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너무 잘가르치십니다 교수님 사랑합니다
저번에 교수님께 메일로 보내서 사라진 강의도 봤고 시간 날때마다 교수님 강의 보는데 도움이 너무 많이 됩니다. 정말 정말 감사합니다. !
귀에 쏙쏙들어와서 시간 가는줄 모르고 보고있습니다. 좋은 영상 너무감사드립니다!!
감사합니다 교수님!!
저희 교수님보다 잘 가르치세요!! 좋은 강의 감사드립니다!
ㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋ
ㄹㅇㅋㅋ
선생님 강의 매우 고맙습니다!
도핑 농도 높고 낮은 기준이 대략 10^18 전후라고 하셨는데, 그럼 10^18 일때는 어느쪽 방식을 적용하는 것이 좋을까요?
@@popkw 어느쪽 방식을 적용한다는게 무슨 뜻인가요?
@@DevicePhysics 농도가 낮을때 적용하는 근사식과, 높을때 계산하는 방식 중에서 어느쪽을 선택하는 것이 나을지가 궁급합니다 10^18 이 양쪽의 경계여서요
농도가 낮을 때 근사식이 되는 것이 아닙니다. [물리전자공학]의 degenerated 반도체에 대해 복습해 보세요.
안녕하세요 교수님. 정말 좋은 강의에 교수님의 해당 강의 자료를 같이 사용하여 공부하고 싶은데 기초반도체공학 강의자료를 받을 수 있을까요?
강의자료는 수강생들에게만 제공합니다.
고등학생인데 대학 면접 준비 때문에 듣는중입니닷!! 이해가 너무 잘되어서 좋아요!!
물리전자공학에서도 봤던 내용인데 2분에 나오는 no를 구할때 ni로 modified된 형태에서ni는 도핑이 되기전 intrinsic semiconductor의 carrier 농도를 의미하는건가요이번 강의에서 다루시는 p,n반도체의 Ei,ni값이 정확히 무슨뜻인지 궁금합니다.도핑되기전 상태를 얘기하는건가요
intrinsic semiconductor 의 페르미레벨과 캐리어농도입니다. 전부 [물리전자공학]에서 배운 내용이니 복습을 먼저 하는게 좋겠습니다.
@@DevicePhysics 감사합니다. 늘 잘보고있습니다
pn다이오드에 Na, Nd를 둘다 증가시키면 Vbi가 커져서 전류가 더 흐르기 어려워지나요 ?? 근데 Na와 Nd를 증가시키면 공핍영역은 둘다 줄어드는걸로 알고있는데 이부분이 헷갈립니다..
강의에서 설명했듯이, Vbi 는 에너지장벽의 높이 입니다. 따라서 Vbi 가 증가하면 캐리어의 이동이 더 어려워지므로, 전류가 흐르기 어려워 집니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다! 하나만 더 질문해도 될까요?? ntype ptype 둘다 도핑을 시키면 p형반도체와 n형반도체의 공핍영역이 모두 줄어드는데 이렇게 되면 캐리어 이동이 쉬워진다고 생각하는데 도핑을 할 수록 Vbi가 높아져 전류가 흐르기 어려워진다는 부분이 이해가 잘 가지 않습니다.
@@hyowon_eei 공핍영역 폭이 줄어들면 왜 캐리어의 이동이 쉬워진다고 생각하나요?
왜 p+n 에서는 볼츠만 조건이 성립되지 않나요? 정말 감사드립니다
[물리전자공학|4.4] 에서 배운 내용입니다. 도핑 농도가 높아지면 볼츠만 근사를 적용할 수 없습니다.
20240922수강
![[Basic Semiconductor Device|1.3] pn junction : #built-in potential #zero voltage #depletion width](http://i.ytimg.com/vi/KSad26cGccY/mqdefault.jpg)
![[Basic Semiconductor Device|1.3] pn junction : #built-in potential #zero voltage #depletion width](/img/tr.png)
![[Basic Semiconductor Device|1.1] pn junction : #qualitative analysis without equations](http://i.ytimg.com/vi/V5oWlh-dGU0/mqdefault.jpg)
![[Basic Semiconductor Device|1.4] pn junction : #forward bias #reverse bias](http://i.ytimg.com/vi/Z6U8maV8THE/mqdefault.jpg)
![Twenty One Pilots - “The Line” (from Arcane Season 2) [Official Music Video]](http://i.ytimg.com/vi/E2Rj2gQAyPA/mqdefault.jpg)
![[기초반도체공학|2.2] pn다이오드 : #경계조건 #소수캐리어의확산](/img/1.gif)
너무 잘가르치십니다 교수님 사랑합니다
저번에 교수님께 메일로 보내서 사라진 강의도 봤고 시간 날때마다 교수님 강의 보는데 도움이 너무 많이 됩니다. 정말 정말 감사합니다. !
귀에 쏙쏙들어와서 시간 가는줄 모르고 보고있습니다. 좋은 영상 너무감사드립니다!!
감사합니다 교수님!!
저희 교수님보다 잘 가르치세요!! 좋은 강의 감사드립니다!
ㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋㅋ
ㄹㅇㅋㅋ
선생님 강의 매우 고맙습니다!
도핑 농도 높고 낮은 기준이 대략 10^18 전후라고 하셨는데, 그럼 10^18 일때는 어느쪽 방식을 적용하는 것이 좋을까요?
@@popkw 어느쪽 방식을 적용한다는게 무슨 뜻인가요?
@@DevicePhysics 농도가 낮을때 적용하는 근사식과, 높을때 계산하는 방식 중에서 어느쪽을 선택하는 것이 나을지가 궁급합니다 10^18 이 양쪽의 경계여서요
농도가 낮을 때 근사식이 되는 것이 아닙니다. [물리전자공학]의 degenerated 반도체에 대해 복습해 보세요.
안녕하세요 교수님. 정말 좋은 강의에 교수님의 해당 강의 자료를 같이 사용하여 공부하고 싶은데 기초반도체공학 강의자료를 받을 수 있을까요?
강의자료는 수강생들에게만 제공합니다.
고등학생인데 대학 면접 준비 때문에 듣는중입니닷!! 이해가 너무 잘되어서 좋아요!!
물리전자공학에서도 봤던 내용인데 2분에 나오는 no를 구할때 ni로 modified된 형태에서
ni는 도핑이 되기전 intrinsic semiconductor의 carrier 농도를 의미하는건가요
이번 강의에서 다루시는 p,n반도체의 Ei,ni값이 정확히 무슨뜻인지 궁금합니다.
도핑되기전 상태를 얘기하는건가요
intrinsic semiconductor 의 페르미레벨과 캐리어농도입니다. 전부 [물리전자공학]에서 배운 내용이니 복습을 먼저 하는게 좋겠습니다.
@@DevicePhysics 감사합니다. 늘 잘보고있습니다
pn다이오드에 Na, Nd를 둘다 증가시키면 Vbi가 커져서 전류가 더 흐르기 어려워지나요 ?? 근데 Na와 Nd를 증가시키면 공핍영역은 둘다 줄어드는걸로 알고있는데 이부분이 헷갈립니다..
강의에서 설명했듯이, Vbi 는 에너지장벽의 높이 입니다. 따라서 Vbi 가 증가하면 캐리어의 이동이 더 어려워지므로, 전류가 흐르기 어려워 집니다.
@@DevicePhysics 답변 감사합니다! 하나만 더 질문해도 될까요?? ntype ptype 둘다 도핑을 시키면 p형반도체와 n형반도체의 공핍영역이 모두 줄어드는데 이렇게 되면 캐리어 이동이 쉬워진다고 생각하는데 도핑을 할 수록 Vbi가 높아져 전류가 흐르기 어려워진다는 부분이 이해가 잘 가지 않습니다.
@@hyowon_eei 공핍영역 폭이 줄어들면 왜 캐리어의 이동이 쉬워진다고 생각하나요?
왜 p+n 에서는 볼츠만 조건이 성립되지 않나요? 정말 감사드립니다
[물리전자공학|4.4] 에서 배운 내용입니다. 도핑 농도가 높아지면 볼츠만 근사를 적용할 수 없습니다.
20240922수강