Вспомнилось как впервые увидел igbt модул)))мы решили тогда что это тиристорная сборка и заменили его советскими транзисторами)) был хороший фейерверк))
Спасибо тебе большое! Очень очень прям очень интересно было смотреть и слушать!!! Правда я редко пишу коменты и выражаю свое мнение, но это очень полезно. Я думаю многие тебе благодарны и как минимум я буду очень рад если ты и дальше будешь продолжать снимать подобные обучающие видео. Это правда очень полезно. Очень приятно понимать что есть ещё люди которые готовы рассказывать о таком а не просто плясать и страдать сами знаете чем. Спасибо тебе большое человек с большой буквы)
Отличное видео!!! Очень много полезной информации нашел для себя! Очень даже интересны подобные обучающие видео, ведь по сути без всех этих знаний в дальнейшем будет невозможно создание каких либо самоделок и устройств. Невозможно что то хорошо собрать, если не знаешь принцип работы.
Отличное видео я впервые увидел такое четкое и понятное объяснение по IGBT. У меня у самого профильное образование по обслуживанию электроустановок и я написал несколько дипломов на эту тему и занимался ремонтом электроприводов, хотя сам работаю последнее время в IT. Вообщем этот одно из лучших объяснений этой темы вам в преподы нужно.
Тема полностью не раскрыта, прчём важные аспекты как наличие динамических емкостей затвор - эмиттер, затвор коллектор и наличие смертоносного паразитного транзистора в структуте IGBT - кристала.
Очень радует что ты умеешь так просто и сжато давать инфу по радиодеталям. Плиз - расскажи о импортных диодах - с малым временем восстановления, сверхбыстрых и подобных что стоят в импульсных и вч схемах.
Посмотрел сотни видео про транзисторы, и только сейчас понял как работает коэффициент усиление и в чем главная разница между полевыми и биполярными транзисторами. Еще бы видео про способы включения (мостовой, эмиттерный повторитель и т.д.). Спасибо!!!
Могу скинуть лекции по радиоэлектронике. Там описаны способы включения транзисторов, и всё предельно понятно расписано :) Напишите мне свою почту, может чего полезного сможете вычитать)
Огромное спасибо такое обширное и понятное видео, всё же есть в этом мире люди, которые делают полезные видео ради помощи людям, а не только из-за просмотров!
Очень толково объяснил.Молодец! От себя хотел бы заметить что впервые пришлось поработать с такими транзисторами еще до производства их кампанией IRF Назывались те транзисторы КП926.. Экспериментальная серия их была выпущена в городе Омске. Помнится автор их разработки жаловался мне что уже лет десять бегал по московским кабинетам с опытными образцами,пытаясь внедрить их в производство. Вот и думаю теперь: то ли у него приоритет,то ли его обокрали московские проходимцы и продали,то ли IRF придумала их независимо...
Обучающие ролики очень нужны, особенно в таком развернутом виде. Иногда в какие-то нюансы очень не просто вникнуть, и такую, разложенную по полочкам информацию, днём с огнём иногда не найдешь. Спасибо. На такой контент всегда найдется своя аудитория.
Ну скажем не только про полочку не рассказали! А об уникальности данного шедевра к защёлкиванию благодаря паразитному транзистору в структуре кристала. А так же по уникальность всё той же ёмкости Миллера. И то что все паразитные ёмкости с динамической ёмкостью. Это уникальный полупровдниковый элемент способный к возбуждению на частотах порядка 15 мГц. в силовых модулях порядка 450 Ампер в параллельном включении в опредёлённых условиях!
В радиоэлектронике не последний человек, но про данные транзисторы не слышал(не сталкивался потому что,наверное). Всё понял,в ячейке памяти отложилось. Спасибо!
Спасибо за видео ! Никогда не интересовался такими из за отсутствия их в моей жизни , даже частотник в гараже для гриндера на 1500ватт на полевиках сделан )
Шикарные ролики, много полезной информации. Но в данном видео есть неточности, о которых просто нельзя не упомянуть. Это касается сравнения статических потерь на MOSFET и на IGBT. Мощность выделяемая на MOSFET: P=i2*R - протекающий ток в квадрате надо умножить на сопротивление открытого канала. Мощность, выделяемая на IGBT: P=U*I - напряжение насыщения коллектор-эмитер умноженное на ток коллектора. Так вот, это может показаться неочевидным, но если посчитать мощность для типичных представителей этих транзисторов примерно одного класса по формулам, то получится, что в режиме больших (или номинальных) токов на IGBT падает меньшая мощность. Отсюда и основное достоинство IGBT - способность работать на ощутимо больших токах, чем MOSFET. Это определяется именно меньшими потерями в открытом состоянии ключа. Так же это можно объяснить тем, что MOSFET - униполярный прибор - проводимость канала обеспечивается электронами, а IGBT биполярный прибор - в проводимости участвуют как электроны, так и дырки (тоже электроны, но в валентной зоне). MOSFET превосходит IGBT практически во всём, кроме больших токов и способности выдерживать большое напряжение. IGBT медленнее и имеют бОльшие потери на переключение, поэтому на слишком высоких частотах не используются.
Спасибо за подробный ликбез! Чем-то советские обучалки-документалки подачей напомнило). Много сталкиваюсь с ПЧ, и каждый раз "интересно, что за транзисторы, надо почитать!", но всё никак. А тут прямо в тему)))
Лайк за кадры транзистора: то в травке, то на дереве) А если срьезно, то видео отличное, обучающие самые ценные, но видимо массы любят "хлеб и зрелище". Большое спасибо и будь здоров!
Шикарное видео. Было интересно послушать того кто применяет такие приборы на практике. Работаю на предприятии, которое производит IGBT как в виде силовых модулей, так и в дискретных корпусах. Интересно было бы ещё узнать о нюансах применения, т.к. у тебя большой опыт именно с готовыми схемами, чтобы понять на что больше обращать внимание. Сами модули испытать та ещё задачка, но это все равно остается идеальным испытанием в вакууме, за исключением разве что устойчивости к импульсу двойного переключения, обычно все замечания уже получаем от людей, которые применяет наши модули в готовых схемах.
IGBT ключи в мощных приложениях с напряжениями от 300В имеют преимущество над полевиками. Первое - область безопасной работы IGBT шире MOS-фетов, Второе - если пересчитать падение на MOS-FET ключе при токе например 20 А с рабочим напряжением например 500В, то окажется что IGBT ключ будет иметь меньшее падение. И последнее - у IGBT не наблюдается Миллеровская полка по затвору - меньше звона. Единственный недостаток IGBT - очень быстрые сильно дороже, да и за встроенные диоды надо доплачивать.
Это если сравнивать с кремниевыми мосфетами. Если отбросить фактор стоимости, то в сегменте 500V-20A SiC-мосфеты превосходят IGBT на голову. Еще есть GaN-мосфеты
Блин, а у меня таких 4 шт. валяется. Вот только даже внимания не обращал, а выкинуть жалко было. Спасибо автору ! Теперь буду знать, что точно пригодятся
Отлично изложено! Лет десять назад, такой видосик сэкономил бы мне много сил и времени. Но вот разобранного модуля в кадре не хватает. Компаунд очень часто прозрачный (непрозрачный вообще видел пару раз всего), так что было бы неплохо заглянуть. Кристаллики выглядят прикольно и ниточки, которыми кристалл соединен с шинами - тоже. Смотришь на такое и удивляешься, как оно все не выгорает на таких токах)
Хорошая подача материала. Единственная странность - в изображении входной емкости полевого транзистора. Входная емкость существует между истоком и затвором. Стало быть относительно управления она прикладывается в параллель, но никак не последовательно.
@@nat87serg Дыыы что вы говорите? Емкость присутствующая между истоком и затвором (входная) оказывается последовательной относительно затвора... Это судя по сюжету. Ну ни фига себе - нет ошибки. Если уж быть дотошными, то заряд емкости происходит последовательно (как и любого конденсатора), но разряд осуществляется между двумя выводами емкости. То есть - затвор тупо соединяется с истоком. И никак последовательным такое воздействие быть не может. Емкость исток-затвор не перезаряжается, а закорачивается. А если учитывать более низкую скорость закрывания описанного транзистора, то быстрый разряд очень важен. В биполярных транзисторах именно такое свойство отчетливо наблюдается. И это свойство наиболее сильно проявилось из-за присутствия в данном гибриде именно биполярника.
@@nat87serg Да и забыл. В моем начальном утверждении написано, что входная емкость прикладывается к выходной цепи в параллель. Если выходом считать точку связи с затвором и точку связи с истоком, то именно так и выходит.
Дядька самое важное забыл рассказать про транзисторы. Это емкость между К-Э. У полевых она значительно выше (И-С). Если использовать полевики в схеме полумост в импульсном блоке питания, то без радиатора даже в холостом режиме они могут сгореть, так как пока один транзистор закрыт в нем остается заряд, и когда открывается другой транзистор, он начинает работать на эту емкость, и кратковременно импульсный ток достигает огромных значений.
Такой ток может быть и не от этой емкости, а от качества обратных диодов. Они должны иметь минимальное время "рассасывания", а это сложная задача. Кроме того, ток "рассасывания" для диода ограничен и превышение его черевато пробоем. Поэтому затворный резистор выбирают из компромиса - избегаем слишком быстрого включения полевика для избежания большого тока "рассасывания" в оппозитном ключе / потери на коммутацию. Этот компромис имеет экстремум минимальной мощности потерь при определенном значении затворного резистора. Все мною сказанное характерно для индуктивной нагрузки, когда обратные диоды активно используются.
Салют :) Тут можно добавить что при включении мосфетов паралельно, падение напряжения открытого канала будет уменьшатся. У IGBT транзисторов, сколькобы в паралель не подключай, падение напряжения будет всегда одним и темже. Это к тому чтобы допустим уменьшить нагрев ключей, чтобы не использовать здаровых радиаторов мы можем запаралелить мосфеты, а вот с IGBT такая схема не прокатит.
Емкость затвора изображена неверно Емкость должна изображаться параллельно переходу затвор-исток. В Вашем случае емкость ведет себя как диф. цепочка, а должна быть интегрирующая.
Емкостей в полевом на самом деле много, не только затвор исток, но и затвор сток, есть и собственная емкость затвора, для упрощения часто все это называют затворной емкостью
Да вот и знакомый полевик увидел rfp50n06, пару раз менял в авто усилителях мощности такой. И в умной зарядке пропавшей под дождь. Ну там не только им ограничился ремонт.
Лет 15 назад работал с частотниками. Многих производителей (называть не буду - реклама или антиреклама). Тогда это были пионеры в нашей промышленности. Так что нам не нравилось - силовые модули были выполнены в едином блоке - входной мост (1-но или 3-х фазный, в зависимости от исполнения), выходные силовые ключи с оптодрайверами. Совершенно не ремонтопригодно! Иногда ремонт бывал удачным, если в платах управления были проблемы :smd предохранители, транзисторы, операционники и т. п.
Отличное видео, многим, я думаю, будет полезно видео про операционный усилитель, так как это не менее распространенный элемент в схемотехнике, чем транзистор
Хочу видеть про операционные усилители с цифровым управлением, внутренними опорными источниками и гальванически развязаным внутренним питанием( с их помощью отслеживают падение на токовом резисторе IGBT ключей).
@@valentinsavchuk7807 по моему для таких целей как измерение падения напряжения обычный гальванически развязанный операционник подойдёт, типа ACPL-7800, ACPL-C79, что-то от TI и прочие
Спасибо! Хорошо разжёвано, сохраню себе. А можно такое же видео про JFET (почему у него затвор изображён в виде истока, со стрелочкой) и чем они отличаются от тех же MOSFET-ов?
Автору спасибо за интересный ролик!!! Люди, может кто расскажет, что за транзистор 313, производства СССР 1959 года? Сегодня, роясь в ящике с деталями, обнаружил пару таких транзисторов. Они похожи на П202, но верх крышки плоский, как у П4БЭ. И никакой буквы "П" у него нет. Кто знает, пожалуйста, расскажите, может это не только мне будет интересно. Гугл про него ничего не смог рассказать...
Сделайте обзор на разобранный модуль IGBT. Там много интересного - что за гель-наполнитель внутри, из чего сделаны тончайшие проводники, что выдерживают огромные токи. Да и сам миниатюрный кристаллик IGBT интересен там.
Не всем дано так излагать технологии! Класс. Спасибо за труды.
Моё почтение) Очень хорошо объяснили то что многие не могут и за 5 лет) Про тайминги и ёмкости и к чему ведут различные их значения-просто и понятно.
Вспомнилось как впервые увидел igbt модул)))мы решили тогда что это тиристорная сборка и заменили его советскими транзисторами)) был хороший фейерверк))
Не люблю букву з
Нет Z-нацизму!
@@AlexXoxol333Это пишет тот, в чьей стране стоят памятники Бандере?
@@StalkerFromSouth ахах, так Бандера молодец, он сражался с двумя усатыми фашистами - коричневым гитлером и красным сталиным!
@@StalkerFromSouth нацик руzzкий, Бандера борец с гитлеровским и сталинским фашизмом!
Спасибо тебе большое! Очень очень прям очень интересно было смотреть и слушать!!! Правда я редко пишу коменты и выражаю свое мнение, но это очень полезно. Я думаю многие тебе благодарны и как минимум я буду очень рад если ты и дальше будешь продолжать снимать подобные обучающие видео. Это правда очень полезно. Очень приятно понимать что есть ещё люди которые готовы рассказывать о таком а не просто плясать и страдать сами знаете чем. Спасибо тебе большое человек с большой буквы)
Отличное видео!!! Очень много полезной информации нашел для себя! Очень даже интересны подобные обучающие видео, ведь по сути без всех этих знаний в дальнейшем будет невозможно создание каких либо самоделок и устройств. Невозможно что то хорошо собрать, если не знаешь принцип работы.
Вы правы
Про новые сверхмощные GAN транзисторы и блоки питания на их основе тоже интересно
Старая технология на новом типе полупроводника
В них тоже косяков не мало особенно на управление 💁 очень прожорливый
Отличное видео я впервые увидел такое четкое и понятное объяснение по IGBT. У меня у самого профильное образование по обслуживанию электроустановок и я написал несколько дипломов на эту тему и занимался ремонтом электроприводов, хотя сам работаю последнее время в IT. Вообщем этот одно из лучших объяснений этой темы вам в преподы нужно.
Тема полностью не раскрыта, прчём важные аспекты как наличие
динамических емкостей затвор - эмиттер, затвор коллектор и наличие
смертоносного паразитного транзистора в структуте IGBT - кристала.
Подобные видео по обучению очень, очень нужны.
Огромное спасибо за такой ликбез!
Очень радует что ты умеешь так просто и сжато давать инфу по радиодеталям. Плиз - расскажи о импортных диодах - с малым временем восстановления, сверхбыстрых и подобных что стоят в импульсных и вч схемах.
Посмотрел сотни видео про транзисторы, и только сейчас понял как работает коэффициент усиление и в чем главная разница между полевыми и биполярными транзисторами. Еще бы видео про способы включения (мостовой, эмиттерный повторитель и т.д.). Спасибо!!!
Могу скинуть лекции по радиоэлектронике. Там описаны способы включения транзисторов, и всё предельно понятно расписано :) Напишите мне свою почту, может чего полезного сможете вычитать)
@@spuffik9235сможешь скинуть, пожалуйста?
Огромное спасибо такое обширное и понятное видео, всё же есть в этом мире люди, которые делают полезные видео ради помощи людям, а не только из-за просмотров!
Отличнейший урок... Превосходная,бесценная мысль пришла вам в голову о видео!!!!! Огромное спасибо вам за труды
Вам спасибо за отзыв, рад, что понравилось.
Очень толково объяснил.Молодец! От себя хотел бы заметить что впервые пришлось поработать с такими транзисторами еще до производства их кампанией IRF Назывались те транзисторы КП926.. Экспериментальная серия их была выпущена в городе Омске. Помнится автор их разработки жаловался мне что уже лет десять бегал по московским кабинетам с опытными образцами,пытаясь внедрить их в производство. Вот и думаю теперь: то ли у него приоритет,то ли его обокрали московские проходимцы и продали,то ли IRF придумала их независимо...
Да уж... по части отфутболивания наши руководители всегда были впереди планеты всей. Не смешно
Отличное видео, как и все остальные. Держи планку по выпуску видео в том же режиме, даже в такое нелёгкое время. Удачи.
тфу мля! и тут гейпропоганда!
сейчас сообщу, пусть арестуют
@@Rin__Okumura путю арештуй..)))))
Четкое видео! Редко лайки тыкаю, но тут полностью заслуженно!
Как же вовремя вышло это видео, как раз собрал БП на igbt
Оно как хрестоматия или ежедневная молитва электронщика, всегда уместно к повтору познания😉
Видео супер. Все хотел узнать о igbt транзисторах подробнее. Объясняешь все четко и понятно, нет "воды". Спасибо большое за контент
Обучающие ролики очень нужны, особенно в таком развернутом виде. Иногда в какие-то нюансы очень не просто вникнуть, и такую, разложенную по полочкам информацию, днём с огнём иногда не найдешь. Спасибо. На такой контент всегда найдется своя аудитория.
Прекрасное видео, вот так сразу рассказать про два типа транзисторов....Спасибо
Автору огромнейшее спасибо !!!
Не пишу коменты,не ставлю лайки. Смотрю давно Вас! И обучающие ролики самые лучшие,работаю автоэлектриком. Много чего нового черпнул!!!
спасибо
ОГРОМНОЕ СПАСИБО! Всё разложили по полочкам в моей голове.
Все очень понятно и максимально информативно. Спасибо вам огромное 👍
Снимаю шляпу !!!! Так разбираться в транзисторах не каждому академику под силу !!! Респект !!!👍👍👍
Ну скажем не только про полочку не рассказали! А об уникальности данного шедевра
к защёлкиванию благодаря паразитному транзистору в структуре
кристала. А так же по уникальность всё той же ёмкости Миллера.
И то что все паразитные ёмкости с динамической ёмкостью.
Это уникальный полупровдниковый элемент способный к
возбуждению на частотах порядка 15 мГц. в силовых модулях
порядка 450 Ампер в параллельном включении в опредёлённых условиях!
Очень качественный контент! Без электронов, а главное без дырок, и прочнц лишнец музыки. Благодаргость за труд, и комментариц в поддержку канала 👍
В радиоэлектронике не последний человек, но про данные транзисторы не слышал(не сталкивался потому что,наверное). Всё понял,в ячейке памяти отложилось. Спасибо!
Спасибо за видео !
Никогда не интересовался такими из за отсутствия их в моей жизни , даже частотник в гараже для гриндера на 1500ватт на полевиках сделан )
Хорошо рассказанно, надо было дополнить в конце как отличить подделку плохого качества IGBT от оригинала . А так молодец.
Шикарные ролики, много полезной информации. Но в данном видео есть неточности, о которых просто нельзя не упомянуть. Это касается сравнения статических потерь на MOSFET и на IGBT. Мощность выделяемая на MOSFET: P=i2*R - протекающий ток в квадрате надо умножить на сопротивление открытого канала. Мощность, выделяемая на IGBT: P=U*I - напряжение насыщения коллектор-эмитер умноженное на ток коллектора. Так вот, это может показаться неочевидным, но если посчитать мощность для типичных представителей этих транзисторов примерно одного класса по формулам, то получится, что в режиме больших (или номинальных) токов на IGBT падает меньшая мощность. Отсюда и основное достоинство IGBT - способность работать на ощутимо больших токах, чем MOSFET. Это определяется именно меньшими потерями в открытом состоянии ключа. Так же это можно объяснить тем, что MOSFET - униполярный прибор - проводимость канала обеспечивается электронами, а IGBT биполярный прибор - в проводимости участвуют как электроны, так и дырки (тоже электроны, но в валентной зоне). MOSFET превосходит IGBT практически во всём, кроме больших токов и способности выдерживать большое напряжение. IGBT медленнее и имеют бОльшие потери на переключение, поэтому на слишком высоких частотах не используются.
Спасибо за подробный ликбез! Чем-то советские обучалки-документалки подачей напомнило). Много сталкиваюсь с ПЧ, и каждый раз "интересно, что за транзисторы, надо почитать!", но всё никак. А тут прямо в тему)))
Добрый день. Подача материала высокопрофессиональна. Трудно найти сегодня что то подобное. Спасибо. Автору успехов
Спасибо вам большое, оч приятно
Спасибо вам большое, оч приятно
Очень полезное видео, спасибо большое Вам!!! Легко и доступно рассказал, молодец!!!
Ну где и на каком канале вы ещё услышите такую информацию? Разжевано
настолько грамотн0!!!.
Очень полезный материал. Много нового узнал! Спасибо, Касьян! Сотри Вас уже несколько лет
Спасибо. Как всегда в топе просветительской деятельности в сети. Один из наиболее полных роликов по теме, браво.
Очень хорошее видео. Полезно для начинающих электронщиков.
Не знаю как другие, а мне нравится. Повторение мать учения..
Обучающие видео это вообще лучшее что есть на Ютуб.
Как всегда просто и понятно! Супер! )))
Спасибо, я для себя нашла очень много полезной, а главное, понятной информации.
Умеете вы понятно объяснять.
Спасибо большое, особенно приятно, когда женщина увлекается таким с первого взгляда не женским делом.
Просто уши отдыхают от знакомых слов и терминов из далекого детствв и юности😊
В очередной раз познавательная лекция. Благодарность автору!
Супер интересный и познавательный ролик, перечинил кучу техники включая сварочники но таких подробностей не знал.👍👍👍
Спасибо вам за ваш труд! Это видео ваш шедевр! Всё чётко без лишней воды.
Каналу нельзя отказываться от образовательной составляющей, мне кажется. Так что спасибо и успехов!
Спасибо что делитесь такой информацией, не бросайте обучающие видео, они очень нужны!
Лайк за кадры транзистора: то в травке, то на дереве)
А если срьезно, то видео отличное, обучающие самые ценные, но видимо массы любят "хлеб и зрелище".
Большое спасибо и будь здоров!
Шикарное видео. Было интересно послушать того кто применяет такие приборы на практике. Работаю на предприятии, которое производит IGBT как в виде силовых модулей, так и в дискретных корпусах. Интересно было бы ещё узнать о нюансах применения, т.к. у тебя большой опыт именно с готовыми схемами, чтобы понять на что больше обращать внимание. Сами модули испытать та ещё задачка, но это все равно остается идеальным испытанием в вакууме, за исключением разве что устойчивости к импульсу двойного переключения, обычно все замечания уже получаем от людей, которые применяет наши модули в готовых схемах.
Где бы их только увидеть в продаже, ваши транзисторы .... хоть по какой-нибудь цене, не говорю про вменяемую
Большое спасибо. Предельно информативно и без лишней "воды".
Классное видео! Сразу понял то, чему учили несколько лет в колледже :-)
Спасибо! Мне интересно всегда смотреть и слушать и для меня большая часть сложного много но интересного. Всех благ!
самое доступное объяснение об особенностях разных типов транзисторов! спасибо большое!
IGBT ключи в мощных приложениях с напряжениями от 300В имеют преимущество над полевиками. Первое - область безопасной работы IGBT шире MOS-фетов, Второе - если пересчитать падение на MOS-FET ключе при токе например 20 А с рабочим напряжением например 500В, то окажется что IGBT ключ будет иметь меньшее падение. И последнее - у IGBT не наблюдается Миллеровская полка по затвору - меньше звона. Единственный недостаток IGBT - очень быстрые сильно дороже, да и за встроенные диоды надо доплачивать.
При больших напряжениях даже пассивное выпрямление на диодах становится эффективнее синхронного на полевых транзисторах.
Там тоже есть "Миллеровская полка". Размер может отличаться. Опять же из-за пониженных характеристи переключения.
Это если сравнивать с кремниевыми мосфетами. Если отбросить фактор стоимости, то в сегменте 500V-20A SiC-мосфеты превосходят IGBT на голову. Еще есть GaN-мосфеты
Развёрнуто, детально и не скучно. Молодец!
Блин, а у меня таких 4 шт. валяется. Вот только даже внимания не обращал, а выкинуть жалко было. Спасибо автору ! Теперь буду знать, что точно пригодятся
Отличное видео и объяснение.
Знаю это всё, но слушал с удовольствием.
Отлично изложено! Лет десять назад, такой видосик сэкономил бы мне много сил и времени.
Но вот разобранного модуля в кадре не хватает. Компаунд очень часто прозрачный (непрозрачный вообще видел пару раз всего), так что было бы неплохо заглянуть. Кристаллики выглядят прикольно и ниточки, которыми кристалл соединен с шинами - тоже. Смотришь на такое и удивляешься, как оно все не выгорает на таких токах)
Еще как выгорает. "ниточки" - алюминиевые.
Да не отличное видео, а просто офигенное! Да сразу по всем видам транзисторов. Не хватило мне чуть чуть теории по переходам, Вики помогла;)
Хорошая подача материала. Единственная странность - в изображении входной емкости полевого транзистора. Входная емкость существует между истоком и затвором. Стало быть относительно управления она прикладывается в параллель, но никак не последовательно.
Для источника зарядовой цепи управления (драйвера) она последовательно вкючена. Так что ошибки нет.
@@nat87serg Дыыы что вы говорите? Емкость присутствующая между истоком и затвором (входная) оказывается последовательной относительно затвора... Это судя по сюжету. Ну ни фига себе - нет ошибки. Если уж быть дотошными, то заряд емкости происходит последовательно (как и любого конденсатора), но разряд осуществляется между двумя выводами емкости. То есть - затвор тупо соединяется с истоком. И никак последовательным такое воздействие быть не может. Емкость исток-затвор не перезаряжается, а закорачивается. А если учитывать более низкую скорость закрывания описанного транзистора, то быстрый разряд очень важен. В биполярных транзисторах именно такое свойство отчетливо наблюдается. И это свойство наиболее сильно проявилось из-за присутствия в данном гибриде именно биполярника.
@@nat87serg Да и забыл. В моем начальном утверждении написано, что входная емкость прикладывается к выходной цепи в параллель. Если выходом считать точку связи с затвором и точку связи с истоком, то именно так и выходит.
Благодарю за данное видео лично я ищу как раз образовательные видео, по этому помогу чем смогу!!!
Спасибо за доходчивое объяснение материала. Так держать!
Спасибо за познавательное видео. Давно искал что-то про IGBT, а тут новое видео
Очень интересно и, даже, понятно, теперь бы по ШИМ также, и я имею в виду принцип работы микросхем, а не в общем.
Транзюки, это всегда важно! Всё на этих трудягах сейчас работает.
Дядька самое важное забыл рассказать про транзисторы. Это емкость между К-Э. У полевых она значительно выше (И-С). Если использовать полевики в схеме полумост в импульсном блоке питания, то без радиатора даже в холостом режиме они могут сгореть, так как пока один транзистор закрыт в нем остается заряд, и когда открывается другой транзистор, он начинает работать на эту емкость, и кратковременно импульсный ток достигает огромных значений.
Такой ток может быть и не от этой емкости, а от качества обратных диодов. Они должны иметь минимальное время "рассасывания", а это сложная задача. Кроме того, ток "рассасывания" для диода ограничен и превышение его черевато пробоем. Поэтому затворный резистор выбирают из компромиса - избегаем слишком быстрого включения полевика для избежания большого тока "рассасывания" в оппозитном ключе / потери на коммутацию. Этот компромис имеет экстремум минимальной мощности потерь при определенном значении затворного резистора.
Все мною сказанное характерно для индуктивной нагрузки, когда обратные диоды активно используются.
Молодчаги спасибо🙏💕🙏💕 за информацию👏👏👏👏👏
Шикарный ролик, очень познавательно! Много нового узнал и главное, доступным языком.
спасибо, информация явно будет познавательная для начинающих и незнающих, особенно с таким объяснением, я же в свою очередь, лишний раз освежил память
Классное видео. Можно даже сделать отдельную рубрику с периодическими обучалками.
Класс! Отличный учебный материал! Великолепная работа! 👍
Салют :) Тут можно добавить что при включении мосфетов паралельно, падение напряжения открытого канала будет уменьшатся. У IGBT транзисторов, сколькобы в паралель не подключай, падение напряжения будет всегда одним и темже. Это к тому чтобы допустим уменьшить нагрев ключей, чтобы не использовать здаровых радиаторов мы можем запаралелить мосфеты, а вот с IGBT такая схема не прокатит.
Потому его и называют "биполярный".
Спасибо за Ваши труд. Всегда полезная информация.
Емкость затвора изображена неверно
Емкость должна изображаться параллельно переходу затвор-исток. В Вашем случае емкость ведет себя как диф. цепочка, а должна быть интегрирующая.
Емкостей в полевом на самом деле много, не только затвор исток, но и затвор сток, есть и собственная емкость затвора, для упрощения часто все это называют затворной емкостью
Может это и не выгодно, но очень познавательно. Продолжайте. Смотрю все видео.
Да вот и знакомый полевик увидел rfp50n06, пару раз менял в авто усилителях мощности такой. И в умной зарядке пропавшей под дождь. Ну там не только им ограничился ремонт.
Отличное видео и считаю во многом познавательное, ведь подобных обзоров практически нигде нет, так держать дальше!!!
Потрясающее видео! Огромное человеческое спасибо!
Очень мощная подача материала
Спасибо за ваши труды!
От души всей спасибо за труды!!!
👍🤝🤝🤝
Здравствуйте. Предложение для следующего цикла. Самоделки на основе сварочных инверторов (мощный регулируемый БП, индукционный нагреватель и т.д.)
Из этого ролика я узнал больше отличий биполярных и полевых транзисторов, чем из всех остальных вместе взятых.
Лет 15 назад работал с частотниками. Многих производителей (называть не буду - реклама или антиреклама). Тогда это были пионеры в нашей промышленности. Так что нам не нравилось - силовые модули были выполнены в едином блоке - входной мост (1-но или 3-х фазный, в зависимости от исполнения), выходные силовые ключи с оптодрайверами. Совершенно не ремонтопригодно! Иногда ремонт бывал удачным, если в платах управления были проблемы :smd предохранители, транзисторы, операционники и т. п.
Так что, не ремонтировали?
Отличное видео, многим, я думаю, будет полезно видео про операционный усилитель, так как это не менее распространенный элемент в схемотехнике, чем транзистор
Хочу видеть про операционные усилители с цифровым управлением, внутренними опорными источниками и гальванически развязаным внутренним питанием( с их помощью отслеживают падение на токовом резисторе IGBT ключей).
@@valentinsavchuk7807 по моему для таких целей как измерение падения напряжения обычный гальванически развязанный операционник подойдёт, типа ACPL-7800, ACPL-C79, что-то от TI и прочие
@@micromaster4405, для измерения падения напряжения на шунте есть специализированные ацп для шунтов, с встроенным операционником и шлю
@@krypton1886 возможно, однако и цена у них наверняка соответствующая, и вряд-ли меньше обычного ACPL-C79 или ему подобных
@@micromaster4405, скорее всего в этом вы таки правы
Отличное видео, только ёмкость затвора на схеме следовало изобразить не как последовательный с источником конденсатор, а как параллельный затвору.
Класс!!! Всё здорово рассказал👍, теперь точно свой сварочник доделаю.
( Если блок управления одолею...😆)
Не не. Надо еще почитать AN на транзисторы и силовые схемы.
Хотелось бы увидеть какую-то самоделки на основе IGBT
Повторение мать учения! ☝️
Спасибо друже 🤝
Спасибо! Хорошо разжёвано, сохраню себе. А можно такое же видео про JFET (почему у него затвор изображён в виде истока, со стрелочкой) и чем они отличаются от тех же MOSFET-ов?
Jfet раньше применялись в аналоговых схемах, сейчас не встречаются. Там канал изолируется не оксидом, а обратно смещённым (закрытым) pn-переходом.
Спасибо за понятное объяснение
Автору спасибо за интересный ролик!!! Люди, может кто расскажет, что за транзистор 313, производства СССР 1959 года? Сегодня, роясь в ящике с деталями, обнаружил пару таких транзисторов. Они похожи на П202, но верх крышки плоский, как у П4БЭ. И никакой буквы "П" у него нет. Кто знает, пожалуйста, расскажите, может это не только мне будет интересно. Гугл про него ничего не смог рассказать...
Я рад что подписался, много интересного, пытаюсь повторять схемы и изучать, правда не всегда работают с 1 раза 😁
Очень познавательно и доходчиво! Спасибо огромное!
Карбид кремния еще может при более высоких температурах работать, по памяти где то при 600 градусах цельсия
Лайк, комментарий. Делиться к сожалению не с кем
Отличное объяснение! Было-бы интересно посмотреть твоё видео как можно управлять igbt.
Очень внимательно смотрел.
И о чём то своём думал..)
Хороший ролик.
Спасибо. Хотелось бы еще пару минут про драйвера для них, которые вы упоминали.
Классный обзор, понял почему в преобразователе горели ижбт, отсутствие deathzone.
11:23 Паразитную емкость база-эммитер также разряжают.
Как всегда все интересно. Удачи в делах
Сделайте обзор на разобранный модуль IGBT. Там много интересного - что за гель-наполнитель внутри, из чего сделаны тончайшие проводники, что выдерживают огромные токи. Да и сам миниатюрный кристаллик IGBT интересен там.