Infineon's compact surface-mounted FETs are true jewels. For driver IC, was seeing mostly TI products that available around shortage, but no doubt their driver will also be the charm!
Handōtai no suitchingu sonshitsu, tokuni denryoku sonshitsu wa tsuneni sonzai shimasu. Kore wa, gēto seigyo shingō ga kanzen ni seihōkei ni naru koto wanai tamedesu. Sarani, kono purosesu wa hindo no zōka to tomoni gekika shimasu. So no yōna jōkyōde wa, tsuneni iwayuru `chūyō' o sentaku suru hitsuyō ga arimasu. Kanpekina mono wa arimasen. Watashitachi wa tsuneni sore o mezashite doryoku shimasu. Gokigen'yō, sā! I do not know whether the electronic translator translated the text correctly. It is significant that it is difficult to switch transistors, especially power transistors, because it is impossible to get a perfectly square gate signal, especially during increased frequency. We always have to find the so-called "golden mean". Greetings, Sir!
This is an excellent term, quoted "on a breadboard". It is on such boards that excellent inventions are often created. It is always important to be able to draw conclusions from tests. Don't be discouraged by adversity! On such a symbolic board I managed to "conjure up" a perfect new generation synchronous motor. Greetings, Sir!
Yes, Mr. Ichiken is right. A standard electromagnetic switch (coil and armature type) is sufficient to start and stop a three-phase motor or any other electric motor. However, when controlling the drive of an induction or synchronous motor with permanent magnets, a frequency converter adapted to the power and operating mode of the motor is needed.
Ideally, supervision should always be effective over this power semiconductor switching. Short-circuiting the right-left switching is dangerous because the valve can be destroyed. There are always dilemmas like switching lag. If it is very short, there is a risk of this short-circuit, and if it is too long, the switching efficiency decreases. When designing a simple control based on two keying bridges, I used 8 Fairchild Semiconductors transistors and Omron EE-SB5 reflective microsensors for my new generation BLHF-RM synchronous motor. Such a system is not extremely precise, but very effective. Greetings, Sir!
I used for the construction of the controller, a new generation of a four-phase synchronous motor - Brushless Hybrid Fast - Rotation Motor (BLHF-RM), eight Fairchild Semiconductor IGBT transistors with a power of approx. 600 V/60A//0,463 kW each. Their gates are controlled by OMRON EE-SB5 reflective optical microsensors managing four steps per rotation. It is the simplest supervision system possible. My four motors also function well when powered by a 230 VAC/1,5 kW frequency converter.
3:38 ホワイトボードのNch MOSFETのシンボルは完全に間違えています。 (なぜかこの部分のシンボルだけ間違えています。)
正しくは 5:25 右上に表示されているNch MOSFETのシンボルが正しいものになります。
服
😂q
電気回路関係は専門書のみで勉強するのが大変な分野だと思うので、このような動画な多くの人の助けになると思います。インフィニオンの提供があるってことは教科書検定合格したぐらいの箔があると思います。あとは発熱しそうな部分の温度が見られるとありがたいです。
ああはあかえいかああああ 😊😂😮😅😅😮😮🎉😮😮😂😅🎉😂😅❤
かなり難しい内容ですがイチケンさんの解説で50%ぐらいは理解できました。
趣味レベルで勉強して工作しているのでそういった人向けの動画や書籍期待しています。これからも頑張ってください。
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応募に会社のメールアドレスが必要とありますが、個人のメールアドレスでもOKです。
o.O イチケン発見！
ちょうどNHKスペシャルで半導体やってたから助かった
パワー半導体は聞いたことはあったけど使い方や応用例などは知りませんでしたが、この動画で理解できました。
あと、解説がとても分かりやすいです。これからも頑張ってください。
・ON→OFFの遷移時間とOFF→ONの遷移時間は抵抗性の状態で電圧降下に伴う電力損失が有るので、その時間の比率を少なくすると効率が上がると云うお話ですね。
・電力MOSFETの入力容量は大きいので容量負荷を充電して電圧を上げる時も、放電させて下げる時も駆動力の大きな高速回路が必要です。
・所謂デジタルアンプの歪もこの遷移時間の抵抗と、HiサイドとLOWサイドのMOSFETの両方OFFの時間=デッドタイム時間の長さで、歪が発生するので、スイッチングを限りなく高速にすることが要求されます。
・デッドタイムを限界まで少なくして、同時に半分ONしている時間を存在させた状態が、歪最小になります。
・それを、安定に保つことが出来ないと歪が悪化するか、無効電力消費が増えるかの状態に成ります。
・出来るだけ高速スイッチング出来るMOSFETを入力容量に依らず高速に駆動出来ると、低歪で電力効率の良い壊れにくいデジタルアンプを作れます。
・SiCやGaのMOSFETで高性能なデジタルアンプを作ってみたいです。
・駆動回路にもアイデアがあります。
・低インピーダンス駆動エミッタフォロワ回路トランジスタと、短略放電用トランジスタを使って高速ドライブする回路を設計しました。
・放電時はゲート電圧をソース電位よりも低い逆極性電圧でドライブして放電するとより高速化できます。 ドライブICに内蔵したいですね。
マジでこういう動画をまってました！
精神を病んで辞めたんですけど、退職前にパワーカードの端子でウルヴァリンごっこが出来て楽しかったです。
ブートストラップのハーフブリッジドライバは便利です。IRS2110でテスラコイルを作っていました。
何個も何個も破壊した自分にとって懐かしいICの解説でとても楽しかったです。
ruclips.net/video/yTKoLPUSH-Q/видео.html
13:55 マイコンはあくまで司令塔だからパワープレイをすると時間がかかるって意味かな？（得意不得意分野があるというか）
やられた！この動画冒頭にデジキー提供ＣＭ（イチケン出演）の10分以上の長尺動画が流れてた！ＣＭ動画の真ん中あたりまで、今視ているコレはＣＭであって本編動画ではない！と気付かなかった😅
ゲートドライブの動画ずっと待ってた!
解ったつもりでもでも理解しきれてない部分あったなぁって確認になって良かった
分かりやすい解説ありがとうございます！勉強になります！
ブートストラップは、ツェナーなどで整えた後に線電流検出用のADコンバータの電源に使用することもありますね。
シャント抵抗で電流検出できる比較的小容量のモータ駆動回路でですが。
ミラー期間が短い（Qgが小さい）パワーMOSはスイッチングを速くできる反面、オン抵抗が大きくなる傾向があるので、バランスが難しいですね。
おかしい この部分開発中にほとんどの人がパワー素子の発煙とか破裂とか経験してるのにこの動画にない
イチケンさんの動画なのに
冗談はさておき、発煙とか破裂とかあったほうがゲートドライバーの優位性が理解できていいと思います
そうですね。実践編ではFETが焼けるとどうなるかなどの情報がほしいですね。私はFETに蝋を垂らしておいて、発熱したら早めに匂いでわかるようにしています。
ホワイトボードに描いたMOSFETのシンボル..違ってますよ
追記 4分頃の部分です
3:38 すみません。ホワイトボードのNch MOSFETのシンボルは完全に間違えています。
気が付きませんでした。ありがとうございます。
ゲートドライブはね、
C-MOS 4000 シリーズの IC が似合うよ。
実際、電源電圧がある程度自由に決められて、ドライブ能力も丁度良い。
実際、全く同じ仕様で1回路だけが入ってドライブとして販売されてるほど。
まあ、試して使うなら、そういうことも重要かな。
よくスイッチング損失としてその三角形の面積が引き合いに出されますが、これはVxIの目安になるだけであって、三角形の面積には物理的な意味はないと思って良いですか？
損失を減らして効率を上げるのは、単にエネルギー利用率を上げるというのもありますが、冷却を楽にするという効果の方が大事ですね。
このチャンネルって今回のインフィニオンとかオムロンとかTIとか、私は半導体や電子機器分野は詳しく無いけど、企業名だけなら流石に聞いたことあるレベルのがポンポン出てきてすごいなあって思う。
まさかブートストラップ使ってハイ側をnチャネル使ってフルブリッジ作る解説が出るとはw
Infineon's compact surface-mounted FETs are true jewels. For driver IC, was seeing mostly TI products that available around shortage, but no doubt their driver will also be the charm!
同感でーーす😸
わたしゃ前に組電池の急速充電器作って燃やしたよ。
An unknown error occurred. Please try again later.がでて応募できません。
直流１００VのＬＥＤ電球の駆動を個別のモバイルバッテリーの５Ｖを２０ＶにするＤＣＤＣコンバータを５個直列にしていますが、やたら電源のドライバハーネスがいかれます。電池交換などで両手を使うと１００Ｖの微弱電流が回帰するためみたいです。弱電で強電を制御する難しさ。
最近動画の更新頻度多くて嬉しい！
車は各社EV開発に力を入れる時代ですから、インバーターの知識が必須で、今後、学生のバイブルになるような動画に発展させてください。自作インバーターで誘導電動機や同期電動機を動かすまで、お願いします。
Good idea.
教科書読んでもイメージ湧きにくいので助かります
オリジナルコラボTシャツ、妙にカワイイぞ❤
一年はやくこの動画を知りたかった
インフィニオンのDDR400メモリがまだ刺さっているPCがうちに残ってるな
スイッチングを速くするとオーバーシュートが大きくなって周辺回路に高付加がかかったりノイズがし易くなり、遅くするとスイッチング損失が大きくなるトレードオフの話とかも聞きたかったです！
Handōtai no suitchingu sonshitsu, tokuni denryoku sonshitsu wa tsuneni sonzai shimasu. Kore wa, gēto seigyo shingō ga kanzen ni seihōkei ni naru koto wanai tamedesu. Sarani, kono purosesu wa hindo no zōka to tomoni gekika shimasu. So no yōna jōkyōde wa, tsuneni iwayuru `chūyō' o sentaku suru hitsuyō ga arimasu. Kanpekina mono wa arimasen. Watashitachi wa tsuneni sore o mezashite doryoku shimasu. Gokigen'yō, sā!
I do not know whether the electronic translator translated the text correctly.
It is significant that it is difficult to switch transistors, especially power transistors, because it is impossible to get a perfectly square gate signal, especially during increased frequency. We always have to find the so-called "golden mean". Greetings, Sir!
SDカード の原理と構造も やって欲しい！
フラッシュメモリと言いたいのか？
インフィニオンってDRAM作ってたよね 今も作ってるのかな
非常に分かりやすい説明でした！！
フローティングが最も重要なキーワードだと考えます。
実際にブレッドボードで実験されている点も頭に入ってきやすくて、良いと思います😊
This is an excellent term, quoted "on a breadboard". It is on such boards that excellent inventions are often created. It is always important to be able to draw conclusions from tests. Don't be discouraged by adversity! On such a symbolic board I managed to "conjure up" a perfect new generation synchronous motor. Greetings, Sir!
Helpful video. I liked it 👍
Lý thuyết còn thưc hành bạn làm sao xác đinh ic công suất đó sống trên môt mạch
むつかしいですね。僕にはついていけん（＾＾；）
サムネの更新の瞬間を見れて嬉しい
モスフェット(またはモス)という言い方は台湾由来ですね。提供がinfinityだからですかね。日本ではエフイーティーでいいと思います😮
面白い！
「電荷を入れる抜く」で教えても理解してくれないことが多く、わかりやすく解説するのは結構面倒ですね。
セルフターンオン等応用になると概念を理解してもらわないと説明すらできなくなりますが…
わかりやすい説明動画ありがとうございます!
直流直巻モーターの制御に今までダーリントン接続でバイボーラトランジスタしか使う事が出来ませんでしたが、MOSFETを使って見ようと思います♪
可変電圧のスイッチング電源IC基板を利用すると簡単に省電力駆動電源を作れます。
電子部品のデータシートを見ると立ち上がり、立ち上がりの時間が書いてあって、超短いじゃんって思うけどそれは電子工作レベルで、実用レベルだとそれも考慮しなきゃいけないんですねぇ
ドライバ内臓のモジュールってないんですかね。
そのパワートランジスタに最適なドライバまで内蔵されてれば使いやすそうだけど。
それIPM(Intelligent Power Module)ですね。ゲートドライブ回路が内蔵されています。
ただ使い方の小回りが効きにくい印象です。
最近なら高電圧IGBTやサイリスタなら光ゲートで直接ドライブ出来るのもあるからドライブ回路がめちゃくちゃ簡単に作れるんですよね
昔275kv初のサイリスタバルブやったけど光ゲートってまだ無かったからゲート電源すごい事に
なってましたね 何せ275kvだし
制御基盤とゲートドライバ間は光ケーブルでしたが
直流のチョッパ回路をお願いします
IRSxxxはブートストラップタイプのゲートドライバでは定番中の定番ですね。International Rectifierが買収されたのは全然知りませんでした。
ゲートドライブはIC使ってハイ終わりではなくて、パターン設計が悪かったりブートストラップコンデンサの種類や配置が悪いと最悪ラッチアップして壊れたりするんで意外と気を使うんですよね。
お疲れ様です
昔の思い出が少し出しました
工業高校の課題研究でラズパイを使って生活の役に立つのを作りたいんですが、何かおもしろい課題研究のネタはないでしょうか？
昔 パワートランジスタの時は
シャープのフォトカプラでPC921やPC922が
定番の部品でしたね
あれはダイオードの順方向電圧降下をコンデンサに充電して
オフの時逆バイアスで高速オフさせる回路でした
MOSFETの耐圧に比例してG-S間の電圧も大きくなってしまうのだろうか。ONするのにG-S間の電位差数百Vも必要なら高速スイッチングは難しくなる
ブートストラップのダイオードは高速タイプ（FRD）が必要なのでしょうか？
これってブラシレスモータードライバーにも応用できますか？
三相モータではパワー半導体ではなく電磁開閉器を用いることが殆どなんですが、動作特性に理由があるんでしょうか、単にコストメリットとかでしょうか？
一定速度で三相モータを回す場合は電磁開閉器を介してモータを三相交流につなぎます。
三相モータを可変速駆動する場合はパワー半導体を使ったインバータを使うことがほとんどです。
Yes, Mr. Ichiken is right. A standard electromagnetic switch (coil and armature type) is sufficient to start and stop a three-phase motor or any other electric motor. However, when controlling the drive of an induction or synchronous motor with permanent magnets, a frequency converter adapted to the power and operating mode of the motor is needed.
@@ICHIKEN1 イチケンさん 「そこの説明が必要だったか！」
こういうコメントが次の動画の品質を上げる
触りだけ聞くとマイコンの出力でパワー半導体のON/OFFを行うだけなら個別の素子でドライブ回路を組めそうな気がしますし、パワー半導体1個を制御するだけならディスクリート部品だけで設計することも可能ですが、動画ようなパワー半導体を直列に繋いだインバーター回路においては、2つのパワー半導体の制御が同期している必要があります。同期していないと2つのパワー半導体が両方ともONになる瞬間ができてしまい、このときパワー半導体に大電流が流れることになるため（VdcとGND間のスイッチが全部ONになっているわけなのでショートしているのと同じ）、これが多いとパワー半導体がぶっ壊れますし、壊れなくとも寿命を短くする要因になります。
なのでICを用いて2つのパワー半導体の制御を同期させ、両方がONになる期間をなるべく減らす制御が必要になってくるわけです。
同期するだけならマイコンでもできそうな気がしますが、マイコンの出力がいくら同期していてもパワー半導体との間にある絶縁回路やドライブ回路自身によって遅延が発生しますし、絶縁回路で訛った信号をシュミットトリガで回復したりしようとするとより信号に遅延が発生しますので、ドライブ回路は専用ICで制御したほうが良いのです。
ちょうど仕事で問題になってるところですw
アプリケーション機能とハードウェア制約の調整ミスのようなので、責任者と方針検討して担当者へ修正を促す予定です。。
Ideally, supervision should always be effective over this power semiconductor switching. Short-circuiting the right-left switching is dangerous because the valve can be destroyed. There are always dilemmas like switching lag. If it is very short, there is a risk of this short-circuit, and if it is too long, the switching efficiency decreases. When designing a simple control based on two keying bridges, I used 8 Fairchild Semiconductors transistors and Omron EE-SB5 reflective microsensors for my new generation BLHF-RM synchronous motor. Such a system is not extremely precise, but very effective. Greetings, Sir!
割と実践的で面白かった
Tシャツ当たりました！(*´∀｀*)尸"
6:00 あたりで、ゲート容量に残った電荷だけで、FETがオンし続けるとは、知りませんでした。
（実際の回路では、スイッチング速度改善のためにプッシュプルでドライブするため、ゲート容量の影響はほとんど気付かないです。）
このチャンネルは、こういう実験もしてくれるのでありがたいです。
あと、出力のFETを、Pch/Nch のペア(C-MOSのように)にすれば、フローティング電源が必要なくなると思うのですが、
（少なくとも Pch 側のドライブの基準点は、変動しなくなる。） 何故そうしないのでしょうか？
Pchを使った場合でも、負荷側の供給電圧の変動が見込まれる時は回路がやはり複雑になる。他には、単純化してPchのゲートをSW動作に必要な分より大きく振ってしまうと、ゲートの充放電による損失が増えてしまう。これらが邪魔しない条件ならN+PchでOKですよ。たぶん
D級AMPのFET不良はドライブICの劣化が原因な場合が多い、
FET交換で音は出るようになっても無音でも異様に熱かったりする。
レベル変換モジュールの中の回路も見たかったです。
電気自動車の電費の違いはこの辺から来るのかな
なんかリレーにそっくりですね
thanks for sharing!
I used for the construction of the controller, a new generation of a four-phase synchronous motor - Brushless Hybrid Fast - Rotation Motor (BLHF-RM), eight Fairchild Semiconductor IGBT transistors with a power of approx. 600 V/60A//0,463 kW each. Their gates are controlled by OMRON EE-SB5 reflective optical microsensors managing four steps per rotation. It is the simplest supervision system possible. My four motors also function well when powered by a 230 VAC/1,5 kW frequency converter.
Thank you for the like 😀.
そうなん？
のびそう
17:38からのゲートドライブ回路のｐｎｐとｎｐｎ合ってますか？
反対にしないと動かないと思います。
ここは電流駆動と思われる（エミッタフォロワーを、対にしている）ので、合っていると思います。
ちなみにこれは、あくまで説明図なので、実際の回路では抵抗とかレベルシフトダイオードが入っていると思います。
@@猫ミケ太郎
なるほど確かにエミッタフォロワですね
信号の論理もそうなってました
ゲート端子の電圧が０、１５Vで書かれていますけど実際はそれより0.5Vぐらい浮きますね
勉強になりました、返信ありがとうございます
オシロの機能で入力値を積算した波形を出す機能あるんじゃないかな
スイッチング損失を面積で説明してるところ、イメージとしては良さそうだけど厳密さを欠いてる気がする
パルストランスを用いたドライブ回路を紹介してほしい
メーカーのキットやテクニカルノートでは絶縁電源とドライブICの回路ばかりで情報がない
არიგატო , მაკიმასს 😀
パスワードの桁数の制限がよくわかりません。
شكرا لك
これって、トランジスタの説明として聞いても当てはまりますか？