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귀에 쏙쏙들어와서 시간 가는줄 모르고 보고있습니다. 좋은 영상 너무감사드립니다!!
너무 잘가르치십니다 교수님 사랑합니다
감사합니다 교수님!!
20240922수강
저번에 교수님께 메일로 보내서 사라진 강의도 봤고 시간 날때마다 교수님 강의 보는데 도움이 너무 많이 됩니다. 정말 정말 감사합니다. !
선생님 강의 매우 고맙습니다!
안녕하세요 교수님. 정말 좋은 강의에 교수님의 해당 강의 자료를 같이 사용하여 공부하고 싶은데 기초반도체공학 강의자료를 받을 수 있을까요?
강의자료는 수강생들에게만 제공합니다.
저희 교수님보다 잘 가르치세요!! 좋은 강의 감사드립니다!
ㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋ
ㄹㅇㅋㅋ
교수님 항상 좋은 강의 감사합니다. 친구가 세종대다니는데 갑자기 부러워질 정도네요강의내용이랑은 다른내용이긴한데, 기초반도체공정강의는 반도체공학강의 선이수가 필수일까요?? 현재 물리전자와 전자회로1만 배워둔 상태인데 두과목 병행이 가능할까해서 질문남깁니다..
기초수준의 강의라서 선수과목은 필요없습니다. 다만 MOSFET 의 구조와 부분들의 역할을 알면, 각각의 공정들을 왜 배우는지를 이해하기가 쉽습니다.
알기쉽게 설명해주셔서 감사합니다!
물리전자공학에서도 봤던 내용인데 2분에 나오는 no를 구할때 ni로 modified된 형태에서ni는 도핑이 되기전 intrinsic semiconductor의 carrier 농도를 의미하는건가요이번 강의에서 다루시는 p,n반도체의 Ei,ni값이 정확히 무슨뜻인지 궁금합니다.도핑되기전 상태를 얘기하는건가요
intrinsic semiconductor 의 페르미레벨과 캐리어농도입니다. 전부 [물리전자공학]에서 배운 내용이니 복습을 먼저 하는게 좋겠습니다.
@@DevicePhysics 감사합니다. 늘 잘보고있습니다
pn다이오드에 Na, Nd를 둘다 증가시키면 Vbi가 커져서 전류가 더 흐르기 어려워지나요 ?? 근데 Na와 Nd를 증가시키면 공핍영역은 둘다 줄어드는걸로 알고있는데 이부분이 헷갈립니다..
강의에서 설명했듯이, Vbi 는 에너지장벽의 높이 입니다. 따라서 Vbi 가 증가하면 캐리어의 이동이 더 어려워지므로, 전류가 흐르기 어려워 집니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다! 하나만 더 질문해도 될까요?? ntype ptype 둘다 도핑을 시키면 p형반도체와 n형반도체의 공핍영역이 모두 줄어드는데 이렇게 되면 캐리어 이동이 쉬워진다고 생각하는데 도핑을 할 수록 Vbi가 높아져 전류가 흐르기 어려워진다는 부분이 이해가 잘 가지 않습니다.
@@hyowon_eei 공핍영역 폭이 줄어들면 왜 캐리어의 이동이 쉬워진다고 생각하나요?
왜 p+n 에서는 볼츠만 조건이 성립되지 않나요? 정말 감사드립니다
[물리전자공학|4.4] 에서 배운 내용입니다. 도핑 농도가 높아지면 볼츠만 근사를 적용할 수 없습니다.
고등학생인데 대학 면접 준비 때문에 듣는중입니닷!! 이해가 너무 잘되어서 좋아요!!
![[Basic Semiconductor Device|1.3] pn junction : #built-in potential #zero voltage #depletion width](http://i.ytimg.com/vi/KSad26cGccY/mqdefault.jpg)
![[Basic Semiconductor Device|1.3] pn junction : #built-in potential #zero voltage #depletion width](/img/tr.png)
![[Basic Semiconductor Device|1.1] pn junction : #qualitative analysis without equations](http://i.ytimg.com/vi/V5oWlh-dGU0/mqdefault.jpg)
![[Basic Semiconductor Device|1.6] pn junction : #breakdown #zener effect #avalanche effect](http://i.ytimg.com/vi/KD4ldAqszg8/mqdefault.jpg)
귀에 쏙쏙들어와서 시간 가는줄 모르고 보고있습니다. 좋은 영상 너무감사드립니다!!
너무 잘가르치십니다 교수님 사랑합니다
감사합니다 교수님!!
20240922수강
저번에 교수님께 메일로 보내서 사라진 강의도 봤고 시간 날때마다 교수님 강의 보는데 도움이 너무 많이 됩니다. 정말 정말 감사합니다. !
선생님 강의 매우 고맙습니다!
안녕하세요 교수님. 정말 좋은 강의에 교수님의 해당 강의 자료를 같이 사용하여 공부하고 싶은데 기초반도체공학 강의자료를 받을 수 있을까요?
강의자료는 수강생들에게만 제공합니다.
저희 교수님보다 잘 가르치세요!! 좋은 강의 감사드립니다!
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ㄹㅇㅋㅋ
교수님 항상 좋은 강의 감사합니다. 친구가 세종대다니는데 갑자기 부러워질 정도네요
강의내용이랑은 다른내용이긴한데, 기초반도체공정강의는 반도체공학강의 선이수가 필수일까요?? 현재 물리전자와 전자회로1만 배워둔 상태인데 두과목 병행이 가능할까해서 질문남깁니다..
기초수준의 강의라서 선수과목은 필요없습니다. 다만 MOSFET 의 구조와 부분들의 역할을 알면, 각각의 공정들을 왜 배우는지를 이해하기가 쉽습니다.
알기쉽게 설명해주셔서 감사합니다!
물리전자공학에서도 봤던 내용인데 2분에 나오는 no를 구할때 ni로 modified된 형태에서
ni는 도핑이 되기전 intrinsic semiconductor의 carrier 농도를 의미하는건가요
이번 강의에서 다루시는 p,n반도체의 Ei,ni값이 정확히 무슨뜻인지 궁금합니다.
도핑되기전 상태를 얘기하는건가요
intrinsic semiconductor 의 페르미레벨과 캐리어농도입니다. 전부 [물리전자공학]에서 배운 내용이니 복습을 먼저 하는게 좋겠습니다.
@@DevicePhysics 감사합니다. 늘 잘보고있습니다
pn다이오드에 Na, Nd를 둘다 증가시키면 Vbi가 커져서 전류가 더 흐르기 어려워지나요 ?? 근데 Na와 Nd를 증가시키면 공핍영역은 둘다 줄어드는걸로 알고있는데 이부분이 헷갈립니다..
강의에서 설명했듯이, Vbi 는 에너지장벽의 높이 입니다. 따라서 Vbi 가 증가하면 캐리어의 이동이 더 어려워지므로, 전류가 흐르기 어려워 집니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다! 하나만 더 질문해도 될까요?? ntype ptype 둘다 도핑을 시키면 p형반도체와 n형반도체의 공핍영역이 모두 줄어드는데 이렇게 되면 캐리어 이동이 쉬워진다고 생각하는데 도핑을 할 수록 Vbi가 높아져 전류가 흐르기 어려워진다는 부분이 이해가 잘 가지 않습니다.
@@hyowon_eei 공핍영역 폭이 줄어들면 왜 캐리어의 이동이 쉬워진다고 생각하나요?
왜 p+n 에서는 볼츠만 조건이 성립되지 않나요? 정말 감사드립니다
[물리전자공학|4.4] 에서 배운 내용입니다. 도핑 농도가 높아지면 볼츠만 근사를 적용할 수 없습니다.
고등학생인데 대학 면접 준비 때문에 듣는중입니닷!! 이해가 너무 잘되어서 좋아요!!