안녕하세요, 충분히 그렇게 생각하실 수 있는 질문입니다. MOSFET 의 경우 게이트 단자에 전압을 인가하여도 DC 전류가 들어가지 않습니다. 게이트의 경우 oxide 로 절연되어 있기 때문입니다. 반대로 게이트 단자에 전류를 넣으면 게이트 단자의 전압을 컨트롤할 수가 없습니다. 게이트와 소스 단자 사이는 캐패시터로 보이기 때문입니다. (캐패시터에 DC 전류를 넣으면 캐패시터 양단에 걸리는 전압은 무한대입니다.) 그런데 MOSFET 은 게이트 단자의 전압의 전기장에 의해서 게이트 아래 oxide 층 을 지나 채널에 있는 정공들을 밀어냄으로서 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하도록 합니다. 이것이 전류로 게이트 단자를 컨트롤 할 수 없는 이유입니다. 조금 어려우실 수도 있는데 MOSFET 물리를 조금 공부하시면 이해하실 수 있습니다. BJT 계열의 경우에는 베이스 단자로 전류가 흘러가게 되고 말씀하신 것처럼 전압이 걸리게 됩니다. BJT의 베이스와 에미터 단자는 다이오드이기 때문에 전압으로 컨트롤하게 되면 컬렉터 전류가 굉장히 급격하게 변화하게 됩니다. 다이오드의 I-V 커브를 떠올려 보시면 이해가 되실 겁니다. 그래서 베이스단자는 전압으로 동작시키지 않습니다. 따라서, 일반적으로 BJT 는 베이스 단자에 전류를 넣음으로서 컬렉터 전류를 컨트롤하게 됩니다. 도움이 되었기를 바랍니다. 감사합니다.
![Blox Fruits Dragon Rework Update [Full Stream]](http://i.ytimg.com/vi/EqDAp8udhm0/mqdefault.jpg)
혼자 공부하는데 어떤영상보다 편하고 이해가 쉬워요ㅠㅠ 제발 계속 알려주세요 ㅎㅎ
시청해 주셔서 감사합니다. ^^
반도체 공학과로 편입 후 혼자 공부하는데 도움이 많이 됐네요!! 감사합니다😃
작은 지식이 도움이 되어 저도 기쁩니다. ^^
전기과지만 전자 너무어려웠는데 감사해요 구독👍👍
감사합니다. ^^
어렵지만 유용합니다. 계속 올려주세요😊
네 감사합니다😊
취미로 공부하는데 좋읍니다.
감사합니다. ^^
NPN과 N채널을 기본으로 두고 암기해서 그랬는지 몰라도, PNP와 P채널에서 전류를 역으로 걸고, 전압을 낮춰줘야지 위에서 아래로 전류가 흐르는건 몰랐네요!!
시청해 주셔서 감사합니다.
BJT와 FET의 차이가 B에 전류를 넣거나 G에 전압을 넣어 작동한다고 이해했는데요.
그런데 전압이 있는곳에 전류가 있고 전류가 있는곳에 전압이 있을텐데
이렇게 따지면 둘의 작동이 정확히 구분이 안되내요 ㅠ.ㅠ
안녕하세요,
충분히 그렇게 생각하실 수 있는 질문입니다.
MOSFET 의 경우 게이트 단자에 전압을 인가하여도 DC 전류가 들어가지 않습니다. 게이트의 경우 oxide 로 절연되어 있기 때문입니다.
반대로 게이트 단자에 전류를 넣으면 게이트 단자의 전압을 컨트롤할 수가 없습니다. 게이트와 소스 단자 사이는 캐패시터로 보이기 때문입니다.
(캐패시터에 DC 전류를 넣으면 캐패시터 양단에 걸리는 전압은 무한대입니다.)
그런데 MOSFET 은 게이트 단자의 전압의 전기장에 의해서 게이트 아래 oxide 층 을 지나 채널에 있는 정공들을 밀어냄으로서 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하도록 합니다.
이것이 전류로 게이트 단자를 컨트롤 할 수 없는 이유입니다.
조금 어려우실 수도 있는데 MOSFET 물리를 조금 공부하시면 이해하실 수 있습니다.
BJT 계열의 경우에는 베이스 단자로 전류가 흘러가게 되고 말씀하신 것처럼 전압이 걸리게 됩니다.
BJT의 베이스와 에미터 단자는 다이오드이기 때문에 전압으로 컨트롤하게 되면 컬렉터 전류가 굉장히 급격하게 변화하게 됩니다.
다이오드의 I-V 커브를 떠올려 보시면 이해가 되실 겁니다. 그래서 베이스단자는 전압으로 동작시키지 않습니다.
따라서, 일반적으로 BJT 는 베이스 단자에 전류를 넣음으로서 컬렉터 전류를 컨트롤하게 됩니다.
도움이 되었기를 바랍니다.
감사합니다.
@@회로스쿨 감사합니당!