トランジスタの静特性(直流電流増幅率hFE、ベース・エミッタ間電圧、ダイオードとの関係性)【実験】

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  • Опубликовано: 7 сен 2024

Комментарии • 9

  • @yesterday4551
    @yesterday4551  2 года назад +1

    動画内0:18に誤りがあります
    誤:コレクタ・エミッタ間電圧
    正:ベース・エミッタ間電圧

  • @Sankakumusubi
    @Sankakumusubi 3 года назад +2

    一つ一つ手作業ってところがいいですね。

    • @yesterday4551
      @yesterday4551  3 года назад +3

      手作業は確実ですよね。ただ可変抵抗の微妙な調整が大変でした…
      コメントありがとうございます。

  • @-EDiy
    @-EDiy 3 года назад

    カラフルで細かい編集があって楽しく見れました!

    • @yesterday4551
      @yesterday4551  3 года назад

      ありがとうございますっ!
      実学重視だと避けられない地味な動画ですが、楽しく見ていただけてとても嬉しいです。

  • @ss-po7um
    @ss-po7um 10 месяцев назад

    とても分かり易かったです。
    ダイオードに動作の最低電圧があるなんて知らなかったです。
    トランジスタ静特性曲線のグラフの謎が解けました。

    • @yesterday4551
      @yesterday4551  10 месяцев назад

      コメントありがとうございます。
      半導体の基本はPN接合ですのでそこに立ち返ると腑に落ちる物事は電子回路において多いですね...!
      お役に立てて光栄です。

  • @swaka843
    @swaka843 9 месяцев назад +1

    Ic vs VBE は片対数(ICが対数)で描くのが一般的、 hFE vs VBEはわかりにくいので、hFE vs ICで描くのがわかりやすい。

  • @etaable
    @etaable 2 года назад

    なんか。笑 良いね笑