Boa tarde, colega. Pelo que estou estudando, existem duas formas de fazer essas cargas eletrônicas. A primeira é utilizar uma tensão Vgs contínua no MOSFET para controlar a corrente que ele drena, pois o MOSFET precisa de uma certa tensão para ter o RdsON mínimo que informa o datasheet e para valores de tensão menores que essa, o MOSFET tem uma resistência de condução maior, funcionando como um resistor e dissipando potência. A segunda é a forma que você está fazendo, onde você simplesmente aplica um sinal PWM no MOSFET fazendo com que ele entre em condução, fechando literalmente um curto no dispositivo (pois todas as resistências em volta são baixíssimas). Desse modo, a potência dissipada pelos MOSFETs é basicamente é a potência de condução e a potência de comutação. A potência de condução é mínima (já que você faz o MOSFET atingir o Rdson mínimo) e a potência de comutação é um pouco maior, então quanto maior a frequência de chaveamento, maior será a potência dissipada. No entanto, o circuito que você utiliza, faz com que a corrente drenada da fonte que você está testando seja pulsada, o que provavelmente sobrecarrega os capacitores de saída, o circuito de controle (que tentará se ajustar a todo instante). Além disso, a corrente mostrada nos amperímetros que você normalmente usa (que mostra tensão e corrente através de um shunt) exibem a corrente média drenada da fonte, que é diferente da corrente RMS. Por exemplo, se seu pulso de corrente é de 0 a 30A com duty cycle de 30%, a corrente média é de 30*0,3 = 9A médio, mas a corrente RMS é de 30*raiz(0,3) = 16,43 A (uma diferença considerável). Uma solução para melhorar essa corrente pulsada seria utilizar a metade do número de MOSFETs chaveando a 180º da outra metade (em contra fase), isso melhoraria a corrente pulsada que é drenada da carga. Existem CIs que geram pulsos defasados em 180º, porém a maioria possui dead time, o que ainda faria com que a corrente tivesse um comportamento pulsado. No entanto, a primeira forma de construir uma carga eletrônica consegue drenar uma corrente totalmente constante da fonte, sem nenhum ruído de chaveamento, que podem danificar os MOSFETs, além de acabar com esse problema de corrente média e corrente eficaz. Além disso, acho que é possível dissipar uma maior potência no MOSFET, já que sua resistência interna será maior. Eu também acompanho o canal TecLab que realiza testes em fontes de PC em um test loader com capacidade pra quase 4000W e lá a forma da corrente drenada é totalmente constante, até porque eles avaliam o ripple da tensão de saída fonte. Eu pretendo montar um projeto de carga ativa e estou estudando e vendo vários vídeos para fazer isso da melhor forma, esse comentário é um resumo do que andei estudando e acho que é de longe o maior comentário que já escrevi...kkkkkk Se eu falei alguma bobagem, por favor, me corrija.
@@lcstorck Excelente explanação amigo, mas tens de montar um protótipo para aplicar o conceito.. Uma dificuldade que aparece na carga puramente mosfet é a largura do pulso, infelizmente não pode exceder os 70% do duty ciclo.. Estamos trabalhando em uma driver que consiga comutar para nível alto e nível baixo os gates.. tem de fazer eles entrarem em corte forçadamente.. só com resistores pull down não está sendo suficiente... Mas logo faremos uma segunda parte deste projeto.. Temos um projeto já performado de carga eletrônica. Porém, com transístores bipolares.. estável e confiável... Agora essa mosfet aí precisa de mais um pouquinho de aperfeiçoamento... Obrigado pelas dicas e explicações.. manteremos contato!! Um grande abraço
@@Licotelecom De fato, você não pode trabalhar com duty cycle tão alto porque você está literalmente curto circuitando o MOSFET e o calor possui uma certa inércia pra sair da junção, passar pelo encapsulamento, ser transferido para o dissipador e se dissipar, certamente ele queima. Para colocar o MOSFET em corte de forma mais rápida e reduzir ruídos, a utilização de um circuito snubber (Diodo, capacitor e resistor) em paralelo com o MOSFET ajuda a descarregar de forma mais rápida as capacitâncias internas dele e para o acionamento, você pode usar um circuito do tipo seguidor de tensão, que é basicamente um transistor BC337 e um BC327 em série, esse circuito diminui os tempos de subida e descida do acionamento. Como você já tem todo o circuito e tudo montado, acho que vale a pena você realizar um teste com o primeiro método que eu citei, aplicando uma tensão constante no gate abaixo da tensão que garante RDSon mínimo. Acredito que a única modificação a fazer é colocar um resistor de 10 a 100 ohm no gate de cada transistor para equilibrar o tempo de acionamento de cada um, mas você pode fazer do jeito que está, talvez apenas alguns MOSFETs esquentem um pouco mais que os outros. Abraço, podemos trocar o contato, meu @ aqui é o mesmo do meu instagram.
@@betopx2 Olá boa tarde amigo.. Vamos calcular posteriormente.. acredito que em 15v passará dos 100amperes .. em tensões mais alta a corrente diminui. Logo mais faremos mais vídeos deste projeto.. estou aguardando um gabinete para instalar dentro.. Um grande abraço amigo
@@Licotelecom Sigo vc a bastante tempo e esperando chegar meu irfp260 da china pra fazer a com tip35. Preciso de uma carga praq testa somente fontes automotivas de 12 a 14.4, nesse caso do uso dos 90n20 vc acha que com quantos mosfets consigo extrair 200A. Lembrando meu teste são bem rapido coisa de 30 segundos só pra ver a proteção da fonte se não passa limite dela e ajuste de corrente nada que fique horas e horas em teste. Grande abraço fera tudo de bom em sua vida.
@@moobtechsolutions Olá boa tarde amigo, estou trabalhando neste projeto a alguns meses. Demorou um pouco devido à escolha dos transístores . O dissipador tem um tamanho bacana, estamos otimistas com o resultado final.. Ainda tem alguns detalhes na etapa driver e etapa de entrada de energia. Houve uma certa dificuldade quanto a linearidade.. no início ele disparava e não tinha um ajuste.. após adequações na rede de resistores dos gates dos transístores houve um ajuste progressivo.. Logo começaremos a elaboração do diagrama. Aí podemos fazer um vídeo comentando.. Muito obrigado pela força amigo.. um grande abraço e tamojunto! 🙏
@@Licotelecom Nesse caso pq não pensa em usar draiv e dois canais como o ir4427 pra exitar os 90n20 não seria melhor. Tem uma placa da sua com 555 e um ir4427 como draiv ficou top. E mais uma vez parabéns pelo canal e conteudo vc fera Deus abencõe.
Boa tarde meu estimado amigo Flip Flop!!! Os transístores são para 100volts.. Mas aplicando aquela regra de 30% de margem de segurança. Vamos considerar 70volts.. esta regra também aplicamos na corrente, então vamos ter aproximadamente 70 amperes.. Pela lei de ohms. Tensão x corrente, temos 70v x 70a (aproximadamente) teremos 420w cada transístor. Colocamos 16 transístores para drenar e um para controlar.. Estamos otimistas nos 200 amperes em 15v. A potência estimada multiplicando 15v x 200a é 3KW. Em 30v a potência poderia ser a mesma, porém a corrente não poderá superar os 100a. Muito obrigado pela força!! Que Deus continue abençoando todos nós sempre 🙏!
Agora sim carga com mosfet isso ai like sempre.
Muito obrigado meu amigo!!
Top! Será que um driver NPN+PNP não seria melhor para acionar os CMOS? Abraços
Boa tarde, colega.
Pelo que estou estudando, existem duas formas de fazer essas cargas eletrônicas. A primeira é utilizar uma tensão Vgs contínua no MOSFET para controlar a corrente que ele drena, pois o MOSFET precisa de uma certa tensão para ter o RdsON mínimo que informa o datasheet e para valores de tensão menores que essa, o MOSFET tem uma resistência de condução maior, funcionando como um resistor e dissipando potência.
A segunda é a forma que você está fazendo, onde você simplesmente aplica um sinal PWM no MOSFET fazendo com que ele entre em condução, fechando literalmente um curto no dispositivo (pois todas as resistências em volta são baixíssimas). Desse modo, a potência dissipada pelos MOSFETs é basicamente é a potência de condução e a potência de comutação. A potência de condução é mínima (já que você faz o MOSFET atingir o Rdson mínimo) e a potência de comutação é um pouco maior, então quanto maior a frequência de chaveamento, maior será a potência dissipada.
No entanto, o circuito que você utiliza, faz com que a corrente drenada da fonte que você está testando seja pulsada, o que provavelmente sobrecarrega os capacitores de saída, o circuito de controle (que tentará se ajustar a todo instante). Além disso, a corrente mostrada nos amperímetros que você normalmente usa (que mostra tensão e corrente através de um shunt) exibem a corrente média drenada da fonte, que é diferente da corrente RMS. Por exemplo, se seu pulso de corrente é de 0 a 30A com duty cycle de 30%, a corrente média é de 30*0,3 = 9A médio, mas a corrente RMS é de 30*raiz(0,3) = 16,43 A (uma diferença considerável).
Uma solução para melhorar essa corrente pulsada seria utilizar a metade do número de MOSFETs chaveando a 180º da outra metade (em contra fase), isso melhoraria a corrente pulsada que é drenada da carga. Existem CIs que geram pulsos defasados em 180º, porém a maioria possui dead time, o que ainda faria com que a corrente tivesse um comportamento pulsado.
No entanto, a primeira forma de construir uma carga eletrônica consegue drenar uma corrente totalmente constante da fonte, sem nenhum ruído de chaveamento, que podem danificar os MOSFETs, além de acabar com esse problema de corrente média e corrente eficaz. Além disso, acho que é possível dissipar uma maior potência no MOSFET, já que sua resistência interna será maior. Eu também acompanho o canal TecLab que realiza testes em fontes de PC em um test loader com capacidade pra quase 4000W e lá a forma da corrente drenada é totalmente constante, até porque eles avaliam o ripple da tensão de saída fonte.
Eu pretendo montar um projeto de carga ativa e estou estudando e vendo vários vídeos para fazer isso da melhor forma, esse comentário é um resumo do que andei estudando e acho que é de longe o maior comentário que já escrevi...kkkkkk
Se eu falei alguma bobagem, por favor, me corrija.
@@lcstorck
Excelente explanação amigo, mas tens de montar um protótipo para aplicar o conceito..
Uma dificuldade que aparece na carga puramente mosfet é a largura do pulso, infelizmente não pode exceder os 70% do duty ciclo..
Estamos trabalhando em uma driver que consiga comutar para nível alto e nível baixo os gates.. tem de fazer eles entrarem em corte forçadamente.. só com resistores pull down não está sendo suficiente... Mas logo faremos uma segunda parte deste projeto..
Temos um projeto já performado de carga eletrônica. Porém, com transístores bipolares.. estável e confiável...
Agora essa mosfet aí precisa de mais um pouquinho de aperfeiçoamento...
Obrigado pelas dicas e explicações.. manteremos contato!!
Um grande abraço
@@Licotelecom De fato, você não pode trabalhar com duty cycle tão alto porque você está literalmente curto circuitando o MOSFET e o calor possui uma certa inércia pra sair da junção, passar pelo encapsulamento, ser transferido para o dissipador e se dissipar, certamente ele queima.
Para colocar o MOSFET em corte de forma mais rápida e reduzir ruídos, a utilização de um circuito snubber (Diodo, capacitor e resistor) em paralelo com o MOSFET ajuda a descarregar de forma mais rápida as capacitâncias internas dele e para o acionamento, você pode usar um circuito do tipo seguidor de tensão, que é basicamente um transistor BC337 e um BC327 em série, esse circuito diminui os tempos de subida e descida do acionamento.
Como você já tem todo o circuito e tudo montado, acho que vale a pena você realizar um teste com o primeiro método que eu citei, aplicando uma tensão constante no gate abaixo da tensão que garante RDSon mínimo. Acredito que a única modificação a fazer é colocar um resistor de 10 a 100 ohm no gate de cada transistor para equilibrar o tempo de acionamento de cada um, mas você pode fazer do jeito que está, talvez apenas alguns MOSFETs esquentem um pouco mais que os outros.
Abraço, podemos trocar o contato, meu @ aqui é o mesmo do meu instagram.
Lionel qual seria a menor e a maior tensão de entrada posso usar esta carga?
@@betopx2 Olá boa tarde amigo..
Vamos calcular posteriormente.. acredito que em 15v passará dos 100amperes .. em tensões mais alta a corrente diminui.
Logo mais faremos mais vídeos deste projeto.. estou aguardando um gabinete para instalar dentro..
Um grande abraço amigo
@@Licotelecom Sigo vc a bastante tempo e esperando chegar meu irfp260 da china pra fazer a com tip35. Preciso de uma carga praq testa somente fontes automotivas de 12 a 14.4, nesse caso do uso dos 90n20 vc acha que com quantos mosfets consigo extrair 200A. Lembrando meu teste são bem rapido coisa de 30 segundos só pra ver a proteção da fonte se não passa limite dela e ajuste de corrente nada que fique horas e horas em teste. Grande abraço fera tudo de bom em sua vida.
@@moobtechsolutions
Olá boa tarde amigo, estou trabalhando neste projeto a alguns meses. Demorou um pouco devido à escolha dos transístores . O dissipador tem um tamanho bacana, estamos otimistas com o resultado final..
Ainda tem alguns detalhes na etapa driver e etapa de entrada de energia.
Houve uma certa dificuldade quanto a linearidade.. no início ele disparava e não tinha um ajuste.. após adequações na rede de resistores dos gates dos transístores houve um ajuste progressivo..
Logo começaremos a elaboração do diagrama. Aí podemos fazer um vídeo comentando..
Muito obrigado pela força amigo.. um grande abraço e tamojunto! 🙏
@@Licotelecom Nesse caso pq não pensa em usar draiv e dois canais como o ir4427 pra exitar os 90n20 não seria melhor. Tem uma placa da sua com 555 e um ir4427 como draiv ficou top. E mais uma vez parabéns pelo canal e conteudo vc fera Deus abencõe.
Boa noite tem como mandar um vídeo e um projeto bora vc testar pra ver se é funcional obg...@@Licotelecom
Lionel vai ser para quantos watts essa carga?
Já deixando o like de nº21
Boa tarde meu estimado amigo Flip Flop!!!
Os transístores são para 100volts..
Mas aplicando aquela regra de 30% de margem de segurança. Vamos considerar 70volts.. esta regra também aplicamos na corrente, então vamos ter aproximadamente 70 amperes..
Pela lei de ohms. Tensão x corrente, temos 70v x 70a (aproximadamente) teremos 420w cada transístor.
Colocamos 16 transístores para drenar e um para controlar..
Estamos otimistas nos 200 amperes em 15v.
A potência estimada multiplicando 15v x 200a é 3KW.
Em 30v a potência poderia ser a mesma, porém a corrente não poderá superar os 100a.
Muito obrigado pela força!!
Que Deus continue abençoando todos nós sempre 🙏!
@@Licotelecom Bacana meu amigo! Bem poderoso esse mosfet. 🙂🙂🙂
Ola Lionel, pode me passar algum meio de fazer contato com você? Grato!!
@@ijuniorjunior
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licotelecomassis@gmail.com