На первый вопрос ответ-потому что при приближении фотодиода к линии осцилла яркость сильнее (энергия свечения), количество фотонов больше, полупроводниковая структура генерит выше потенциал, поэтому в области охвата фотодиода появляется характерный горб, вызванный процессом, описанным выше. Для изменения изгиба эпюры достаточно изменить полярность вывода фотодиода, подключенного к осциллу. Процесс будет симметричным ,а вот напруга будет отрицательная (горб вниз). Ну или инвертировать на самом осцилле сигнал 😁😁😁
На первый вопрос ответ-потому что при приближении фотодиода к линии осцилла яркость сильнее (энергия свечения), количество фотонов больше, полупроводниковая структура генерит выше потенциал, поэтому в области охвата фотодиода появляется характерный горб, вызванный процессом, описанным выше. Для изменения изгиба эпюры достаточно изменить полярность вывода фотодиода, подключенного к осциллу. Процесс будет симметричным ,а вот напруга будет отрицательная (горб вниз). Ну или инвертировать на самом осцилле сигнал 😁😁😁