[e4ds 인터뷰] "고효율 인버터, IGBT 대신 SiC MOSFET 필요"

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  • Опубликовано: 24 сен 2024
  • 기사: bitly.kr/r76sN1...
    * 04:30의 단위는 ㎳가 아니라 ㎲입니다.
    전력 소비가 늘어나며 안전하고 효율적인 소형 인버터 수요가 증가하고 있다. 인버터 개발자는 손실이 적고 전류 밀도는 높은 전력 디바이스를 검토해야 한다. SiC MOSFET은 현재 널리 쓰이는 Si 기반 MOSFET이나 IGBT보다 강건하여 높은 전압 및 온도 환경에서도 정상적으로 동작할 수 있다.

Комментарии • 6

  • @dongyulee2095
    @dongyulee2095 4 года назад +1

    새로운 것을 배웠습니다.
    감사합니다.

  • @sheriengr
    @sheriengr 2 года назад

    감사합니다

  • @YunsookPark
    @YunsookPark 10 месяцев назад

    ❤❤❤

  • @maplekjs
    @maplekjs 4 года назад

    자막의 us표시가 ms로 되어있네요.

  • @조효석-z6l
    @조효석-z6l 3 года назад

    10khz 이하 대역에서 IGBT 에서 소음이 발생됩니다. 발생되는 이유와 소음을 없애는 방법은 무엇인지 ?

    • @별헤는밤에-d9m
      @별헤는밤에-d9m 2 года назад

      가청 주파수 대역이라 그렇고 스위칭 주파수를 높여야합니다.