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我以前曾經多次討論過Samsung各製程節點的發展路線狀況，依照Samsung過去的規畫與企圖都是採跳躍式激進方式進行，主因就是台積電製程技術領先所帶來的壓力所致。 Samsung 前年及去年先後打算在5年內超越台積電的未來整個技術節點前進路線規畫如下:2022~2023年 SF3E (原3nm製程初始版3 GAE)2024~2025年 SF3 (原3nm製程量產版 3GAP)2025~2026年 SF3P(原3nm製程版 3GAP增強版)，SF22026~2027年 SF2P2027~2028年 SF1.4 可是到今天2024年快要走完，Samsung 依然無法達到高良率量產的3nm製程節點SF3，那麼以此技術節點作基礎的後續SF3P也就跟著黃了，這跟台積電早已經量產的3nm能比個毛去?再者，先不管兩家的量產能力與良率，不要以為Samaung的3nm GAA技術是與台積電的FIN FET 3nm都是叫3nm製程，就以為都是一樣的? 比比看兩家3nm 製程節點的 晶片PPA (Performance，Power，電晶體密度)就知道誰的3nm技術更強了。 Samsung的2nm GAA製成基本上就是其3nm GAA的延伸，如果3nm GAA都做不好，那麼就別指望Samsung的2nm GAA就能作好。而更恐怖的是未來的1nm CFET製程，也就是把GAA n-FET放在p-FET上面的 3D CFET 1nm技術，它也是以基本的GAA作基礎，所以Samsung能看好其未來的技術嗎? 當Samsung自今年以來在技術上卡在了3nm GAA而無法往前推進時，Samsung就停住了它在美國廠的進度，並且縮減了其在平澤的那個世界超級大廠的擴廠計畫，反而開始裁員。 Samaung何時啟動這兩個廠與研發為主的華成廠擴建，你才能知道Samsung 3nm與2nm技術問題是否已經解決，否則就不要被任何帶風向的給偏了方向。Samsung先後有兩個方向來追台積電，一是在2022年早先台積電用GAA製作3nm晶片，而談機電則式依然使用FIN FET生產3nm晶片時，講白了Samsung這就是想彎道超車台積電 我在2022時就說過，依照當時的GAA技術依然面臨著許多的理論，技術，設備與材料等問題，想做好GAA幾乎是不可能的任務，包括IMEC，Intel也都面臨著同樣的難題，也只有Samsung敢一頭栽進去，結果一點也不意外就是翻車。Samsung另一個方向就是想利用各家同時能拿到Hi-NA EUV時，藉此設備能讓Samsung在2nm，乃至未來的1nm製程能與台積電有個同時起步競爭的機會，包括Intel也是做同樣的想法，結果卻是台積電不用到Hi-NA EUV在2nm製程上，而是採用MP技術搭配一般的EUV就能量產2nm與A16晶片，到此Samsung與Intel也只能認輸台積電的實力了。
@samtsou 謝謝你分享的資訊。
你是拿FIN的良率对比GAA，这样是不公平的。FIN再好，可惜尽头只在3nm。3nm之后，就是比gaa。台积电会重新走一趟samsung在gaa研发的老路，samsung却己经先走了两年。
死在沙灘上的先行者，比比皆是。 最後的性價比為 市場之王
@@ngovincent495 先走但失敗也枉然 😂
@@ngovincent495 只是纖產品化不代表先走兩年。台積其實GAA幾年前就一直在研究GAA，起碼那時候就已經看到N2的lot了
目前，台積電佔 GAA 相關專利申請的 31.4%，其次是三星電子（20.6%）、IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。
曲博把这节目做的非常生动有趣，可以看出要真正解决问题很辛苦
感謝曲博的科普!!
學術理論 與量產有很大落差
通道寬度 5nm 不是 3nm 材料用上鋁-鈦-鉿.. 我還是不相信，電子會乖乖鑽入GAA 窗口，肯定穿隧效應，漏電氾濫，照樣 火龍 8 發燙 45 度。
感謝曲博把如此深奧的科技解釋的淺顯易懂，如果還能看出三星的高能耗問題是什麼原因造成的就更好了，GAA的水看來還很深阿
給汎詮鼓掌，超清晰報告證實通道 5nm
終於看到 GAA 切片了 😄
只知道in wafer良率沒用，還要考慮spec怎麼卡，如果卡太鬆performance不好也沒用
有TSMC 的GAA 進度嗎? 我記得也研發成功了 但良率未知
之前第一次試產好像就有說60%，連TSMC都說沒想到有這麼高，基本上60%就可以量產，但毛利會不好，當然會再改進，可以再追蹤看看
三星很難很難追上喔！ 因為台積電有 Cowos 才不會發熱 。
謝謝曲博精彩的說明👍
目前來看 3 奈米好像是 台積電 囊括 100% 訂單 ， 低於 3 奈米的 ， 好像也是 台積電 接單 ， 目前要被追上至少要 5 年起跳了吧？ 想超越更是困難 。
@超級塞郎-p8b 差不多是這樣了！
謝謝！
曲博可以分析一下華為11月22日的GAA專利嗎？有分析師說華為最新9020晶片也是用GAA技術量產？
好像才剛上市，等幾週說不定會有國外的科技媒體拆解晶片的報告。
No，下一代
完全沒有解析PPAC，更不用說解析為何三星良率不好可能的瓶頸，只是切切TEM 打打EDS ，這分析也太沒深度，基本上就是外行看熱鬧的分析....泛銓的分析能力也就這樣而已...！
PPAP?
他的程度只能唬唬外行人，用標題騙騙點閱率而已
@詹醬油-k2y 他指的應該是Power、Performance、Area、Cost，汎銓是做材料分析(MA)的廠商，這篇文章本來就是在介紹MA，如果汎銓有做PPAC也不一定會公開，這沒有什麼奇怪的。
@@gululin5183我也是這樣覺得
欸！奇怪，不用錢的，曲博用心整理出來的資料教社會大眾科普是讓你們這些酸民酸的嗎？有本事就幫忙增加補充資料讓大家多了解.
請教 曲博 ；突然想到至今三星電子沒有說明自家的 “晶背供電技術” ，是因為技術能力不足造成的關係嗎？？？
@@武至偉 8成是
想請教PMOS截面不比NMOS大 同樣三層通道要如何做到電流匹配
我認為截面積不同是因為電子和電洞在通道的載子遷移率不同，移動快的截面積小，移動慢的截面積大，所以那個尺寸是刻意設計的，才能做到電流匹配。
鰭片形狀如果由長方形改成多邊形接觸面積不就更多了嗎?雖然可能是蠢問題,但我還是想知道是可行還是不可行?
做不出來，若你去看TM會發現其實鰭片都是橢圓形接近菱形的感覺
@@chenenjoytheluxury2668 了解!感謝!
製作會非常困難
@tzu-wenwang7779 由長方形改成多邊形，你的想像力很豐富代表很有創意，這是稱讚，不過@chenenjoytheluxury2668說的對，製程上做不出來，看一下GAAFET下方的鰭片其實不是長方形，蝕刻後形狀沒有很正。
如果切分成多個圓柱體？
刚才看了一个播主拆解华为Mate70的视频，那个布局和产品总体设计真的到了别的厂家不及的水平，播主察看了9020的大小和厚度，也对比了9020、9010、9000s和苹果及高通的芯片的启动反应速度，播主说9020的平面和厚度都比9000s有变化，说明9020的封装结构比9000s复杂，9020的启动速度比对比的芯片要快至少1秒以上，说明电源供电有创新。
@richardliu4939 能不能把連結給我參考一下？
系统设计牵扯到的方面很多，不只是芯片工艺，要讲需要很多视频。而且因为政治原因，华为不会放出多少资源让你分析
@@Ansforce ruclips.net/video/LGaSLxaxAls/видео.html ruclips.net/video/URbZd7bkWes/видео.html
@@Ansforce 抖音小米k80的骁龙8gen4,玩个妄想山海都稳不住60帧，mate70居然能在90帧我想知道这是为什么呢？
@@Ansforce 臺灣媒體人呂國禎到深圳探訪過華為自建的三個晶圓廠，華為手機芯片是不是自己生產的？
請問3nm以下GAA製程要配合背面供電技術嗎?台積電的2nm是不是已經用GAA試產中?背面供電良率高嗎?感覺比原本的後段製程難度高很多
要不要用背面供電是廠商自己決定的，台積電2奈米製程沒有用，要到A16才有用，台積電2奈米聽說良率還不錯。
感覺都是物理和化學
@woodfire7744 哈！是呀！半導體製程本來就是物理和化學。
只知道目前南韓戒嚴XD
晚上物理上的領先了
先不說汎銓和曲博的介紹有沒有用，這篇影片出來三星大概會森77吧，汎銓和曲博的影片說不定都會被三星要求下架，且看且珍惜吧
好像良率有六成左右
曲博，怎麼看華為最新GAA專利。
@c-f9o-u4l 有專利也要有設備才能做出來，其實GAA可以尺寸大一點所以華為去申請專利並不意外，三星GAA的關鍵尺寸其實不小唷！
@@Ansforce 有人拆封mate 70 pro,發現其芯片尺寸大了還厚了。有人測其性能，開了十個遊戲，很流暢，溫度也不高，華為是怎麼做到的
@@c-f9o-u4l 华为芯片变大是集成太多功能模块了，现在把卫星通讯模块都集成在一块芯片上
@@c-f9o-u4l针对应用的优化和针对跑分的优化之间的区别
@c-f9o-u4l 華為的手機功能其實很多，應該是整合很多功能，晶片尺寸變厚那應該是用先進封裝去堆疊晶片，如果你們有看到華為比較詳細的規格和介紹可以把網址分享給我研究看看，謝囉！
前兩年有看到大陸在吹，"立起來"的電晶體架構，說這樣製作的難度可以降低，不知道真假?
垂直結構比平面還難，不然GAA早就做了，幹嘛拖到3nm還用FinFET (垂直結構較GAA簡單)。
@@歸虛 這就是CFET，台積已經在研究了
@歸虛 我猜也是指CFET，台積已經在開發了，可以參考這個影片：深度解析台積電2023北美技術論壇！台積電即將面臨哪些挑戰？ruclips.net/video/1pvZnd_tLq8/видео.html
@@Ansforce 感謝~~
@@chenenjoytheluxury2668 感謝回應~~
已經生產了兩年，良率提升了多少？
mate60系列销售了1700台，pura70系列销售了650万台。这样的销售量，良率就是信息误导的产物。而且从公司财报，也能分析出华为芯片制造的良率，不输台积电。
@jshw-zx9sm 那麼說好的「三折疊機銷量600萬台」呢？
@jshw-zx9sm mate60用的，是華為自己製造的晶片嗎？
@jshw-zx9sm pura70系列，4月推出，7月就調降500~1000元，為什麼？不就是用政府補貼搞價格戰嗎！
@@qwerty841120国补购机，苹果，小米，vivo等所有手机品牌，都可以享受的优惠购机补贴。不限品牌。
台機電未來最大的對手不是華爲也不是三星。而是日本。
美國。
@林振隆-z4n 是的，你是內行的。
日本和德国是一个路子，和台积电不是一个赛道的。他们手握特级一级硅料，只要台积电想在先进制程上进步就要被他们收割
好高深
是炸雞
沒有良率資訊等於沒說……..唉
這是不能說的秘密
感謝🙏曲博士的介紹讓大家都知道清楚分析原來三星製程的精度只有5nm水準
@sarsdpp9569 其實所謂的3奈米只是商品名稱，不是實際的尺寸。
如果简化来说，这几年台积电能胜出，关键只有两个，(1)比对手先用EUV和(2)用对了finfet在3nm。并不是因为它比较适合代工，台湾人比较能吃苦加班，或技术领先。2nm之后，是新战场，比的是gaafet和封装技术。其实，我在等blackwell，现在大家知道它delay因为台积电的cowos L做不到，如果它改封装方法或让其它公司封装，就证明cowos L不行，到时候股价可能会崩。Note: cowos L对比intel EMIB
台积电是台湾人的精神支柱，是绿媒大内宣的原点，是台股的支撑。没了台积电台湾人怎么活？😂😂
大家知道是哪來的消息，問題一直都是過熱，晶片過熱機櫃過熱，但目前都算解決了，gb200 樣機都出不少了吧，馬斯克也要搶。
良率只有兩成，居然叫能量產，連三星自家手機晶片都找台機代工了，區博無知到如此地步...
@雨行者 我有說三星的良率很高嗎？人家手錶都量產了就算量產了呀！在哪裡無知什麼啦！
你有看完影片嗎?
你有事嗎？還是有聆聽的障礙？
@@sopu11s 自戀的無知者
就是有呆子影片不看完亂噴，被啪啪打臉了吼？😂
你的晶體可以炸雞？別鬧笑話，打字幕的小編找專業理工吧！自己看看鬧多少笑話。
@jerrylee3783 別鬧了啦！那是AI生成的字幕，就是要看看大家有沒有認真聽呀！不錯哦！你有認真。
危言聳聽
哪一句？
你在上課ㄇ
是呀！
標題黨+說廢話
你不是一直說唱旺中國會跟上來？唱衰台積電？結果咧？你那麼喜歡看好中國幹嘛待在台灣，去對岸發揮你的專長阿
@luciouschen 天天在那裡唱旺來唱衰去的，你是有被迫害妄想症唷？了解競爭對手本來就是每間公司都要做的事，不然汎銓幹嘛去分析三星的晶片？
你這反間能力太差，曲博高智能人士不會上你當。😂
@ 一個沒什麼工廠實務經驗光講理論的外省姓單一領域陽春博士，智能有沒比張忠謀高我是不知道，可以確定他一定搞不出台積電這種公司，就算他再專業，一個書袋子而已
整天唱衰台積電
你也發現了
居安思危警惕每一個對手 務實
你这种人没有危机感
@@歸虛 從五百唱衰到現在一千了
曲博又沒唱衰台積電，人家只是講三星環繞閘極的技術進度如何而已🤣🤣🤣🤣🤣🤣🤣🤣
![Digital Circus Episode 4 [TRAILER]](http://i.ytimg.com/vi/abZtsmMUbJo/mqdefault.jpg)
我以前曾經多次討論過Samsung各製程節點的發展路線狀況，依照Samsung過去的規畫與企圖都是採跳躍式激進方式進行，主因就是台積電製程技術領先所帶來的壓力所致。 Samsung 前年及去年先後打算在5年內超越台積電的未來整個技術節點前進路線規畫如下:
2022~2023年 SF3E (原3nm製程初始版3 GAE)
2024~2025年 SF3 (原3nm製程量產版 3GAP)
2025~2026年 SF3P(原3nm製程版 3GAP增強版)，SF2
2026~2027年 SF2P
2027~2028年 SF1.4
可是到今天2024年快要走完，Samsung 依然無法達到高良率量產的3nm製程節點SF3，那麼以此技術節點作基礎的後續SF3P也就跟著黃了，這跟台積電早已經量產的3nm能比個毛去?
再者，先不管兩家的量產能力與良率，不要以為Samaung的3nm GAA技術是與台積電的FIN FET 3nm都是叫3nm製程，就以為都是一樣的? 比比看兩家3nm 製程節點的 晶片PPA (Performance，Power，電晶體密度)就知道誰的3nm技術更強了。
Samsung的2nm GAA製成基本上就是其3nm GAA的延伸，如果3nm GAA都做不好，那麼就別指望Samsung的2nm GAA就能作好。而更恐怖的是未來的1nm CFET製程，也就是把GAA n-FET放在p-FET上面的 3D CFET 1nm技術，它也是以基本的GAA作基礎，所以Samsung能看好其未來的技術嗎?
當Samsung自今年以來在技術上卡在了3nm GAA而無法往前推進時，Samsung就停住了它在美國廠的進度，並且縮減了其在平澤的那個世界超級大廠的擴廠計畫，反而開始裁員。 Samaung何時啟動這兩個廠與研發為主的華成廠擴建，你才能知道Samsung 3nm與2nm技術問題是否已經解決，否則就不要被任何帶風向的給偏了方向。
Samsung先後有兩個方向來追台積電，一是在2022年早先台積電用GAA製作3nm晶片，而談機電則式依然使用FIN FET生產3nm晶片時，講白了Samsung這就是想彎道超車台積電 我在2022時就說過，依照當時的GAA技術依然面臨著許多的理論，技術，設備與材料等問題，想做好GAA幾乎是不可能的任務，包括IMEC，Intel也都面臨著同樣的難題，也只有Samsung敢一頭栽進去，結果一點也不意外就是翻車。
Samsung另一個方向就是想利用各家同時能拿到Hi-NA EUV時，藉此設備能讓Samsung在2nm，乃至未來的1nm製程能與台積電有個同時起步競爭的機會，包括Intel也是做同樣的想法，結果卻是台積電不用到Hi-NA EUV在2nm製程上，而是採用MP技術搭配一般的EUV就能量產2nm與A16晶片，到此Samsung與Intel也只能認輸台積電的實力了。
@samtsou 謝謝你分享的資訊。
你是拿FIN的良率对比GAA，这样是不公平的。FIN再好，可惜尽头只在3nm。3nm之后，就是比gaa。台积电会重新走一趟samsung在gaa研发的老路，samsung却己经先走了两年。
死在沙灘上的先行者，比比皆是。 最後的性價比為 市場之王
@@ngovincent495 先走但失敗也枉然 😂
@@ngovincent495 只是纖產品化不代表先走兩年。台積其實GAA幾年前就一直在研究GAA，起碼那時候就已經看到N2的lot了
目前，台積電佔 GAA 相關專利申請的 31.4%，其次是三星電子（20.6%）、IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。
曲博把这节目做的非常生动有趣，可以看出要真正解决问题很辛苦
感謝曲博的科普!!
學術理論 與量產有很大落差
通道寬度 5nm 不是 3nm 材料用上鋁-
鈦-鉿.. 我還是不相信，電子會乖乖鑽入
GAA 窗口，肯定穿隧效應，漏電氾濫，
照樣 火龍 8 發燙 45 度。
感謝曲博把如此深奧的科技解釋的淺顯易懂，如果還能看出三星的高能耗問題是什麼原因造成的就更好了，GAA的水看來還很深阿
給汎詮鼓掌，超清晰報告證實通道 5nm
終於看到 GAA 切片了 😄
只知道in wafer良率沒用，還要考慮spec怎麼卡，如果卡太鬆performance不好也沒用
有TSMC 的GAA 進度嗎? 我記得也研發成功了 但良率未知
之前第一次試產好像就有說60%，連TSMC都說沒想到有這麼高，基本上60%就可以量產，但毛利會不好，當然會再改進，可以再追蹤看看
三星很難很難追上喔！ 因為台積電有 Cowos 才不會發熱 。
謝謝曲博精彩的說明👍
目前來看 3 奈米好像是 台積電 囊括 100% 訂單 ， 低於 3 奈米的 ， 好像也是 台積電 接單 ， 目前要被追上至少要 5 年起跳了吧？ 想超越更是困難 。
@超級塞郎-p8b 差不多是這樣了！
謝謝！
曲博可以分析一下華為11月22日的GAA專利嗎？有分析師說華為最新9020晶片也是用GAA技術量產？
好像才剛上市，等幾週說不定會有國外的科技媒體拆解晶片的報告。
No，下一代
完全沒有解析PPAC，更不用說解析為何三星良率不好可能的瓶頸，只是切切TEM 打打EDS ，這分析也太沒深度，基本上就是外行看熱鬧的分析....泛銓的分析能力也就這樣而已...！
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他的程度只能唬唬外行人，用標題騙騙點閱率而已
@詹醬油-k2y 他指的應該是Power、Performance、Area、Cost，汎銓是做材料分析(MA)的廠商，這篇文章本來就是在介紹MA，如果汎銓有做PPAC也不一定會公開，這沒有什麼奇怪的。
@@gululin5183我也是這樣覺得
欸！奇怪，不用錢的，曲博用心整理出來的資料教社會大眾科普是讓你們這些酸民酸的嗎？有本事就幫忙增加補充資料讓大家多了解.
請教 曲博 ；
突然想到至今三星電子沒有說明自家的 “晶背供電技術” ，是因為技術能力不足造成的關係嗎？？？
@@武至偉 8成是
想請教PMOS截面不比NMOS大 同樣三層通道要如何做到電流匹配
我認為截面積不同是因為電子和電洞在通道的載子遷移率不同，移動快的截面積小，移動慢的截面積大，所以那個尺寸是刻意設計的，才能做到電流匹配。
鰭片形狀如果由長方形改成多邊形接觸面積不就更多了嗎?雖然可能是蠢問題,但我還是想知道是可行還是不可行?
做不出來，若你去看TM會發現其實鰭片都是橢圓形接近菱形的感覺
@@chenenjoytheluxury2668 了解!感謝!
製作會非常困難
@tzu-wenwang7779 由長方形改成多邊形，你的想像力很豐富代表很有創意，這是稱讚，不過@chenenjoytheluxury2668說的對，製程上做不出來，看一下GAAFET下方的鰭片其實不是長方形，蝕刻後形狀沒有很正。
如果切分成多個圓柱體？
刚才看了一个播主拆解华为Mate70的视频，那个布局和产品总体设计真的到了别的厂家不及的水平，播主察看了9020的大小和厚度，也对比了9020、9010、9000s和苹果及高通的芯片的启动反应速度，播主说9020的平面和厚度都比9000s有变化，说明9020的封装结构比9000s复杂，9020的启动速度比对比的芯片要快至少1秒以上，说明电源供电有创新。
@richardliu4939 能不能把連結給我參考一下？
系统设计牵扯到的方面很多，不只是芯片工艺，要讲需要很多视频。而且因为政治原因，华为不会放出多少资源让你分析
@@Ansforce ruclips.net/video/LGaSLxaxAls/видео.html
ruclips.net/video/URbZd7bkWes/видео.html
@@Ansforce 抖音小米k80的骁龙8gen4,玩个妄想山海都稳不住60帧，mate70居然能在90帧我想知道这是为什么呢？
@@Ansforce 臺灣媒體人呂國禎到深圳探訪過華為自建的三個晶圓廠，華為手機芯片是不是自己生產的？
請問3nm以下GAA製程要配合背面供電技術嗎?
台積電的2nm是不是已經用GAA試產中?
背面供電良率高嗎?感覺比原本的後段製程難度高很多
要不要用背面供電是廠商自己決定的，台積電2奈米製程沒有用，要到A16才有用，台積電2奈米聽說良率還不錯。
感覺都是物理和化學
@woodfire7744 哈！是呀！半導體製程本來就是物理和化學。
只知道目前南韓戒嚴XD
晚上物理上的領先了
先不說汎銓和曲博的介紹有沒有用，這篇影片出來三星大概會森77吧，汎銓和曲博的影片說不定都會被三星要求下架，且看且珍惜吧
好像良率有六成左右
曲博，怎麼看華為最新GAA專利。
@c-f9o-u4l 有專利也要有設備才能做出來，其實GAA可以尺寸大一點所以華為去申請專利並不意外，三星GAA的關鍵尺寸其實不小唷！
@@Ansforce 有人拆封mate 70 pro,發現其芯片尺寸大了還厚了。有人測其性能，開了十個遊戲，很流暢，溫度也不高，華為是怎麼做到的
@@c-f9o-u4l 华为芯片变大是集成太多功能模块了，现在把卫星通讯模块都集成在一块芯片上
@@c-f9o-u4l针对应用的优化和针对跑分的优化之间的区别
@c-f9o-u4l 華為的手機功能其實很多，應該是整合很多功能，晶片尺寸變厚那應該是用先進封裝去堆疊晶片，如果你們有看到華為比較詳細的規格和介紹可以把網址分享給我研究看看，謝囉！
前兩年有看到大陸在吹，"立起來"的電晶體架構，說這樣製作的難度可以降低，不知道真假?
垂直結構比平面還難，
不然GAA早就做了，幹嘛拖到3nm還用FinFET (垂直結構較GAA簡單)。
@@歸虛 這就是CFET，台積已經在研究了
@歸虛 我猜也是指CFET，台積已經在開發了，可以參考這個影片：深度解析台積電2023北美技術論壇！台積電即將面臨哪些挑戰？
ruclips.net/video/1pvZnd_tLq8/видео.html
@@Ansforce 感謝~~
@@chenenjoytheluxury2668 感謝回應~~
已經生產了兩年，良率提升了多少？
mate60系列销售了1700台，pura70系列销售了650万台。这样的销售量，良率就是信息误导的产物。而且从公司财报，也能分析出华为芯片制造的良率，不输台积电。
@jshw-zx9sm 那麼說好的「三折疊機銷量600萬台」呢？
@jshw-zx9sm mate60用的，是華為自己製造的晶片嗎？
@jshw-zx9sm pura70系列，4月推出，7月就調降500~1000元，為什麼？不就是用政府補貼搞價格戰嗎！
@@qwerty841120国补购机，苹果，小米，vivo等所有手机品牌，都可以享受的优惠购机补贴。不限品牌。
台機電未來最大的對手不是華爲也不是三星。而是日本。
美國。
@林振隆-z4n 是的，你是內行的。
日本和德国是一个路子，和台积电不是一个赛道的。他们手握特级一级硅料，只要台积电想在先进制程上进步就要被他们收割
好高深
是炸雞
沒有良率資訊等於沒說……..唉
這是不能說的秘密
感謝🙏曲博士的介紹讓大家都知道清楚分析原來三星製程的精度只有5nm水準
@sarsdpp9569 其實所謂的3奈米只是商品名稱，不是實際的尺寸。
如果简化来说，这几年台积电能胜出，关键只有两个，(1)比对手先用EUV和(2)用对了finfet在3nm。并不是因为它比较适合代工，台湾人比较能吃苦加班，或技术领先。2nm之后，是新战场，比的是gaafet和封装技术。其实，我在等blackwell，现在大家知道它delay因为台积电的cowos L做不到，如果它改封装方法或让其它公司封装，就证明cowos L不行，到时候股价可能会崩。Note: cowos L对比intel EMIB
台积电是台湾人的精神支柱，是绿媒大内宣的原点，是台股的支撑。没了台积电台湾人怎么活？😂😂
大家知道是哪來的消息，問題一直都是過熱，晶片過熱機櫃過熱，但目前都算解決了，gb200 樣機都出不少了吧，馬斯克也要搶。
良率只有兩成，居然叫能量產，連三星自家手機晶片都找台機代工了，區博無知到如此地步...
@雨行者 我有說三星的良率很高嗎？人家手錶都量產了就算量產了呀！在哪裡無知什麼啦！
你有看完影片嗎?
你有事嗎？還是有聆聽的障礙？
@@sopu11s 自戀的無知者
就是有呆子影片不看完亂噴，被啪啪打臉了吼？😂
你的晶體可以炸雞？別鬧笑話，打字幕的小編找專業理工吧！自己看看鬧多少笑話。
@jerrylee3783 別鬧了啦！那是AI生成的字幕，就是要看看大家有沒有認真聽呀！不錯哦！你有認真。
危言聳聽
哪一句？
你在上課ㄇ
是呀！
標題黨+說廢話
你不是一直說唱旺中國會跟上來？唱衰台積電？結果咧？
你那麼喜歡看好中國幹嘛待在台灣，去對岸發揮你的專長阿
@luciouschen 天天在那裡唱旺來唱衰去的，你是有被迫害妄想症唷？了解競爭對手本來就是每間公司都要做的事，不然汎銓幹嘛去分析三星的晶片？
你這反間能力太差，曲博高智能人士不會上你當。😂
@ 一個沒什麼工廠實務經驗光講理論的外省姓單一領域陽春博士，智能有沒比張忠謀高我是不知道，可以確定他一定搞不出台積電這種公司，就算他再專業，一個書袋子而已
整天唱衰台積電
你也發現了
居安思危
警惕每一個對手
務實
你这种人没有危机感
@@歸虛 從五百唱衰到現在一千了
曲博又沒唱衰台積電，人家只是講三星環繞閘極的技術進度如何而已🤣🤣🤣🤣🤣🤣🤣🤣