麼時候說比特幣是泡沫了呀？我的影片都在這裡，你只要找到任何一部說比特幣是泡沫我立刻道歉更正唷！
ruclips.net/p/PLLFCC3QJecRPt2gTdhwDiQoQ9jYafL0tf&si=jAMNgOVTo8mWhEY6
恰好相反，我早就預測比特幣會成功，理由在這裡，看起來你太少看我的影片了！以後要看的更用心唷！
比特幣會成功！曲博認為的三大理由？
ruclips.net/user/shortsWXXRpJO1dmA
川普終於覺醒，錢用圈的比較快！
ruclips.net/user/shortsgibzvMSnkVY
已經生產了兩年，良率提升了多少？
mate60系列销售了1700台，pura70系列销售了650万台。这样的销售量，良率就是信息误导的产物。而且从公司财报，也能分析出华为芯片制造的良率，不输台积电。
@jshw-zx9sm 那麼說好的「三折疊機銷量600萬台」呢？
@jshw-zx9sm mate60用的，是華為自己製造的晶片嗎？
@jshw-zx9sm pura70系列，4月推出，7月就調降500~1000元，為什麼？不就是用政府補貼搞價格戰嗎！
@@qwerty841120国补购机，苹果，小米，vivo等所有手机品牌，都可以享受的优惠购机补贴。不限品牌。
良率這麼可笑那不叫量產
實驗室做出來算數那台灣也早就做出來了啦
好高深
請教 曲博 ；
突然想到至今三星電子沒有說明自家的 “晶背供電技術” ，是因為技術能力不足造成的關係嗎？？？
@@武至偉 8成是
沒錢燒下去了，玩不了
三星？算了吧，良率低下，完全就是自產自銷，不是對手
良率低還有翻身的機會~ 他的問題在於良率低還漏電嚴重~ 尤其是製程進入5奈米以後~ 漏電嚴重導致耗電又發熱~ 高通因此不得不轉單給台積電~ 三星手機市佔率全球第一~ 高通跟三星策略聯盟~ 高通給三星代工~ 三星海外的旗艦級手機用高通的SOC~ 本來是雙方得力的結盟~ 良率低三星可以吸收~ 把客人穩住再盡快改善良率~ 漏電發熱可是致命性問題~ 尤其是對行動裝置~ 三星會搶先用GAA技術不是他們厲害~ 台積電的GAA專利比三星多不少~ 沒有用是還有問題未能克服~ 三星不得不用~ GAA的技術理論上可以減少漏電發熱
炸雞
三星有手機早靈先台積電了，台積電敢作手機嗎可悲啊？😅
台積電連珍珠奶茶都不敢做~ 即便下去做也賺不到錢~ 這行業已經競爭過度激烈~ 台積電嘛~ 貪婪的只做毛利高的晶片代工~ 很貪心~
感覺都是物理和化學
@woodfire7744 哈！是呀！半導體製程本來就是物理和化學。
先不說汎銓和曲博的介紹有沒有用，這篇影片出來三星大概會森77吧，汎銓和曲博的影片說不定都會被三星要求下架，且看且珍惜吧
為什麼三星要生氣，這篇文章證明了三星的GAA順利量是產了呀！
留言出現過泛銓，汎詮，還有你寫的汎銓。害我去重看了一下影片，只有你打對名字😂
生氣甚麼??? 又不是寫小說的~ 是做半導體~ 產品出來就一翻兩瞪眼~ 真的好~ 高通~輝達~蘋果~AMD..早都3奈米的訂單給三星了~ 別說高通等都不識半導體~ 或者高通等都認台積電為爺爺~ 必須孝順~
感謝🙏曲博士的介紹讓大家都知道清楚分析原來三星製程的精度只有5nm水準
@sarsdpp9569 其實所謂的3奈米只是商品名稱，不是實際的尺寸。
整天唱衰台積電，之前說英特爾多強，打敗台積電出來道歉
@叫小賀-b1w 介紹三星的GAAFET哪裡唱衰台積電了？你夢到的是不是呀？
是炸雞
如果简化来说，这几年台积电能胜出，关键只有两个，(1)比对手先用EUV和(2)用对了finfet在3nm。并不是因为它比较适合代工，台湾人比较能吃苦加班，或技术领先。2nm之后，是新战场，比的是gaafet和封装技术。其实，我在等blackwell，现在大家知道它delay因为台积电的cowos L做不到，如果它改封装方法或让其它公司封装，就证明cowos L不行，到时候股价可能会崩。Note: cowos L对比intel EMIB
台积电是台湾人的精神支柱，是绿媒大内宣的原点，是台股的支撑。没了台积电台湾人怎么活？😂😂
大家知道是哪來的消息，問題一直都是過熱，晶片過熱機櫃過熱，但目前都算解決了，gb200 樣機都出不少了吧，馬斯克也要搶。
分析的超爛到底在講什麼一點都不專業
@Rwey-yc7bc 說的太有道理了！能不能再指出來哪裡一點都不專業呢？如果能指出來就代表你很專業唷！
真不好
台積電有GAA專利而巳.並沒有量產.華為mate 70 用GAA技術巳推出市塲了.
另外.台灣人越吹高台積電.trump 越積極要食了它.這又是令吃瓜群衆覺得這戲太好看了。
華為mate 70用GAA有相關的資料可以參考嗎？我認為不可能，華為現在做7奈米製程需要的是提高良率降低成本，怎麼可能去用那種成本高又不成熟的GAA製程？
@Ansforce 你知道用了GAA手機會有什麼特別的表現.特別適合用在AI 晶片嗎？
這是很重要的技術.不然美國不會特別挑出來阻止中國發展。建議你去了解一下這是什麼技術.
@@bphau9313 輝達不是做AI晶片的??? 怎給下單給台積電用FINFET??? GAA是為了減低穿隧效應防止漏電發熱~ 尤其是製程越細時電路的穿隧效應會越嚴重~ AI是靠電路設計和軟體設計~ 與GAA無關
@hschen-p3r Finfet 不是不能用.Ai晶片也能用.只是漏電而巳.
越厲害的AI.發熱就越厲害.所以未來晶片一定走向gaa.這是走向未來的科技.不然六月美國為何點名中國大陸不能發展gaa 尖端晶片科技,說要提高大陸發展AI的困難？
@@bphau9313 你電路多細??? 要用到GAA~ 路邊電線一堆~ 沒一個用GAA~ 電壓再高也不會漏電
有點騙流量 講了半天沒什麼重點，一直講這個是什麼那個是什麼還有AABBCC,
然後呢？沒解密什麼良率差的原因？
結論是三星有GAA, 台積電不能放鬆？ 阿不就屁話....誰不知道先進半導體沒人在躺平的？
幫大家省流：GAA跟FinFet不一樣，三星先用GAA,台積電也要用，沒了. 沒什麼真正重點
還以為有啥獨到見解，居然講了快半小時，超浪費我時間
如果是給外行看熱鬧，3-5分鐘就該講完
@waffenss1234567 你讀書都是這種態度唷？只想聽小道消息，都不想好好把原理學起來嗎？
三星的問題在於良率低還漏電嚴重~ 尤其是製程進入5奈米以後~ 漏電嚴重導致耗電又發熱~ 高通因此不得不轉單給台積電~ 三星手機市佔率全球第一~ 高通跟三星策略聯盟~ 高通給三星代工~ 三星海外的旗艦級手機用高通的SOC~ 本來是雙方得利的結盟~ 良率低三星可以吸收~ 把客人穩住再盡快改善良率~ 漏電發熱可是致命性問題~ 尤其是對行動裝置~ 谁用誰死~ 高通不想死~ 三星會搶先用GAA技術不是他們厲害~ 台積電的GAA專利比三星多不少~ 沒有用是還有問題未能克服~ 三星不得不用~ GAA的技術理論上可以減少漏電發熱
說實話~ 台積電的研發都比別人早~ 投入多~ 且人才濟濟~
三星那麼窮~ 窮就可憐了~
@@Ansforce其實我也看不太懂‘但是還是要給個讚’因為有看得懂的人‘應該獲益良多。
沒有良率資訊等於沒說……..唉
這是不能說的秘密
抄泥馬驅蟲
你在上課ㄇ
是呀！
晚上物理上的領先了
你的晶體可以炸雞？別鬧笑話，打字幕的小編找專業理工吧！自己看看鬧多少笑話。
@jerrylee3783 別鬧了啦！那是AI生成的字幕，就是要看看大家有沒有認真聽呀！不錯哦！你有認真。
@@Ansforce 你那是那個破AI軟體~ 無法識別上下文的涵義~ 只會從字庫找到與語音相符的常用名詞"炸雞"~ 字庫裡沒"炸機"
台機電未來最大的對手不是華爲也不是三星。而是日本。
美國。
@林振隆-z4n 是的，你是內行的。
日本和德国是一个路子，和台积电不是一个赛道的。他们手握特级一级硅料，只要台积电想在先进制程上进步就要被他们收割
當企業看似無敵時.自大自滿就是最大的敵人.希望TSMC能以英特爾,柯達為戒.
@@Ansforce 日本不行的~ 別說代工~ 連早年日本的強項記憶體都被韓國打死~ 也不知道你那隻火眼金睛看出日本行? 半導體設備和材料確實強~ 但製造不行了
標題黨+說廢話
笑死你行NISSAN
你不是一直說唱旺中國會跟上來？唱衰台積電？結果咧？
你那麼喜歡看好中國幹嘛待在台灣，去對岸發揮你的專長阿
@luciouschen 天天在那裡唱旺來唱衰去的，你是有被迫害妄想症唷？了解競爭對手本來就是每間公司都要做的事，不然汎銓幹嘛去分析三星的晶片？
你這反間能力太差，曲博高智能人士不會上你當。😂
@ 一個沒什麼工廠實務經驗光講理論的外省姓單一領域陽春博士，智能有沒比張忠謀高我是不知道，可以確定他一定搞不出台積電這種公司，就算他再專業，一個書袋子而已
@karaciao6896 我在外商公司14年跑過多少工廠，你要不要查一下我的背景在來嗆聲？快笑死了現在都民國幾年了什麼叫外省姓？台灣有誰不是外省姓？在台灣只有原住名不是外省姓，你是原住民嗎？
怎麼有刷條碼的跑來亂，笑死
只知道目前南韓戒嚴XD
良率只有兩成，居然叫能量產，連三星自家手機晶片都找台機代工了，區博無知到如此地步...
@雨行者 我有說三星的良率很高嗎？人家手錶都量產了就算量產了呀！
你有看完影片嗎?
你有事嗎？還是有聆聽的障礙？
@@sopu11s 自戀的無知者
就是有呆子影片不看完亂噴，被啪啪打臉了吼？😂
危言聳聽
哪一句？
如果是常看曲博的人，前面七分鐘其實可以直接略過
整天唱衰台積電
你也發現了
居安思危
警惕每一個對手
務實
你这种人没有危机感
@@歸虛 從五百唱衰到現在一千了
曲博又沒唱衰台積電，人家只是講三星環繞閘極的技術進度如何而已🤣🤣🤣🤣🤣🤣🤣🤣
三星早就死了，，這兩年必倒。
笑死，我跟你賭1萬台幣敢不敢？三星兩年內不會倒閉